一种太阳能选择吸收复合涂层及其制备方法

摘要

本发明公开了一种太阳能选择吸收复合涂层，依次包括底层金属片、热扩散阻挡层、吸收层和减反射层，其中热扩散阻挡层为Ta纳米层，吸收层为AlN-Ag纳米层，减反射层为AlN纳米层。本发明还公开了这种涂层的制备方法，包括底层金属片预处理、沉积吸收复合涂层和退火处理工序，其中沉积吸收复合涂层工序为采用三靶室温直流磁控溅射法，以金属Al、Ag和Ta为溅射靶材沉积吸收涂层采用电场进行退火处理。本发明将高熔点金属Ta引入吸收涂层作为扩散阻挡层，显著提高了涂层的热稳性以及界面结合力。采用电场退火对涂层进行处理，提高了涂层的吸收率。本发明操作简单方便，可控性好，清洁无污染，适合大规模产业化。

权利要求

1.一种太阳能选择吸收复合涂层，依次包括底层金属片、热扩散阻挡层、吸收层和减反射层，所述热扩散阻挡层为Ta纳米层，吸收层为AlN-Ag纳米层，减反射层为AlN纳米层,其特征在于：所述热扩散阻挡层Ta纳米层的厚度为8～10nm，吸收层AlN-Ag纳米层的总厚度为

105nm，减反射层AlN纳米层的厚度为60nm。

2.根据权利要求1所述的太阳能选择吸收复合涂层，其特征在于：所述吸收层为单层吸收层或多层梯度吸收层；所述单层吸收层为AlN-Ag单层纳米膜；所述多层梯度吸收层包含有3～6个周期膜层，以AlN-Ag为一个周期膜层，AlN层和Ag层为每一个周期膜层中的两个亚层。

3.根据权利要求2所述的太阳能选择吸收复合涂层，其特征在于：所述多层梯度吸收层的梯度为AlN层厚度由底层向表面方向逐渐增加，Ag层厚度不变。

4.根据权利要求1所述的太阳能选择吸收复合涂层，其特征在于：所述底层金属片为Cu片。

5.一种权利要求1所述太阳能选择吸收复合涂层的制备方法，包括底层金属片预处理、沉积吸收复合涂层和退火处理工序，其特征在于：所述沉积吸收复合涂层工序为采用三靶室温直流磁控溅射法，以纯度99.9～99.99wt%的金属Al、99.95～99.99wt%的金属Ag和99.9～99.99wt%的金属Ta为溅射靶材沉积吸收涂层；所述的退火处理工序为采用电场对沉积结束的吸收涂层进行退火处理。

6.根据权利要求5所述的太阳能选择吸收复合涂层的制备方法，其特征在于：所述三靶室温直流磁控溅射法具体步骤如下：（1）先抽本底真空至 ，然后通入高纯Ar气，设置流量为20sccm，通过闸板阀调节真空室真空度为4.0Pa，开始进行20～30min的预溅射，预溅射之后，再将真空度调至

1.2～1.5Pa工作压力；

（2）沉积热扩散阻挡层金属非晶Ta膜：设置功率为150W，控制膜厚为8～10nm，其中底层金属片温度为室温；

（3）沉积吸收层：对于单层吸收层AlN-Ag，通入N2，设置流量为10sccm，N与Al进行反应溅射沉积AlN，沉积功率为200W，同时沉积金属Ag，沉积功率为15W，控制单层厚度为105nm；对于多层吸收层，以AlN-Ag为一个沉积周期，设置周期值，按照单层吸收层沉积方法依次沉积AlN层和Ag层，其中周期逐渐增加，AlN层厚度也逐渐增加，Ag层厚度不变，控制多层总厚度为105nm；

（4）沉积一层厚度为60 nm的AlN减反射层，沉积功率为200W。

7.根据权利要求5所述的太阳能选择吸收复合涂层的制备方法，其特征在于：所述电场退火处理的方法为设置电场的温度为250℃，电场强度为3kV/cm，将样品放置在电场中保温

