薄片状导电填料

摘要

本发明提供一种容易生产并且廉价、同时具有高导电性的薄片状导电填料。本发明的薄片状导电填料的特征在于其是含有薄片状基材和被覆该薄片状基材的整个表面的银被膜的填料，该薄片状基材含有铜，该薄片状导电填料在粉末X射线衍射测定中，来自于银的(111)面的峰强度a与来自于银的(220)面的峰强度b的比a/b为2以下。

权利要求

1.一种薄片状导电填料，其特征在于，是含有薄片状基材和被覆该薄片状基材的整个表面的银被膜的薄片状导电填料，所述薄片状基材含有铜，

所述薄片状导电填料在X射线衍射测定中，来自于银的(111)面的峰强度a与来自于银的(220)面的峰强度b的比a/b为2以下，所述薄片状导电填料的平均粒径D50与平均厚度t之比即平均纵横比为1.5以上且500以下。

2.根据权利要求1所述的薄片状导电填料，其中，所述平均纵横比大于10且为50以下。

3.一种导电膏剂组合物，其含有权利要求1或2所述的薄片状导电填料。

4.一种物品，其使用权利要求3所述的导电膏剂组合物而形成且具有导电性。

5.权利要求1所述的薄片状导电填料的制造方法，其包括：第一工序，准备在含有铜的粉末的表面形成有银被膜的银被覆粉末；

第二工序，使用具有磨碎介质的磨碎装置，在有机溶剂中将所述银被覆粉末薄片化，所述第二工序中所用的所述磨碎介质是具有处于0.2mm以上且40mm以下的范围的直径的球状介质。

6.根据权利要求5所述的薄片状导电填料的制造方法，其中，所述第一工序中的银被覆粉末是在含有铜的粉末的表面利用化学镀形成有银被膜的粉末，所述第二工序在高级脂肪酸的存在下将所述银被覆粉末薄片化。

7.根据权利要求5所述的薄片状导电填料的制造方法，其中，所述第一工序中的银被覆粉末是在含有铜的粉末的表面利用化学镀形成银被膜后、使用高级脂肪酸处理而得的粉末。

说明书

薄片状导电填料

技术领域

[0001] 本发明涉及一种薄片状导电填料。

背景技术

[0002] 作为导电膏剂用填料，以往，多使用仅由银构成的银填料。但是，由于有成本高、具有迁移性等，因此作为其替代品开发出在铜粉末表面被覆了银的银被覆铜填料。对于该银被覆铜填料的优点，相对于仅由银构成的银填料来说，可以举出低成本、耐迁移性的改善等，另外相对于仅由铜构成的铜填料来说，可以举出抗氧化性的赋予等。

[0003] 作为向构成银被覆铜填料的铜粉末的表面被覆银的方法，一般来说多使用化学镀敷或溅射。由于由此得到的银被膜是银向铜粉末表面析出或层叠而成的，因此可以预计银原子的排列并不紧密。

[0004] 作为此种银被覆铜填料的例子，例如在日本专利第4677900号公报(日本专利文献1)中，公开过将鳞片状粒子与球状的粒子混合而得的混合导电粉。作为该鳞片状粒子，记载有在使用化学镀法利用银及银与铜的合金将铜粉的表面局部地被覆后、利用鳞片化工序将表面平滑化而得的鳞片状银被覆铜粉。此外，还记载有如下的内容，即，作为该鳞片化工序，可以使用投入了氧化锆珠等分散珠的球磨机等混合机对镀敷后的银被覆铜粉进行。

[0005] 另一方面，在日本特开平06-287762号公报(专利文献2)中，作为鳞片状银被覆铜粉的制法，公开过与专利文献1的获得鳞片状粒子的方法不同的方法。即，公开过在将球状的铜粉鳞片化后进行镀银处理的方法。

