电源转换电路的控制信号产生电路和相关的逻辑重生电路转让专利
申请号 : CN201310162604.1
文献号 : CN104143903B
文献日 : 2016-12-28
发明人 : 曾培凯 , 唐健夫 , 陈曜洲 , 吴雅慈 , 苏宏德
申请人 : 立锜科技股份有限公司
摘要 :
权利要求 :
1.一种电源转换电路的控制信号产生电路,该电源转换电路包含一逻辑重生电路、一第一开关、一第二开关、以及一电感装置,其中,该电感装置耦接于该第一开关和该第二开关之间的一节点,且该逻辑重生电路利用一上桥控制信号和一下桥控制信号来分别控制该第一开关和该第二开关,其特征在于,该控制信号产生电路包含:一控制电路,设置成产生一第一信号;
一第一逻辑电路,耦接于该控制电路,且设置成依据该第一信号产生一第二信号;以及一第一传输装置,耦接于该第一逻辑电路,且设置成依据该第二信号以及一参考信号产生一第一控制信号,其中,该参考信号对应于该节点上的一电压;
其中,该第一传输装置形成一第一等效电容,且该逻辑重生电路依据至少该第一控制信号来产生该上桥控制信号和该下桥控制信号。
2.如权利要求1的控制信号产生电路,其特征在于,该第一传输装置另包含:一基底,包含有一第一表面以及一第二表面,其中,该第二表面耦接于该参考信号;
一第一介电层,位于该基底的该第一表面上;
一第二介电层,位于该第一介电层上;
一第一蜿蜒状金属体,位于该第二介电层中,且垂直于该基底的该第一表面;以及一第二蜿蜒状金属体,位于该第二介电层中,且垂直于该基底的该第一表面;
其中,该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体彼此相邻但不接触,使得该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体间形成该第一等效电容。
3.如权利要求2的控制信号产生电路,其特征在于,该第一表面与该第二表面间形成一第一寄生电容,该基底与该第二介电层间形成一第二寄生电容,其中,该第一寄生电容与该第二寄生电容串联。
4.如权利要求1的控制信号产生电路,其特征在于,该第一传输装置另包含:一基底;
一第一介电层,位于该基底上;
一第二介电层,位于该第一介电层上;
一第三介电层,包含有一第一表面以及一第二表面,其中,该第一表面直接连接于该基底,且该第二表面耦接于该参考信号;
一第一蜿蜒状金属体,位于该第二介电层中,且垂直于该第三介电层的该第一表面;以及一第二蜿蜒状金属体,位于该第二介电层中,且垂直于该第三介电层的该第一表面;
其中,该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体彼此相邻但不接触,使得该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体间形成该第一等效电容。
5.如权利要求4的控制信号产生电路,其特征在于,该第一介电层与该第三介电层间形成一第一寄生电容、该基底与该第二介电层间形成一第二寄生电容,以及该第一表面与该第二表面间形成一第三寄生电容,其中,该第一寄生电容、该第二寄生电容以及该第三寄生电容彼此串联。
6.如权利要求1的控制信号产生电路,其特征在于,该第一传输装置另包含:一基底,包含有一第一表面以及一第二表面,其中,该第二表面耦接于该参考信号;
一第一介电层,位于该基底的该第一表面上;
一第二介电层,位于该第一介电层上;
一导孔层,位于该第二介电层上;
一第三介电层,位于该导孔层上;
一第一蜿蜒状金属体,垂直于该基底的该第一表面,其中,该第一蜿蜒状金属体的一第一部份位于该第三介电层中,该第一蜿蜒状金属体的一第二部份位于该第二介电层中,且该第一蜿蜒状金属体的该第一部份和该第二部份藉由该导孔层相耦接;以及一第二蜿蜒状金属体,垂直于该基底的该第一表面,其中,该第二蜿蜒状金属体的一第一部份位于该第三介电层中,该第二蜿蜒状金属体的一第二部份位于该第二介电层中,且该第二蜿蜒状金属体的该第一部份和该第二部份藉由该导孔层相耦接;
其中,该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体彼此相邻但不接触,使得该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体间形成该第一等效电容。
7.如权利要求6的控制信号产生电路,其特征在于,该第一表面与该第二表面间形成一第一寄生电容,以及该基底与该第二介电层间形成一第二寄生电容,其中,该第一寄生电容与该第二寄生电容串联。
8.如权利要求1的控制信号产生电路,其特征在于,该第一传输装置另包含:一基底,包含有一第一表面以及一第二表面,其中,该第二表面耦接于该参考信号;
一阻隔区,包含有至少一阻隔区介电层,且每一阻隔区介电层上设置有一阻隔区导孔层;
一连接区,包含有至少三个连接区介电层,且每两个连接区介电层间设置有一连接区导孔层;
