带电粒子束装置

摘要

本发明的目的在于提供一种可有效地实现静电吸盘的除电的带电粒子束装置。为了达成上述目的，在本发明中提出一种带电粒子束装置，其特征在于，具备将包括静电吸盘机构(5)的空间维持在真空状态的样品室，带电粒子束装置具备用于向样品室内照射紫外光的紫外光源(6)、和被该紫外光照射的被照射部件，该被照射部件配置在所述静电吸盘的吸附面的垂线方向上。

权利要求

1.一种带电粒子束装置，其特征在于，具备：带电粒子源；

静电吸盘机构，其保持被从该带电粒子源放出的带电粒子束照射的样品；和样品室，其将包含该静电吸盘机构的空间维持在真空状态，所述带电粒子束装置具备：

紫外光源，其用于在从所述样品室搬出所述样品之后且将该样品搬入所述样品室之前向所述样品室内照射紫外线；和被照射部件，其被该紫外线照射，并且遮断所述紫外线向所述静电吸盘机构的到达，该被照射部件配置在所述静电吸盘机构的吸附面的垂线方向上。

2.根据权利要求1所述的带电粒子束装置，其特征在于，所述带电粒子束装置具备：

样品台，其搭载了所述静电吸盘机构；和控制装置，其控制该样品台以及紫外光源，该控制装置进行控制，使得当所述静电吸盘机构被定位在所述被照射部件之下时从所述紫外光源照射紫外线。

3.根据权利要求1所述的带电粒子束装置，其特征在于，所述带电粒子束装置具备：控制装置，其测量在所述静电吸盘机构所蓄积的电荷，该控制装置在所述测量结果超过了规定值时执行使用了所述紫外光源的除电。

4.一种带电粒子束装置，其特征在于，具备：带电粒子源；

静电吸盘机构，其保持被从该带电粒子源放出的带电粒子束照射的样品；和样品室，其将包含该静电吸盘机构的空间维持在真空状态，所述带电粒子束装置具备：

紫外光源，其用于向所述样品室内照射紫外线；和被照射部件，其被该紫外线照射，该被照射部件配置在所述静电吸盘机构的吸附面的垂线方向上，并且具备：被照射部，其被所述紫外线照射；和多个开口，位于以该被照射部为中心的轴对称对置。

5.根据权利要求4所述的带电粒子束装置，其特征在于，所述被照射部具有比所述紫外线的照射范围大的被照射面。

说明书

带电粒子束装置

技术领域

[0001] 本发明涉及利用电子束来进行半导体器件的线宽测量、缺陷检查、图像获取的带电粒子束装置，尤其涉及能有效地进行配置在真空室内的样品台等的残留电荷的去除的带电粒子束装置。

背景技术

[0002] 近年来，在半导体器件图案的尺寸测量、缺陷检查中，应用了作为带电粒子束装置之一的电子显微镜。例如，在半导体器件的栅极尺寸的测量中使用的是测长SEM(Critical-Dimension Scanning Electron Microscope，以下称为CD-SEM)，在缺陷检查中使用的是缺陷检查SEM。此外，利用电位对比，在布线用深孔的导通检查中也使用了扫描电子显微镜。

[0003] 另一方面，在专利文献1中公开了一种如下的离子束加工装置，即，在与电子显微镜同样具有真空室的装置内，为了去除样品带电，通过在真空室内设置紫外光源并进行紫外光照射，由此来抑制带电。

[0004] 在先技术文献

[0005] 专利文献

[0006] 专利文献1：日本特开平2-117131号公报

发明内容

[0007] 发明要解决的课题

[0008] 如电子显微镜、离子束装置那样在真空室内照射带电粒子束的装置中，设有对作为带电粒子束的照射对象的样品进行保持的样品台。带电粒子束装置通过适当地控制该样品台的位置，从而向所期望之处照射带电粒子束。样品台有各种各样的样品台，其中有具备利用库仑力等来保持样品的静电吸盘机构的样品台。由于静电吸盘机构能够大致以均等的力来保持整个晶片面，因此例如在样品为半导体晶片的情况下，不会发生翘曲等，能够平坦化地进行固定。另一方面，由于静电吸盘的样品支承面被陶瓷等绝缘性高的材料覆盖，因此具有易于发生带电这一特性。这样的带电(残留电荷)有可能成为例如改变电子束的聚焦条件、或者在解吸晶片时产生残留吸附力的主要因素，因此期望将其去除。