[0006] 现有技术文献

[0007] 专利文献

[0008] 专利文献1：日本专利第4677900号公报

[0009] 专利文献2：日本特开平06-287762号公报

发明内容

[0010] 发明所要解决的问题

[0011] 上述专利文献1的鳞片状银被覆铜粉的特征在于，为了提高改善迁移的效果，不是将铜粉的整个表面均匀地用银被覆，而是利用银局部地被覆，在其表面残存有露出铜的部分。但是，由于在表面露出铜，因此关于导电性、墨液的流动性的经时稳定性显示出降低的趋势。对此可以认为是因为，露出的铜部分的抗氧化性不够充分，而且在配合在导电性膏剂中的情况下会因露出的铜部分而发生凝胶化。

[0012] 另外，在专利文献1中，为了形成高填充密度的导电粉，采用了制成将鳞片状粒子与球状的粒子混合而得的混合导电粉的构成。这样，虽然在以导电膏剂的形式使用的情况下导电性提高，然而为了制成混合导电粉而需要大量工夫和时间。即，分别地准备鳞片状粒子和球状的粒子，在调整鳞片状粒子和球状的粒子的各自的配合量后，需要经过利用球磨机、摆动碾压机、V型混合机、振动磨等用将近100小时的时间进行混合的工序，因而需要大量工夫和时间。

[0013] 另一方面，在要求导电性涂膜的平滑性的情况下需要使用被较薄地鳞片化了的银被覆铜粉，然而在专利文献2的制法中越是较薄地鳞片化，铜粉的比表面积就越大，从而难以确保镀银处理的反应溶液中的鳞片状铜粉的良好的分散性。由此，镀敷的均匀性受到损害，难以稳定地制造具有高导电性的鳞片状银被覆铜粉。

[0014] 本发明是为了解决如上所述的问题而完成的，其目的在于，提供容易生产并且廉价、同时具有高导电性的薄片状导电填料。

[0015] 用于解决问题的方法

[0016] 本发明人为了解决上述问题反复进行了深入研究，其结果是得到如下的见解，即，将在含有铜的粉末的表面形成银被膜的银被覆粉末在特定的条件下进行薄片化，所得的薄片状导电填料在X射线衍射测定中具有特定的物性值，并且可以解决上述的问题，通过基于该见解反复进行进一步的研究，而完成了本发明。

[0017] 即，本发明的薄片状导电填料的特征在于其是含有薄片状基材和被覆该薄片状基材的整个表面的银被膜的填料，该薄片状基材含有铜，该薄片状导电填料在X射线衍射测定中，来自于银的(111)面的峰强度a与来自于银的(220)面的峰强度b的比a/b为2以下。

[0018] 这里，上述薄片状导电填料的平均粒径D50与平均厚度t之比即平均纵横比优选为1.5以上且500以下，更优选为大于10而为50以下。

[0019] 另外，本发明涉及一种含有上述的薄片状导电填料的导电膏剂组合物，还涉及使用该导电膏剂组合物形成的具有导电性的物品。

[0020] 另外，本发明还提供一种薄片状导电填料的制造方法，其特征在于，包括：第一工序，准备在含有铜的粉末的表面形成有银被膜的银被覆粉末；第二工序，使用具有磨碎介质的磨碎装置，在有机溶剂中将该银被覆粉末薄片化，该第二工序中所用的该磨碎介质是具有处于0.2mm以上且40mm以下的范围的直径的球状介质。

[0021] 另外，优选上述第一工序中的银被覆粉末是在含有铜的粉末的表面利用化学镀形成有银被膜的粉末，上述第二工序在高级脂肪酸的存在下将上述银被覆粉末薄片化。另外，也优选上述第一工序中的银被覆粉末是在含有铜的粉末的表面利用化学镀形成银被膜后，使用高级脂肪酸处理而得的粉末。

[0022] 发明的效果

[0023] 本发明的薄片状导电填料显示出容易生产并且廉价、同时具有高导电性的优异的效果。即，由于不需要像以往技术那样将形状不同的2种填料混合来使用，因此不会有在生产中需要长时间的情况，另外也不需要用于将填料精密地混合的控制，因此容易生产并且廉价，同时由于整个表面被银被膜被覆，因此具有高导电性。

