太阳能电池设备及其制造方法

摘要

公开了一种太阳能电池设备及其制造方法。所述太阳能电池设备包括：基板；在所述基板上的背电极层；在所述背电极层上的光吸收层；在所述光吸收层上的前电极层；总线，所述总线设置在所述光吸收层旁边同时连接到所述背电极层；以及，包围所述总线的导电部分。所述方法包括：在基板上形成背电极层；在所述背电极层上形成总线；在所述背电极层上的所述总线旁边形成光吸收层；以及，在所述光吸收层上形成前电极层。在形成所述总线的步骤中导电部分包围所述总线。

权利要求

1.一种太阳能电池设备，包括：

基板；

在所述基板上的背电极层；

在所述背电极层上的光吸收层；

在所述光吸收层上的前电极层；

总线，所述总线设置在所述光吸收层旁边同时连接到所述背电极层；

位于所述总线的顶表面、侧表面和底表面的导电部分；以及与所述总线相邻的绝缘部分，

其中，所述导电部分包括导电碳，

其中，所述总线包括Ag，

其中，所述背电极层包括Mo，

其中，所述基板包括对应于所述基板的外围部分的非活性区域；以及在所述非活性区域内侧的活性区域，其中，所述总线设置在所述非活性区域中，所述光吸收层和所述前电极层设置在所述活性区域中，其中，所述绝缘部分布置在所述总线与所述活性区域之间。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池设备，其中，所述导电部分位于所述总线的顶表面上。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池设备，其中，所述导电部分覆盖所述总线的固有光泽。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池设备，其中，所述导电部分位于所述总线的侧面。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池设备，其中，所述导电部分与所述总线和所述背电极层接触。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池设备，其中，所述导电部分位于所述总线的底表面。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池设备，其中，所述导电部分包围所述总线的所有表面。

8.根据权利要求1所述的太阳能电池设备，其中，所述光吸收层的底表面与所述总线的底表面对齐。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池设备，其中，所述总线与所述背电极层直接接触。

10.根据权利要求1所述的太阳能电池设备，其中，所述总线与所述活性区域间隔预定距离。

11.根据权利要求1所述的太阳能电池设备，其中，所述背电极中设置有第一通孔。

12.根据权利要求11所述的太阳能电池设备，其中，所述第一通孔为暴露所述基板的顶表面的开放区域。

13.根据权利要求1所述的太阳能电池设备，其中，所述总线与所述背电极层间隔开。

14.根据权利要求1所述的太阳能电池设备，其中，所述总线不通过所述导电部分暴露。

15.根据权利要求1所述的太阳能电池设备，其中，所述总线的底表面高于所述背电极层的顶表面。

16.根据权利要求1所述的太阳能电池设备，进一步包括在所述前电极层上的窗口层，并且其中，所述导电部分的顶表面高于所述窗口层的顶表面。

说明书

太阳能电池设备及其制造方法

技术领域

[0001] 本实施例涉及太阳能电池设备及其制造方法。

背景技术

[0002] 近来，随着能耗增加，已经开发了太阳能电池设备来将太阳能转换为电能。

[0003] 具体地说，已经广泛使用了基于CIGS的太阳能电池，这种太阳能电池是具有包括玻璃基板、金属背电极层、P型基于CIGS的光吸收层、高电阻缓冲层和N型窗口层的基板结构的P-N异质结设备。

[0004] 已经进行了各种研究来改善太阳能电池设备的电特性，例如低电阻和高透射率。

[0005] 同时，由于设置在太阳能电池上的总线具有固有的光泽，需要另外的覆盖处理，并且处理时间可能会由于覆盖处理而延长。此外，为了将总线接合到太阳能电池上，需要焊接处理，这增加了制造成本。

