用于含铜金属的蚀刻剂组合物

摘要

本发明公开一种用于含铜金属层的蚀刻剂组合物，所述组合物包括过氧化氢（H2O2）、由式1表示的水溶性化合物、和水，以增加可蚀刻的基板的数量，从而提高加工裕量。

权利要求

1.一种用于含铜金属层的蚀刻剂组合物，包括：过氧化氢；由下式1表示的水溶性化合物；在分子中具有氮原子和羧基的水溶性化合物、或磷酸盐化合物中的至少一者；和水：[式1]

式中，R1和R2分别独立地为氢原子或具有1个至5个碳原子的烷基，R3为羟基或具有1个至5个碳原子的烷基。

2.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中，所述由式1表示的水溶性化合物选自氨基磺酸、N-甲基氨基磺酸、N-乙基氨基磺酸、N-丙基氨基磺酸、N,N-二甲基氨基磺酸、N,N-乙基甲基氨基磺酸、N,N-甲基丙基氨基磺酸、N,N-二乙基氨基磺酸、N,N-乙基丙基氨基磺酸、N,N-二丙基氨基磺酸、甲烷磺酰胺、乙烷磺酰胺、丙烷磺酰胺、N-甲基甲烷磺酰胺、N-甲基乙烷磺酰胺、N-甲基丙烷磺酰胺、N-乙基甲烷磺酰胺、N-乙基乙烷磺酰胺、N-乙基丙烷磺酰胺、N,N-二甲基甲烷磺酰胺、N,N-二甲基乙烷磺酰胺、N,N-二甲基丙烷磺酰胺、N,N-乙基甲基甲烷磺酰胺、N,N-乙基甲基乙烷磺酰胺、N,N-乙基甲基丙烷磺酰胺、N,N-甲基丙基甲烷磺酰胺、N,N-甲基丙基乙烷磺酰胺、N,N-甲基丙基丙烷磺酰胺、N,N-乙基丙基甲烷磺酰胺、N,N-乙基丙基乙烷磺酰胺、N,N-乙基丙基丙烷磺酰胺、N,N-二乙基甲烷磺酰胺、N,N-二乙基乙烷磺酰胺、N,N-二乙基丙烷磺酰胺、N,N-二丙基甲烷磺酰胺、N,N-二丙基乙烷磺酰胺和N,N-二丙基丙烷磺酰胺中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中，以所述蚀刻剂组合物的总重量计，所包括的过氧化氢和所述由式1表示的水溶性化合物的量分别为5重量％至25重量％和0.1重量％至10重量％，同时包括余量的水。

4.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中，所述分子中具有氮原子和羧基的水溶性化合物选自丙氨酸、氨基丁酸、谷氨酸、甘氨酸、亚氨基二乙酸、和肌氨酸中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中，以所述蚀刻剂组合物的总重量计，所包括的在分子中具有氮原子和羧基的水溶性化合物的量为0.1重量％至5重量％。

6.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中，所述磷酸盐化合物选自磷酸钠、磷酸钾和磷酸铵中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中，以所述蚀刻剂组合物的总重量计，所包括的磷酸盐化合物的量为0.1重量％至5重量％。