具体实施方式

[0024] 以下，对本发明进行进一步详细说明。

[0025] <薄片状导电填料>

[0026] 本发明的薄片状导电填料含有薄片状基材和被覆该薄片状基材的整个表面的银被膜。这里，该薄片状基材的特征在于，含有铜，并且本发明的薄片状导电填料的特征在于，在X射线衍射测定中，来自于银的(111)面的峰强度a与来自于银的(220)面的峰强度b的比a/b为2以下。

[0027] 本发明的薄片状导电填料只要具有薄片状基材和银被膜，就可以含有其他的任意的构成要素。

[0028] <薄片状基材>

[0029] 本发明的薄片状基材的特征在于，含有铜。即，本发明的薄片状基材可以仅由铜构成，也可以作为主要的金属元素含有铜，还可以是含有铜以外的各种金属元素的构成(铜合金)。另外，也可以在该薄片状基材的表面形成氧化被膜。

[0030] <银被膜>

[0031] 本发明的银被膜将薄片状基材的整个表面被覆。这样，本发明的薄片状导电填料就具有足够的抗氧化性，同时可以防止在导电膏剂中发生凝胶化，由此显示出与导电性相关的经时稳定性提高的优异的效果。对此可以认为主要原因在于，由于银将薄片状基材的整个面被覆，由此难以在薄片状基材表面形成氧化被膜，可以防止由氧化被膜造成的导电性的降低。

[0032] 此种银被膜的厚度没有特别限定，然而如果考虑经济性，则优选在维持高导电性的同时更薄。所以，其厚度优选为5nm以上且200nm以下，更优选为10nm以上且100nm以下。

[0033] 由于相同的理由，对于薄片状导电填料中所含的银被膜的含有比例，相对于薄片状导电填料的总量适合为5～30质量％。

[0034] 而且，在本发明的银被膜与薄片状基材之间，不一定需要存在两者的明确的界面(边界)。这是因为，在两者的边界附近，有时两者的构成成分(银及铜)相互扩散。所以，即使在没有两者的明确的边界的情况下，也不脱离本发明的范围(不得否定银被膜的存在)。

[0035] <由X射线衍射测定得到的强度比>

[0036] 本发明的薄片状导电填料在X射线衍射测定中，来自于银的(111)面的峰强度a与来自于银的(220)面的峰强度b的比a/b需要为2以下。该a/b更优选为1.5以下。

[0037] 可以认为，在该比a/b满足上述的范围的情况下，被覆薄片状基材的表面的银被膜中的银原子的排列状态成为齐整的状态。由此可以推测，即使在将银被膜的厚度设为薄的厚度的情况下，也可以提高由银被膜带来的薄片状基材表面的抗氧化性，同时，由此提高导电性。

[0038] 另外，虽然如上所述的X射线衍射测定也可以单独地测定薄片状导电填料，然而如果在该导电填料在涂膜中整齐地排列的状态下进行X射线衍射测定，则可以实现薄片状导电填料的平面部分的更加正确的分析，从这样的观点考虑，优选测定将薄片状导电填料强制取向了的涂膜。

[0039] <平均纵横比等>

[0040] 本发明的薄片状导电填料的作为平均粒径(D50)与平均厚度(t)的比的平均纵横比(D50/t)优选为1.5以上且500以下，该平均纵横比更优选为大于10而为50以下。

[0041] 在平均纵横比小于1.5的情况下，就会显示出后述的制造方法中的第二工序中的银被覆粉末的薄片化不充分的情况，由此会有银被膜的银原子的排列状态不是充分地齐整的状态的情况。另一方面，在平均纵横比大于500的情况下，在该第二工序中会进行过度的薄片化，由此使得银被膜的厚度变得极薄，从而会有发生导电性的降低等无法获得形成了银被膜的效果的情况。另外，在平均纵横比大于500的情况下，如果使用该薄片状导电填料来制备导电膏剂组合物，则有可能引起该导电膏剂组合物的粘度变得过高等不良状况。