发明内容

[0006] 技术问题

[0007] 实施例提供了一种能够表现出改善了发电效率的太阳能电池设备及其制造方法。

[0008] 技术方案

[0009] 根据所述实施例，提供了一种太阳能电池设备，包括：基板；在所述基板上的背电极层；在所述背电极层上的光吸收层；在所述光吸收层上的前电极层；连接到所述背电极层的在所述光吸收层旁边设置的总线；以及，包围所述总线的导电部分。

[0010] 根据所述实施例，提供了一种太阳能电池设备的制造方法。所述方法包括：在基板上形成背电极层；在所述背电极层上形成总线；在所述背电极层上的所述总线旁边形成光吸收层；以及，在所述光吸收层上形成前电极层。在形成所述总线的步骤中导电部分包围所述总线。

[0011] 有益效果

[0012] 如上所述，所述实施例的所述太阳能电池设备包括包围所述总线的所述导线部分。所述导线部分位于所述总线条的底表面上，使得可以将所述总线接合到所述背电极层。

[0013] 另外，所述导电部分位于所述总线的顶表面上，以覆盖所述总线的固有光泽。换句话说，可以省略用于覆盖所述总线的固有光泽的另外的胶带。

[0014] 通过所述实施例的所述太阳能电池设备的制造方法，可以省略用于接合所述总线的传统焊接处理，使得可以降低制造成本。另外，可以省略用于覆盖所述总线的固有光泽的处理，使得可以减少处理时间。

附图说明

[0015] 图1是示出根据实施例的太阳能电池设备的平面图；

[0016] 图2是沿着图1的线A-A’截取的截面图；以及

[0017] 图3至13是示出根据实施例的太阳能电池设备的制造过程的截面图。

具体实施方式

[0018] 在实施例的说明中，可以明白，当层(膜)、区域、图案或结构被称为在另一个基板、另一层(膜)、另一个区域、另一个焊盘或另一个图案“上”或“下”时，它可以“直接地”或“间接地”在另一个基板、层(膜)、区域、焊盘或图案上，或者也可以存在一个或多个介入层。已经参考附图描述了层的这样的位置。

[0019] 为了方便或清楚的目的，可能夸大、省略或示意地示出在附图中所示的每一个层(或膜)、每一个区域、每一个图案或每一个结构的厚度和大小。另外，层(或膜)、区域、图案或结构的大小不完全反映实际大小。

[0020] 以下，将详细参考附图来描述实施例。

[0021] 以下，将参考图1和图2来描述根据实施例的太阳能电池设备。

[0022] 图1是示出根据实施例的太阳能电池设备的平面图，并且图2是沿着图1的线A-A’截取的截面图。

[0023] 参见图1和图2，根据实施例的太阳能电池设备包括支撑基板100、背电极层200、第一总线11、第二总线12、导电部分21和导电部分22、光吸收层300、缓冲层400、高电阻缓冲层500和窗口层600。

[0024] 支撑基板100具有板形，并且支撑背电极层200、第一总线11、第二总线12、光吸收层300、缓冲层400、高电阻缓冲层500和窗口层600。

[0025] 支撑基板100可以包括绝缘体。基板100可以包括玻璃基板、塑料基板或金属基板。更详细地，支撑基板100可以包括钠钙玻璃基板。支撑基板100可以是透明的。基板10可以是刚性的或柔性的。

[0026] 支撑基板100包括活性区域AR和非活性区域NAR。换句话说，支撑基板100被划分为活性区域AR和非活性区域NAR。

[0027] 在支撑基板100的中心部分处限定了活性区域AR。活性区域AR占用支撑基板100的区域的大部分。根据实施例的太阳能电池设备在活性区域AR处将太阳光转换为电能。

[0028] 非活性区域NAR围绕该活性区域AR。该非活性区域NAR对应于支撑基板100的外围部分。非活性区域NAR可以具有比活性区域AR小得很多的面积。非活性区域NAR是其中不产生电力的区域。

[0029] 在支撑基板100上设置了背电极层200。背电极层200是导电层。背电极层200可以包括例如钼(Mo)的金属。在活性区域AR和非活性区域NAR中形成背电极层200。