8.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，还包括无氮的有机酸。

9.根据权利要求8所述的蚀刻剂组合物，其中，所述无氮的有机酸选自乙酸、丁酸、柠檬酸、甲酸、葡萄糖酸、乙醇酸、丙二酸、戊酸和草酸中的至少一种。

10.根据权利要求8所述的蚀刻剂组合物，其中，以所述蚀刻剂组合物的总重量计，所包括的所述无氮的有机酸的量为0.1重量％至5重量％。

11.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，还包括水溶性环胺化合物。

12.根据权利要求11所述的蚀刻剂组合物，其中，所述水溶性环胺化合物选自氨基四唑、咪唑、吲哚、嘌呤、吡唑、吡啶、嘧啶、吡咯、吡咯烷和吡咯啉。

13.根据权利要求11所述的蚀刻剂组合物，其中，以所述蚀刻剂组合物的总重量计，所包括的水溶性环胺化合物的量为0.1重量％至5重量％。

14.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，还包括含氟化合物。

15.根据权利要求14所述的蚀刻剂组合物，其中，所述含氟化合物选自氟化铵、氟化钠、氟化钾、氟化氢铵、氟化氢钠和氟化氢钾中的至少一种。

16.根据权利要求14所述的蚀刻剂组合物，其中，以所述用于含铜金属层的蚀刻剂组合物的总重量计，所包括的含氟化合物的量为0.01重量％至1重量％。

17.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中，所述含铜金属层为铜或铜合金单层、具有钼层和在所述钼层上形成的铜层的铜-钼层、具有钼合金层和在所述钼合金层上形成的铜层的铜-钼合金层、或具有金属氧化物层和在所述金属氧化物层上形成的铜层的铜-金属氧化物层。

说明书

用于含铜金属的蚀刻剂组合物

技术领域

[0001] 本发明涉及一种用于含铜金属层的蚀刻剂组合物。

背景技术

[0002] 关于半导体器件，在基板上形成金属布线的过程通常包括：通过溅射形成金属层，通过涂覆在所选区域上形成光刻胶、使光刻胶曝光和显影、和蚀刻该金属层。此外，也可以
分别包括在单独的过程之前或之后的清洗过程。前述蚀刻过程指的是通过使用光刻胶作为
掩膜在所选区域上留下金属层的过程，且通常包括利用等离子体的干法蚀刻或利用蚀刻剂
组合物的湿法蚀刻。

[0003] 在上述这种半导体器件中，金属布线的电阻最近成为主要关注点。这是因为电阻是引起电阻电容（RC）信号延迟的重要因素，特别地，在薄膜晶体管-液晶显示器（TFT-LCD）
的情况下，面板尺寸的增加和高分辨率的实施方式对于技术发展是至关重要的。因此，为了
减少RC信号延迟（这点对于增加TFT-LCD的尺寸是绝对需要的），必须开发低电阻材料。然
-8 -8
而，在将铬（Cr，电阻率：12.7×10 Ωm）、钼（Mo，电阻率：5×10 Ωm）、铝（Al，电阻率：2.65×10-8Ωm）、及其合金用作用于大型的TFT LCD等的栅极和数据线仍存在问题。

[0004] 在前述情况下，对新的低电阻金属层（即，含铜金属层，如铜层和铜-钼层）和用于该金属层的蚀刻剂组合物越来越关注。然而，尽管目前使用了各种用于含铜金属层的蚀刻
剂组合物，但这些组合物仍未满足用户所期望的性能。

[0005] 韩国专利公开申请No.2004-11041公开了一种具有改善铜-钼蚀刻速率的蚀刻剂，以及一种使用该蚀刻剂的蚀刻方法。

发明内容

[0006] 因此，本发明的目的是提供一种用于含铜金属层的蚀刻剂组合物，该蚀刻剂组合物能够增加可以被蚀刻的基板（下文称为“可蚀刻的基板”）的数量。

[0007] 本发明的另一个目的是提供一种用于含铜金属层的蚀刻剂组合物，该蚀刻剂组合物能够形成具有优异的蚀刻均匀性和平直度的轮廓，同时不会留下含铜金属层的残留物。

[0008] 本发明的另一个目的是提供一种用于含铜金属层的蚀刻剂组合物，该蚀刻剂组合物能够以流水线式蚀刻栅极导线和源极/漏极导线。

[0009] 为了实现上面的目的，本发明提供了下列内容。

[0010] （1）一种用于含铜金属层的蚀刻剂组合物，包括：过氧化氢；由下式1表示的水溶性化合物；和水：

[0011]

