一种真空蒸发镀膜的方法和一种覆盖蒸发镀膜的稀土磁铁

摘要

本发明公开了一种真空蒸发镀膜的方法和一种覆盖蒸发镀膜的稀土磁铁，该方法包括如下的步骤：1)稀土磁铁工件进行前处理之后，装在工件架上；2)将所述工件架送入反应室，预氧化；3)将所述工件架送入镀膜室，抽真空，将金属蒸发材料M加热到蒸发温度，对所述稀土磁铁工件进行蒸镀；4)降温，破真空，取出工件获得。该方法是通过对稀土磁铁预先进行微量氧化、而后通入M蒸气发生置换反应的方式防止稀土磁铁的过度氧化，并获得致密的MO分布薄层和与该MO分布薄层牢固连接的M层。

权利要求

1.一种稀土磁铁真空蒸发镀膜的方法，所述的稀土磁铁为含有R2T14B主相的磁铁，所述的R为选自包含钇元素在内的稀土元素中的至少一种，所述T为包括Fe的至少一种过渡金属元素，其特征在于，包括以下步骤：

1)稀土磁铁工件进行前处理之后，装在工件架上；

2)将所述工件架送入反应室，预氧化，所述预氧化的预氧化温度为100～600℃，预氧化时间为0.1～12小时，相对湿度控制在10％以下；

3)将所述工件架送入镀膜室，抽真空，将金属蒸发材料M加热到蒸发温度，对所述稀土磁铁工件进行蒸镀，所述的M选自Mg、Al或Zn的至少一种；

4)降温，破真空，取出工件获得。

2.根据权利要求1所述的一种真空蒸发镀膜的方法，其特征在于：步骤3)中，蒸镀时间为0.05～3小时。

3.根据权利要求1所述的一种真空蒸发镀膜的方法，其特征在于：所述的稀土磁铁为NdFeB系磁铁。

4.根据权利要求3所述的一种真空蒸发镀膜的方法，其特征在于：步骤2)的所述反应室直接用作步骤3)的所述镀膜室，并在所述步骤2)完成之后，关闭氧气。

5.根据权利要求1或2所述的一种真空蒸发镀膜的方法，其特征在于：在步骤3)之后，还设置有如下的步骤，继续通入O2，同时将金属蒸发材料M加热到蒸发温度，对所述工件蒸镀

0.05～1小时，在M层的外表面上形成MO层。

6.根据权利要求1或2所述的一种真空蒸发镀膜的方法，其特征在于：在步骤3)之后，还设置有如下的步骤，对完成蒸镀的工件进行热处理，热处理温度为80～300℃，热处理时间为0.5～12h。

7.根据权利要求4所述的一种真空蒸发镀膜的方法，其特征在于：所述的金属蒸发材料为Mg，所述蒸发温度的最低值为650℃；或所述的金属蒸发材料为Al，所述蒸发温度的最低值为980℃；或所述的金属蒸发材料为Zn，所述蒸发温度的最低值为500℃；或所述的金属蒸发材料为Mg、Al和Zn的其中两种或三种的组合物，所述蒸发温度的最低值为上述不同材料蒸发温度各自的最低值。

8.根据权利要求5所述的一种真空蒸发镀膜的方法，其特征在于：步骤3)中还设置蒸发室，所述蒸发室的温度为蒸发材料的蒸发温度，所述镀膜室的温度控制在200～400℃。

9.一种覆盖蒸发镀膜的稀土磁铁，其特征在于：其包括在稀土磁铁表面形成的MO分布层、和在所述MO分布层之外的M层，所述的M选自Mg、Al或Zn的至少一种。

说明书

一种真空蒸发镀膜的方法和一种覆盖蒸发镀膜的稀土磁铁

技术领域

[0001] 本发明涉及磁铁的制造技术领域，特别是涉及一种真空蒸发镀膜的方法和一种覆盖蒸发镀膜的稀土磁铁。

背景技术

[0002] 由于稀土磁铁容易生锈，因此，在生产中需要对其表面进行镀层保护处理。而传统的电镀法存在很大局限性，其不仅很难控制镀层厚度，并且镀层表面容易产生麻点、硬刺、脱皮、烧焦、斑点、暗影、积瘤等缺陷，这就会缩短钕铁硼磁铁的使用寿命，同时电镀产生的废水需要二次处理达标排放，既提高生产成本，又对环境不利。