一第一蜿蜒状金属体,包含至少一第一金属区段以及多个第二金属区段;以及一第二蜿蜒状金属体,包含至少一第三金属区段以及多个第四金属区段;
其中,该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体彼此相邻但不接触,使得该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体间形成该第一等效电容,且各第一金属区段、各第二金属区段、各第三金属区段、以及各第四金属区段皆垂直于该基底的该第一表面;
其中,各第一金属区段的至少一部份位于该阻隔区的至少一阻隔区介电层,各第一金属区段中的多个部份分别位于该多个连接区介电层,且各第一金属区段中的不同部份藉由至少一阻隔区导孔层和多个连接区导孔层相耦接;
其中,各第二金属区段中的多个部份分别位于该多个连接区介电层,且各第二金属区段中的不同部份藉由多个连接区导孔层相耦接;
其中,各第三金属区段的至少一部份位于该阻隔区的至少一阻隔区介电层,各第三金属区段中的多个部份分别位于该多个连接区介电层,且各第三金属区段中的不同部份藉由至少一阻隔区导孔层和多个连接区导孔层相耦接;以及其中,各第四金属区段中的多个部份分别位于该多个连接区介电层,且各第四金属区段中的不同部份藉由多个连接区导孔层相耦接。
9.如权利要求8的控制信号产生电路,其特征在于,该第一表面与该第二表面间形成一第一寄生电容,该基底与该连接区之间形成一第二寄生电容,其中,该第一寄生电容与该第二寄生电容串联。
10.如权利要求1的控制信号产生电路,其特征在于,该控制电路还会产生一第一反相信号,且该控制信号产生电路另包含:一第二传输装置,耦接于该控制电路,且设置成依据该第一反相信号以及该参考信号产生一第二控制信号;
其中,该第二传输装置形成一第二等效电容,该第一逻辑电路产生的该第二信号并非完全同步于该第一反相信号,该第二信号与该第一反相信号不同步的时间长度,是该上桥控制信号或该下桥控制信号处于有效状态的时间长度的至少20%,且该逻辑重生电路依据该第一控制信号及该第二控制信号,来产生该上桥控制信号以及该下桥控制信号。
11.如权利要求10的控制信号产生电路,其特征在于,该第二传输装置另包含:一基底,包含有一第一表面以及一第二表面,其中,该第二表面耦接于该参考信号;
一第一介电层,位于该基底的该第一表面上;
一第二介电层,位于该第一介电层上;
一第一蜿蜒状金属体,位于该第二介电层中,且垂直于该基底的该第一表面;以及一第二蜿蜒状金属体,位于该第二介电层中,且垂直于该基底的该第一表面;
其中,该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体彼此相邻但不接触,使得该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体间形成该第二等效电容。
12.如权利要求11的控制信号产生电路,其特征在于,该第一表面与该第二表面间形成一第一寄生电容,该基底与该第二介电层间形成一第二寄生电容,其中,该第一寄生电容与该第二寄生电容串联。
13.如权利要求10的控制信号产生电路,其特征在于,该第二传输装置另包含:一基底;
一第一介电层,位于该基底上;
一第二介电层,位于该第一介电层上;
一第三介电层,包含有一第一表面以及一第二表面,其中,该第一表面直接连接于该基底,且该第二表面耦接于该参考信号;
一第一蜿蜒状金属体,位于该第二介电层中,且垂直于该第三介电层的该第一表面;以及一第二蜿蜒状金属体,位于该第二介电层中,且垂直于该第三介电层的该第一表面;
其中,该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体彼此相邻但不接触,使得该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体间形成该第二等效电容。
14.如权利要求13的控制信号产生电路,其特征在于,该第一介电层与该第三介电层间形成一第一寄生电容、该基底与该第二介电层间形成一第二寄生电容,以及该第一表面与该第二表面间形成一第三寄生电容,其中,该第一寄生电容、该第二寄生电容以及该第三寄生电容彼此串联。
15.如权利要求10的控制信号产生电路,其特征在于,该第二传输装置另包含:一基底,包含有一第一表面以及一第二表面,其中,该第二表面耦接于该参考信号;
一第一介电层,位于该基底的该第一表面上;
一第二介电层,位于该第一介电层上;
一导孔层,位于该第二介电层上;
一第三介电层,位于该导孔层上;
一第一蜿蜒状金属体,垂直于该基底的该第一表面,其中,该第一蜿蜒状金属体的一第一部份位于该第三介电层中,该第一蜿蜒状金属体的一第二部份位于该第二介电层中,且该第一蜿蜒状金属体的该第一部份和该第二部份藉由该导孔层相耦接;以及一第二蜿蜒状金属体,垂直于该基底的该第一表面,其中,该第二蜿蜒状金属体的一第一部份位于该第三介电层中,该第二蜿蜒状金属体的一第二部份位于该第二介电层中,且该第二蜿蜒状金属体的该第一部份和该第二部份藉由该导孔层相耦接;