[0009] 在专利文献1中关于为了去除静电吸盘的带电而使用紫外光的内容并没有公开，且通过发明者们的研究可知如果向静电吸盘照射紫外光有时反而会引发带电。

[0010] 以下，说明以获得高的静电吸盘的带电去除效果为目的的带电粒子束装置。

[0011] 用于解决课题的手段

[0012] 作为用于达成上述目的的一形态，提出一种带电粒子束装置，其特征在于，具备：带电粒子源；静电吸盘机构，其保持被该带电粒子束照射的样品；和样品室，其将包含该静电吸盘机构的空间维持在真空状态，所述带电粒子束装置具备：紫外光源，其用于向所述样品室内照射紫外光；和被照射部件，其被该紫外光照射，该被照射部件配置在所述静电吸盘的吸附面的垂线方向上。

[0013] 发明效果

[0014] 根据上述构成，能够产生由被照射部件电离出的残留气体，由于该残留气体具有除电效果，因此不用向静电吸盘直接照射紫外光便能进行静电吸盘的除电。

附图说明

[0015] 图1是表示具备了具有紫外光源的除电机构的扫描电子显微镜的一例的图。

[0016] 图2是表示具备了从紫外光源向静电吸盘直接照射紫外光的除电机构的扫描电子显微镜的一例的图。

[0017] 图3是表示从紫外光源向静电吸盘直接照射了紫外光时的除电效果的图。

[0018] 图4是表示具备了在与静电吸盘不同的位置照射紫外光的除电机构的扫描电子显微镜的一例的图。

[0019] 图5是表示从紫外光源照射了紫外光时的静电吸盘上的带电分布的图。

[0020] 图6是表示从紫外光源照射了紫外光时的反复次数、和除电所需的时间的关系的图。

[0021] 图7是表示具有遮断紫外光向静电吸盘的直接照射的遮挡部件的除电机构的一例的图。

[0022] 图8是表示遮断紫外光向静电吸盘的直接照射的遮挡部件的一例的图。

[0023] 图9是表示从紫外光源向遮挡部件照射了紫外光时的静电吸盘的除电效果的图。

[0024] 图10是表示从紫外光源向遮挡部件照射了紫外光时的静电吸盘上的带电分布的图。

[0025] 图11是表示遮断紫外光向静电吸盘的直接照射的遮挡部件的一例的图。

[0026] 图12是表示不含除电工序的使用了电子显微镜的测量工序的流程图。

[0027] 图13是表示包含除电工序的使用了电子显微镜的测量工序的流程图。

[0028] 图14是表示扫描电子显微镜系统的一例的图。

[0029] 图15是表示除电工序的流程图。

[0030] 图16是表示设置在样品室内的除电位置与遮挡部件之间的位置关系的图。

[0031] 图17是表示具有遮断紫外光向静电吸盘的直接照射的遮挡部件的除电机构的一例的图。

[0032] 图18是表示具有遮断紫外光向静电吸盘的直接照射的遮挡部件的除电机构的一例的图。

具体实施方式

[0033] 以下，作为带电粒子束装置的一例，取CD-SEM为例来简单地说明CD-SEM的测量的基本原理。基本上与扫描型电子显微镜相同。从电子枪放出一次电子，施加电压来加速。然后，通过电磁透镜而将电子束的束径限制得较细。利用该电子束在半导体晶片等样品上二维地进行扫描。扫描的电子束向样品入射而产生的二次电子由检测器来检测。因为该二次电子的强度反映了样品表面的形状，所以通过使电子束的扫描和二次电子的检测同步并显示于监视器，从而样品上的微细图案能够图像化。在CD-SEM中，例如在测量栅电极的线宽的情况下，基于所得到的图像的明暗的变化来判别图案的边缘，从而导出尺寸。以上是CD-SEM的测量原理。