1～1.3h。

说明书

一种太阳能选择吸收复合涂层及其制备方法

技术领域

[0001] 本发明涉及一种太阳光谱选择吸收涂层，本发明还涉及这种太阳光谱选择吸收涂层的制备方法，属于真空镀膜技术领域。

背景技术

[0002] 太阳能利用是当前能源材料利用领域的前言课题。太阳能具有可再生能源，清洁无污染、安全且取之不尽的优点，把低品位的太阳能转换成高品位的热能，是太阳能热利用中的关键技术。太阳能集热器是一种可将太阳能转化为热能的设备，其最核心部分是表面选择性吸收涂层，这种涂层吸收太阳能紫外到近红外范围内的大部分光波，而在红外波段则是强反射，自身红外辐射率很低，是太阳能集热装置的核心材料。欲得到高效的吸收涂层需解决两个主要矛盾问题：一是太阳光谱内有尽可能高的吸收率α；二是辐射波长范围内有尽可能低的辐射损失，即低发射率ε。

[0003] 依据选择性吸收涂层的作用机理，大体可以分为以下三种类型：（1）材料本征吸收涂层，包括半导体和过渡金属材料，如Ti和Zr等过渡金属本身具有光谱选择性吸收特性，利用该材料制备的涂层具有一定的太阳能选择吸收性；半导体材料具有适当的能隙（0.62-1.24ev），如Si和Ge等是比较理想的候选材料，将半导体涂层与对红外和远红外反射率很高的金属衬底结合可以获得较好的光谱选择性。（2）光干涉吸收涂层，利用可见-近红外光谱的干涉与吸收效应的共同作用，将涂层设计成多层结构，与衬底的高红外反射特性匹配制成干涉滤波型涂层，如Al2O3/Mo/Al2O3干涉型选择性吸收涂层等。（3）渐变金属-介质复合涂层，是目前最常用的选择吸收涂层，渐变金属-介质复合材料吸收层由多层金属-介质复合材料亚层组成，每个亚层由纳米尺寸的金属粒子弥散分散在介质基体内，如多层渐变不锈钢-碳/铜等。

[0004] 太阳能选择性吸收涂层的制备方法有电镀（如黑镍、黑铬和黑钴涂层等）、阳极氧化法、化学气相沉积法和磁控溅射沉积等。其中电镀涂层和化学气相沉积涂层等普遍存在着吸收率比较高的同时发射率也比较高，以及膜系耐候性较差和污染环境等劣势而逐渐被淘汰，如黑铬和黑镍镀膜等。而磁控溅射技术具有操作工艺简单、膜层沉积速率高、重复性好、可沉积多层膜，而且容易实现在大面积上沉积均匀的薄膜，具有成本低、便于大规模产业化生产等特点。

[0005] 目前，在我国广泛应用的选择性涂层中，当温度较高时，发射率随温度急剧升高，而且膜层中金属成分容易在高温中扩散，造成膜层的老化和脱落，导致了涂层吸收效率的损耗和使用寿命的缩短。如何提高吸收涂层的吸收率，降低发射率，提高其热稳定性成为亟需解决的重要问题。

发明内容

[0006] 本发明的目的是提供一种太阳能选择吸收复合涂层。

[0007] 本发明的另一个目的是提供这种太阳能选择吸收复合涂层的制备方法，可以广泛用于改善各种选择性复合涂层的光谱吸收与热稳定性能，克服了传统选择吸收涂层耐热性差的缺点。

[0008] 本发明采用的技术方案为：一种太阳能选择吸收复合涂层，依次包括底层金属片、热扩散阻挡层、吸收层和减反射层，其特征在于：所述热扩散阻挡层为Ta纳米层，吸收层为AlN-Ag纳米层，减反射层为AlN纳米层。

[0009] 进一步的，所述热扩散阻挡层Ta纳米层的厚度为8～10nm，吸收层AlN-Ag纳米层的总厚度为105nm，减反射层AlN纳米层的厚度为60nm。

[0010] 进一步的，所述吸收层为单层吸收层或多层梯度吸收层；所述单层吸收层为AlN-Ag单层纳米膜；所述多层梯度吸收层包含有3～6个周期膜层，以AlN-Ag为一个周期膜层，AlN层和Ag层为每一个周期膜层中的两个亚层。

