分子筛SSZ-87组合物及其合成

摘要

本公开涉及使用N，N'-二异丙基-N，N'-二乙基双环[2.2.2]辛-7-烯-2,3:5,6-二吡咯烷鎓二价阳离子作为结构导向剂合成的命名为SSZ-87的新的结晶分子筛。

权利要求

1.分子筛，其具有(1)至少一种四价元素的至少一种氧化物相对于(2)任选地，一种或多种选自由三价元素的氧化物、五价元素的氧化物以及它们的混合物组成的组的氧化物为

10或更大的摩尔比且在其煅烧后的形式中具有如在下表中所示的X-射线衍射图谱：

2-θ d-间距,nm 相对强度

7.09±0.20 1.245 VS

8.78±0.20 1.006 S

9.95±0.20 0.889 W

13.36±0.20 0.662 W

16.04±0.20 0.553 W

16.88±0.20 0.525 W

17.51±0.20 0.506 W

19.48±0.20 0.455 VS

21.65±0.20 0.410 VS

22.24±0.20 0.399 M

24.52±0.20 0.363 M

25.17±0.20 0.354 W

26.17±0.20 0.340 M

26.87±0.20 0.331 M

28.28±0.20 0.315 W

28.58±0.20 0.312 W

29.94±0.20 0.298 M其中提供的粉末XRD图谱基于相对强度比例，在所述X-射线图谱中最强的线条被赋值100：W＝弱，>0至≤20；M＝中，>20至≤40；S＝强，>40至≤60；VS＝非常强，>60至≤100。

2.权利要求1的分子筛，其中所述分子筛具有(1)氧化硅相对于(2)选自氧化硼、氧化铝、氧化镓、氧化铟以及它们的混合物的氧化物为10或更大的摩尔比。

3.权利要求2的分子筛，其中氧化物(2)是氧化硼。

4.权利要求2的分子筛，其中氧化物(2)是氧化铝。

5.制备分子筛的方法，其包括将(1)至少一种硅源；(2)至少一种硼源；(3)氟离子；和(4)N，N′-二异丙基-N，N′-二乙基双环[2.2.2]辛-7-烯-2,3:5,6-二吡咯烷鎓二价阳离子在结晶条件下接触；

其中所述分子筛在其煅烧后的形式中具有如在下表中所示的X射线衍射图谱：

2-θ d-间距,nm 相对强度

7.09±0.20 1.245 VS

8.78±0.20 1.006 S

9.95±0.20 0.889 W

13.36±0.20 0.662 W

16.04±0.20 0.553 W

16.88±0.20 0.525 W

17.51±0.20 0.506 W

19.48±0.20 0.455 VS

21.65±0.20 0.410 VS

22.24±0.20 0.399 M

24.52±0.20 0.363 M

25.17±0.20 0.354 W

26.17±0.20 0.340 M

26.87±0.20 0.331 M

28.28±0.20 0.315 W

28.58±0.20 0.312 W

29.94±0.20 0.298 M其中提供的粉末XRD图谱基于相对强度比例，在所述X-射线图谱中最强的线条被赋值100：W＝弱，>0至≤20；M＝中，>20至≤40；S＝强，>40至≤60；VS＝非常强，>60至≤100。

6.权利要求5的方法，其中所述分子筛由包含以摩尔比计的以下组分的反应混合物制备：SiO2/B2O3 5-100Q/SiO2 0.05-0.5F/SiO2 0.05-0.5H2O/SiO2 10-100其中Q为N，N′-二异丙基-N，N′-二乙基双环[2.2.2]辛-7-烯-2,3:5,6-二吡咯烷鎓二价阳离子。

说明书

分子筛SSZ-87组合物及其合成

[0001] 本 公 开 涉 及 使 用 N，N'-二 异 丙 基-N，N'- 二 乙 基 双 环 [2.2.2]辛-7-烯-2,3:5,6-二吡咯烷鎓二价阳离子作为结构导向剂合成的命名为SSZ-87的新的结晶分子筛。