[0034] 由于该CD-SEM在半导体生产线上的器件图案的尺寸测量中被使用，因此不仅是分辨率、测长再现性等作为电子显微镜的性能，吞吐量也变得非常重要。决定吞吐量的主要因素存在多个，但是影响特别大的是装载晶片的台的移动速度和获取图像时的自动聚焦所需的时间。作为对于改善两个项目而言有效的手段，可列举台的静电吸盘化。即，如果能够用静电吸盘稳定地固定晶片，则晶片不会从台上偏离落下，可以高加速度、高速度地搬运。此外，如果是静电吸盘，则能够以大致均等的力且不会发生翘曲晶片等，平坦化地固定整个晶片面，因此晶片面内的高度分布均匀化，可缩短决定为了对焦而在物镜的线圈中流动的电流值的时间、即自动聚焦时间。

[0035] 这样，将静电吸盘应用于电子显微镜，能够期待各种性能的改善效果，但是也存在因其特性所引起的课题。例如，静电吸盘保持晶片的面由于被电绝缘性高的陶瓷覆盖，因此因晶片与静电吸盘之间的接触、摩擦而发生带电，在静电吸盘上作为残留电荷而蓄积。该蓄积的残留电荷不仅是成为所获取的图像的聚焦模糊的原因，还有可能产生残留电荷所引起的残留吸附力而引起吞吐量的下降、搬运错误。

[0036] 此外，也有可能成为通过静电力吸引周围的异物而向晶片上附着的主要因素。因该接触·摩擦而发生的带电虽然能够通过降低摩擦量、晶片的吸附力来抑制，但是却无法完全消除。因此，为使应用了静电吸盘的电子显微镜稳定地工作，需要定期地去除在静电吸盘上蓄积的残留电荷。

[0037] 作为去除残留电荷(以下称作除电)的手段，有下面列举的三个手段。第一个手段是：用在酒精等有机溶剂中浸过的布来清洁静电吸盘表面的方法。根据本手法，可以经由被涂敷在静电吸盘上的溶剂来去除残留电荷。然而，为了进行清洁，必须暂时将设置了静电吸盘的真空容器敞开在大气中，从而大气开放和接下来的真空排气需要过多的时间。其次，作为第二个手段，有在设置了静电吸盘的真空容器内产生等离子，通过残留气体的分解来中和带电的手法。根据本手法，不用将真空容器敞开在大气中便能除电，但是由于产生许多能量大的带电粒子，因此有可能造成对装置内元件带来的损伤。最后，作为第三个手段，有向真空容器内照射紫外线，通过电离出的残留气体离子以及电子来中和带电，从而除电的方法。根据本手法，能够在将装置确保为真空的状态下进行除电，此外由于所生成的离子以及电子的能量极小，因此也不会给装置内元件造成损伤。

[0038] 然而，在基于紫外线照射的除电中，如CD-SEM那样易于受到残留电荷的影响的装置的情况下，无法忽略紫外线照射所引起的光电效应的影响。在图2中示出将紫外线除电功能应用于CD-SEM的一例。具备放出电子束的电子枪等的镜筒1与样品室2连接。此外，样品室2具备晶片更换用的预备排气室3。镜筒1以及样品室2始终确保为高真空，预备排气室3在样品更换时被敞开在大气中，在晶片观察中确保为高真空。在设置于样品室2内的X-Y台4上固定有静电吸盘5，在晶片观察时将未图示的晶片保持在静电吸盘5上，使与静电吸盘5一起动作的X-Y台4移动来观察晶片上的任意位置。

[0039] 在样品室2中设置有紫外线光源6，用于去除在静电吸盘5的表面上蓄积的残留电荷。从紫外线光源6放出的紫外线在紫外线照射区域8内传播。在紫外线照射区域8内，通过紫外线照射而使得残留气体电离，所生成的残留气体离子以及电子到达静电吸盘上，来中和残留电荷。