[0030] 背电极层200可以包括至少两层。在这种情况下，这些层可以包括同种金属或不同种金属。

[0031] 背电极层200在其中设置了第一通孔TH1。第一通孔TH1是开放的区域，用于暴露支撑基板100的顶表面。当在平面图中观看时，第一通孔TH1可以具有在一个方向上延伸的形状。

[0032] 第一通孔TH1可以具有在大约80μm至大约200μm的范围内的宽度。背电极层200被第一通孔TH1划分为多个背电极230与两个连接电极210和220。通过第一通孔TH1来界定背电极230与第一连接电极210和第二连接电极220。背电极层200包括背电极230与第一连接电极210和第二连接电极220。

[0033] 在活性区域AR中设置了背电极230。彼此并行地设置了背电极230。背电极230被第一通孔TH1彼此隔开。以条带的形式来提供了背电极230。

[0034] 替代地，可以以矩阵的形式来设置背电极230。在这种情况下，当在平面图中观看时，可以以网格的形式来形成第一通孔TH1。

[0035] 在非活性区域NAR中设置了第一连接电极210和第二连接电极220。换句话说，第一连接电极210和第二连接电极220从活性区域AR向非活性区域NAR延伸。

[0036] 更详细地，第一连接电极210连接到第一电池C1的窗口。另外，第二连接电极220从第二电池C2的背电极延伸到非活性区域NAR。换句话说，第二连接电极220可以与第二电池C2的背电极202一体地形成。

[0037] 在非活性区域NAR中设置了第一总线11。在背电极层200上设置了第一总线11。更详细地，在第一连接电极210上设置了第一总线11。第一总线11可以直接接触第一连接电极210的顶表面。

[0038] 第一总线11与第一电池C1平行地延伸。第一总线11可以通过在支撑基板100中形成的孔延伸到支撑基板100的底表面。第一总线11连接到第一电池C1。更详细地，第一总线11通过第一连接电极210连接到第一电池C1。

[0039] 在非活性区域NAR中设置了第二总线12。在背电极层200上设置了第二总线12。更详细地，在第二连接电极220上设置了第二总线12。第二总线12可以直接接触第二连接电极220。

[0040] 第二总线12与第二电池C2平行地延伸。第二总线12可以通过在支撑基板100中形成的孔来延伸到支撑基板100的底表面。第二总线12连接到第二电池C2。更详细地，第二总线12通过第二连接电极220连接到第二电池C2。

[0041] 第一总线11与第二总线12彼此相对。另外，第一总线11与第二总线12对称。第一总线11和第二总线12包括导体。第一总线11和第二总线12可以包括例如表现出高导电率的银(Ag)的金属。

[0042] 导电部分21和导电部分22可以分别包围第一总线11和第二总线12。导电部分21和导电部分22可以位于总线11和总线12的顶表面、侧面和底表面的至少一个上。换句话说，导电部分21和导电部分22可以包围总线11和总线12的全部表面。

[0043] 导电部分21和导电部分22可以包括碳。例如，导电部分21和导电部分22可以包括导电碳(conductive carbon)。

[0044] 导电部分21和导电部分22可以位于总线11和总线12的底表面上，使得导电部分21和导电部分22可以接触总线11和总线12与背电极层200。

[0045] 另外，导电部分21和导电部分22可以位于总线11和总线12的顶表面上，以覆盖总线11和总线12的固有光泽。换句话说，可以省略用于覆盖总线11和总线12的固有光泽的另外的胶带。

[0046] 其后，虽然在附图中未示出，但是可以在总线11和总线12与活性区域AR之间另外插入绝缘部分。换句话说，该绝缘部分可以与总线11和总线12相邻。

[0047] 该绝缘部分可以将总线11和总线12与活性区域AR绝缘。然而，实施例不限于此。换句话说，可以省略绝缘部分，并且，总线11和总线12可以与活性区域AR隔开预定距离，使得总线11和总线12可以与活性区域AR绝缘。