其中,该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体彼此相邻但不接触,使得该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体间形成该第二等效电容。
16.如权利要求15的控制信号产生电路,其特征在于,该第一表面与该第二表面间形成一第一寄生电容,以及该基底与该第二介电层间形成一第二寄生电容,其中,该第一寄生电容与该第二寄生电容串联。
17.如权利要求10的控制信号产生电路,其特征在于,该第二传输装置另包含:一基底,包含有一第一表面以及一第二表面,其中,该第二表面耦接于该参考信号;
一阻隔区,包含有至少一阻隔区介电层,且每一阻隔区介电层上设置有一阻隔区导孔层;
一连接区,包含有至少三个连接区介电层,且每两个连接区介电层间设置有一连接区导孔层;
一第一蜿蜒状金属体,包含至少一第一金属区段以及多个第二金属区段;以及一第二蜿蜒状金属体,包含至少一第三金属区段以及多个第四金属区段;
其中,该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体彼此相邻但不接触,使得该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体间形成该第二等效电容,且各第一金属区段、各第二金属区段、各第三金属区段、以及各第四金属区段皆垂直于该基底的该第一表面;
其中,各第一金属区段的至少一部份位于该阻隔区的至少一阻隔区介电层,各第一金属区段中的多个部份分别位于该多个连接区介电层,且各第一金属区段中的不同部份藉由至少一阻隔区导孔层和多个连接区导孔层相耦接;
其中,各第二金属区段中的多个部份分别位于该多个连接区介电层,且各第二金属区段中的不同部份藉由多个连接区导孔层相耦接;
其中,各第三金属区段的至少一部份位于该阻隔区的至少一阻隔区介电层,各第三金属区段中的多个部份分别位于该多个连接区介电层,且各第三金属区段中的不同部份藉由至少一阻隔区导孔层和多个连接区导孔层相耦接;以及其中,各第四金属区段中的多个部份分别位于该多个连接区介电层,且各第四金属区段中的不同部份藉由多个连接区导孔层相耦接。
18.如权利要求17的控制信号产生电路,其特征在于,该第一表面与该第二表面间形成一第一寄生电容,该基底与该连接区之间形成一第二寄生电容,其中,该第一寄生电容与该第二寄生电容串联。
19.一种电源转换电路的逻辑重生电路,该电源转换电路包含一控制信号产生电路、一第一开关、一第二开关、以及一电感装置,其中,该电感装置耦接于该第一开关和该第二开关之间的一节点,其特征在于,该逻辑重生电路包含:一第一传输装置,当耦接于该控制信号产生电路时,该第一传输装置依据该控制信号产生电路产生的一第二信号以及一参考信号,产生一第一控制信号,其中,该参考信号对应于该节点上的一电压;
一第二逻辑电路,耦接于该第一传输装置,且设置成依据至少该第一控制信号产生一设置信号以及一重置信号;
一正反器,耦接于该第二逻辑电路,且设置成依据该设置信号以及该重置信号产生一上桥控制信号,以控制该第一开关的导通时间;以及一第三逻辑电路,耦接于该正反器,且设置成依据该上桥控制信号产生一下桥控制信号,以控制该第二开关的导通时间;
其中,该第一传输装置形成一第一等效电容。
20.如权利要求19的逻辑重生电路,其特征在于,该第一传输装置另包含:一基底,包含有一第一表面以及一第二表面,其中,该第二表面耦接于该参考信号;
一第一介电层,位于该基底的该第一表面上;
一第二介电层,位于该第一介电层上;
一第一蜿蜒状金属体,位于该第二介电层中,且垂直于该基底的该第一表面;以及一第二蜿蜒状金属体,位于该第二介电层中,且垂直于该基底的该第一表面;
其中,该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体彼此相邻但不接触,使得该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体间形成该第一等效电容。
21.如权利要求20的逻辑重生电路,其特征在于,该第一表面与该第二表面间形成一第一寄生电容,该基底与该第二介电层间形成一第二寄生电容,其中,该第一寄生电容与该第二寄生电容串联。
22.如权利要求19的逻辑重生电路,其特征在于,该第一传输装置另包含:一基底;
一第一介电层,位于该基底上;
一第二介电层,位于该第一介电层上;
一第三介电层,包含有一第一表面以及一第二表面,其中,该第一表面直接连接于该基底,且该第二表面耦接于该参考信号;
一第一蜿蜒状金属体,位于该第二介电层中,且垂直于该第三介电层的该第一表面;以及一第二蜿蜒状金属体,位于该第二介电层中,且垂直于该第三介电层的该第一表面;
其中,该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体彼此相邻但不接触,使得该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体间形成该第一等效电容。