[0042] 此种平均纵横比是通过求出薄片状导电填料的平均厚度(t)与平均粒径(D50)的比(D50/t)而算出。

[0043] 这里，所谓平均粒径(D50)，也称作中值粒径，是指粒径大于和小于该值的粒子等量地存在的粒径。本发明的薄片状导电填料的平均粒径(D50)优选为1μm以上且50μm以下的范围内，更优选为2μm以上且20μm以下的范围内。

[0044] 如果在该范围内其平均粒径(D50)为2μm以上且10μm以下，则在配合于导电膏剂组合物中而形成电路等描画图案的情况下可以应对细线，因此优选。另外，如果是10μm以上且20μm以下，则在电磁波屏蔽等的大面积内形成比较薄的涂膜的情况下，平滑并且粒子的连续性变得良好，因此对于获得导电性高的涂膜来说有效。

[0045] 另外，上述平均厚度(t)优选为0.05μm以上且5μm以下的范围内，该平均厚度(t)更优选为0.1μm以上且2μm以下的范围内。如果是该范围内，则在配合于导电膏剂组合物(墨液)中的情况下在粘度、涂布性、涂膜的密合性等方面有利。

[0046] 如上所述的平均粒径(D50)是根据利用激光衍射法等公知的粒度分布测定法测定的粒度分布算出体积平均值而求出。另外，上述的平均厚度(t)是利用扫描型电子显微镜(SEM)观察由配合有薄片状导电填料的导电膏剂组合物形成的导电性涂膜的剖面，通过测定随机地选择的100个薄片状导电填料的厚度来求出其平均值，将该数值作为平均厚度。

[0047] <用途等>

[0048] 本发明的薄片状导电填料可以并不限定为以往使用该种导电填料的用途而使用。

[0049] 例如，可以举出含有该薄片状导电填料的导电膏剂组合物。更具体来说，作为此种导电膏剂组合物，例如可以举出含有各种树脂或玻璃粉(glass frit)等的导电树脂组合物、导电涂料、导电墨液及导电粘接剂、或通过将该薄片状导电填料炼入树脂中而得的导电膜等。

[0050] 另外，也可以举出使用如上所述的导电膏剂组合物形成的具有导电性的物品。更具体来说，作为此种具有导电性的物品，例如可以举出导电性涂膜、电极、布线、电路、导电性接合结构、导电性粘合带等。

[0051] <制造方法>

[0052] 本发明的薄片状导电填料的制造方法没有特别限定，然而例如优选采用如下所示的制造方法。

[0053] 即，优选采用如下的制造方法，其包括：第一工序，准备在含有铜的粉末的表面形成有银被膜的银被覆粉末；第二工序，使用具有磨碎介质的磨碎装置，在有机溶剂中将该银被覆粉末薄片化，该第二工序中所用的磨碎介质是具有处于0.2mm以上且40mm以下的范围的直径的球状介质。以下，对该制造方法进行说明。

[0054] <第一工序>

[0055] 第一工序是准备在含有铜的粉末的表面形成有银被膜的银被覆粉末的工序。这里，作为含有铜的粉末，可以使用仅由铜构成的粉末，也可以使用作为主要的金属元素含有铜且还含有铜以外的各种金属元素的铜合金。另外，也可以在此种含有铜的粉末的表面形成氧化被膜。

[0056] 另外，此种含有铜的粉末的形状没有特别限定，例如可以使用具有粒状、球状等形状的粉末。含有铜的粉末的平均粒径(D50)优选为0.5μm以上且30μm以下的范围内，更优选为1μm以上且10μm以下的范围内。另外，如果是厚度不太薄且纵横比也不太大的粉末，则也可以在不损害本发明的效果的范围内使用具有板状、薄片状等形状的粉末。

[0057] 但是，板状、薄片状等形状的粉末一般来说难以形成均匀的银被膜。特别是在利用化学镀形成银被膜的情况下，由于含有铜的粉末的比表面积变大，因此难以确保镀银处理的反应溶液中的含有铜的粉末的良好的分散性，镀敷的均匀性受到损害，难以获得具有高导电性的导电填料。基于以上的情况，优选使用具有粒状、球状等形状的粉末。