[0040] 在图3中示出在这样的构成中通过紫外线照射去除了静电吸盘上的残留电荷的情况下的、测量除电所需的时间而得到的结果的一例。通过紫外线的照射，虽然残留电荷被立刻去除，但是如果持续紫外线照射，则会形成正带电。其原因在于，具有比静电吸盘材料的功函数大的能量的光在静电吸盘上引起光电效应，放出了电子的静电吸盘被带电为正的缘故。该正带电通过与紫外线照射所产生的电子的结合而被缓和，在某一定电平下达到饱和，但是在紫外线被直接照射到静电吸盘这样的构成中却无法完全地除掉残留电荷。

[0041] 为了在静电吸盘上不产生基于光电效应的正带电，需要构成为不向静电吸盘直接照射紫外线。例如，如图4所示，考虑将紫外线光源6设置到在水平方向上进行了偏移后的位置的方法。

[0042] 如果设为这样的构成，则紫外线照射区域8与静电吸盘不重叠，因此紫外线不会直接照射到静电吸盘。然而，当在这样的位置上配置了紫外线光源6的情况下，作为除电的对象物的静电吸盘和紫外线光轴之间的对称性将被打破，因此对于除电的进展会产生空间上的不均匀。

[0043] 图5是测量以这种构成配置并实施了除电后的、静电吸盘上的带电分布所得的结果的一例。虽然靠近紫外线光源6的区域除电完成，但是与紫外线光源6远离的区域的带电却残留着。这种局部性残留电荷，若其区域较小，则静电吸盘上作为整体的平均残留电荷会很小，因此在像观察上不会成为问题。然而，在要求尽量在短时间内不断地测量样品内的测量位置的情况下，由于必须增大针对每个测量位置而实施的自动聚焦的分配宽度，因此会引起装置的吞吐量下降。此外，如果该局部性残留电荷不断蓄积，则除电所需的时间将变大。

[0044] 在图6中示出反复实施设为这种构成的情况下的、除电时间的测量所得的例子。由于每当次数增加时便蓄积局部性残留电荷，因此除电的时间常数变大。如果长时间实施紫外线照射，则与紫外线光源6远离的区域也被除电，因此除电的时间常数恢复为原始的值。然而，这种长时间照射将使装置的停机时间长期化。

[0045] 在以下所说明的实施例中，在用静电吸盘来保持晶片并使用电子束来对晶片上的器件进行测量、分析或者图像获取的扫描电子显微镜中，说明下述的构成：使用于去除在静电吸盘上蓄积的残留电荷的紫外线光源的光轴与静电吸盘的中心轴配置在同芯上，按照从该紫外线光源照射出的紫外线不会直接到达所述静电吸盘的方式设置遮挡板，按照只有通过照射紫外线而生成的残留气体离子以及电子能够有效地到达所述静电吸盘上的方式在遮挡板上设置开口部。

[0046] 具体而言，在具备被真空排气的样品室的扫描电子显微镜中，说明在样品室内将包括保持样品的静电吸盘的样品台、紫外光源、和被来自该紫外光源的紫外光照射的被照射部件设置在与静电吸盘的吸附面相面对的位置的扫描电子显微镜。

[0047] 此外，也一并说明了设置了使得从静电吸盘的侧面方向照射紫外线、紫外线均匀地通过静电吸盘上的空间且不直接照射到静电吸盘那样的遮挡板的扫描电子显微镜。

[0048] 根据以下所说明的实施例，可以在短时间内可靠且均匀地去除在静电吸盘上蓄积的残留电荷。

[0049] 首先，利用图1来表示应用了第一实施例的CD-SEM的简要图。在确保为10-4～-510 Pa的高真空的样品室2内的X-Y台4上固定了静电吸盘5，未图示的晶片被保持在静电
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吸盘5上。在静电吸盘中，存在电介质膜的固有电阻率为1×10Ωcm至10 Ωcm程度的所谓约翰逊-拉贝克方式的静电吸盘、和固有电阻率为其以上的所谓库伦方式的静电吸盘的大致两种方式。虽然各个静电吸盘方式具有各自的特征，但是本实施例针对任何方式均是有效的。在本实施例中，为使泄漏电流实质上为0，说明将在晶片电位的稳定性方面优越、以适合测量中的电位稳定重要的CD-SEM的Al2O3为素材的库伦方式的静电吸盘应用于CD-SEM的情况。