[0012] （式中，R1和R2分别独立地为氢原子或具有1个至5个碳原子的烷基，R3为羟基或具有1个至5个碳原子的烷基）。

[0013] （2）根据上文（1）的蚀刻剂组合物，其中，所述由式1表示的水溶性化合物选自氨基磺酸、N-甲基氨基磺酸、N-乙基氨基磺酸、N-丙基氨基磺酸、N,N-二甲基氨基磺酸、N,N-乙基
甲基氨基磺酸、N,N-甲基丙基氨基磺酸、N,N-二乙基氨基磺酸、N,N-乙基丙基氨基磺酸、N,
N-二丙基氨基磺酸、甲烷磺酰胺、乙烷磺酰胺、丙烷磺酰胺、N-甲基甲烷磺酰胺、N-甲基乙烷
磺酰胺、N-甲基丙烷磺酰胺、N-乙基甲烷磺酰胺、N-乙基乙烷磺酰胺、N-乙基丙烷磺酰胺、N,
N-二甲基甲烷磺酰胺、N,N-二甲基乙烷磺酰胺、N,N-二甲基丙烷磺酰胺、N,N-乙基甲基甲烷
磺酰胺、N,N-乙基甲基乙烷磺酰胺、N,N-乙基甲基丙烷磺酰胺、N,N-甲基丙基甲烷磺酰胺、
N,N-甲基丙基乙烷磺酰胺、N,N-甲基丙基丙烷磺酰胺、N,N-乙基丙基甲烷磺酰胺、N,N-乙基
丙基乙烷磺酰胺、N,N-乙基丙基丙烷磺酰胺、N,N-二乙基甲烷磺酰胺、N,N-二乙基乙烷磺酰
胺、N,N-二乙基丙烷磺酰胺、N,N-二丙基甲烷磺酰胺、N,N-二丙基乙烷磺酰胺和N,N-二丙基
丙烷磺酰胺中的至少一种。

[0014] （3）根据上文（1）的蚀刻剂组合物，其中，以所述蚀刻剂组合物的总重量计，所包括的过氧化氢和所述由式1表示的水溶性化合物的量分别为5重量%至25重量%和0.1重量%至
10重量%，同时包括余量的水。

[0015] （4）根据上文（1）的蚀刻剂组合物，还包括分子中具有氮原子和羧基的水溶性化合物。

[0016] （5）根据上文（4）的蚀刻剂组合物，其中，所述分子中具有氮原子和羧基的水溶性化合物选自丙氨酸、氨基丁酸、谷氨酸、甘氨酸、亚氨基二乙酸、和肌氨酸中的至少一种。