[0058] 另一方面，在含有铜的粉末的表面形成银被膜的方法没有特别限定，然而例如可以采用CVD(化学沉积)法、电镀法、化学镀法、PVD(物理沉积)法等公知的方法。特别是，从经济性、生产性的观点考虑优选采用化学镀法。

[0059] 而且，在本发明的薄片状导电填料中，需要将薄片状基材的整个表面利用银被膜被覆，然而该第一工序的银被覆粉末的表面不需要被银被膜将其整个面完全地覆盖。即，该银被覆粉末也可以存在有未形成银被膜的部分。

[0060] 这是因为，通过在后述的第二工序中将银被覆粉末的表面的银被膜较薄地延展，没有被银被膜被覆的部分也会被银被膜覆盖。但是，这并不排除使用将整个表面用银被膜被覆的银被覆粉末。

[0061] 而且，作为此种银被覆粉末，也可以直接使用市售的银被覆粉末。

[0062] <第二工序>

[0063] 第二工序是使用具有磨碎介质的磨碎装置在有机溶剂中对上述的第一工序中准备的银被覆粉末加以薄片化的工序。即，通过将银被覆粉末薄片化而形成薄片状导电填料。本发明中，将银被覆粉末薄片化的工序没有特别限定，然而优选像这样使用具有磨碎介质的磨碎装置在有机溶剂中将银被覆粉末薄片化。

[0064] 利用该第二工序将银被覆粉末薄片化，然而通过使用如后所述的规定的磨碎介质，银被覆粉末的银被膜就会在追随作为基材的含有铜的粉末的薄片化的同时，被平滑地较薄地延展在该粉末的表面。其结果是，银被膜的银原子的排列状态成为齐整的状态，可以推测，即使银被膜的厚度变薄，银被膜的抗氧化性也会提高，同时导电性也会提高。

[0065] 换言之，可以认为，利用该第二工序，本发明的薄片状导电填料的薄片状基材的整个表面被银被膜被覆，而且在X射线衍射测定中，来自于银的(111)面的峰强度a与来自于银的(220)面的峰强度b的比a/b为2以下。

[0066] 这里，作为上述具有磨碎介质的磨碎装置没有特别限定，然而例如可以举出球磨机、珠磨机等。此外，其特征在于，作为该磨碎介质，采用具有处于0.2mm以上且40mm以下的范围的直径的球状介质。通过采用此种磨碎介质，就可以实现如上所述的优异的效果。上述直径更优选设为0.5mm以上且5mm以下的范围。

[0067] 而且，本发明的磨碎介质的特征在于，采用具有处于0.2mm以上且40mm以下的范围的直径的球状介质，然而只要显示出本发明的效果，则即使含有此种球状介质以外的磨碎介质，也不脱离本发明的范围。

[0068] 作为构成此种磨碎介质的材质，可以使用一般的陶瓷珠、玻璃珠、钢珠等，可以根据目的自由地选择这些材质。而且，所谓球状介质，不仅指正球状介质，也包括可以实质上看作球状的介质。

[0069] 另外，磨碎介质的直径(DB)与银被覆粉末的平均粒径(Dm)的比(Dm/DB)优选处于0.0001以上且0.02以下的范围内，更优选处于0.002以上且0.01以下的范围内。通过设定为该范围内，可以更加显著地实现如上所述的效果。

[0070] 银被覆粉末的平均粒径(Dm)优选为0.5μm以上且30μm以下的范围内，更优选为1μm以上且15μm以下的范围内。

[0071] 在此种本发明的第二工序中，优选通过控制磨碎介质的直径、磨碎时间、使用溶剂、分散剂等各种磨碎条件，将薄片状导电填料的各粒子的边缘部分制成光滑的边缘部分，不会有因磨碎介质的强烈冲击而被撕碎的情况。如果粒子因磨碎介质的强烈冲击而被撕碎，就会在与该撕碎的部分相当的薄片状基材的边缘部分产生没有由银被膜被覆的部分，其结果是，导电性有可能降低。