23.如权利要求22的逻辑重生电路,其特征在于,该第一介电层与该第三介电层间形成一第一寄生电容、该基底与该第二介电层间形成一第二寄生电容,以及该第一表面与该第二表面间形成一第三寄生电容,其中,该第一寄生电容、该第二寄生电容以及该第三寄生电容彼此串联。
24.如权利要求19的逻辑重生电路,其特征在于,该第一传输装置另包含:一基底,包含有一第一表面以及一第二表面,其中,该第二表面耦接于该参考信号;
一第一介电层,位于该基底的该第一表面上;
一第二介电层,位于该第一介电层上;
一导孔层,位于该第二介电层上;
一第三介电层,位于该导孔层上;
一第一蜿蜒状金属体,垂直于该基底的该第一表面,其中,该第一蜿蜒状金属体的一第一部份位于该第三介电层中,该第一蜿蜒状金属体的一第二部份位于该第二介电层中,且该第一蜿蜒状金属体的该第一部份和该第二部份藉由该导孔层相耦接;以及一第二蜿蜒状金属体,垂直于该基底的该第一表面,其中,该第二蜿蜒状金属体的一第一部份位于该第三介电层中,该第二蜿蜒状金属体的一第二部份位于该第二介电层中,且该第二蜿蜒状金属体的该第一部份和该第二部份藉由该导孔层相耦接;
其中,该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体彼此相邻但不接触,使得该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体间形成该第一等效电容。
25.如权利要求24的逻辑重生电路,其特征在于,该第一表面与该第二表面间形成一第一寄生电容,以及该基底与该第二介电层间形成一第二寄生电容,其中,该第一寄生电容与该第二寄生电容串联。
26.如权利要求19的逻辑重生电路,其特征在于,该第一传输装置另包含:一基底,包含有一第一表面以及一第二表面,其中,该第二表面耦接于该参考信号;
一阻隔区,包含有至少一阻隔区介电层,且每一阻隔区介电层上设置有一阻隔区导孔层;
一连接区,包含有至少三个连接区介电层,且每两个连接区介电层间设置有一连接区导孔层;
一第一蜿蜒状金属体,包含至少一第一金属区段以及多个第二金属区段;以及一第二蜿蜒状金属体,包含至少一第三金属区段以及多个第四金属区段;
其中,该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体彼此相邻但不接触,使得该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体间形成该第一等效电容,且各第一金属区段、各第二金属区段、各第三金属区段、以及各第四金属区段皆垂直于该基底的该第一表面;
其中,各第一金属区段的至少一部份位于该阻隔区的至少一阻隔区介电层,各第一金属区段中的多个部份分别位于该多个连接区介电层,且各第一金属区段中的不同部份藉由至少一阻隔区导孔层和多个连接区导孔层相耦接;
其中,各第二金属区段中的多个部份分别位于该多个连接区介电层,且各第二金属区段中的不同部份藉由多个连接区导孔层相耦接;
其中,各第三金属区段的至少一部份位于该阻隔区的至少一阻隔区介电层,各第三金属区段中的多个部份分别位于该多个连接区介电层,且各第三金属区段中的不同部份藉由至少一阻隔区导孔层和多个连接区导孔层相耦接;以及其中,各第四金属区段中的多个部份分别位于该多个连接区介电层,且各第四金属区段中的不同部份藉由多个连接区导孔层相耦接。
27.如权利要求26的逻辑重生电路,其特征在于,该第一表面与该第二表面间形成一第一寄生电容,该基底与该连接区之间形成一第二寄生电容,其中,该第一寄生电容与该第二寄生电容串联。
28.如权利要求19的逻辑重生电路,其特征在于,另包含:
一第二传输装置,当耦接于该控制信号产生电路时,该第二传输装置依据该控制信号产生电路产生的一第一反相信号以及该参考信号,产生一第二控制信号;
其中,该第二传输装置形成一第二等效电容,且该第二逻辑电路依据该第一控制信号以及该第二控制信号产生该设置信号以及该重置信号。
29.如权利要求28的逻辑重生电路,其特征在于,该第二信号并非完全同步于该第一反相信号,且该第二信号与该第一反相信号不同步的时间长度,是该上桥控制信号或该下桥控制信号处于有效状态的时间长度的至少20%。
30.如权利要求28的逻辑重生电路,其特征在于,该第二传输装置另包含:一基底,包含有一第一表面以及一第二表面,其中,该第二表面耦接于该参考信号;
一第一介电层,位于该基底的该第一表面上;
一第二介电层,位于该第一介电层上;
一第一蜿蜒状金属体,位于该第二介电层中,且垂直于该基底的该第一表面;以及一第二蜿蜒状金属体,位于该第二介电层中,且垂直于该基底的该第一表面;
其中,该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体彼此相邻但不接触,使得该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体间形成该第二等效电容。