[0017] （6）根据上文（4）的蚀刻剂组合物，其中，以所述蚀刻剂组合物的总重量计，所包括的分子中具有氮原子和羧基的水溶性化合物的量为0.1重量%至5重量%。

[0018] （7）根据上文（1）的蚀刻剂组合物，还包括磷酸盐化合物。

[0019] （8）根据上文（7）的蚀刻剂组合物，其中，所述磷酸盐化合物选自磷酸钠、磷酸钾和磷酸铵中的至少一种。

[0020] （9）根据上文（7）的蚀刻剂组合物，其中，以所述蚀刻剂组合物的总重量计，所包括的磷酸盐化合物的量为0.1重量%至5重量%。

[0021] （10）根据上文（1）的蚀刻剂组合物，还包括没有氮原子的有机酸（下文称为“无氮的有机酸”）。

[0022] （11）根据上文（10）的蚀刻剂组合物，其中，所述无氮的有机酸选自乙酸、丁酸、柠檬酸、甲酸、葡萄糖酸、乙醇酸、丙二酸、戊酸和草酸中的至少一种。

[0023] （12）根据上文（10）的蚀刻剂组合物，其中，以所述蚀刻剂组合物的总重量计，所包括的无氮的有机酸的量为0.1重量%至5重量%。

[0024] （13）根据上文（1）的蚀刻剂组合物，还包括水溶性环胺化合物。

[0025] （14）根据上文（13）的蚀刻剂组合物，其中，所述水溶性环胺化合物选自氨基四唑、咪唑、吲哚、嘌呤、吡唑、吡啶、嘧啶、吡咯、吡咯烷和吡咯啉。

[0026] （15）根据上文（13）的蚀刻剂组合物，其中，以所述蚀刻剂组合物的总重量计，所包括的水溶性环胺化合物的量为0.1重量%至5重量%。

[0027] （16）根据上文（1）的蚀刻剂组合物，还包括含氟化合物。

[0028] （17）根据上文（16）的蚀刻剂组合物，其中，所述含氟化合物选自氟化铵、氟化钠、氟化钾、氟化氢铵、氟化氢钠和氟化氢钾中的至少一种。

[0029] （18）根据上文（16）的蚀刻剂组合物，其中，以所述用于含铜金属层的蚀刻剂组合物的总重量计，所包括的含氟化合物的量为0.01重量%至1重量%。

[0030] （19）根据上文（1）的蚀刻剂组合物，其中，所述含铜金属层为铜或铜合金单层、具有钼层和在所述钼层上形成的铜层的铜-钼层、具有钼合金层和在所述钼合金层上形成的
铜层的铜-钼合金层、或具有金属氧化物层和在所述金属氧化物层上形成的铜层的铜-金属
氧化物层。

[0031] 本发明可以增加可蚀刻的基板的数量，从而提高加工裕量。

[0032] 当本发明的蚀刻剂组合物蚀刻含铜金属层时，本发明的蚀刻剂组合物可以具有优良的蚀刻均匀性和平直度，呈现出低的锥形轮廓。

[0033] 另外，当使用本发明的蚀刻剂组合物蚀刻含铜金属层时，无残留物存留，从而不会导致如下问题：如，电短路、线路故障、亮度降低等。

[0034] 另外，当制备用于液晶显示器的阵列基板时，本发明的蚀刻剂组合物能够以流水线式蚀刻栅极导线和源极/漏极导线，从而简化工艺的同时，使工艺出品率最大化。

[0035] 而且，当本发明的蚀刻剂组合物被用在蚀刻具有低的电阻的铜或铜合金导线时，本发明的蚀刻剂组合物可以表现出大的屏幕和高亮度电路的同时，制造出用于环境友好的
液晶显示器的阵列基板。

具体实施方式

[0036] 本发明公开了一种用于含铜金属层的蚀刻剂组合物，所述组合物包括过氧化氢、由式1表示的水溶性化合物、和水，以增加可蚀刻的基板的数量，从而提高加工裕量。

[0037] 在下文中，将详细描述本发明。

[0038] 本发明提供了一种用于含铜金属层的蚀刻剂组合物，该组合物包括过氧化氢（H2O2）、由式1表示的水溶性化合物、和水。

[0039] 过氧化氢（H2O2）为蚀刻含铜金属层的主氧化剂。

[0040] 只要过氧化氢的含量在预定的范围内，则过氧化氢的含量没有特别限制，在该预定范围内，过氧化氢可以起主氧化剂的作用，然而，以蚀刻剂组合物的总重量计，过氧化氢
的含量范围可以从5重量%至25重量%，优选从10重量%至20重量%。当以蚀刻剂组合物的总重
量计，所包括的过氧化氢的含量为5重量%至25重量%时，存在以适当的蚀刻速率充分地蚀刻
的优点。

[0041] 由式1表示的水溶性化合物为即使在大量地蚀刻基板之后（如果在蚀刻剂中铜金属的浓度为4000ppm或更高）仍可以确保充足的裕量，同时能够以适当的蚀刻速率均匀蚀刻
的组分。

[0042]