[0072] 所以，在本发明的第二工序中，通过如上所述地限定磨碎介质的直径及形状(或者还如上所述地设定磨碎介质的直径与银被覆粉末的平均粒径的比)，同时使用有机溶剂在该有机溶剂中进行磨碎(薄片化)，来缓解由磨碎介质造成的对银被覆粉末的强烈冲击。本发明中，可以推测，因如上所述的条件分别复合地作用，薄片状导电填料的各粒子的边缘部分就会成为光滑的边缘部分。

[0073] 作为如上所述的有机溶剂，没有特别限定，然而可以使用石油溶剂油、溶剂石脑油等烃系溶剂、或醇系、醚系、酯系等溶剂等。一般来说，考虑到磨碎时的对溶剂造成的易燃性等安全性，适合使用高沸点的烃系溶剂。此种有机溶剂优选相对于银被覆粉末100质量份在50质量份以上且3000质量份以下的范围内使用。

[0074] 另外，第二工序的所需时间(即磨碎时间)没有特别限定，然而优选设为30分钟以上且30小时以下的范围内，更优选设为2小时以上且20小时以下的范围内。这是因为，如果所需时间过短，则难以实现均匀的薄片化，充分地进行了薄片化的银被覆粉末与薄片化不充分的银被覆粉末混合存在，其结果是，会有薄片状导电填料的导电性降低的情况。另一方面，如果所需时间过长，则会降低经济性，因此会有不优选的情况。

[0075] <合适的制造方法等>

[0076] 本发明中，出于不带来上述银被膜因磨碎介质的冲击而从薄片状基材的表面剥落、破裂之类的缺陷的目的，或者出于防止薄片状导电填料的凝聚的目的，优选在第一工序中(或者在执行第二工序之前)使用高级脂肪酸来处理银被覆粉末、或在第二工序中在高级脂肪酸的存在下将银被覆粉末薄片化。

[0077] 通过像这样使用高级脂肪酸，将薄片状导电填料的表面利用高级脂肪酸处理，就可以实现如上所述的目的。此外，除了此种效果以外，还可以带来抑制薄片状导电填料的银被膜的不必要的氧化的效果。

[0078] 另外，在上述第一工序中利用化学镀法形成了银被膜的银被覆粉末中，铜原子或铜离子从含有铜的粉末向所形成的银被膜中扩散，由此会有在银被膜中存在铜原子或铜离子的情况。该铜原子或铜离子随着时间的经过而作为氧化物存在于银被覆粉末表面、银被覆层内，由此造成使导电性降低等不良影响，然而通过利用酸进行处理，就可以减少其存在。但是，在使用以水作为溶剂的酸溶液的情况下，由于有可能将构成薄片状导电填料的薄片状基材氧化，因此不优选。本发明中，通过使用高级脂肪酸，将其溶解于有机溶剂中，起到与水溶液中的酸相同的作用，由此可以减少银被膜中的铜原子或铜离子，因此优选。即，通过用高级脂肪酸来处理银被覆粉末，存在于银被膜中的铜原子或铜离子就会溶解于高级脂肪酸中，可以减少银被膜中的铜浓度。这样，就可以抑制因在银被膜中存在铜而引起的氧化、或在配合到导电膏剂组合物中时由与树脂的反应造成的凝胶化。

[0079] 作为上述的高级脂肪酸，可以举出碳数12以上的脂肪酸，更具体来说，例如可以举出十二烷酸、十四烷酸、十六烷酸、十七烷酸、十八烷酸、油酸、亚油酸、亚麻酸等。

[0080] 而且，在第一工序中使用高级脂肪酸进行处理的情况下，可以通过向第二工序中所用的磨碎装置中将银被覆粉末、高级脂肪酸和有机溶剂全都加入后进行搅拌来进行处理。该情况下，各自的配合量没有特别限定，然而优选相对于银被覆粉末100质量份，配合0.5质量份以上且30质量份以下的高级脂肪酸、50质量份以上且3000质量份以下的有机溶剂。