[0002] 发明背景

[0003] 由于它们独特的筛分性质以及它们的催化性能，结晶分子筛和沸石在例如烃转化、气体干燥和分离的应用中是特别有用的。虽然已经公开了许多不同的结晶分子筛，有对于具有期望的性质用于气体分离和干燥、烃和化学品转化和其他应用的新的分子筛的持续的需求。新的分子筛可含有新型内孔结构，提供在这些工艺中增强的选择性。

[0004] 发明概述

[0005] 本公开涉及一类具有独特性能的结晶分子筛，在本文中称为“分子筛SSZ-87”或简称为“SSZ-87”。

[0006] 在一方面，提供了分子筛，其具有(1)至少一种四价元素的至少一种氧化物相对于(2)任选地，一种或多种选自由三价元素的氧化物、五价元素的氧化物以及它们的混合物组成的组的氧化物为10或更大的摩尔比且在煅烧后的形式中具有表4的粉末X-射线衍射(XRD)线条。应该注意的是，短语“10或更大的摩尔比”包括没有氧化物(2)的情况，即，氧化物(1)相对于氧化物(2)的摩尔比是无穷大的。在该情况下，所述分子筛基本上完全由一种或多种四价元素的氧化物组成。

[0007] 在另一方面，提供了通过将(1)至少一种硅源；(2)至少一种硼源；(3)氟离子；和(4)N，N'-二异丙基-N，N'-二乙基双环[2.2.2]辛-7-烯-2,3:5,6-二吡咯烷鎓二价阳离子在结晶条件下接触来制备分子筛的方法。

[0008] 在仍另一方面，提供了制备在其煅烧后的形式中具有表4的粉末XRD线条的分子筛的工艺，所述工艺通过以下步骤实现：(a)制备含有以下物质的反应混合物：(1)至少一种硅源；(2)至少一种硼源；(3)氟离子；和(4)N，N'-二异丙基-N，N'-二乙基双环[2.2.2]辛-7-烯-2,3:5,6-二吡咯烷鎓二价阳离子；和(5)水；和(b)将所述反应物保持在足以形成所述分子筛的晶体的条件下。

[0009] 当形成的所述分子筛为中间体材料时，本文公开的工艺包括进一步结晶后加工步骤以得到目标分子筛(例如，通过结晶后杂原子晶格取代或酸浸)。

[0010] 也提供了命名为SSZ-87的新的分子筛，其在合成后原样且在其无水状态下，具有以摩尔比计的如下组成：

[0011]宽泛的 优选的
SiO2/B2O3 10-200 10-100
Q/SiO2 0.015-0.06 0.025-0.06

[0012] 其中Q为N，N'-二异丙基-N，N'-二乙基双环[2.2.2]辛-7-烯-2,3:5,6-二吡咯烷鎓二价阳离子。

[0013] 附图简述

[0014] 图1示出了实施例1的合成后原样的硼硅酸盐SSZ-87产物的粉末XRD图谱。

[0015] 图2示出了实施例4的煅烧过的硼硅酸盐SSZ-87产物的粉末XRD图谱。

[0016] 图3示出了实施例4的煅烧过的硼硅酸盐SSZ-87产物的扫描电子显微镜(SEM)图像。

[0017] 发明详述

[0018] 介绍

[0019] 下面的术语将被用在整个说明书中且将具有以下含义，除非另有说明。

[0020] 术语“活性源”指的是能提供以可反应且可被并入到所述分子筛结构中的形式的元素的试剂或前体材料。术语“源”和“活性源”在本文可互换使用。

[0021] 术语“周期表”指的是IUPAC元素周期表日期为2007年6月22日的版本，并所述周期表族的编号方案如在Chem.Eng.News,63(5),26-27(1985)中描述的。