31.如权利要求30的逻辑重生电路,其特征在于,该第一表面与该第二表面间形成一第一寄生电容,该基底与该第二介电层间形成一第二寄生电容,其中,该第一寄生电容与该第二寄生电容串联。
32.如权利要求28的逻辑重生电路,其特征在于,该第二传输装置另包含:一基底;
一第一介电层,位于该基底上;
一第二介电层,位于该第一介电层上;
一第三介电层,包含有一第一表面以及一第二表面,其中,该第一表面直接连接于该基底,且该第二表面耦接于该参考信号;
一第一蜿蜒状金属体,位于该第二介电层中,且垂直于该第三介电层的该第一表面;以及一第二蜿蜒状金属体,位于该第二介电层中,且垂直于该第三介电层的该第一表面;
其中,该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体彼此相邻但不接触,使得该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体间形成该第二等效电容。
33.如权利要求32的逻辑重生电路,其特征在于,该第一介电层与该第三介电层间形成一第一寄生电容、该基底与该第二介电层间形成一第二寄生电容,以及该第一表面与该第二表面间形成一第三寄生电容,其中,该第一寄生电容、该第二寄生电容以及该第三寄生电容彼此串联。
34.如权利要求28的逻辑重生电路,其特征在于,该第二传输装置另包含:一基底,包含有一第一表面以及一第二表面,其中,该第二表面耦接于该参考信号;
一第一介电层,位于该基底的该第一表面上;
一第二介电层,位于该第一介电层上;
一导孔层,位于该第二介电层上;
一第三介电层,位于该导孔层上;
一第一蜿蜒状金属体,垂直于该基底的该第一表面,其中,该第一蜿蜒状金属体的一第一部份位于该第三介电层中,该第一蜿蜒状金属体的一第二部份位于该第二介电层中,且该第一蜿蜒状金属体的该第一部份和该第二部份藉由该导孔层相耦接;以及一第二蜿蜒状金属体,垂直于该基底的该第一表面,其中,该第二蜿蜒状金属体的一第一部份位于该第三介电层中,该第二蜿蜒状金属体的一第二部份位于该第二介电层中,且该第二蜿蜒状金属体的该第一部份和该第二部份藉由该导孔层相耦接;
其中,该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体彼此相邻但不接触,使得该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体间形成该第二等效电容。
35.如权利要求34的逻辑重生电路,其特征在于,该第一表面与该第二表面间形成一第一寄生电容,以及该基底与该第二介电层间形成一第二寄生电容,其中,该第一寄生电容与该第二寄生电容串联。
36.如权利要求28的逻辑重生电路,其特征在于,该第二传输装置另包含:一基底,包含有一第一表面以及一第二表面,其中,该第二表面耦接于该参考信号;
一阻隔区,包含有至少一阻隔区介电层,且每一阻隔区介电层上设置有一阻隔区导孔层;
一连接区,包含有至少三个连接区介电层,且每两个连接区介电层间设置有一连接区导孔层;
一第一蜿蜒状金属体,包含至少一第一金属区段以及多个第二金属区段;以及一第二蜿蜒状金属体,包含至少一第三金属区段以及多个第四金属区段;
其中,该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体彼此相邻但不接触,使得该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体间形成该第二等效电容,且各第一金属区段、各第二金属区段、各第三金属区段、以及各第四金属区段皆垂直于该基底的该第一表面;
其中,各第一金属区段的至少一部份位于该阻隔区的至少一阻隔区介电层,各第一金属区段中的多个部份分别位于该多个连接区介电层,且各第一金属区段中的不同部份藉由至少一阻隔区导孔层和多个连接区导孔层相耦接;
其中,各第二金属区段中的多个部份分别位于该多个连接区介电层,且各第二金属区段中的不同部份藉由多个连接区导孔层相耦接;
其中,各第三金属区段的至少一部份位于该阻隔区的至少一阻隔区介电层,各第三金属区段中的多个部份分别位于该多个连接区介电层,且各第三金属区段中的不同部份藉由至少一阻隔区导孔层和多个连接区导孔层相耦接;以及其中,各第四金属区段中的多个部份分别位于该多个连接区介电层,且各第四金属区段中的不同部份藉由多个连接区导孔层相耦接。
37.如权利要求36的逻辑重生电路,其特征在于,该第一表面与该第二表面间形成一第一寄生电容,该基底与该连接区之间形成一第二寄生电容,其中,该第一寄生电容与该第二寄生电容串联。
38.一种电源转换电路的控制信号产生电路,该电源转换电路包含一逻辑重生电路、一第一开关、一第二开关、以及一电感装置,其中,该电感装置耦接于该第一开关和该第二开关之间的一节点,且该逻辑重生电路利用一上桥控制信号和一下桥控制信号来分别控制该第一开关和该第二开关,其特征在于,该控制信号产生电路包含:一控制电路,设置成产生一第一信号;以及