[0043] （式中，R1和R2分别独立地为氢原子或具有1个至5个碳原子的烷基，R3为羟基或具有1个至5个碳原子的烷基）。

[0044] 由式1表示的水溶性化合物的种类没有特别限制，但可以包括：例如氨基磺酸、N-甲基氨基磺酸、N-乙基氨基磺酸、N-丙基氨基磺酸、N,N-二甲基氨基磺酸、N,N-乙基甲基氨
基磺酸、N,N-甲基丙基氨基磺酸、N,N-二乙基氨基磺酸、N,N-乙基丙基氨基磺酸、N,N-二丙
基氨基磺酸、甲烷磺酰胺、乙烷磺酰胺、丙烷磺酰胺、N-甲基甲烷磺酰胺、N-甲基乙烷磺酰
胺、N-甲基丙烷磺酰胺、N-乙基甲烷磺酰胺、N-乙基乙烷磺酰胺、N-乙基丙烷磺酰胺、N,N-二
甲基甲烷磺酰胺、N,N-二甲基乙烷磺酰胺、N,N-二甲基丙烷磺酰胺、N,N-乙基甲基甲烷磺酰
胺、N,N-乙基甲基乙烷磺酰胺、N,N-乙基甲基丙烷磺酰胺、N,N-甲基丙基甲烷磺酰胺、N,N-
甲基丙基乙烷磺酰胺、N,N-甲基丙基丙烷磺酰胺、N,N-乙基丙基甲烷磺酰胺、N,N-乙基丙基
乙烷磺酰胺、N,N-乙基丙基丙烷磺酰胺、N,N-二乙基甲烷磺酰胺、N,N-二乙基乙烷磺酰胺、
N,N-二乙基丙烷磺酰胺、N,N-二丙基甲烷磺酰胺、N,N-二丙基乙烷磺酰胺、N,N-二丙基丙烷
磺酰胺等。优选使用N-甲基氨基磺酸。这些物质可被单独使用或以其中的两种或两种以上
的组合方式使用。

[0045] 只要由式1表示的水溶性化合物的含量在预定的范围内，则由式1表示的水溶性化合物的含量没有特别限制，在该预定范围内，该化合物可以合意地起到作用，然而，以蚀刻
剂组合物的总重量计，由式1表示的水溶性化合物的含量范围可以从0.1重量%至10重量%，
优选从3重量%至7重量%。如果以蚀刻剂组合物的总重量计，所包括的由式1表示的水溶性化
合物的含量为0.1重量%至10重量%，则增加被处理的基板的数量的效果可被最大化，从而是
优选的。

[0046] 本发明的蚀刻剂组合物还可以包括在分子中具有氮原子和羧基的水溶性化合物。

[0047] 在分子中具有氮原子和羧基的水溶性化合物的种类没有特别的限制，但可以包括：例如，丙氨酸、氨基丁酸、谷氨酸、甘氨酸、亚氨基二乙酸、肌氨酸等，这些水溶性化合物
被单独使用或以其中的两种或两种以上的组合方式使用。

[0048] 只要在分子中具有氮原子和羧基的水溶性化合物的含量在预定的范围内，则在分子中具有氮原子和羧基的水溶性化合物的含量没有特别限制，在该预定范围内，该化合物
可以合意地起到作用，然而，以蚀刻剂组合物的总重量计，在分子中具有氮原子和羧基的水
溶性化合物的含量范围可以从0.1重量%至5重量%，优选从1重量%至3重量%。如果以蚀刻剂
组合物的总重量计，所包括的在分子中具有氮原子和羧基的水溶性化合物的含量为0.1重
量%至5重量%，则存在以适当的蚀刻速率均匀地蚀刻的优点。

[0049] 本发明的蚀刻剂组合物还可包括磷酸盐化合物。

[0050] 磷酸盐化合物为确保图案的优良的锥形轮廓的组分。

[0051] 磷酸盐化合物没有特别的限制，只要其选自磷酸中的一个或两个氢被碱金属或碱土金属取代的盐，然而，该磷酸盐化合物可以包括磷酸钠、磷酸钾、磷酸铵等，这些磷酸盐化
合物被单独使用或以其中的两种或两种以上的组合方式使用。

