双面研磨方法

摘要

本发明是一种双面研磨方法，其以粘贴有研磨布的上下平台夹入保持于载具的晶片，并使载具自转和公转，一边供给研磨剂一边同时研磨晶片的双面而进行晶片的双面研磨，上述双面研磨方法其特征在于，具有：第一研磨工序，其以高研磨速率进行研磨；以及，第二研磨工序，其继而以低研磨速率进行研磨，并包括：研磨后测定晶片的平坦度的工序；以及，基于平坦度的测定结果设定下一次研磨时的第二研磨工序的研磨条件的工序。由此提供一种双面研磨方法，其不受载具厚度的经时变化影响，能够稳定地改进晶片的平坦度。

权利要求

1.一种双面研磨方法，其以粘贴有研磨布的上下平台夹入保持于载具的晶片，并使上述载具自转和公转，一边供给研磨剂一边同时研磨上述晶片的双面而进行晶片的双面研磨，上述双面研磨方法其特征在于，具有：第一研磨工序，其以高研磨速率进行研磨；以及，第二研磨工序，其继而以低研磨速率进行研磨，并包括：研磨后测定上述晶片的平坦度的工序；以及，

基于上述平坦度的测定结果设定下一次研磨时的上述第二研磨工序的研磨条件的工序，将通过上述晶片中心的截面形状的整体的平坦度和上述晶片的外周部的塌边形状或翘起形状的外周部的平坦度，作为上述测定的平坦度，在设定上述第二研磨工序的研磨条件的工序中，在上述外周部的平坦度的结果为翘起形状的情况下，以与上一次研磨时相比，减少上述研磨载荷且增加上述上下平台的转速和上述载具的自转转速及公转转速的方式设定上述研磨条件；在上述外周部的平坦度的结果为塌边形状的情况下，以与上一次研磨时相比，增加上述研磨载荷且减少上述上下平台的转速和上述载具的自转转速及公转转速的方式设定上述研磨条件。

2.根据权利要求1所述的双面研磨方法，其特征在于，

在设定上述第二研磨工序的研磨条件的工序中，作为上述研磨条件，设定研磨载荷、上述载具的自转转速及公转转速、上述上下平台的转速、以及研磨时间中的至少任一个。

3.根据权利要求1或2所述的双面研磨方法，其特征在于，

在上述外周部的平坦度的结果为翘起形状的情况下，以精加工厚度变得比上一次研磨时厚的方式设定上述第一研磨工序的研磨时间；在上述外周部的平坦度的结果为塌边形状的情况下，以精加工厚度变得比上一次研磨时薄的方式设定上述第一研磨工序的研磨时间。

说明书

双面研磨方法

技术领域

[0001] 本发明涉及一种一边供给研磨剂一边同时研磨晶片的双面的双面研磨方法。

背景技术

[0002] 随着半导体电路线宽的微细化，对于作为其基板的半导体晶片所要求的平坦度越来越严格。在这种情况下，在研磨大口径晶片时，代替过去的单面研磨而采用加工精度更为优良的双面研磨方式。

[0003] 这里，双面研磨装置有如图6所示的行星齿轮式双面研磨装置和如图7所示的摆动式双面研磨装置。行星齿轮式双面研磨装置具有上下平台，上平台可上下移动，通过对下平台按压上平台，就能对夹在上下平台之间的晶片施加载荷。而且，如图6所示，双面研磨装置101具有设置于下平台内侧的太阳齿轮107和设置于下平台外侧的内齿轮108。

[0004] 而且，在上下平台之间有保持晶片的载具105，其外周部与太阳齿轮和内齿轮啮合而能够旋转。该载具按照太阳齿轮和内齿轮的转速在上下平台之间进行自转和公转。作为被研磨物的晶片，插入并保持在设置于该载具的保持孔106中，因而在研磨中不会从双面研磨装置跳出。

[0005] 另一方面，如图7所示，摆动式双面研磨装置111在旋转的上下平台之间配置保持晶片的载具105，并使载具105进行圆周运动而不是使载具105进行自转，以此研磨晶片。

[0006] 与摆动式双面研磨装置相比，行星齿轮式双面研磨装置能够将载具的自转转速及公转转速设置成较高，其结果，促进研磨中的晶片的自转运动，从而能够研磨出平坦度比摆动式研磨机高的晶片。因此，作为近年来的双面研磨装置，行星齿轮式双面研磨机成为了主流。