一第一传输装置,耦接于该控制电路,且设置成依据该第一信号以及一参考信号产生一第三控制信号,其中,该参考信号对应于该节点上的一电压;
其中,该第一传输装置形成一第一等效电容,且该逻辑重生电路依据至少该第三控制信号来产生该上桥控制信号和该下桥控制信号。
39.如权利要求38的控制信号产生电路,其特征在于,该第一传输装置另包含:一基底,包含有一第一表面以及一第二表面,其中,该第二表面耦接于该参考信号;
一第一介电层,位于该基底的该第一表面上;
一第二介电层,位于该第一介电层上;
一第一蜿蜒状金属体,位于该第二介电层中,且垂直于该基底的该第一表面;以及一第二蜿蜒状金属体,位于该第二介电层中,且垂直于该基底的该第一表面;
其中,该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体彼此相邻但不接触,使得该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体间形成该第一等效电容。
40.如权利要求39的控制信号产生电路,其特征在于,该第一表面与该第二表面间形成一第一寄生电容,该基底与该第二介电层间形成一第二寄生电容,其中,该第一寄生电容与该第二寄生电容串联。
41.如权利要求38的控制信号产生电路,其特征在于,该第一传输装置另包含:一基底;
一第一介电层,位于该基底上;
一第二介电层,位于该第一介电层上;
一第三介电层,包含有一第一表面以及一第二表面,其中,该第一表面直接连接于该基底,且该第二表面耦接于该参考信号;
一第一蜿蜒状金属体,位于该第二介电层中,且垂直于该第三介电层的该第一表面;以及一第二蜿蜒状金属体,位于该第二介电层中,且垂直于该第三介电层的该第一表面;
其中,该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体彼此相邻但不接触,使得该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体间形成该第一等效电容。
42.如权利要求41的控制信号产生电路,其特征在于,该第一介电层与该第三介电层间形成一第一寄生电容、该基底与该第二介电层间形成一第二寄生电容,以及该第一表面与该第二表面间形成一第三寄生电容,其中,该第一寄生电容、该第二寄生电容以及该第三寄生电容彼此串联。
43.如权利要求38的控制信号产生电路,其特征在于,该第一传输装置另包含:一基底,包含有一第一表面以及一第二表面,其中,该第二表面耦接于该参考信号;
一第一介电层,位于该基底的该第一表面上;
一第二介电层,位于该第一介电层上;
一导孔层,位于该第二介电层上;
一第三介电层,位于该导孔层上;
一第一蜿蜒状金属体,垂直于该基底的该第一表面,其中,该第一蜿蜒状金属体的一第一部份位于该第三介电层中,该第一蜿蜒状金属体的一第二部份位于该第二介电层中,且该第一蜿蜒状金属体的该第一部份和该第二部份藉由该导孔层相耦接;以及一第二蜿蜒状金属体,垂直于该基底的该第一表面,其中,该第二蜿蜒状金属体的一第一部份位于该第三介电层中,该第二蜿蜒状金属体的一第二部份位于该第二介电层中,且该第二蜿蜒状金属体的该第一部份和该第二部份藉由该导孔层相耦接;
其中,该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体彼此相邻但不接触,使得该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体间形成该第一等效电容。
44.如权利要求43的控制信号产生电路,其特征在于,该第一表面与该第二表面间形成一第一寄生电容,以及该基底与该第二介电层间形成一第二寄生电容,其中,该第一寄生电容与该第二寄生电容串联。
45.如权利要求38的控制信号产生电路,其特征在于,该第一传输装置另包含:一基底,包含有一第一表面以及一第二表面,其中,该第二表面耦接于该参考信号;
一阻隔区,包含有至少一阻隔区介电层,且每一阻隔区介电层上设置有一阻隔区导孔层;
一连接区,包含有至少三个连接区介电层,且每两个连接区介电层间设置有一连接区导孔层;
一第一蜿蜒状金属体,包含至少一第一金属区段以及多个第二金属区段;以及一第二蜿蜒状金属体,包含至少一第三金属区段以及多个第四金属区段;
其中,该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体彼此相邻但不接触,使得该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体间形成该第一等效电容,且各第一金属区段、各第二金属区段、各第三金属区段、以及各第四金属区段皆垂直于该基底的该第一表面;
其中,各第一金属区段的至少一部份位于该阻隔区的至少一阻隔区介电层,各第一金属区段中的多个部份分别位于该多个连接区介电层,且各第一金属区段中的不同部份藉由至少一阻隔区导孔层和多个连接区导孔层相耦接;