[0050] 在该静电吸盘之上，以紫外线光源6的光轴与静电吸盘为同轴的配置来设置该紫外线光源6。从该紫外线光源照射出的紫外线的波长为400nm以下。物质如果被照射具有比该物质固有的功函数大的能量的波长的光，则会引起光电效应而放出电子，由于Al2O3的功函数相当于波长140nm，因此如果比140nm短的波长的光照射到Al2O3，则会引起光电效应，作为绝缘物质的Al2O3被带电为正。本实施例的特征在于，在静电吸盘5与紫外线光源6之间，按照紫外线不会直接到达静电吸盘而只有电离出的残留气体有效地到达静电吸盘上的方式设置了遮挡板7，既能防止基于光电效应的正带电，又能去除残留电荷。图7表示详细地示出了本实施例的特征的图。静电吸盘5、紫外线光源6以及遮挡板7全部被配置在同轴上，从紫外线光源6向开口角α(图中尺寸11)的区域照射紫外线。此外，相对于静电吸盘5的吸附面(上表面)而在垂线方向上设置有遮挡板7，并且在遮挡板7的紫外光的被照射部中心被配置为与静电吸盘5的吸附面中心同轴的状态下实施紫外光照射。此外，由于被照射部和静电吸盘75的吸附面分离开规定间隔量，因此由被照射部产生的气体边扩散边到达吸附面，从而能够实现除电效果的均匀化。

[0051] 遮挡板7被设置在与紫外线光源6相距距离1(图中尺寸12)的位置，在与紫外线照射区域8不重叠的位置设有通过孔9。在图8中示出从紫外线光源6侧观看遮挡板7的图。在本实施例中，作为通过孔，从遮挡板7的中心在同一半径上均等地(轴对称地)设有8处圆形的孔。遮挡板7上的紫外线照射区域8(被照射部)成为从遮挡板的中心起用数学式1表示的值r(图中尺寸13)以下的范围。

[0052] …(式1)

[0053] 通过孔9按照与遮挡板中心相距的距离R(图中尺寸14)以及通过孔的直径D(图中尺寸15)确保数学式2所示的关系的方式进行配置，以使紫外线照射区域8和通过孔9不重叠。

[0054] …(式2)

[0055] 如果设为这种构成，则从紫外线光源6照射出的紫外线被遮挡板7遮挡，因此不会直接照射到静电吸盘5，并且，在紫外线照射区域8内生成的残留气体离子以及电子，因扩散或者在静电吸盘5上蓄积的残留电荷所产生的电场而通过通过孔9从而到达静电吸盘5的表面，故能够中和残留电荷。在图9中示出：在应用了本实施例的CD-SEM中，测量对静电吸盘上蓄积的残留电荷进行除电所需的时间而得到的结果的一例。与直接照射紫外线的情况同样地能够立刻完成除电，且由于未进行直接照射，因此也不会发生与持续照射相伴的正带电，能够可靠地变为零。

[0056] 在图10中示出测量应用了本实施例的情况下的、除电实施后的静电吸盘上的带电分布所得的结果的一例。由于将静电吸盘和紫外线光源配置在同轴上，因此可确保空间上的对称性，无除电的不均匀性。因此，如果应用本实施例，则能够在短时间内可靠且均匀地去除静电吸盘上的残留电荷。

[0057] 下面，说明第二实施例。在第二实施例中，取代图8所示的遮挡板7而利用图11所示的遮挡板7a。遮挡板7a被配置在与图1所示的遮挡板7同一地方。遮挡板7a在与紫外线照射区域8不重叠的位置上保留十字状的梁10以及外周环16来设置4处的通过孔9a。通过孔9a的内侧的直径R′(图中尺寸15)保持数学式3所示的关系，从紫外线光源
6照射出的紫外线被遮挡板7a遮挡。

[0058] R′＞r…(式3)

[0059] 另一方面，通过紫外线照射而生成的残留气体离子以及电子能通过通过孔9a。因此，根据本实施例，不会将紫外线直接照射到静电吸盘，可以只使电离出的残留气体到达静电吸盘上。