[0007] 这里，已知在行星齿轮式双面研磨装置中，研磨后的晶片的平坦度由研磨结束时的晶片厚度即晶片的精加工厚度与载具的厚度的关系而变化(例如，参照专利文献1)。例如，若使精加工厚度比载具厚度厚，则受研磨载荷所引起的晶片向研磨布下沉的影响，晶片外周部的压力比中央部高。其结果，晶片外周部的研磨被促进，使得外周部比中心部薄，从而产生所谓外周塌边，因而整体形状也容易成为凸形。

[0008] 相反地、若使精加工厚度比载具厚度薄，则由于载具缓和晶片向研磨布下沉的影响的所谓护圈效果，外周部的压力比中央部小。其结果，发生晶片外周部相对于中心部变厚的外周翘起，整体形状容易成为凹形。

[0009] 由此，过去通过调整相对于载具厚度的晶片的精加工厚度来调整平坦度。一般来讲，研磨工序具有：第一研磨工序，其以高研磨速率来进行粗研磨；以及，第二研磨工序，其继而以低研磨速率进行精研磨，而精加工厚度的调整是通过改变该第一研磨工序的研磨时间来进行。需要以相对于载具的厚度为最适宜的厚度来对晶片进行精加工，以研磨成平坦度高的晶片。

[0010] 而且，就晶片的精加工厚度和平坦度的测定而言，作业人员从双面研磨装置取出研磨后的晶片，利用位于装置之外的平坦度测定仪进行测定，测定结束后送回至研磨装置中。基于该平坦度的测定结果决定下一研磨的精加工厚度，并设定研磨时间。若每次进行这种研磨后取出晶片所进行的测定，则导致装置生产率及劳动生产率降低，因此，设成对于每一个多次研磨测定一次。

[0011] 现有技术文献

[0012] 专利文献

[0013] 专利文献1：日本特开平5-177539号公报

发明内容

[0014] 发明所要解决的问题

[0015] 然而，使例如GBIR(整体平面度)这样的晶片整体的平坦度与例如SFQR(局部平面度)或ESFQR(边缘部分平面度)这样的外周部的平坦度均高平坦化的厚度，未必相等。例如，即便精加工成GBIR良好的厚度，就外周部的平坦度而言，也会产生外周翘起或外周塌边，因而SFQR和ESFQR等变差。因此，如上所述的过去的精加工厚度的调整无法充分地改进平坦度。而且，如上所述，通过将载具的厚度用作基准的方法，就难以应对载具厚度的磨损等所造成的经时变化。

[0016] 近年来，为了削减半导体器件的成本，对于晶片外周部的平坦度的要求变得严格，在这种情况下，至今未成问题的范围的外周翘起、或外周塌边渐渐成为了问题，例如，通过如上所述的过去的方法，就难以研磨成晶片整体的平坦度和外周部的平坦度均良好的晶片。

[0017] 本发明是鉴于如上所述的问题而完成的，其目的在于提供一种双面研磨方法，该双面研磨方法不受载具厚度的经时变化影响，且能够稳定地改进晶片的平坦度。

[0018] 用于解决问题的方案

[0019] 为了达到上述目的，根据本发明，提供一种双面研磨方法，其以粘贴有研磨布的上下平台夹入保持于载具的晶片，并使上述载具自转和公转，一边供给研磨剂一边同时研磨上述晶片的双面而进行晶片的双面研磨，上述双面研磨方法其特征在于，具有：第一研磨工序，其以高研磨速率进行研磨；以及，第二研磨工序，其继而以低研磨速率进行研磨，并包括：研磨后测定上述晶片的平坦度的工序；以及，基于上述平坦度的测定结果设定下一次研磨时的上述第二研磨工序的研磨条件的工序。

[0020] 若为这种双面研磨方法，由于并不将载具的厚度用作基准值，因此，也不受载具厚度的经时变化影响，基于上一次平坦度的测定结果能够有效而稳定地改进平坦度。而且，若在生产线内进行平坦度的测定，则也不会降低生产率。

[0021] 此时，最好将通过上述晶片中心的截面形状的整体的平坦度和上述晶片的外周部的塌边形状或翘起形状的外周部的平坦度，作为上述测定的平坦度。

[0022] 这样一来，基于整体的平坦度和外周部的平坦度各自的测定结果，能够更为具体地设定第二研磨工序的研磨条件，能够更为有效地改进平坦度。

[0023] 而且此时，具体来讲，在设定上述第二研磨工序的研磨条件的工序中，作为上述研磨条件，能够设定研磨载荷、上述载具的自转转速及公转转速、上述上下平台的转速、以及研磨时间中的至少任一个。