[0048] 在背电极层200上设置了光吸收层300。另外，在同一通孔TH1中填充了构成光吸收层300的材料。在活性区域AR中设置了光吸收层300。更详细地，光吸收层300的外围部分可以对应于活性区域AR的外围部分。

[0049] 光吸收层300包括I-III-VI族化合物。例如，光吸收层300可以具有Cu(In,Ga)Se2(CIGS)晶体结构、Cu(In)Se2晶体结构或Cu(Ga)Se2晶体结构。

[0050] 光吸收层300具有在大约1eV至1.8eV的范围内的带隙能量。

[0051] 在光吸收层300上设置了缓冲层400。另外，在活性区域AR中设置了缓冲层400。缓冲层400包括CdS，并且具有在大约2.2eV至大约2.4eV的范围内的带隙能量。

[0052] 在缓冲层400上设置了高电阻缓冲层500。另外，在活性区域AR中设置了高电阻缓冲层500。高电阻缓冲层500可以包括iZnO，它是未掺杂杂质的氧化锌。高电阻缓冲层500具有在大约3.1eV至大约3.3eV的范围内的带隙能量。

[0053] 在光吸收层300、缓冲层400和高电阻缓冲层500中形成了第二通孔TH2。通过光吸收层300形成第二通孔TH2。另外，第二通孔TH2是开放区域，用于暴露背电极层200的顶表面。

[0054] 第二通孔TH2与第一通孔TH1相邻。换句话说，当在平面图中观看时，在第一通孔TH1旁边形成第二通孔TH2的多个部分。

[0055] 每一个第二通孔TH2可以具有在大约80μm至大约200μm的范围内的宽度。

[0056] 另外，通过第二通孔TH2在光吸收层300中限定多个光吸收部分。换句话说，光吸收层300被第二通孔TH2划分为光吸收部分。

[0057] 另外，缓冲层400被第二通孔TH2划分为多个缓冲器。类似地，高电阻缓冲层500被第二通孔TH2划分为多个高电阻缓冲器。

[0058] 在高电阻缓冲层500上设置了窗口层600。在活性区域AR中设置了窗口层600。

[0059] 窗口层600是透明的并导电的层。另外，窗口层600的电阻大于背电极层200的电阻。例如，窗口层600的电阻比背电极层200的电阻大大约100倍至200倍。

[0060] 窗口层600包括氧化物。例如，窗口层600可以包括氧化锌、氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。

[0061] 另外，该氧化物可以包括导电杂质，例如铝(Al)、氧化铝(Al2O3)、锰(Mg)或镓(Ga)。换句话说，窗口层600可以包括掺杂Al的氧化锌(AZO)或掺杂Ga的氧化锌(GZO)。窗口层600的厚度可以在大约800 nm至大约1200 nm的范围内。

[0062] 在光吸收层300、缓冲层400、高电阻缓冲层500和窗口层600中形成第三通孔TH3。第三通孔TH3是开放区域，用于暴露背电极层200的顶表面。例如，第三通孔TH3的宽度可以在大约80μm至大约200μm的范围内。

[0063] 第三通孔TH3与第二通孔TH2相邻。更详细地，可以在第二通孔TH2旁边形成第三通孔TH3。换句话说，当在平面图中观看时，第三通孔TH3形成在第二通孔TH2旁边。

[0064] 窗口层600被第三通孔TH3划分为多个窗口。换句话说，第三通孔TH3界定窗口。

[0065] 窗口形成为与背电极230的形状对应的形状。换句话说，以条带的形式来布置窗口。另外，可以以矩阵的形式来布置窗口。

[0066] 窗口层600包括通过在第二通孔TH2中填充透明导电材料而形成的多个连接部分700。

[0067] 另外，通过第三通孔TH3来界定第一电池C1、第二电池C2和多个第三电池C3。更详细地，通过第二通孔TH2和第三通孔TH3来限定第一至第三电池C1至C3。换句话说，根据实施例的太阳能电池设备包括在支撑基板100上设置的第一电池C1、第二电池C2和第三电池C3。

