具有超陡逆行阱的体鳍片FET及其制造方法

摘要

本发明涉及具有超陡逆行阱的体鳍片FET及其制造方法。一种用于在体衬底中形成鳍片晶体管的方法包括在体衬底上形成超陡逆行阱（SSRW）。阱包括在未掺杂层下形成的第一导电类型掺杂剂的掺杂部分。在未掺杂层上生长的鳍片材料。从鳍片材料形成鳍片结构，并且鳍片材料是未掺杂的或者掺杂的。邻近鳍片结构提供源极和漏极区域以形成鳍片场效应晶体管。