[0060] 另外，由于上述特征是紫外线不直接照射静电吸盘、仅使电离出的残留气体均匀地达到静电吸盘上，因此并不限于静电吸盘和紫外线光源配置在同轴上的情况。例如，即便是构成为设置使得从静电吸盘的侧面方向照射紫外线、紫外线均匀地通过静电吸盘上的空间、且不直接照射到静电吸盘这样的遮挡板的情况，也能够期待同样的效果。

[0061] 不过，根据使静电吸盘中心和遮挡部件的中心相一致的构成，能够以比较简单的构成来确保带电抑制效果的面内均匀性。

[0062] 在此，说明本实施例的CD-SEM的测量时序。图12是表示无静电吸盘的除电工序的测量工序的流程图的一例，图13是表示包含静电吸盘的除电工序的测量工序的流程图的一例。

[0063] 先说明图12的测量流程图。首先，通过未图示的搬运机构来搬入晶片(18)，装载在静电吸盘上(19)。然后，通过静电吸盘电源来施加电压(20)，对晶片进行静电吸附。然后，使X-Y台动作而移动至规定的坐标位置，以使晶片上的要测量的芯片来到电子束照射位置(21)。如果向规定的位置的移动完成，则实施自动聚焦以对焦图像(22)，扫描电子束来获取图像(25)，以所获取到的图像为基础来进行图像处理，计算目标尺寸(26)。如果预先设定的处置完成(27)，则晶片通过X-Y台而与静电吸盘一起移动至初始位置(28)。若处置未完成而进行下一芯片的测量、图像获取的情况下，再次移动至下一芯片的规定的坐标来反复测量(27)。移动至初始位置的静电吸盘停止基于直流电源的供电(29)，被向装置外搬出(30)。在观察对象的晶片有多个的情况下，会针对多个晶片依次反复执行该一连串时序，但若因反复实施了晶片与静电吸盘之间的接触、摩擦而在静电吸盘表面上不断蓄积了残留电荷，则晶片上的表面电位会逐渐偏离。如果晶片上的表面电位变动，则与之相伴地在自动聚焦中对焦的焦距值也将变动，当表面电位的变动量变得大于某一定的值时，自动聚焦无法追踪，会导致对焦失败。在聚焦失败的情况下，变更分配焦距的范围(24)，再次实施自动聚焦(23)，但是相应地一次测量所需的时间增加，从而会使装置吞吐量下降。

[0064] 下面，说明图13的测量流程图。本流程图的特征在于，在向装置搬入观察对象的晶片之前，基于在对象晶片之前搬入的晶片的观察信息而预先了解静电吸盘上的带电量，在该带电量大于某一定的值的情况下，在对象晶片的搬入前执行基于紫外线的除电。静电吸盘的带电量预先记录在后述的控制装置内的存储器(记录介质)等中，在搬入晶片之前判断带电量是否大于某一定的值。若带电量大于某一定的值(31)，则执行基于紫外线照射的除电(32)，若带电量小于某一定的值，则不执行除电而搬入晶片(18)。成为该判断基准的某一定的值被设定为：自动聚焦不失败而且不会引起搬运精度的劣化或异物附着的增加这种程度的值、即纵使不执行除电也能使装置稳定地工作这样的值。此外，静电吸盘的带电量根据针对晶片面内的每个测量部位实施自动聚焦时的聚焦变动量来计算(33)，向记录介质记录其平均值(34)。该值按照每个晶片来更新，成为观察对象的晶片基于在其前一个晶片中测量出的带电量来判断是否需要搬入前的除电(31)。如果设为这样的流程图，则能够在静电吸盘上蓄积的残留电荷在装置运用上成为问题之前自动地执行静电吸盘的除电，因此可提供一种不会使装置吞吐量下降而稳定地持续工作的CD-SEM。另外，在本实施例中，虽然公开了在搬入要新测量的晶片之前实施紫外线照射的例子，但是也可以对处于测量中的晶片的电位进行测量，在刚搬出该晶片之后立刻实施紫外线照射。此外，如果向晶片直接照射紫外线，则有可能给晶片造成损伤，因此组合安全电路以使在晶片搬入中不照射紫外线也是不言而喻的。