[0068] 在第一电池C1和第二电池C2之间插入了第三电池C3。第一电池C1、第二电池C2和第三电池C3彼此串联。

[0069] 第一总线11通过第一连接电极210连接到第一电池C1。更详细地，第一总线11通过第一连接电极210连接到第一电池C1的窗口。

[0070] 第二总线12通过第二连接电极220连接到第二电池C2。更详细地，第二总线12通过第二连接电极220连接到第二电池C2的背电极。

[0071] 在第二通孔TH2中设置了连接部分700。连接部分700从窗口层600向下延伸，使得连接部分700连接到背电极层200。

[0072] 因此，连接部分700将相邻的电池彼此连接。更详细地，连接部分700将构成相邻电池的窗口和背电极彼此连接。

[0073] 光吸收层300、缓冲层400、高电阻缓冲层500和窗口层600的外围部分可以大体上彼此匹配。换句话说，光吸收层300、缓冲层400、高电阻缓冲层500和窗口层600的外围部分可以彼此对应。在这种情况下，光吸收层300、缓冲层400、高电阻缓冲层500和窗口层600的外围部分可以与在活性区域AR和非活性区域NAR之间的边界匹配。

[0074] 因此，第一总线11和第二总线12被设置在光吸收层300、缓冲层400、高电阻缓冲层500和窗口层600旁边。换句话说，第一总线11和第二总线12可以围绕光吸收层300、缓冲层
400、高电阻缓冲层500和窗口层600的侧面。换句话说，第一总线11和第二总线12围绕第一电池C1、第二电池C2和第三电池C3。

[0075] 另外，第一总线11和第二总线12的底表面被设置在与光吸收层300的底表面相同的平面上。换句话说，第一总线11和第二总线12的底表面与背电极层200的顶表面接触，并且甚至光吸收层300的底表面与背电极层200的顶表面接触。

[0076] 第一总线11和第二总线12可以在直接接触背电极层200的同时连接到背电极层200。在这种情况下，第一总线11和第二总线12包括例如银(Ag)的金属。类似地，背电极层
200可以包括例如钼(Mo)的金属。因此，改善了在第一总线11和第二总线12与背电极层200之间的接触特性。

[0077] 因此，减小了第一总线11和背电极层200之间的接触电阻和第二总线12和背电极层200之间的接触电阻，使得根据实施例的太阳能电池设备可以表现出改善的电特性。

[0078] 另外，第一总线11和背电极层200具有高的接触特性，并且第二总线12和背电极层200具有高的接触特性，第一总线11和第二总线12可以具有更窄的区域。换句话说，即使第一总线11和背电极层200以较小的接触面积彼此接触，第一总线11也有效地连接到背电极层200。类似地，即使第二总线12和背电极层200以小的接触面积彼此接触，第二总线12也有效地连接到背电极层200。

[0079] 实际上，第一总线11和第二总线12不贡献于太阳能电池设备。如上所述，根据实施例的太阳能电池设备，可以减小第一总线11和第二总线12的面积，即，减小不贡献于太阳能发电的面积。

[0080] 另外，在非活性区域NAR设置第一总线11和第二总线12。因此，与在活性区域中设置总线11和总线12的情况作比较，根据实施例的太阳能电池设备可以更有效地接收太阳光。

[0081] 因此，根据实施例的太阳能电池设备可以将更大量的太阳光转换为电能。

[0082] 以下，将参考图3至13来描述根据实施例的太阳能电池设备的制造方法。在下面的描述中，通过参考太阳能电池设备的描述来描述根据本实施例的太阳能电池设备的制造方法。换句话说，根据本实施例的太阳能电池设备的制造方法的描述中可以包含上面的太阳能电池设备的描述。