[0052] 只要磷酸盐化合物的含量在预定的范围内，则磷酸盐化合物的含量没有特别限制，在该预定范围内，该化合物可以合意地起到作用，然而，以蚀刻剂组合物的总重量计，磷
酸盐化合物的含量范围可以从0.1重量%至5重量%，优选从1重量%至3重量%。如果以蚀刻剂
组合物的总重量计，所包括的磷酸盐化合物的含量为0.1重量%至5重量%，则以适当的蚀刻
速率可以充分地进行蚀刻，而没有留下残留物，并且有利的是，可以获得优良的蚀刻轮廓。

[0053] 本发明的蚀刻剂组合物还可包括无氮的有机酸。

[0054] 无氮的有机酸适当地调节pH值以形成蚀刻剂的环境，在该环境中，可容易地蚀刻含铜金属层。

[0055] 无氮的有机酸的种类没有特别的限制，但可以包括：例如，乙酸、丁酸、柠檬酸、甲酸、葡萄糖酸、乙醇酸、丙二酸、戊酸、草酸等，这些无氮的有机酸被单独使用或以其中的两
种或两种以上的组合方式使用。

[0056] 只要无氮的有机酸的含量在预定的范围内，则无氮的有机酸的含量没有特别限制，在该预定范围内，无氮的有机酸可以合意地起到作用，然而，以蚀刻剂组合物的总重量
计，无氮的有机酸的含量范围可以从0.1重量%至5重量%，优选从1重量%至3重量%。如果以蚀
刻剂组合物的总重量计，所包括的无氮的有机酸的含量为0.1重量%至5重量%，则可以维持
0.5至4.5的期望pH值，从而以适当的蚀刻速率充分地蚀刻。因此，存在防止CD（关键尺寸）损
失增加和残留物产生的优点。

[0057] 本发明的蚀刻剂组合物还可包括水溶性环胺化合物。

[0058] 水溶性环胺化合物为控制含铜的金属的蚀刻速率和降低图案的CD损失，从而增加加工裕量的组分。

[0059] 水溶性环胺化合物的种类没有特别的限制，但可以包括：例如，氨基四唑、咪唑、吲哚、嘌呤、吡唑、吡啶、嘧啶、吡咯、吡咯烷、吡咯啉等，这些水溶性环胺化合物被单独使用或
以其中的两种或两种以上的组合方式使用。

[0060] 只要水溶性环胺化合物的含量在预定的范围内，则水溶性环胺化合物的含量没有特别限制，在该预定范围内，前述化合物可以合意地起到作用以控制蚀刻速率，然而，以蚀
刻剂组合物的总重量计，水溶性环胺化合物的含量范围可以从0.1重量%至5重量%，优选从
0.5重量%至2重量%。如果以蚀刻剂组合物的总重量计，所包括的水溶性环胺化合物的量为
0.1重量%至5重量%，则可以以适当的速率充分地进行蚀刻，从而防止CD损失增加和残留物
产生。

[0061] 本发明的蚀刻剂组合物还可包括含氟化合物。

[0062] 在此使用的含氟化合物是指，在水中离解而产生氟离子的化合物，并且为能够去除从同时蚀刻铜层和钼层的溶液必然产生的残留物的组分。

[0063] 只要含氟化合物为在本领域中常用的且被离解成氟离子或多原子氟离子的任何化合物，则含氟化合物没有特别的限制，然而，其可包括：例如，氟化铵、氟化钠、氟化钾、氟
化氢铵、氟化氢钠、氟化氢钾等，这些含氟化合物被单独使用或以其中的两种或两种以上的
组合方式使用。

[0064] 只要含氟化合物的含量在预定的范围内，则含氟化合物的含量没有特别限制，在该预定范围内，前述化合物可以合意地起到作用以去除残留物，然而，以蚀刻剂组合物的总
重量计，含氟化合物的含量范围可以从0.01重量%至1重量%，优选从0.05重量%至0.5重量%。
如果以蚀刻剂组合物的总重量计，所包括的含氟化合物的量为0.01重量%至1重量%，则可以
以适当的蚀刻速率充分地进行蚀刻，而没有留下残留物。