[0003] 利用真空蒸发镀膜技术可以避免上述种种缺陷，且镀膜原理简单、操作容易、成膜速度快、效率高、经济实用、没有污染。对于稀土磁铁来说，常用的镀膜为Mg、Al或Zn等的金属膜、或上述金属组合的合金膜、或SiO2膜等，这其中，以Mg或Al的金属膜最为常见。但是，对于现有方式制得的稀土磁铁金属镀膜而言，Mg、Al、Zn镀膜与稀土磁铁表面的结合力远低于MgO、Al2O3、ZnO与稀土磁铁表面的结合力，容易从磁铁表面剥落，保护效果不佳。

[0004] 目前，以MgO真空蒸发镀膜充当保护介质层已在玻璃和硅片上得以大量使用，在进行MgO镀膜之时，一般使用MgO作为靶材，用电子束或激光聚焦MgO靶表面，使MgO融化而被蒸发，但这一方式成本过高。为解决这一问题，发明专利CN1156600C采用S-枪磁控溅射法，以呈圆锥状的纯镁作靶，Ar气为保护气体，氧气为反应气体，获得厚度约为0.5～1.2μm、致密均匀的MgO功能薄膜，但这一镀膜方式大量使用氧气，对于稀土磁铁来说易造成过度氧化，严重影响产品性能，因此并不适合在稀土磁铁镀膜时使用。

发明内容

[0005] 本发明的目的之一在于克服现有技术之不足，提供一种真空蒸发镀膜的方法，其是通过对稀土磁铁预先进行微量氧化、而后通入M蒸气发生置换反应的方式获得致密的MO分布层和与该MO分布层牢固连接的M层，从而防止稀土磁铁的过度氧化。

[0006] 本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：

[0007] 一种稀土磁铁真空蒸发镀膜的方法，本发明所述的稀土磁铁为含有R2T14B主相的磁铁，所述的R为选自包含钇元素在内的稀土元素中的至少一种，所述T为包括Fe的至少一种过渡金属元素，其特征在于，包括以下步骤：

[0008] 1)稀土磁铁工件进行前处理之后，装在工件架上；

[0009] 2)将所述工件架送入反应室，预氧化；

[0010] 3)将所述工件架送入镀膜室，抽真空至表压10-1～10-6Pa之后，将金属蒸发材料M加热到蒸发温度，对所述稀土磁铁工件进行蒸镀；

[0011] 4)降温，破真空，取出工件获得。

[0012] 经上述步骤处理之后，稀土磁铁的表面形成了MO分布层，和在所述MO分布层之上形成的M膜镀层，其中，MO分布层的形成原理如下：

[0013] 作为稀土磁铁主相的R2Fe14B，R在有氧状态下被氧化：2R2Fe14B+3O2→2R2O3+2B+28Fe，该反应的吉布斯自由能ΔG<0，正向自发进行；同时富R相也发生如下的反应：4R+3O2→2R2O3。

[0014] 之后，R2O3与Fe发生反应，生成Fe2O3等产物。

[0015] 之后，在步骤3)的真空环境下，给待蒸发物M提供足够的热量以获得蒸发所需的蒸气压，在适当的温度下，蒸发粒子在基片上凝结，这样就可实现真空蒸发薄膜沉积，金属蒸发材料M附着在金属表面之后，由于其作为还原剂具有更强的失电子能力，界面上发生电子迁移过程，电子从M原子中转移到Fe2O3中的Fe原子表面，将Fe还原出来，同时形成M的正离子，此时，由于电子迁移造成的化学势梯度的变化以及带电离子间的相互吸引，并由于Fe离子被还原而在晶格中产生空位，引起离子晶体中的互扩散，使M离子和O离子在界面处利用空位机制互相扩散并结合在一起，形成化学键连接，所获得MO的分布范围与Fe2O3氧化层的分布相当或略大于Fe2O3的分布(金属可通过扩散进入稀土磁铁中)。随着时间的延长，这样的过程不断进行，最终使M与金属界面达到较为完全的化学连接，使其能够牢固地附着在磁铁表面。