[0024] 这样一来，能够具体设定第二研磨工序的研磨条件，尤其在测定整体的平坦度和外周部的平坦度的情况下，能够同时有效地改进这些平坦度。

[0025] 而且此时，在设定上述第二研磨工序的研磨条件的工序中，在上述外周部的平坦度的结果为翘起形状的情况下，以与上一次研磨时相比，减少上述研磨载荷且增加上述上下平台的转速和上述载具的自转转速及公转转速的方式设定上述研磨条件；在上述外周部的平坦度的结果为塌边形状的情况下，以与上一次研磨时相比，增加上述研磨载荷且减少上述上下平台的转速和上述载具的自转转速及公转转速的方式设定上述研磨条件。

[0026] 这样一来，由于在外周部平坦度的结果为翘起形状的情况下，能够使晶片容易成为凹形，且在外周部平坦度的结果为塌边形状的情况下，能够使晶片容易成为凸形，因此，结合取决于精加工厚度的整体的平坦度的调整，就能同时改进整体和外周部的平坦度。

[0027] 此时，具体来讲，在上述外周部的平坦度的结果为翘起形状的情况下，能够以精加工厚度变得比上一次研磨时厚的方式设定上述第一研磨工序的研磨时间；在上述外周部的平坦度的结果为塌边形状的情况下，能够以精加工厚度变得比上一次研磨时薄的方式设定上述第一研磨工序的研磨时间。

[0028] 这样一来，由于在外周部的平坦度的结果为翘起形状的情况下，晶片容易成为凸形，因此，结合通过变更上述第二研磨工序的研磨条件使得晶片容易成为凹形的效果，就能同时改进整体和外周部的平坦度。而且，由于在外周部的平坦度的结果为塌边形状的情况下，晶片容易成为凹形，因此，结合通过变更上述第二研磨工序的研磨条件使得晶片容易成为凸形的效果，就能同时改进整体和外周部的平坦度。

[0029] 发明效果

[0030] 在本发明的晶片的双面研磨中，包括在研磨后测定晶片的平坦度的工序、以及基于平坦度的测定结果设定下一次研磨时的第二研磨工序的研磨条件的工序，因此，不受载具厚度的经时变化影响，能够稳定地改进晶片的平坦度。而且，测定整体的平坦度和外周部的平坦度，并基于这些平坦度的测定结果设定第二研磨工序的研磨条件，因而能够同时改进整体的平坦度和外周部的平坦度。

附图说明

[0031] 图1是本发明的双面研磨方法的一例的流程图。

[0032] 图2是表示能够在本发明的双面研磨方法中使用的双面研磨装置的一例的概略图。

[0033] 图3是表示能够在本发明的双面研磨方法中使用的具备了晶片自动输送机器人的双面研磨装置的一例的概略图。(A)是俯视图。(B)是放大了机器人的部分的侧视图。

[0034] 图4是说明本发明的双面研磨方法的第一和第二研磨工序的说明图。

[0035] 图5是表示实施例和比较例的结果的图。

[0036] 图6是表示通常的行星齿轮式双面研磨装置的概略图。

[0037] 图7是表示通常的摆动式双面研磨装置的概略图。

具体实施方式

[0038] 下面说明本发明的实施方式，但本发明并非限定于该实施方式。

[0039] 如上所述，为了改进平坦度而将载具的厚度作为基准来调整精加工厚度的过去的双面研磨方法无法充分改进平坦度，尤其晶片外周部的平坦度的进一步改进成为了课题。而且，难以应对载具厚度的磨损等所造成的经时变化。

[0040] 因此，本发明人等为了解决这种问题而反复进行了专心研究。其结果，想到通过在每次研磨后测定晶片的平坦度，并将其结果反映至下一批次的第二研磨工序的研磨载荷、上下平台的转速等研磨条件中，从而不受载具厚度的经时变化影响，而能够稳定地研磨成高平坦度的晶片。进而，本发明人等发现以下事实并完成了本发明。该事实即、若基于整体和外周部的平坦度的测定结果，设定第二研磨工序的研磨载荷、上下平台的转速、载具的自转转速及公转转速、研磨时间等研磨条件，并设定自上一次研磨时的精加工厚度的增减，就能同时改进整体和外周部的平坦度。