[0065] 可选地，除了前述成分，根据本发明的用于含铜金属层的蚀刻剂组合物还可以包括任何常规的添加剂。例如，在本发明中可用的添加剂可以包括：螯合剂和缓蚀剂等。

[0066] 对于前述添加剂没有特别限制，为了实现本发明的更加有利的效果，也可以适当地选择和使用本领域中已知的其他不同的添加剂。

[0067] 根据本发明的用于含铜金属层的蚀刻剂组合物还可包括：以组合物的总重量计作为余量加入的水，从而在为了其特定的要求适当地采用前述组分之后，调整整个的构成组
成。优选地，将前述组分的含量控制在上述范围内。

[0068] 在此加入的水的种类没有特别的限制，但可以为去离子蒸馏水，优选为用于半导体过程的具有电阻系数为18MΩ·cm或大于18MΩ·cm的去离子蒸馏水。

[0069] 根据本发明，含铜金属层指的是包括单层和多层膜（如双层等）的构思，其中，在层的组分中包含铜。例如，可以包括铜或铜合金单层、多层膜（如，铜-钼层、铜-钼合金层、铜-
金属氧化物层等）。铜-钼层指的是具有钼层和在钼层上形成的铜层的膜，而铜-钼合金层指
的是具有钼合金层和在钼合金层上形成的铜层的膜。另外，钼合金层可以包括选自锡（Sn）、
钛（Ti）、钽（Ta）、铬（Cr）、镍（Ni）、钕（Nd）、铟（In）等中的至少一种与钼一起的合金。

[0070] 铜-金属氧化物层指的是具有金属氧化物层和在金属氧化物层上形成的铜层的膜。金属氧化物层可以通过包括金属氧化物来形成，其中，金属氧化物没有特别的限制，但
可以包括：例如，含有选自锌（Zn）、锡（Sn）、镉（Cd）、镓（Ga）、铝（Al）、铍（Be）、镁（Mg）、钙（Ca）、锶（Sr）、钡（Ba）、镭（Ra）、铊（Tl）、钪（Sc）、铟（In）、钇（Y）、镧（La）、锕（Ac）、钛（Ti）、锆（Zr）、铪（Hf）、钽（Ta）、和鈩（Rf）中的至少一种金属的氧化物。

[0071] 特别地，本发明的用于含铜金属层的通过包括前述组分而制备的蚀刻剂组合物可以包括过氧化氢（H2O2）、由式1表示的水溶性化合物、和水，以增加可蚀刻的基板的数量，从
而提高加工裕量。

[0072] 另外，本发明提供了一种蚀刻含铜金属层的方法，包括：（I）在基板上形成含铜金属层；（II）选择性地在含铜金属层上留下光反应型材料，以使含铜金属层的一部分暴露；和
（III）使用本发明的蚀刻剂组合物蚀刻被暴露的含铜金属层。

[0073] 根据本发明的蚀刻方法，光反应型材料优选为任何常规的光刻胶材料，该材料可通过常规的曝光和显影过程选择性地保留。

[0074] 另外，本发明提供了一种制造用于液晶显示器的阵列基板的方法，包括：（a）在基板上形成栅极导线；（b）在所述基板上形成栅极绝缘层，所述基板具有在所述基板上形成的
所述栅极导线；（c）在栅极绝缘层上形成半导体层；（d）在半导体层上形成源极导线和漏极
导线；和（e）形成与漏极导线连接的像素电极。