[0016] 通过上述处理之后，使稀土磁铁不再直接与金属镀层结合，而是间隔MO分布层与金属镀层结合，从而提高了金属镀层与稀土磁铁之间的结合力，发挥其保护作用。

[0017] 从上述的说明可以推断出，在本发明中，形成MO层的过程与镀膜的过程同时进行。

[0018] 本发明采用的结合力测试方法如下：采用刃口角30°，刃口厚度50～100μm的单刃刀具在磁片的同一长宽面的平行于长宽方向切割间距为2mm的切割线各11条。切割时，刀具与磁片的夹角要一致，用力均匀，刃口在切割中要正好能穿透镀层而触及基底。检查结果分级见表1。

[0019] 表1 检查结果分级表

[0020]

[0021] 需要补充说明的是，本发明提及的前处理工序可以是选自喷砂、吹洗或酸洗等的至少一种。

[0022] 在推荐的实施方式中，步骤2)中，预氧化温度为100～600℃，预氧化时间为0.1～12小时。一般而言，Fe2O3的分布厚度随氧化时间的增加而增加，在上述的处理时间内，Fe2O3的分布厚度为磁铁功能表面以内的0.05～5μm。

[0023] 在上述的处理中，需特别控制步骤2)的氧化时间，若是氧化时间过长，会导致大量Fe2O3的形成，磁性能下降，而氧化时间过短则会造成MO分布层过薄，与磁铁表面的结合力低，金属膜层易脱落。

[0024] 在推荐的实施方式中，步骤3)中，蒸镀时间为0.05～3小时。本发明的蒸镀时间为常规蒸镀所需的时间即可，无需特意延长或缩短。

[0025] 在推荐的实施方式中，所述的稀土磁铁为NdFeB系磁铁。

[0026] 在推荐的实施方式中，还需严格控制步骤2)的相对湿度，在湿热环境中致密NdFeB烧结磁体的主要腐蚀反应为：Nd+3H2O→Nd(OH)3+3H，被还原的氢极易被稀土金属间化合物吸收，并与晶界富钕相进一步发生反应，造成晶界腐蚀，其反应式如下：Nd+3H→NdH3，NdH3相的生成导致富钕相体积膨胀，晶格扩展，晶界脆化疏松，主相晶粒剥落。本发明中，需将步骤2)的相对湿度控制在10％以下，以保证磁铁性能，并使镀膜能够牢固地附着在磁铁表面。

[0027] 在推荐的实施方式中，为防止物料的转移、反应室的开启等带来水汽，因此，步骤2)的所述反应室可直接用作步骤3)的所述镀膜室，并在所述步骤2)完成之后，关闭氧气。

[0028] 在推荐的实施方式中，在步骤3)之后，还设置有如下的步骤，继续通入O2，同时将金属蒸发材料M加热到蒸发温度，对所述工件蒸镀0.05～1小时，在M层的外表面上形成MO层。

[0029] 在推荐的实施方式中，在步骤3)之后，还设置有如下的步骤，对完成蒸镀的工件进行热处理，热处理温度为80～300℃，热处理时间为0.5～12h。

[0030] 在推荐的实施方式中，所述的蒸发材料为Mg，所述蒸发温度的最低值为650℃。Mg附着在金属表面之后，由于其作为还原剂有更强的失电子能力，界面上发生电子迁移过程，电子从Mg原子中转移到Fe2O3中的Fe原子表面，将Fe还原出来，同时形成Mg的正二价离子。此时由于电子迁移造成的化学势梯度的变化以及带电离子间的相互吸引，并由于Fe离子被还原而在晶格中产生空位，引起离子晶体中的互扩散，使Mg离子和O离子在界面处利用空位机制互相扩散并结合在一起，形成化学键连接，MgO层可以提高Mg镀层与稀土磁铁基体之间的结合力，同时隔离磁铁与外界的接触，发挥了保护作用，致密的Mg层切断了磁铁与大气的接触，由于化学活性高，在恶劣环境下先发生反应，从而起到保护稀土磁铁的作用。