[0065] 另外，在本时序中说明了根据自动聚焦的变动量来计算静电吸盘上的带电量的手法，但是例如可以构成为使用表面静电计等电位测量手段来直接测量静电吸盘表面的带电，并基于该结果来判断是否需要除电。

[0066] 根据上述实施例，在应用了静电吸盘的电子显微镜中，可以提供一种能在短时间内可靠且均匀地去除在装置运用中蓄积的静电吸盘上的残留电荷，既能将装置工作率下降限制在最小限度，也能稳定地持续发挥性能的扫描电子显微镜。

[0067] 图14是表示由扫描电子显微镜主体1401、和控制扫描电子显微镜的控制装置1402构成的扫描电子显微镜系统的一例的图。在控制装置1402中包括：对扫描电子显微镜主体1401的光学条件进行控制的光学条件调整部1403；基于检测电子来进行图像形成、轮廓波形形成，并且基于该图像信号等来进行测量、检查的检测信号运算部1404。此外，包括：控制对未图示的静电吸盘进行除电的紫外光源的紫外光源控制部1405；以及控制样品台且进行静电吸盘的电源的接通断开控制的台控制部1406；以及预先存储控制装置的控制条件的存储器1407。

[0068] 具备上述那样构成的扫描电子显微镜系统，基于图15所例示的那样的流程图来执行静电吸盘的除电。首先，在样品室内残留有晶片的情况下，向样品室外搬运晶片(步骤1501)，关闭设置在样品室与预备排气室之间的真空阀(步骤1502)。然后，使搭载有静电吸盘的样品台4移动至进行除电的场所(步骤1503)。所谓进行除电的场所，例如是指图16所例示的静电吸盘除电位置1601。图16是表示设置在样品室1602内的遮挡部件1603、与静电吸盘除电位置1601之间的位置关系的图，是样品室1602的俯视图。在使静电吸盘移动至静电吸盘除电位置1601之后，自未图示的紫外光光源而向遮挡部件1603上的紫外线照射区域1604照射紫外线(步骤1504)，通过产生电离出的残留气体，由此来进行除电。在结束了除电之后，为了恢复到通常的测量、检查工序，使台移动至真空阀前的晶片接受位置(步骤1505)。

[0069] 由于紫外线照射区域1604被设定得小于遮挡部件1603的遮挡部，因此既能避免紫外线向静电吸盘的直接照射，也能选择性地使电离出的残留气体到达静电吸盘。

[0070] 图17是表示在紫外光源6的下方(静电吸盘侧(重力场所朝向的方向))设置遮挡件1701的另一例的图。在图17的例子中，遮挡部件1701与其他例相比成为简单的构造。根据这种构成，既能以比较简单的构成来抑制紫外光的直接照射，也能选择性地使电离出的残留气体到达静电吸盘，但是由于没有图7的遮挡板7那样的外框，因此图7例示的遮挡板成为更适合于选择性地使残留气体到达存在静电吸盘的区域的构造。

[0071] 图18是表示在不向静电吸盘直接照射紫外光的情况下产生电离出的残留气体的进一步的其他构成的图。紫外光1801从样品室侧方向被紫外光照射部1802照射。由被紫外光照射部1802产生的电离出的残留气体，从气体供给1803向位于下方的静电吸盘供给。根据这样的构成，也可抑制紫外光的直接照射，还能选择性地使电离出的残留气体到达静电吸盘。不过，从除电效果的均匀化的观点出发，希望如图7等例示的那样，在紫外光的光轴、遮挡部件的中心位置和静电吸盘的中心位置位于同轴上的状态下进行紫外光照射。

[0072] 标号说明

[0073] 1 镜筒

[0074] 2 样品室

[0075] 3 预备排气室

[0076] 4 X-Y台(样品台)

[0077] 5 静电吸盘

[0078] 6 紫外线光源

[0079] 7 遮挡板

[0080] 8 紫外线照射区域