其中,各第二金属区段中的多个部份分别位于该多个连接区介电层,且各第二金属区段中的不同部份藉由多个连接区导孔层相耦接;
其中,各第三金属区段的至少一部份位于该阻隔区的至少一阻隔区介电层,各第三金属区段中的多个部份分别位于该多个连接区介电层,且各第三金属区段中的不同部份藉由至少一阻隔区导孔层和多个连接区导孔层相耦接;以及其中,各第四金属区段中的多个部份分别位于该多个连接区介电层,且各第四金属区段中的不同部份藉由多个连接区导孔层相耦接。
46.如权利要求45的控制信号产生电路,其特征在于,该参考信号耦接于该节点,且于该第一表面与该第二表面间形成一第一寄生电容,该基底与该连接区之间形成一第二寄生电容,其中,该第一寄生电容与该第二寄生电容串联。
47.如权利要求38的控制信号产生电路,其特征在于,该控制电路还会产生一第一反相信号,且该控制信号产生电路另包含:一第二传输装置,耦接于该控制电路,且设置成依据该第一反相信号以及该参考信号产生一第二控制信号;
其中,该第二传输装置形成一第二等效电容,且该逻辑重生电路依据该第三控制信号及该第二控制信号,来产生该上桥控制信号以及该下桥控制信号。
48.如权利要求47的控制信号产生电路,其特征在于,该第二传输装置另包含:一基底,包含有一第一表面以及一第二表面,其中,该第二表面耦接于该参考信号;
一第一介电层,位于该基底的该第一表面上;
一第二介电层,位于该第一介电层上;
一第一蜿蜒状金属体,位于该第二介电层中,且垂直于该基底的该第一表面;以及一第二蜿蜒状金属体,位于该第二介电层中,且垂直于该基底的该第一表面;
其中,该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体彼此相邻但不接触,使得该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体间形成该第二等效电容。
49.如权利要求48的控制信号产生电路,其特征在于,该第一表面与该第二表面间形成一第一寄生电容,该基底与该第二介电层间形成一第二寄生电容,其中,该第一寄生电容与该第二寄生电容串联。
50.如权利要求47的控制信号产生电路,其特征在于,该第二传输装置另包含:一基底;
一第一介电层,位于该基底上;
一第二介电层,位于该第一介电层上;
一第三介电层,包含有一第一表面以及一第二表面,其中,该第一表面直接连接于该基底,且该第二表面耦接于该参考信号;
一第一蜿蜒状金属体,位于该第二介电层中,且垂直于该第三介电层的该第一表面;以及一第二蜿蜒状金属体,位于该第二介电层中,且垂直于该第三介电层的该第一表面;
其中,该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体彼此相邻但不接触,使得该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体间形成该第二等效电容。
51.如权利要求50的控制信号产生电路,其特征在于,该第一介电层与该第三介电层间形成一第一寄生电容、该基底与该第二介电层间形成一第二寄生电容,以及该第一表面与该第二表面间形成一第三寄生电容,其中,该第一寄生电容、该第二寄生电容以及该第三寄生电容彼此串联。
52.如权利要求47的控制信号产生电路,其特征在于,该第二传输装置另包含:一基底,包含有一第一表面以及一第二表面,其中,该第二表面耦接于该参考信号;
一第一介电层,位于该基底的该第一表面上上;
一第二介电层,位于该第一介电层上;
一导孔层,位于该第二介电层上;
一第三介电层,位于该导孔层上;
一第一蜿蜒状金属体,垂直于该基底的该第一表面,其中,该第一蜿蜒状金属体的一第一部份位于该第三介电层中,该第一蜿蜒状金属体的一第二部份位于该第二介电层中,且该第一蜿蜒状金属体的该第一部份和该第二部份藉由该导孔层相耦接;以及一第二蜿蜒状金属体,垂直于该基底的该第一表面,其中,该第二蜿蜒状金属体的一第一部份位于该第三介电层中,该第二蜿蜒状金属体的一第二部份位于该第二介电层中,且该第二蜿蜒状金属体的该第一部份和该第二部份藉由该导孔层相耦接;
其中,该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体彼此相邻但不接触,使得该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体间形成该第二等效电容。
53.如权利要求52的控制信号产生电路,其特征在于,该第一表面与该第二表面间形成一第一寄生电容,以及该基底与该第二介电层间形成一第二寄生电容,其中,该第一寄生电容与该第二寄生电容串联。
54.如权利要求47的控制信号产生电路,其特征在于,该第二传输装置另包含:一基底,包含有一第一表面以及一第二表面,其中,该第二表面耦接于该参考信号;
一阻隔区,包含有至少一阻隔区介电层,且每一阻隔区介电层上设置有一阻隔区导孔层;
一连接区,包含有至少三个连接区介电层,且每两个连接区介电层间设置有一连接区导孔层;