[0041] 这里，对于能够在本发明的双面研磨方法中使用的双面研磨装置进行说明。如图2所示，双面研磨装置1具有圆筒形的上平台2和下平台3，研磨布4分别以其研磨面相对的方式粘贴在该上下平台2、3上。这里，将无纺布浸渍在氨基甲酸乙酯树脂中而制得研磨布4，研磨布4或者可以是氨基甲酸乙酯泡沫体等。在下平台3的内侧安装有太阳齿轮7，在外侧安装有内齿轮8。上下平台2、3和太阳齿轮7、内齿轮8具有相同的旋转中心轴，绕着该轴能够彼此独立地进行旋转运动。

[0042] 在载具5上设置有用以保持晶片W的保持孔6，如图3(A)所示，多个载具5被夹在上下平台2、3之间。在一个载具5上设置有多个保持孔6，因而每一批次能够研磨多个晶片W。而且，载具5分别与太阳齿轮7和内齿轮8啮合，并按照太阳齿轮7和内齿轮8的转速而在上下平台之间进行自转和公转。将晶片W插入保持在这种载具5的保持孔中，通过上平台2下降，夹入晶片W和载具5而施加研磨载荷。而且，构成为通过设置于上平台2中的通孔9，一边使自喷嘴10供给的研磨剂流入上下平台之间，一边使上平台2与下平台3朝向彼此相反的方向旋转，而同时研磨晶片W的双面。

[0043] 而且，如图3(A)、图3(B)所示，在能够用于本发明的双面研磨方法的双面研磨装置上，设置有晶片自动输送机器人11(以下，简称为机器人)和测定研磨后的晶片的精加工厚度的厚度测定仪12。该厚度测定仪12上相向配置有两个位移传感器13，通过在其间插入晶片W并测定各位移传感器13的位移量，而测定晶片的厚度。这里，位移传感器13能够使用接触式和非接触式(静电电容或激光位移计等)，若考虑对晶片的损伤的影响，则最好为非接触式。这样一来，能够在生产线内测定晶片的厚度。

[0044] 本发明的双面研磨方法，使用这种双面研磨装置，如图4所示，利用两个研磨工序来研磨晶片，该两个研磨工序为：第一研磨工序，其以高研磨速率进行研磨；以及，第二研磨工序，其继而以低研磨速率进行研磨。这里，第一研磨工序是主要用以去除上一工序中所残留的晶片表面的加工变形或凹痕的工序，为了提高生产率而使研磨载荷较高，从而以高研磨速率进行研磨。第二研磨工序是主要用以调整平坦度的工序，基于上一次的平坦度的测定结果适当设定研磨条件，以低研磨速率进行研磨。另外，在本发明中使用的上述双面研磨装置的构成为例示，本发明并非限定于此。

[0045] 下面使用图1来更为具体地说明本发明的双面研磨方法。

[0046] 如图1所示，通过机器人将上一次研磨结束后(图1的S1)的晶片自双面研磨装置回收(图1的S2)，并容纳于回收槽中。自双面研磨装置回收所有晶片之后，机器人自回收槽取出所要测定的晶片(图1的S3)，并根据需要通过鼓风机去除晶片表面的水分之后(图1的S4)，测定精加工厚度和平坦度(图1的S5)。

[0047] 这里，精加工厚度能够利用厚度测定仪来测定。此时，就用于测定的晶片数量而言，只要是一个批次所研磨的晶片中的1片以上即可，测定了2片以上时使用平均值。而且，例如测定通过晶片中心的水平线上的多个点的位置处的厚度，并将其平均值作为精加工厚度亦可。

[0048] 而且，作为所要测定的平坦度，能够为通过晶片中心的截面形状的整体的平坦度和晶片的外周部的塌边形状或翘起形状的外周部的平坦度。

[0049] 能够使用平坦度测定仪进行平坦度的测定。而且，也可如下所示那样，通过测定厚度并根据该厚度将平坦度数值化来测定平坦度。即、首先，利用厚度测定仪来测定厚度。根据该所测定的厚度将晶片的平坦度数值化。例如，能够将在多个点的位置处所测定的厚度的最大值与最小值之差作为晶片整体的平坦度，并能够将晶片的距外周为3mm位置的厚度与1mm位置的厚度之差作为外周部的平坦度。

[0050] 若不是像过去那样利用位于双面研磨装置之外的平坦度测定仪来测定平坦度，而是如上所述那样在生产线内测定晶片的厚度，并根据该厚度将平坦度数值化，则生产率也不会降低因而比较理想，但并非尤其限定于此。