[0011] 进一步的，所述多个梯度周期层的梯度为AlN层厚度由底层向表面方向逐渐增加，Ag层厚度不变。

[0012] 进一步的，所述底层金属片为Cu片。

[0013] 本发明提供这种太阳能选择吸收复合涂层的制备方法为：包括底层金属片预处理、沉积吸收复合涂层和退火处理工序，其特征在于：所述沉积吸收复合涂层工序为采用三靶室温直流磁控溅射法，以纯度99.9～99.99wt%的金属Al、99.95～99.99wt%的金属Ag和99.9～99.99wt%的金属的Ta为溅射靶材沉积吸收涂层；所述的退火处理工序为采用电场对沉积结束的吸收涂层进行退火处理。

[0014] 进一步的，所述三靶室温直流磁控溅射法为在镀膜之前，先抽本底真空至5.5´10-5Pa，然后通入高纯Ar气，设置流量为20sccm，通过闸板阀调节真空室真空度为4.0Pa，开始进行20～30 min的预溅射，预溅射之后，在将真空度调至1.2～1.5Pa工作压力；

[0015] 首先开始沉积热扩散阻挡层金属非晶Ta膜，设置功率为150W，控制膜厚为8～10nm，其中底层金属片温度为室温；

[0016] 然后开始沉积吸收层，对于单层吸收层AlN-Ag，通入N2，设置流量为10sccm，N与Al进行反应溅射沉积AlN，沉积功率为200W，同时沉积金属Ag，沉积功率为15W，控制单层厚度为105nm；对于多层吸收层，以AlN-Ag为一个沉积周期，设置周期值，按照单层吸收层沉积方法依次沉积AlN层和Ag层，其中周期逐渐增加，AlN层厚度也逐渐增加，Ag层厚度不变，控制多层总厚度为105nm；

[0017] 最后沉积一层厚度为60 nm的AlN减反射层，沉积功率为200W。

[0018] 进一步的，所述电场退火处理的方法为设置电场的温度为250 °C，电场强度为3kV/cm，将样品放置在电场中保温1～1.3h。

[0019] 有益效果：本发明提供的纳米多层梯度太阳能选择性吸收涂层及其制备方法中：

[0020] （1）利用热稳定性高、在500°C保温1h后依然具有良好的阻挡效果的金属Ta作为扩散阻挡层，提高了涂层的热稳性；

[0021] （2）将红外反射Ag作为掺杂金属，沉积到AlN吸收膜中，采用多层与成分梯度的复合结构设计，同时进行电场退火处理，减小了涂层异质界面的内应力，改善了掺杂金属Ag在涂层中分布的均匀性，促进了膜层的晶化，提高了涂层的吸收率，降低了发射率，还增加吸收涂层的热稳性与工作可靠性；

[0022] （3）本发明方法还具有较好的重复性和可控性，操作简单方便，可控性好，清洁无污染，适合大规模产业化，通过电场退火处理得到的纳米多层梯度吸收涂层具有更高的吸收率和更低的反射率，热稳定高，综合性能优，本发明方法制备的吸收涂层的吸收率达到94～95%，发射率降低至5～6%。

附图说明

[0023] 下面结合附图和具体实施方式对本发明做进一步详细说明。

[0024] 图1为AlN/Ag三层梯度薄膜的XRD图谱。

[0025] 图2为AlN/Ag三层梯度薄膜的EDX和SEM图。

[0026] 图3 为吸收涂层的吸收光谱图。

[0027] 图4为吸收涂层的反射光谱图。

具体实施方式

[0028] 下面的实施列可以使本专业技术人员更全面的理解本发明，但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。

[0029] 实施例1

[0030] 仪器准备

[0031] 一台型号为JGP500A的磁控溅射仪，该设备安装三支F75mm永磁磁控靶，最大溅射功率为500W；一台四工位具有公转功能的样品转盘，可实现三靶共溅射实验；样品既可加热也可水冷，最高温度可到达800 °C，加热速率可调范围在10 °C/min－50 °C/min，适用于制备多种不同材料薄膜；真空系统中配有一台2XZ-8（8L/S）型机械泵和FF-200/1200涡沦分子泵，最高真空度可达到6.0´10-6 Pa。