[0075] 该（a）过程可包括：在基板上形成含铜金属层，和使用本发明的蚀刻剂组合物蚀刻含铜金属层，以形成栅极导线。

[0076] 该（d）过程可包括：形成含铜金属层，和使用本发明的蚀刻剂组合物蚀刻含铜金属层，以形成源极导线和漏极导线。

[0077] 用于液晶显示器的阵列基板可以为薄膜晶体管（TFT）阵列基板。

[0078] 在下文中，为了更加具体地理解本发明，将描述优选的实施方式。然而，本领域的技术人员可以理解，这样的实施方式被提供用于示例的目的而不特别限制所附的权利要求
书，在不脱离本发明的范围和精神的情况下可进行各种修改和变更，并且这样的修改和变
更被充分地包括在如所附的权利要求书限定的本发明中。

[0079] 实施例

[0080] 实施例1至实施例6和比较实施例

[0081] 通过使用以其相应的含量（重量%）列于表1中的组分和加入余量的水，制备用于含铜金属层的蚀刻剂组合物。

[0082] [表1]

[0083]

[0084]

[0085] 实验实施例

[0086] （1）蚀刻轮廓的评估

[0087] 在将铜层沉积在玻璃基板（100mm×100mm）上之后，通过光刻过程在玻璃基板上形成具有期望图案的光刻胶。

[0088] 然后，在分别将Mo-Ti层沉积在另一个玻璃基板（100mm×100mm）上，然后将铜层沉积在上述Mo-Ti层上之后，通过光刻过程在玻璃基板上形成具有期望图案的光刻胶。

[0089] 此后，使用根据实施例1至实施例6的各种蚀刻剂组合物，蚀刻前述Cu单层和上文所制备的Cu/Mo-Ti层。

[0090] 使用以注射蚀刻模式的实验仪器（型号名称：蚀刻器（TFT），SEMES公司），蚀刻剂组合物的温度大约为30℃，蚀刻100秒。

[0091] 通过扫描电子显微镜（SEM）（Hitachi公司制造，型号名称S-4700）评估蚀刻轮廓，所获结果显示在下表2中。

[0092] [评估的标准]

[0093] ○：形成极好的锥形轮廓和优良的平直度。

[0094] △：形成极好的锥形轮廓，但差的平直度。

[0095] ×：由于界面处轮廓的变形，形成差的锥形轮廓和差的平直度。

[0096] （2）残留物生成的评估

[0097] 利用SEM（Hitachi公司制造，型号名称S-4700）评估是否残留物存留，所获结果显示在下表2中。

[0098] （3）被处理的片材的数量的评估

[0099] 使用根据实施例3和比较实施例的各种蚀刻剂组合物进行参照蚀刻测试，然后，将铜粉加入到蚀刻剂组合物中，以分别达到1000ppm、2000ppm、3000ppm和4000ppm的浓度。此
后，使用上文制备的蚀刻剂组合物进一步进行蚀刻。将蚀刻的结果与参照蚀刻测试的结果
进行比较，且根据以下标准进行评估。评估结果显示在下表3中。

[0100] [评估的标准]

[0101] ○：优异（侧面蚀刻的变化小于或等于10%）。

[0102] ×：差（侧面蚀刻的变化大于10%）

[0103] [表2]

[0104]

[0105] [表3]

[0106]

[0107] 参照上面的表2，证明根据实施例1至实施例6的用于含铜金属层的蚀刻剂组合物展现出在Cu单层和Cu/Mo-Ti层中的优良的平直度和极好的锥形轮廓，同时未留下残留物，
因此，在蚀刻含铜金属层期间展示出了极好的蚀刻性能。

[0108] 另外，参照上面的表3，证明了：与参照蚀刻相比，即使在加入铜粉达到4000ppm的浓度之后，根据实施例3的蚀刻剂组合物具有小于或等于10%的优异的侧面蚀刻变化，因此，
即使在处理了多个基板之后，蚀刻能力也未变差。换句话说，当铜粉的浓度为3000ppm或更
高时，根据比较实施例的蚀刻剂组合物具有大于10%的差的侧面蚀刻变化，因此，在处理了
多个基板之后，展示出变差的蚀刻能力。