[0081] 另一方面，在第二工序中在高级脂肪酸的存在下将银被覆粉末薄片化的情况下，高级脂肪酸的配合量没有特别限定，然而例如如果相对于银被覆粉末100质量份，配合0.5质量份以上且30质量份以下，就可以获得足够的润滑性，并且可以防止加工性的降低。

[0082] 根据上述的说明可以明确的是，作为本发明的合适的制造方法，可以举出如下的方法等，即，第一工序中的银被覆粉末是在含有铜的粉末的表面利用化学镀形成有银被膜的粉末，第二工序在高级脂肪酸的存在下将该银被覆粉末薄片化；或作为第一工序中的银被覆粉末，使用在含有铜的粉末的表面利用化学镀形成银被膜后用高级脂肪酸进行了处理的粉末。

[0083] 而且，利用本发明的制造方法制造的薄片状导电填料如上面已经说明的那样可以适用于各种用途中。即，例如可以举出含有利用本发明的制造方法制造的薄片状导电填料的导电膏剂组合物、使用该导电膏剂组合物形成的导电性涂膜或电极等。

[0084] 实施例

[0085] 以下，举出实施例对本发明进行更详细的说明，然而本发明并不限定于它们。

[0086] <实施例1>

[0087] 首先，作为含有铜的粉末使用铜粉末，通过在该粉末的表面利用化学镀法形成银被膜而准备了银被覆粉末(第一工序)。

[0088] 即，通过将平均粒径为5.1μm的铜粉末100g分散到在1升水中溶解了EDTA(乙二胺四乙酸)65g的溶液中而得到分散液，向该分散液中添加硝酸银溶液100ml，进行30分钟的搅拌。这里所用的硝酸银溶液是向氨水溶液(25质量％)60ml中溶解硝酸银25g，添加水而调整为100ml后得到的。上述搅拌后，将所得的银被覆粉末的水分散体抽滤及水洗后，通过在90℃的真空烘箱中干燥，而得到在铜粉末的表面利用化学镀法形成了银被膜的平均粒径(Dm)为5.6μm的银被覆粉末的干燥粉。

[0089] 接下来，通过使用具有磨碎介质的磨碎装置，在有机溶剂中将上述所准备的银被覆粉末薄片化，由此制造出本发明的薄片状导电填料(第二工序)。

[0090] 即，向作为磨碎装置的球磨机中，加入上述的第一工序中准备的银被覆粉末100g、作为高级脂肪酸的油酸2g、以及作为有机溶剂的石油溶剂油200g，通过作为磨碎介质使用直径2mm的作为球状介质的钢珠，进行3小时薄片化处理，由此得到本发明的薄片状导电填料。而且，磨碎介质的直径(DB)与银被覆粉末的平均粒径(Dm)的比(Dm/DB)为0.0028。

[0091] 如此得到的薄片状导电填料是含有薄片状基材和被覆该薄片状基材的整个表面的银被膜的填料，该薄片状基材含有铜，该薄片状导电填料在X射线衍射测定中，来自于银的(111)面的峰强度a与来自于银的(220)面的峰强度b的比a/b为2以下。

[0092] <实施例2>

[0093] 除了在实施例1中，将第二工序中的薄片化处理时间设为6小时以外，全都与实施例1相同地得到本发明的薄片状导电填料。

[0094] <比较例1>

[0095] 将实施例1中的第一工序中准备的平均粒径为5.6μm的银被覆粉末的干燥粉作为导电填料。该导电填料相对于本发明的薄片状导电填料来说，相当于形状并非薄片状的导电填料。

[0096] <比较例2>

[0097] 在实施例1中，取代第一工序中准备的银被覆粉末，使用没有经过第一工序的平均粒径为5.1μm的铜粉末(实施例1中所用的)，除此以外，其他全都与实施例1的第二工序相同地将铜粉末薄片化。