[0022] 术语“分子筛”包括：(a)中间体分子筛和(b)最终或目标分子筛且分子筛通过(1)直接合成或(2)结晶后处理(间接合成)来生产。二次合成技术允许通过杂原子晶格取代或其他技术由中间体材料合成目标材料。例如，铝硅酸盐可以由中间体硼硅酸盐，通过结晶后杂原子晶格将硼取代为铝来合成。这样的技术是已知的，例如像在美国专利号6790433中描述的。

[0023] 本公开涉及本文中命名为“分子筛SSZ-87”或简称“SSZ-87”的分子筛。

[0024] 在 制 备SSZ-87 中，将 N，N'-二 异 丙 基-N，N'- 二 乙 基 双 环 [2.2.2]辛-7-烯-2,3:5,6-二吡咯烷鎓二价阳离子用作结构导向剂(“SDA”)，也称为作为结晶模板。用于制备SSZ-87的该SDA由下列结构(1)表示：

[0025]

[0026] 将所述SDA二价阳离子与阴离子缔合，所述阴离子可以是对SSZ-87的形成无害的任何阴离子。代表性的阴离子包括来自周期表的第17族的那些(例如，氟离子、氯离子、溴离子和碘离子)、氢氧根、醋酸根、硫酸根、四氟硼酸根、羧酸根等。

[0027] 所述N，N'-二异丙基-N，N'-二乙基双环[2.2.2]辛-7-烯-2,3:5,6-二吡咯烷鎓二价阳离子可由，例如双环[2.2.2]辛-7-烯-2,3:5,6-四羧酸二酐(市售可得的材料)来合成。例如，所述N，N'-二异丙基-N，N'-二乙基双环[2.2.2]辛-7-烯-2,3:5,6-二吡咯烷鎓二价阳离子可由该二酐制备，所述二酐最初与异丙胺反应以产生双环N，N'-二异丙基二酰亚胺，然后将双环N，N'-二异丙基二酰亚胺用LiAlH4还原以产生二胺。然后可将所述二胺用乙基卤化物(例如碘代乙烷)烷基化以产生N，N'-二异丙基-N，N'-二乙基季二价阳离子季铵盐。这样的方法是已知的，例如像在美国专利号6656268中描述的。

[0028] 反应混合物

[0029] 通常，可通过以下步骤制备SSZ-87：(a)制备反应混合物，其含有：(1)至少一种硅源；(2)至少一种硼源；(3)氟离子；和(4)N，N'-二异丙基-N，N'-二乙基双环[2.2.2]辛-7-烯-2,3:5,6-二吡咯烷鎓二价阳离子；和(5)水；和(b)将所述反应物保持在足以形成所述分子筛的晶体的条件下。

[0030] 在形成的分子筛是中间体分子筛的情况下，所述工艺包括通过合成后技术(例如杂原子晶格取代技术和酸浸)合成目标分子筛的进一步步骤。

[0031] 从中形成所述分子筛的所述反应混合物的组成，以摩尔比计，在下面的表1中确定：

[0032] 表1

[0033]反应物 宽泛的 优选的
SiO2/B2O3 5-100 10-60
Q/SiO2 0.05-0.5 0.1-0.4
F/SiO2 0.05-0.5 0.1-0.4
H2O/SiO2 10-100 15-25

[0034] 其中组成变量Q为如上文所述。

[0035] 在本文中有用的硅源包括蒸气沉积氧化硅、沉淀的硅酸盐、氧化硅水凝胶、硅酸、胶体氧化硅、原硅酸四烷基酯(例如原硅酸四乙基酯)和氧化硅氢氧化物。

[0036] 有用的硼源包括硼硅酸盐玻璃、碱金属硼酸盐、硼酸、硼酸酯和某些分子筛。氧化硼的来源的非限制性例子包括十水合四硼酸钾和硼β分子筛(B-β分子筛)。

[0037] 本文有用的氟离子(F)源包括氟化氢和氟化铵。

[0038] 对于本文描述的每个实施方案，可通过多于一个的来源提供所述分子筛反应混合物。此外，可通过一个来源提供两种或更多种组分。例如，硼硅酸盐分子筛可通过本文描述的方法使用如在美国专利号5972204中教导的含硼β-沸石来合成。