[0031] 在推荐的实施方式中，所述的金属蒸发材料为Al，所述蒸发温度的最低值为980℃。作用参见Mg段。

[0032] 在推荐的实施方式中，所述的金属蒸发材料为Zn，所述蒸发温度的最低值为500℃。作用参见Mg段。

[0033] 在推荐的实施方式中，所述的金属蒸发材料为Mg和Al，所述蒸发温度的最低值为650℃和980℃。作用参见Mg段。

[0034] 在推荐的实施方式中，所述的金属蒸发材料为Mg和Zn，所述蒸发温度的最低值分别为650℃和500℃。作用参见Mg段。

[0035] 在上述的实施方式中，沉积在磁铁上的金属薄膜与表面的氧化铁发生如下置换反应：

[0036] Fe2O3+3(Mg/Zn)→2Fe+3(Mg/Zn)O，或Fe2O3+2Al→2Fe+Al2O3

[0037] 当然，也可以是其他的金属蒸发材料，其前提是该金属蒸发材料在稀土磁铁的使用温度下稳定，并可与Fe2O3反应氧化反应，且不会影响稀土磁铁的性能。

[0038] 在推荐的实施方式中，步骤3)中还设置蒸发室，所述蒸发室的温度超过所述金属蒸发材料的蒸发温度，所述镀膜室的温度控制在200～400℃。将镀膜室控制在上述温度之后，可加速M的扩散速度和Fe2O3与M的反应速度，从而使Fe2O3中的氧全部与待蒸发材料M反应，形成MO。

[0039] 本发明的另一目的是提供一种新型结构的真空蒸发镀膜。

[0040] 一种覆盖蒸发镀膜的稀土磁铁，其特征在于：其包括在稀土磁铁表面形成的MO分布层、和在所述MO分布层之外的M层，所述的M选自Mg、Al或Zn的至少一种。

[0041] 需要说明的是，这里的MO分布层一般为连续层，该连续层不特指厚度一致的水平层，也可以是厚度逐渐增加或逐渐减小的倾斜层，也可以厚度不均匀的凹凸层；当然，少数在极特殊的生产条件下，MO分布层也可能形成断裂层。不管MO层的形态如何，只要其同时满足不影响磁铁性能、以及M层和磁铁之间的结合力的前提下，上述形态的MO层均应被列入本发明的保护范围。

[0042] 与现有技术相比，本发明具有如下的特点：

[0043] 1)本发明是通过对稀土磁铁预先进行微量氧化、而后通入M蒸气发生置换反应的方式获得致密的MO分布层和与MO分布层牢固连接的M层，从而防止稀土磁铁的过度氧化。

[0044] 2)该方法既克服了M层与稀土磁铁结合力弱的问题，又克服了现有MO层镀膜形成过程中对稀土磁铁的氧化损伤问题。

[0045] 3)本发明在低湿度环境中进行，从而可以防止主相剥落的危险，使镀膜能够牢固地附着在磁铁表面。

[0046] 4)本发明充分利用了稀土磁铁的特点，并确定了最适当的预氧化时间和预氧化温度，使Fe2O3的分布厚度为磁铁功能表面以下的0.05～5μm，进而使得MO分布薄层的分布厚度为磁铁功能表面以下的0.05～5μm，从而保证了粘结强度，防止金属膜层的脱落，又不至于影响磁铁性能。

[0047] 5)本发明可选择在同一室内进行氧化和镀膜的工序，以防止物料的转移、反应室的开启等带来水汽，影响镀膜效果。

附图说明

[0048] 图1为Fe元素、O元素和Mg元素在镀层和基底的浓度分布图。

具体实施方式

[0049] 以下结合实施例对本发明作进一步详细说明。

[0050] 实施例一

[0051] 准备稀土磁铁烧结体，该烧结体具有如下的原子组成：Dy为5，Lu为0.2，Er为0.2，Nd为8.5，Tm为0.5，Y为0.1，Co为1，C为0.05，B为7，Cu为0.2，Mn为0.2，Ga为0.2，Bi为0.1，Ti为0.3，Fe为余量。依照现有稀土磁铁的熔炼、甩片、氢破碎、气流磨、压制、烧结和热处理的工序制得。

[0052] 经过热处理的烧结体加工成30mm×30mm×5mm的磁铁，5mm方向为磁场取向方向，加工后的磁铁喷砂，吹洗，表面洁净化后，安装在工件架上，每个工件架上安装一组磁铁(10片)。

[0053] 另取一组表面洁净的磁铁(10片)作为空白例。

[0054] 将固定有磁铁的工件架分别送入不同的镀膜室，向各个镀膜室内分别以0.5m3/hr的速率通入氧气，并分别加温至50～650℃，预氧化0.05～12小时，在这一过程中，镀膜室的相对湿度控制在10％以下。