[0083] 图3至13是示出根据实施例的太阳能电池设备的制造方法的截面图。

[0084] 参见图3，在支撑基板100上形成背电极层200，并且，通过将背电极层200图案化来形成第一通孔TH1。因此，在支撑基板100上形成背电极230与第一连接电极210和第二连接电极220。通过激光器来将背电极层200图案化。

[0085] 第一通孔TH1可暴露支撑基板100，并且可以具有在大约80μm至大约200μm的范围内的宽度。

[0086] 另外，可以在支撑基板100和背电极层200之间插入例如防扩散层的附加。在这种情况下，第一通孔TH1暴露附加层的顶表面。

[0087] 其后，参见图4和图5，执行在背电极层200上形成总线11和总线12的步骤。形成总线11和总线12的步骤包括在总线11和总线12上形成导电糊剂(conductive paste)20的步骤和涂敷导电糊剂20的步骤。

[0088] 在在总线11和总线12上形成导电糊剂20的步骤中，总线11和总线12可以被浸入导电糊剂20中。换句话说，通过将总线11和总线12浸入导电糊剂20中，如图4中所示在总线11和总线12的所有表面上设置导电糊剂20。换句话说，导电糊剂20可以包围总线11和总线12。

[0089] 其后，参见图5，可以涂敷包围总线11和总线12的导电糊剂20。换句话说，可以在背电极层200上设置和涂敷包围总线11和总线12的导电糊剂20。例如，可以通过层压处理来形成导电糊剂20。其后，通过热压缩，可以将导电糊剂20接合到背电极层200上。

[0090] 同时，参见图6至8，形成总线11和总线12的步骤可以进行下面的步骤。

[0091] 参见图6，可以在背电极层200上涂敷导电糊剂20。其后，参见图7，总线11和总线12可以位于导电糊剂20上。参见图8，可以在总线11和总线12上涂敷导电糊剂20。其后，可以通过层压和热压缩处理来将导电糊剂20接合到背电极层200上。

[0092] 同时，参见图9和图10，形成总线11和总线12的步骤可以进行下面的步骤。

[0093] 参见图9，总线11和总线12可以位于背电极层200上。在这种情况下，总线11和总线12可以直接接合到背电极层200上。其后，参见图10，可以在总线11和总线12上涂敷导电糊剂20。因此，可以覆盖总线11和总线12的所有表面，除了总线11和总线12的底表面之外。

[0094] 其后，参见图11和图12，在支撑基板100上设置掩模50，以覆盖第一总线11和第二总线12。

[0095] 掩模50覆盖支撑基板100的外围部分。当从平面图中观看时，掩模50可以具有环形。掩模50包括在其中心部分处形成的透射区域。

[0096] 虽然在附图中掩模50与支撑基板100隔开，但是实施例不限于此。换句话说，掩模50可以接合到支撑基板100上。

[0097] 通过掩模50来限定活性区域AR和非活性区域NAR。换句话说，与的掩模50的透射区域对应的一部分对应于活性区域AR，并且具有环形的非透射区域对应于非活性区域NAR。

[0098] 参见图11，在背电极层200上形成光吸收层300、缓冲层400和高电阻缓冲层500。通过使用掩模50的沉积处理来形成光吸收层300、缓冲层400和高电阻缓冲层500。因此，在活性区域AR中形成光吸收层300、缓冲层400和高电阻缓冲层500。

[0099] 可以在掩模50被安装在支撑基板100上的状态下通过溅射工艺或蒸发方案来形成光吸收层300。

[0100] 例如，为了形成光吸收层300，已经广泛地应用了以下方案：通过同时或分别蒸发Cu、In、Ga和Se而形成基于Cu(In,Ga)Se2(CIGS)的光吸收层300的方案；以及，在形成金属前体膜后执行硒化工艺的方案。