[0039] 所述反应混合物可间歇制备或连续制备。本文描述的所述分子筛的晶体尺寸、形态和结晶时间可随着所述反应混合物的类型和所述结晶条件而变化。

[0040] 结晶和合成后的处理

[0041] 在实践中，所述分子筛通过以下步骤制备：(a)制备如上所述的反应混合物，和(b)将所述反应混合物保持在足以形成所述分子筛晶体的结晶条件下。

[0042] 将所述反应混合物保持在高温下，直到所述分子筛的晶体形成。水热结晶通常在压力下实施，且通常在高压釜中实施以使得所述反应混合物经受在125℃-200℃的温度下的自生压力。

[0043] 所述反应混合物可以在所述结晶步骤中经受温和搅拌或搅动。本领域的技术人员可以理解，本文描述的所述分子筛可含有杂质，例如无定形材料、具有不与所述分子筛相符的骨架拓扑结构的单元晶胞和/或其它杂质(例如有机烃)。

[0044] 在所述水热结晶步骤过程中，可允许所述分子筛晶体从反应混合物中自发成核。所述分子筛晶体作为晶种材料的使用在降低发生完全结晶所需的时间上可以是有利的。
另外，接晶种可导致增加纯度的产物，所述产物通过促进越过任何不期望的阶段的所述分子筛的成核和/或形成来得到。当用作晶种时，以用在所述反应混合物中的硅源重量的
1％-10％的量加入晶种晶体。

[0045] 一旦所述分子筛晶体形成，通过标准机械分离技术(例如过滤)将固体产物从所述反应混合物中分离出来。将所述晶体水洗且然后将其干燥以得到所述合成后原样的分子筛晶体。所述干燥步骤可以在大气压或在真空下实施。

[0046] 所述分子筛可以合成后原样使用，但是通常将被热处理(煅烧)。术语“合成后原样的”指的是所述分子筛以它结晶后、在除去所述SDA阳离子前的形式。可以通过热处理(例如煅烧)去除所述SDA，优选在氧化气氛(例如，空气，具有大于0千帕的氧分压的气体)下，在足以从所述分子筛中除去所述SDA的通过本领域技术人员容易确定的温度下。所述SDA也可通过如在美国专利号6960327中描述的光解技术(例如，将所述含有SDA的分子筛产物在足以选择性地从所述分子筛中除去所述有机化合物的条件下暴露于光或具有比可见光更短的波长的电磁辐射下)除去。

[0047] 随后可将所述分子筛在蒸汽、空气或惰性气体中，在范围为200℃-800℃的温度下煅烧1-48小时或更多的时间段。

[0048] 在形成的分子筛为中间体分子筛的情况下，所述目标分子筛可以使用合成后技术(例如，杂原子晶格取代技术)来实现。所述目标分子筛(例如硅酸盐SSZ-87)也可以通过从所述晶格中通过已知技术(例如酸浸)除去杂原子来实现。

[0049] 由本文描述的工艺制备的分子筛可以形成各种各样的物理形状。一般而言，所述分子筛可以以粉末、颗粒或成型的产物的形式，例如具有足以穿过2-目(泰勒)筛且被保留在400-目(泰勒)筛上的粒径的挤出物。在催化剂被模塑的情况下，例如通过与有机粘合剂挤出，所述分子筛可在干燥前被挤出，或干燥后或部分干燥后然后被挤出。

[0050] 所述分子筛可以与对用于有机转化过程中的温度和其他条件有抵抗力的其他材料复合。这样的基体材料包括活性材料和非活性材料，和合成的沸石或天然存在的沸石以及无机材料(例如粘土、氧化硅和金属氧化物)。这样的材料的例子以及它们可以被使用的方式在美国专利号4910006和5316753中公开了。