[0055] 关闭氧气，镀膜室与蒸发室分别抽真空至表压10-1～10-2Pa之后，将金属Mg在蒸发室加热到650℃，形成Mg蒸气后送至镀膜室，对磁铁蒸镀1小时，在这一过程中，镀膜室的温度控制在300℃，相对湿度控制在10％以下。

[0056] 继续保持镀膜室真空度为表压10-1～10-2Pa，自然降温至50℃以下，破真空，取出工件，工件球磨抛光处理后获得。

[0057] 磁性能评价过程：烧结磁铁使用中国计量院的NIM-10000H型BH大块稀土永磁无损测量系统对每组磁铁进行磁性能检测，评价平均值。

[0058] 结合力等级采用说明书中描述的结合力测试方法测定。

[0059] 不同预氧化情况下的实施例和比较例的磁性能评价和结合力评价的情况如表2中所示。

[0060] 表2 实施例和对比例的磁性能评价和结合力评价的情况

[0061]

[0062]

[0063] 如此，得到稀土磁铁表面形成的MgO分布薄层、和在该MgO分布薄层之外的Mg层，实施例4的MO分布薄层结构得到FE-EPMA(电子探针显微分析)的二次电子图像确认，结果如图1中所示。实施例3、5、6、7、8的MO分布薄层结构同样得到FE-EPMA(电子探针显微分析)确认(由于上述图谱与实施例4的图谱极其相似，在此不再予以重复列举)。

[0064] 从表2中可以看到，在小于100℃的预氧化温度下、或在预氧化时间小于0.1小时之时，MgO分布薄层厚度不足，结合力弱，镀层容易从磁铁表面剥离，不能有效起到保护作用；在预氧化温度超过600℃磁铁的性能会受到比较大的影响；预氧化时间大于12小时则严重影响产品的生产周期。

[0065] 在图1中，线条1表示Fe元素在镀层和基底的浓度分布；线条2表示O元素在镀层和基底的浓度分布；线条3表示Mg元素在镀层和基底的浓度分布。

[0066] 实施例二

[0067] 准备稀土磁铁烧结体，该烧结体具有如下的原子组成：Dy为5，Lu为0.2，Er为0.2，Nd为8.5，Tm为0.5，Y为0.1，Co为1，C为0.05，B为7，Cu为0.2，Mn为0.2，Ga为0.2，Bi为0.1，Ti为0.3，Fe为余量。依照现有稀土磁铁的熔炼、甩片、氢破碎、气流磨、压制、烧结和热处理的工序制得。

[0068] 经过热处理的烧结体加工成30mm×30mm×8mm的磁铁，8mm方向为磁场取向方向，加工后的磁铁喷砂，吹洗，表面洁净化后，后安装在工件架上，每个工件架上安装一组磁铁(10片)。

[0069] 另取一组表面洁净的磁铁(10片)作为空白例。

[0070] 将固定有磁铁的工件架分别送入不同的镀膜室，向各个镀膜室内分别以0.8m3/hr的速率通入氧气，并加温至300℃，预氧化1小时，在这一过程中，镀膜室的相对湿度控制在10％以下。

[0071] 关闭氧气，镀膜室与蒸发室分别抽真空至表压10-3～10-4Pa之后，将重量比1:1的金属Mg和Zn在蒸发室分别加热到650℃和500℃，形成Mg蒸气和Zn蒸气后送至镀膜室，对磁铁分别蒸镀0.01～4小时，在这一过程中，镀膜室的温度控制在50～500℃。

[0072] 继续保持镀膜室真空度为表压10-3～10-4Pa，自然降温至50℃以下，破真空，取出工件，工件球磨抛光处理后获得。

[0073] 磁性能评价过程：烧结磁铁使用中国计量院的NIM-10000H型BH大块稀土永磁无损测量系统对每组磁铁进行磁性能检测，评价平均值。

[0074] 结合力等级采用说明书中描述的结合力测试方法测定。

[0075] 不同预氧化情况下的实施例和比较例的磁性能评价和结合力评价的情况如表3中所示。

[0076] 表3 实施例和对比例的磁性能评价和结合力评价的情况

[0077]

[0078] 如此，得到稀土磁铁表面形成的MO分布薄层(M为Mg和Zn的混合)、和在该MO分布薄层之外的M层，实施例4、5、6、7、8的MO分布薄层结构同样得到FE-EPMA(电子探针显微分析)的确认(由于上述图谱与实施例一中实施例4的图谱极其相似，在此不再予以重复列举)。