[0098] 在500ml水中溶解碳酸钠2g及磷酸氢二钠2g，在所得的溶液中将如此得到的薄片状铜粉末100g分散5分钟，并进行抽滤及水洗。

[0099] 其后，使用以上述操作得到的薄片状铜粉末100g，与实施例1的第一工序相同地制造出形成了银被膜的薄片状铜粉末(导电填料)。

[0100] 该导电填料与本发明的制造方法不同，是在将基材预先薄片化后形成银被膜而得的填料。

[0101] <比较例3>

[0102] 在实施例2中，取代第一工序中准备的银被覆粉末，使用平均粒径为5.0μm的银粉末，除此以外，其他全都与实施例2的第二工序相同地将银粉末薄片化，从而制造出薄片状银粉末(导电填料)。

[0103] 该导电填料相对于本发明的薄片状导电填料来说，相当于以往使用的作为薄片状银粉末的导电填料。

[0104] 当比较上述比较例3中薄片化前后的来自于银的(111)面的峰强度a与来自于银的(220)面的峰强度b的比a/b时，则薄片化之前为3.24，与此相对，薄片化后变为0.19，可以确认通过薄片化的操作，该比a/b变为小的值。

[0105] <评价>

[0106] 对实施例1～2的薄片状导电填料及比较例1～3的导电填料，如下所示地实施X射线衍射测定，并且进行了导电性的评价。

[0107]

[0108] 对在玻璃板上制作后述的导电性评价用的涂膜而得的材料，使用X射线衍射装置(商品名：“RINT2000”、株式会社Rigaku制)进行了X射线衍射测定。而且，所使用的X射线的射线源是铜的Kα射线。

[0109] 对于根据利用测定得到的谱图求出的峰，根据相当于银的(111)面的2θ＝38.4°附近的峰强度(a)与相当于银的(220)面的2θ＝65.0°附近的峰强度(b)的相对积分强度求出比a/b。将其结果表示于表1中。而且，表1中，所谓“Ag粉末”是比较例
3中所用的作为原料粉末的银粉末的数值(在其他项目中相同)。

[0110] <导电性评价>

[0111] 如下所示地制作出导电性评价用的涂膜。具体来说以使涂膜中的薄片状导电填料或导电填料的体积比率为60％的方式制作。

[0112] 即，对于实施例1～2及比较例1～2，将混合薄片状导电填料或导电填料7.87g及树脂溶液(商品名：“Nippe Acryl Autoclear Super”、Nippon Paint公司制)3.00g而得的物质以使干燥后的涂膜厚度为大约30μm的方式用点胶机涂布在PET膜上，通过在100℃下干燥30分钟而形成涂膜。

[0113] 另外，对于比较例3，将混合导电填料9.05g及树脂溶液(与上述相同)3.00g而得的物质以使干燥后的涂膜厚度为大约30μm的方式使用点胶机涂布在PET膜上，通过在100℃下干燥30分钟而形成涂膜。

[0114] 此后，对利用上述操作制作的各涂膜，使用低电阻率仪(商品名：“LORESTA GP”、株式会社三菱Analytech制)测定出电阻率(Ω·cm)。另外，测定所得的导电填料的平均粒径D50(μm)及平均厚度t(μm)，再根据这些值算出纵横比(其中对于比较例1及Ag粉末没有求出平均厚度及纵横比)。将这些结果表示于表1中。而且，电阻率越小则表示导电性越优异。

[0115] 另外，对实施例2和比较例2的涂膜，测定了电阻率的经时变化。即，将各涂膜保持在温度85℃、相对湿度85％的条件下，测定出500小时后、1000小时后、1500小时后、2000小时后、以及2500小时后的电阻率(Ω·cm)。将其结果表示于表2中。

[0116] [表1]

[0117]

[0118] [表2]

[0119]500小时后 1000小时后 1500小时后 2000小时后 2500小时后
实施例2 3.0×10-5 3.3×10-5 3.4×10-5 3.6×10-5 3.9×10-5