[0051] SSZ-87用作多种烃转化反应的催化剂，例如加氢裂化、脱蜡、烯烃异构化、芳族化合物的烷基化等。SSZ-87作为用于分离的吸附剂也是有用的。

[0052] 分子筛的表征

[0053] 通过本文描述的工艺制备的分子筛在合成后原样且在无水状态下，具有如在表2中描述的(以摩尔比计)组成，其中组成变量Q如上文所述。

[0054] 表2

[0055]宽泛的 优选的
SiO2/B2O3 10-200 10-150
Q/SiO2 0.015-0.06 0.025-0.06

[0056] SSZ-87可以是基本上全部氧化硅的材料。如本文所用，“基本上全部氧化硅”或“基本上全部氧化硅”指的是所述分子筛的晶体结构仅由氧化硅组成，或者由氧化硅和仅痕量的其他氧化物(例如三氧化二铝，其可以作为氧化硅源中的杂质被引入)组成。因此，在硅和硼的氧化物被使用的典型例子中，可将SSZ-87制成基本上不含硼的，即，具有氧化硅相对于氧化硼无限大的摩尔比。将SSZ-87制成硼硅酸盐且然后可将硼除去，如果需要的话，通过在升高的温度下用乙酸处理所述硼硅酸盐SSZ-87(如被C.W.Jones等人，在有机化学材料，2001，13，1041-1050中描述的)以生产基本上全部氧化硅形式的SSZ-87。

[0057] 如果需要的话，可将SSZ-87制成硼硅酸盐且然后如上文所述可将硼除去且通过本领域已知的技术用金属原子取代。可以以这种方式加入铝、镓、铟和它们的混合物。

[0058] 通过本文描述的工艺合成的分子筛通过它们的X-射线衍射图谱来表征。表3的X-射线衍射图谱线条代表合成后原样的SSZ-87。在所述衍射图案中的微小变化可由于因晶格常数的变化引起的在特定样品的框架物种的摩尔比上的变化而导致。另外，足够小的晶体将影响峰的形状和强度，导致显著峰变宽。在所述衍射图案中的微小变化也可由于在用于所述制备的所述有机化合物上的变化和由于样品之间的在Si/B的摩尔比中的变化而引起。煅烧也可引起在所述X-射线衍射图案中的微小变化。尽管这些小的扰动，基本的晶体晶格结构保持不变。

[0059] 表3

[0060] 合成后原样的SSZ-87的特征峰

[0061]2-θ(a) d-间距(nm) 相对强度(b)
7.02 1.257 M
8.74 1.010 S
13.23 0.669 W
15.71 0.564 W
16.06 0.552 W
16.82 0.527 W
17.49 0.507 W
19.43 0.457 VS
21.62 0.411 VS
22.26 0.399 M
24.55 0.362 M
25.20 0.353 W
26.12 0.341 M
26.83 0.332 W
28.22 0.316 W
28.54 0.312 W
29.94 0.298 W

[0062] (a)±0.20度

[0063] (b)提供的粉末XRD图谱基于相对强度比例，其中在所述X-射线图谱中最强的线条被赋值100：W＝弱(>0至≤20)；M＝中(>20至≤40)；S＝强(>40至≤60)；VS＝非常强(>60至≤100)。

[0064] 表4的X射线衍射图谱线条代表煅烧后的SSZ-87。

[0065] 表4

[0066] 煅烧后的SSZ-87的特征峰

[0067]2-θ(a) d-间距(nm) 相对强度(b)
7.09 1.245 VS
8.78 1.006 S
9.95 0.889 W
13.36 0.662 W
16.04 0.553 W
16.88 0.525 W
17.51 0.506 W
19.48 0.455 VS
21.65 0.410 VS
22.24 0.399 M
24.52 0.363 M
25.17 0.354 W
26.17 0.340 M
26.87 0.331 M
28.28 0.315 W
28.58 0.312 W
29.94 0.298 M