[0051] 接着，基于平坦度的测定结果设定下一次研磨时的第二研磨工序的研磨条件(图1的S6、S7)。此时，若尤其是外周部的平坦度的测定结果良好，则能够将第二研磨工序的研磨条件设定为与上一次相同。进而，基于平坦度的测定结果决定下一次研磨时的精加工厚度(图1的S8)。

[0052] 接着，根据研磨之前的晶片的厚度与所决定的精加工厚度之差，计算所需总研磨量(图1的S9)，并参考过去的研磨速度，算出并设定所需第一研磨工序的研磨时间。

[0053] 这样设定研磨条件，并开始晶片的研磨。

[0054] 若为这种本发明的双面研磨方法，由于不将载具的厚度用作基准值，因此，也不受载具厚度的经时变化影响，且基于上一次的平坦度的测定结果能够有效而稳定地改进平坦度。而且，若使平坦度的测定在生产线内进行，生产率也不会降低。

[0055] 而且，通过将如上测定的平坦度作为整体的平坦度和外周部的平坦度，基于整体的平坦度和外周部的平坦度的各自的测定结果，能够更为具体地设定第二研磨工序的研磨条件，因而能够更为有效地改进平坦度。

[0056] 在设定第二研磨工序的研磨条件的工序中，作为具体的研磨条件，能够设定研磨载荷、载具的自转转速及公转转速、上下平台的转速、以及研磨时间中的至少任一个。

[0057] 这样一来，尤其在测定整体的平坦度和外周部的平坦度的情况下，能够将整体的平坦度和外周部的平坦度一起有效地改进。

[0058] 这里，例如能够以将研磨载荷设为50～300g/cm2、上下平台设为1～50rpm、研磨时间设为25分钟以下的范围内的方式进行设定。而且，载具的自转转速及公转转速能够根据上下平台、太阳齿轮、以及内齿轮的转速进行调整，且能够使太阳齿轮、内齿轮的转速与上下平台的转速相同。

[0059] 此时，作为具体的设定方法，最好以如下方式进行设定。

[0060] 在外周部的平坦度的结果为翘起形状的情况下，与上一次研磨时相比，减少研磨载荷且增加上下平台的转速和载具的自转转速及公转转速。由于载荷较低且增加上下平台的转速和载具的自转转速及公转转速，因而研磨剂遍布至晶片中心部。而且，就晶片中心部而言，研磨所引起的放热的影响以及研磨剂的冷却效果比外周部小，因此温度增高。基于该两点理由，与外周部相比，晶片中心部其机械研磨和化学研磨得以促进，使得中央部分的研磨速率较快，因而容易成为凹形。

[0061] 另一方面，在外周部的平坦度的结果为塌边形状的情况下，与上一次研磨时相比，以增加研磨载荷且减少上下平台的转速和载具的自转转速及公转转速的方式设定研磨条件。这样一来，与上述相反，研磨剂不能遍布至晶片中心部，因此，中央部分的研磨速率较慢，因而容易成为凸形。

[0062] 这样，设定第二研磨工序的研磨条件使得晶片容易成为凹形或凸形，对此结合取决于精加工厚度的整体的平坦度的调整，由此能够同时改进整体和外周部的平坦度。

[0063] 例如，在平坦度的测定结果是整体为凸形而外周部为翘起形状的情况下，与上一次研磨时相比，减少研磨载荷且增加上下平台的转速和载具的自转转速及公转转速使得晶片容易成为凹形，并且使精加工厚度较厚使得晶片容易成为凸形。通过这样设定，能够同时改进整体和外周部的平坦度。而且，在平坦度的测定结果是整体为凹形而外周部为塌边形状的情况下，与上一次研磨时相比，增加研磨载荷且减少上下平台的转速和载具的自转转速及公转转速，使得晶片容易成为凸形，并且使精加工厚度较薄使得晶片容易成为凹形。这样一来，同样能够同时改进整体和外周部的平坦度。

[0064] 另外，过去在例如整体为凸形而外周部为翘起形状的情况下，仅进行使精加工厚度较薄的调整以改进整体的凸形，因此，由于抑制载具所造成的研磨布的下沉量即所谓的护圈效果，导致进一步加剧外周部的翘起形状。

[0065] 在本发明中，如上所述，设定将翘起和塌边形状分别转换为凹形和凸形的条件后，据此设定精加工厚度使得整体变得平坦，因此，能够同时改进整体和外周部的平坦度。