[0032] 材料准备

[0033] 溅射靶材分别为纯度99.9wt%的Al、99.99wt%的Ag和99.9wt%的Ta，直径均为75mm；衬底为抛光后的金属Cu片。

[0034] 制备涂层：采用直流磁控反应溅射法制备两组相同的纳米多层梯度太阳光谱选择吸收涂层

[0035] 先用乙醇和丙酮将Cu衬底依次进行30min超声清洗，以除去其表面灰尘和油渍，表面的污渍除了会影响薄膜与衬底的黏附性之外，还会直接影响到薄膜的结晶性，故衬底材料的清洗工作也是相当关键的一步。

[0036] 镀膜前，对Al，Ag和Ta靶进行20 min的预溅射，以除去表面的氧化物等杂质。

[0037] 首先沉积一层厚度为8nm的非晶Ta膜作为扩散阻挡层，设置沉积功率为150W；

[0038] 接着沉积单层吸收层：通入反应气体N2气，设置流量为10sccm，N与Al进行反应溅射沉积AlN，沉积功率为200W，同时沉积金属Ag，沉积功率为15W，控制单层厚度为105nm；

[0039] 然后沉积一层厚度为60 nm的纯AlN减反射层，沉积功率设置为200W。

[0040] 最后将一组样品进行普通热退火处理。

[0041] 将另一组样品进行电退火处理：设置电场强度为3kV/cm，电场温度为250℃，将样品放置电场中保温1h。

[0042] 实施例2

[0043] 按照实施例1所述的方法进行制备纳米多层梯度太阳光谱选择吸收涂层，其中沉积吸收层时选择沉积三层梯度吸收层：以AlN-Ag为一个沉积周期，设置周期值为3，选定亚层比例，按照单层吸收层沉积方法依次沉积AlN层和Ag层，沉积出来的三层梯度膜吸收层分别为AlN20nm-Ag5nm/AlN30nm-Ag5nm/AlN40nm-Ag5nm。

[0044] 对于实施例2的吸收涂层进行结构表征与光谱吸收性能测试：

[0045] （1）吸收涂层的微观结构与成分采用XRD， EDX和SEM进行了表征

[0046] 如图1所示：XRD图谱中出现了AlN（3）（1）和Ag（2）（4）（5）层的特征峰，，但是峰宽较大，表明沉积态涂层中AlN和Ag的晶粒较小。

[0047] 如图2所示：EDX图中可以看到Al（2），Ag（2）（3）和N（1）的峰，其中Al含量较高；SEM图看出薄膜表面光滑，无颗粒，均匀性较好。

[0048] （2）利用紫外-可见光光度计测量和红外光谱仪测量吸收涂层的光谱吸收与反射性能

[0049] 如图3所示，曲线4为镀膜后AlN-Ag单层薄膜，曲线2为镀膜后AlN-Ag三层薄膜，曲线3为电场退火后的AlN-Ag单层薄膜，曲线1为电场退火后的AlN-Ag三层薄膜。由此可见，在紫外-可见光（0.3-2.0mm）区间，涂层具有较高的吸收性能，其中电场退火处理的多层梯度膜的吸收率最高；

[0050] 如图4所示，是涂层反射光谱图，曲线e为镀膜后AlN-Ag单层薄膜，曲线d为镀膜后AlN-Ag三层薄膜，曲线c为热退火后的AlN-Ag单层薄膜，曲线b为热退火后的AlN-Ag三层薄膜，曲线a为电场退火后的AlN-Ag三层薄膜，曲线1为热退火后的AlN-Ag三层薄膜，曲线2为电场退火后的AlN-Ag三层薄膜。可以看出，在紫外-可见光区间涂层具有较低的反射率，而在红外光谱区间，反射率急剧升高，并且随着退火的处理，反射率也增加，其中电场退火处理的多层梯度膜具有最高的反射率，由此表明，电场处理的多层梯度膜具有最高的吸收率与最低的发射率，综合性能最佳。