[0068] (a)±0.20度

[0069] (b)提供的粉末XRD图谱基于相对强度比例，其中在所述X-射线图谱中最强的线条被赋值100：W＝弱(>0至≤20)；M＝中(>20至≤40)；S＝强(>40至≤60)；VS＝非常强(>60至≤100)。

[0070] 本文中出现的所述粉末X-射线衍射图谱通过标准技术收集。辐射为CuKα辐射。峰高和位置，作为2θ的函数(其中θ是布拉格角)从所述峰的相对强度中读出，且可以计算对应于记录线的面间距d(以埃为单位)。
实施例

[0071] 下面的说明性实施例意为非限制性的。

[0072] 实施例1

[0073] 硼硅酸盐SSZ-87(B-SSZ-87)的合成

[0074] 将4.5mmol的N，N'-二异丙基-N，N'-二乙基双环[2.2.2]辛-7-烯-2,3:5,6-二吡咯烷鎓二氢氧化物和14mmol的原硅酸四乙酯加入到泰氟龙容器中。接着，将1mmol的硼酸和4.5mmol的氟化铵加入到所述容器中。将所述混合物静置在封闭的配置中。两天后，将顶部打开且使乙醇蒸发。然后将H2O/SiO2摩尔比调节至20。然后将所述泰氟龙衬套加盖并密封在不锈钢帕尔高压釜中。将所述高压釜置于在160℃下的对流烘箱中的旋叉上。将所述高压釜在所述加热烘箱中经38天的期间在43rpm下翻转。然后将所述高压釜移出且使其冷却至室温。然后通过过滤回收固体并用去离子水充分洗涤。使该固体在室温下干燥。

[0075] 将得到的产物通过粉末XRD分析。图1示出了本实施例的合成后原样的产物的粉末XRD图谱。下面的表5示出了得到的产物的粉末XRD衍射线条。

[0076] 元素分析表明该产物含有37.9％的Si和0.757％的B。CHN燃烧分析表明合成后原样的产物含有11.34％的C、2.13％的H和1.24％的N。

[0077] 表5

[0078]2-θ(a) d-间距(nm) 相对强度(％)
7.02 1.257 34.9
8.74 1.010 45.0
13.23 0.669 18.7
15.71 0.564 11.7
16.06 0.552 6.1
16.82 0.527 16.2
17.49 0.507 9.3
19.43 0.457 100.0
21.62 0.411 81.5
22.26 0.399 21.2
24.55 0.362 20.2
25.20 0.353 6.4
26.12 0.341 26.3
26.83 0.332 18.3
28.22 0.316 2.3
28.54 0.312 6.9
29.94 0.298 15.8

[0079] (a)±0.20

[0080] 实施例2

[0081] 具有接晶种的SSZ-87的合成

[0082] 重复实施例1,除了将来自预先合成的SSZ-87晶种以约3wt％加入到所述反应混合物中。结晶产物在约两周内形成。

[0083] 实施例3

[0084] 使用浓缩配制物的合成

[0085] 重复实施例1，除了将所述H2O/SiO2摩尔比降低至约5。没有将SSZ-87晶种材料加入到该配制物中。在约6周的反应之后，收集的产物被看作是MTW的变体。

[0086] 实施例4

[0087] SSZ-87的煅烧

[0088] 将实施例1的产物在在595℃下加热的2％氧气/98％氮气的气流(在1℃/min的速率下)下在马弗炉中煅烧且在595℃下保持5小时，冷却且然后通过粉末XRD分析。得到的XRD图谱示于图2中。所述粉末XRD图谱表明，该材料在煅烧以除去有机SDA后保持稳定。下面的表6示出了所述煅烧过的产物的粉末XRD衍射线条。

[0089] 表6

[0090]2-θ(a) d-间距(nm) 相对强度(％)
7.09 1.245 84.7
8.78 1.006 58.3
9.95 0.889 6.3
13.36 0.662 16.9
16.04 0.553 11.0
16.88 0.525 10.9
17.51 0.506 9.0
19.48 0.455 100.0
21.65 0.410 85.8
22.24 0.399 30.3
24.52 0.363 22.9
25.17 0.354 11.2
26.17 0.340 32.2
26.87 0.331 22.1
28.28 0.315 5.2
28.58 0.312 8.2
29.94 0.298 22.3