[0066] 而且如上所述，在外周部的平坦度的结果并不是翘起和塌边形状而是平坦时，能够将第二研磨工序的研磨条件设定为与上一次研磨时相同，而在该情况下，通过变更第一研磨工序的研磨时间而调整精加工厚度，由此能够改进整体的平坦度。具体来讲，在整体的平坦度的结果为凹形时，以精加工厚度变得比上一次研磨时厚的方式设定第一研磨工序的研磨时间，或者在整体的平坦度的结果为凸形时，以精加工厚度变得比上一次研磨时薄的方式设定第一研磨工序的研磨时间即可。

[0067] 这里，最好以研磨量足以进行上述形状调整的方式设定第二研磨工序的研磨时间。虽并无特别限定，但例如能够以研磨量成为1.5～5.0μm范围的方式设定研磨时间。

[0068] 实施例

[0069] 下面示出本发明的实施例和比较例来更为具体地说明本发明，但本发明并不限定于这些例子。

[0070] (实施例)

[0071] 使用能够在生产线内进行平坦度的测定的双面研磨装置，按照如图1所示的本发明的双面研磨方法来研磨晶片，并评价了平坦度。作为经研磨的晶片，准备了一种直径为300mm的硅晶片，该硅晶片是将通过CZ法制造出来的单晶硅晶棒切片，并实施边缘部的倒角、抛光、以及蚀刻而制得。而且，作为双面研磨装置的研磨布，在上下平台侧均使用氨基甲酸乙酯泡沫体，研磨剂使用包含胶质二氧化硅磨粒，并将pH值调整为10.0～11.0的范围内的研磨剂。

[0072] 首先，如下设定了第一批次的研磨条件。第一研磨工序的研磨载荷设定为250g/cm2，以载具公转转速与上平台转速之差以及下平台转速与载具公转转速之差同为20rpm的方式且以载具自转转速为1rpm的方式分别设定了上下平台、太阳齿轮、内齿轮的转速。第二研磨工序的研磨载荷设定为180g/cm2，上下平台、太阳齿轮、内齿轮的转速设定为与第一研磨工序相同。而且，第二研磨工序的研磨时间设定为3.5分钟，并以精加工厚度成为777μm的方式设定了第一研磨工序的研磨时间。

[0073] 以这种研磨条件来研磨晶片，并测定了研磨后的晶片的平坦度。其结果，平坦度是整体为凸形而外周部为翘起形状。因此，如下设定了第二批次的第二研磨工序的研磨条件。将研磨载荷减少至130g/cm2，并增加了上下平台的转速和载具的自转转速及公转转速。此时，使载具公转转速与上平台转速之差以及下平台转速与载具公转转速之差同为25rpm。而且，将载具的自转转速增加至4rpm。而且，将精加工厚度增加至780μm，并将第二研磨工序的研磨时间设定为6分钟。另外，除了将研磨时间变更为使精加工厚度为780μm的研磨时间以外，第一研磨工序的研磨条件与第一批次条件相同。以这种研磨条件研磨晶片，并测定了研磨后的晶片的平坦度。

[0074] 其结果，将整体和外周部的平坦度能够同时改进为良好的值。图5是表示使下述比较例的结果为1时的平坦度的结果的图。如图5所示，在实施例、比较例中表示整体的平坦度的GBIR均为良好，但对于表示外周部的平坦度的SFQR、ESFQR而言，与比较例相比，实施例有了改进。

[0075] 而且，由于在生产线内进行平坦度的测定，因而并未增加工序时间，即能够在不降低生产率的情形下进行研磨。

[0076] 这样，确认出本发明的双面研磨方法能够稳定地提高晶片的平坦度。而且，确认出由于本发明并非以载具的厚度为基准来设定研磨条件，因此，不受载具厚度的经时变化影响，因而能够改进平坦度。

[0077] (比较例)

[0078] 以与实施例中的第一批次的研磨相同的条件研磨了单晶硅晶片。利用位于双面研磨装置之外的平坦度测定仪(日本黑田精工公司制Nanometro300TT)测定了研磨后的晶片，其结果平坦度是整体为凸形而外周部为翘起形状。因此，在第二批次的研磨中，为了改进整体的平坦度将相对于载具厚度的晶片的精加工厚度设定成较薄。

[0079] 其结果，虽然整体的平坦度有了改进，但加剧了外周部的平坦度的翘起形状，如图5所示，与实施例相比，外周部的平坦度大幅度变差。

[0080] 另外，本发明并不限定于上述实施方式。上述实施方式仅为例示，具有与本发明的权利要求书中所记载的技术思想实质上相同的构成，并发挥相同的作用效果的技术，无论怎样也均包括在本发明的技术范围内。