[0101] 关于在形成金属前体层后的硒化工艺的细节。通过使用Cu靶、In靶或Ga靶的溅射工艺来在背电极层200上形成该金属前体层。

[0102] 其后，金属前体层进行硒化工艺，使得形成基于Cu(In,Ga)Se2(CIGS)的光吸收层300。

[0103] 另外，可以同时执行使用Cu靶、In靶和Ga靶的溅射工艺和硒化工艺。

[0104] 另外，可以通过仅使用Cu和In靶的或仅使用Cu靶和Ga靶的溅射工艺和硒化工艺来形成CIS或CIG光吸收层300。

[0105] 其后，可以在安装掩模50的状态下通过溅射工艺或CBD(化学裕沉积)方案来沉积CdS后形成缓冲层400。

[0106] 其后，在安装掩模50的状态下，通过经由溅射工艺在缓冲层400上沉积氧化锌来形成高电阻缓冲层500。

[0107] 以较小的厚度来沉积缓冲层400和高电阻缓冲层500。例如，缓冲层400和高电阻缓冲层的厚度可以在大约1nm至大约80nm的范围内。

[0108] 其后，通过去除光吸收层300、缓冲层400和高电阻缓冲层500的部分来形成第二通孔TH2。

[0109] 可以通过例如枪头(tip)装置或激光装置的机械装置来形成第二通孔TH2。

[0110] 例如，可以通过具有大约40μm至大约180μm的宽度的枪头来将光吸收层300和缓冲层400图案化。另外，可以通过具有大约200 nm至大约600 nm的波长的激光来形成第二通孔TH2。

[0111] 在这种情况下，第二通孔TH2的宽度可以在大约100μm至大约200μm的范围内。另外，第二通孔TH2被形成为暴露背电极层200的顶表面的一部分。

[0112] 参见图12，在安装掩模50的状态下，在光吸收层300上和在第二通孔TH2中形成窗口层600。换句话说，通过在高电阻缓冲层500上和在第二通孔TH2中沉积透明导电材料来形成窗口层600。

[0113] 在这种情况下，在第二通孔TH2中的填充透明导电材料后，窗口层600直接接触背电极层200。

[0114] 参见图13，去除掩模50，并且通过去除光吸收层300、缓冲层400、高电阻缓冲层500和窗口层600的部分来形成第三通孔TH3。因此，将窗口层600图案化以界定多个窗口、第一电池C1、第二电池C2和第三电池C3。第三通孔TH3的宽度可以在大约80μm至大约200μm的范围内。

[0115] 如上所述，形成根据实施例的太阳能电池设备。在光吸收层300之前形成第一总线11和第二总线12，使得第一总线11和第二总线12连接到背电极层200。因此，根据实施例的太阳能电池设备可以表现出具有改善了电特性的高的光电转换效率。

[0116] 另外，根据实施例，可以降低制造成本，因为可以省略用于接合总线11和总线12的焊接处理。另外，可以省略覆盖总线11和总线12的固有光泽的处理，使得可以节省处理时间。

[0117] 在本说明书中对于“一个实施例”、“实施例”、“示例实施例”等的任何引用表示在本发明的至少一个实施例中包括结合该实施例描述的特定特征、结构或特性。在本说明书中的各个位置中的这样的短语的出现不必然全部指的是同一个实施例。而且，当结合任何实施例描述特定特征、结构或特性时，认为它在本领域内的技术人员实现与实施例的其他一些相关的这样的特征、结构或特性的范围内。

[0118] 虽然已经参考其多个说明性实施例而描述了实施例，但是应当明白，本领域内的技术人员可以设计落在本公开的精神和原理范围内的多种其他修改和实施例。更具体地，在本公开、附图和所附的权利要求的范围内的主组合布置的组成部分和/或布置中，各种改变和修改是可能的。除了在组成部分和/或布置中的改变和修改之外，替代使用也对于本领域内的技术人员是显然的。