[0091] (a)±0.20

[0092] 实施例5

[0093] 微孔体积测定

[0094] 将实施例4的煅烧后的SSZ-87使用氮气作为被吸附物且经由BET方法进行表面积和微孔体积分析。实施例4的所述煅烧产物的氮气物理吸附数据的t-图分析表明3 2
0.17cm/g的微孔体积和446m/g的外部BET表面积。可以看出，所述煅烧过的SSZ-87具有相当大的多孔性和外部表面积。这与可以在所述产物的SEM(图3)中看到的非常小的晶体形态一致。

[0095] 实施例6

[0096] B-SSZ-87的Al交换

[0097] 然后将实施例4的所述煅烧硼硅酸盐产物根据与在美国专利号6790433中报道的过程相似的过程转化为硅铝酸盐形式。然后将得到的含铝SSZ-87产物用稀HCl洗涤且然后用水洗涤、过滤并在室温下在真空过滤器中干燥。粉末XRD图谱基本上与图2中的相同，除了可以看出关于引入铝取代硼改变了对于所述硅铝酸盐产物的晶格常数。元素分析表明所述产物含有38.6％的Si和1.12％的Al。

[0098] 实施例7

[0099] 约束指数测定

[0100] 将实施例6的硅铝酸盐产物在4-5kpsi下制粒并粉碎并过筛到20-40。将0.50g填充到3/8英寸不锈钢管中，在所述分子筛床的两侧具有刚玉。用林德伯格熔炉加热所述反应管。氦以10mL/min且在大气压下被引入到所述反应管中。将所述反应器加热到约371℃且将正己烷和3-甲基戊烷的50/50(w/w)的进料以8μL/min的速率引入所述反应器中。经由布朗利泵进行原料输送。在引入进料10min后开始到气相色谱(GC)中的直接取样。从所述GC数据使用本领域已知的方法计算所述约束指数值(不包括2-甲基戊烷)，且发现对于10-100min的在流时间在1.11和0.89之间。在371℃下和在流时间10min时，原料转化率大于50％，具有接近1的选择性值。这表明该材料的孔系统大于中间体的孔系统，但是相比于开放的大孔分子筛，其仍然是受阻的。

[0101] 为了实现本说明书和附加的权利要求的目的，除非另有说明，在本说明书和权利要求中表示数量、百分比或比率和其他的数值的所有的数字，可以理解为在所有的情况下用术语“约”修饰。因此，除非有相反的说明，在下面的说明书和附加的权利要求中示出的数值参数是近似值，能根据寻求获得的期望的特性变化。值得注意的是，如在本说明书和附加的权利要求中使用的单数形式“一个”、“一”、“该”包括复数指代，除非明确地和清楚明白地限制于一个指代物。如本文所用，术语“包括”及其语法变形意图是非限制性的，以使得列表中的项目的列举不排斥其他可替代或添加到所述列出的项目中的类似项目。如本文所用，术语“包含”意味着包括遵循该术语所认定的要素或步骤，但是任何要素或步骤不是穷尽性的，且实施方案可包括其他要素或步骤。

[0102] 除非另有说明，从中可以选择各个成分或成分的混合物的元素、材料或其他的组分的类的列举，是有意包括所述列出的组分或它们的混合物的所有可能的子类组合。

[0103] 可专利的范围通过权利要求来规定，且能包括被那些本领域的技术人员想到的其他的实施例。这样的其他的实施例意图是在所述权利要求的范围内的，如果它们具有与所述权利要求的字面意思相同的结构元素，或如果它们包括与所述权利要求的字面意思无实质性不同的等效的结构要素。在与本文一致的程度上，所有本文提到的引文是通过引用并入到本文中的。