[0079] 从表3中可以看到，在小于100℃的蒸镀室温度下、或在蒸镀时间小于0.05小时之时，MgO分布薄层分布厚度不足，结合力弱，镀层容易从磁铁表面剥离，不能有效起到保护作用；在蒸镀室温度超过400℃磁铁的性能会受到比较大的影响；蒸镀时间大于3小时则影响产品的生产周期，并致使能耗增加。

[0080] 实施例三

[0081] 准备稀土磁铁烧结体，该烧结体具有如下的原子组成：Dy为5，Lu为0.2，Er为0.2，Nd为8.5，Tm为0.5，Y为0.1，Co为1，C为0.05，B为7，Cu为0.2，Mn为0.2，Ga为0.2，Bi为0.1，Ti为0.3，Fe为余量。依照现有稀土磁铁的熔炼、甩片、氢破碎、气流磨、压制、烧结和热处理的工序制得。

[0082] 经过热处理的烧结体加工成30mm×30mm×8mm的磁铁，8mm方向为磁场取向方向，加工后的磁铁喷砂，吹洗，表面洁净化后，然后安装在工件架上，工件架上安装10片磁铁。

[0083] 将固定有磁铁的工件架送入镀膜室，向镀膜室内分别以1.0m3/hr的速率通入氧气，并加温至200℃，预氧化2小时，在这一过程中，镀膜室的相对湿度控制在10％以下。

[0084] 关闭氧气，镀膜室和蒸发室抽真空至表压10-4～10-5Pa之后，将金属Mg在蒸发室加热到650℃，形成Mg蒸气后送至镀膜室，对磁铁蒸镀2小时，在这一过程中，镀膜室的温度控制在300℃。

[0085] 之后，以0.2m3/hr的速率向镀膜室通入氧气，并将金属Mg在蒸发室加热到650℃，形成Mg蒸气后送至镀膜室，对磁铁继续蒸镀1小时，在这一过程中，镀膜室的温度控制在300℃，相对湿度控制在10％以下。

[0086] 镀膜室自然降温至50℃以下，取出工件，工件球磨抛光处理后获得。

[0087] 如此，得到稀土磁铁表面形成的MgO分布薄层、在该MgO分布薄层外表面上形成的Mg层，和在Mg层的外表面上形成的MgO层。在Mg层外表面形成MgO层之后，可有效延长磁铁使用寿命。

[0088] 实施例四

[0089] 准备稀土磁铁烧结体，该烧结体具有如下的原子组成：Dy为5，Lu为0.2，Er为0.2，Nd为8.5，Tm为0.5，Y为0.1，Co为1，C为0.05，B为7，Cu为0.2，Mn为0.2，Ga为0.2，Bi为0.1，Ti为0.3，Fe为余量。依照现有稀土磁铁的熔炼、甩片、氢破碎、气流磨、压制、烧结和热处理的工序制得。

[0090] 经过热处理的烧结体加工成30mm×30mm×8mm的磁铁，8mm方向为磁场取向方向，加工后的磁铁喷砂，吹洗，表面洁净化后，然后安装在工件架上，工件架上安装10片磁铁。

[0091] 将固定有磁铁的工件架送入镀膜室，向镀膜室内分别以1.0m3/hr的速率通入氧气，并加温至200℃，预氧化2小时，在这一过程中，镀膜室的相对湿度控制在10％以下。

[0092] 关闭氧气，镀膜室和蒸发室抽真空至表压10-2～10-3Pa之后，将金属Mg在蒸发室加热到650℃，形成Mg蒸气后送至镀膜室，对磁铁蒸镀3小时，在这一过程中，镀膜室的温度控制在200℃。

[0093] 对完成蒸镀的工件进行热处理，热处理温度为50～350℃，热处理时间为0.5～12h。

[0094] 继续保持镀膜室真空度为表压10-2～10-3Pa，自然降温至50℃以下，破真空，取出工件，工件球磨抛光处理后获得。

[0095] 结合力等级采用说明书中描述的结合力测试方法测定。

[0096] 不同预氧化情况下的实施例和比较例的磁性能评价的情况如表4中所示。

[0097] 表4 实施例和对比例的结合力评价的情况

[0098]

[0099]

[0100] 上述实施例仅用来进一步说明本发明的几种具体的实施例，但本发明并不局限于实施例，凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均落入本发明技术方案的保护范围内。