一第一蜿蜒状金属体,包含至少一第一金属区段以及多个第二金属区段;以及一第二蜿蜒状金属体,包含至少一第三金属区段以及多个第四金属区段;
其中,该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体彼此相邻但不接触,使得该第一蜿蜒状金属体与该第二蜿蜒状金属体间形成该第二等效电容,且各第一金属区段、各第二金属区段、各第三金属区段、以及各第四金属区段皆垂直于该基底的该第一表面;
其中,各第一金属区段的至少一部份位于该阻隔区的至少一阻隔区介电层,各第一金属区段中的多个部份分别位于该多个连接区介电层,且各第一金属区段中的不同部份藉由至少一阻隔区导孔层和多个连接区导孔层相耦接;
其中,各第二金属区段中的多个部份分别位于该多个连接区介电层,且各第二金属区段中的不同部份藉由多个连接区导孔层相耦接;
其中,各第三金属区段的至少一部份位于该阻隔区的至少一阻隔区介电层,各第三金属区段中的多个部份分别位于该多个连接区介电层,且各第三金属区段中的不同部份藉由至少一阻隔区导孔层和多个连接区导孔层相耦接;以及其中,各第四金属区段中的多个部份分别位于该多个连接区介电层,且各第四金属区段中的不同部份藉由多个连接区导孔层相耦接。
55.如权利要求54的控制信号产生电路,其特征在于,该第一表面与该第二表面间形成一第一寄生电容,该基底与该连接区之间形成一第二寄生电容,其中,该第一寄生电容与该第二寄生电容串联。
说明书 :
电源转换电路的控制信号产生电路和相关的逻辑重生电路
技术领域
背景技术
发明内容
别控制该第一开关和该第二开关,该控制信号产生电路包含:一控制电路,设置成产生一第一信号;一第一逻辑电路,耦接于该控制电路,且设置成依据该第一信号产生一第二信号;
以及一第一传输装置,耦接于该第一逻辑电路,且设置成依据该第二信号以及一参考信号
产生一第一控制信号,其中,该参考信号对应于该节点上的一电压;其中,该第一传输装置形成一第一等效电容,且该逻辑重生电路依据至少该第一控制信号来产生该上桥控制信号
和该下桥控制信号。
号,产生一第一控制信号,其中,该参考信号对应于该节点上的一电压;一第二逻辑电路,耦接于该第一传输装置,且设置成依据至少该第一控制信号产生一设置信号以及一重置信
号;一正反器,耦接于该第二逻辑电路,且设置成依据该设置信号以及该重置信号产生一上桥控制信号,以控制该第一开关的导通时间;以及一第三逻辑电路,耦接于该正反器,且设置成依据该上桥控制信号产生一下桥控制信号,以控制该第二开关的导通时间;其中,该第一传输装置形成一第一等效电容。
该第一开关和该第二开关,该控制电路包含:一控制电路,设置成产生差动式的一第一信号以及一第一反相信号;以及一第一传输装置,耦接于该控制电路,且设置成依据该第一信号以及一参考信号产生一第三控制信号,其中,该参考信号对应于该节点上的一电压;其中,该第一传输装置形成一第一等效电容,且该逻辑重生电路依据至少该第三控制信号来产生
该上桥控制信号和该下桥控制信号。
附图说明
具体实施方式
(logic regeneration circuit)130、第一开关150、第二开关170、以及电感装置190。控制信号产生电路110设置成产生第一控制信号HS1及第二控制信号HS2。逻辑重生电路130耦接
于控制信号产生电路110,且设置成依据第一控制信号HS1及第二控制信号HS2,产生上桥控制信号UG及下桥控制信号LG。第一开关150的第一端耦接于一输入电压HV,第一开关150的
第二端耦接于节点LX,且第一开关150的控制端耦接于逻辑重生电路130。第二开关170的第一端耦接于节点LX,第二开关170的第二端耦接于一固定电位端(例如,接地端),且第二开关170的控制端耦接于逻辑重生电路130。电感装置190的一端耦接于第一开关150和第二开
关170之间的节点LX。在工业级的应用中,前述的输入电压HV可以是1000伏特、1200伏特,甚至是更高伏特数的高压信号。
产生后级电路所需的输出电压信号。
第二控制信号HS2。在本实施例中,第一传输装置115会形成一第一等效电容,第二传输装置
117会形成一第二等效电容,且第一等效电容和第二等效电容皆具有足够高的电容值。
逻辑电路113和控制电路111。换言之,藉由第一传输装置115和第二传输装置117的设置,可有效避免电源转换电路100中的控制信号产生电路110受到输入电压HV的高压破坏。
LX上的电压信号来作为参考信号REF。或者,控制信号产生电路110也可以将节点LX上的电
压信号进行降压,以产生与节点LX上的电压信号具有比例关系的降压信号,再利用该降压
信号作为参考信号REF。当利用节点LX上的电压信号来作为参考信号REF时,能有效降低第
一传输装置115和第二传输装置117所承受的电压差,故可提升第一传输装置115和第二传
输装置117承受输入电压HV的能力。
逻辑电路131会产生设置信号Set以及重置信号Reset。正反器133耦接于第二逻辑电路131,且设置成依据设置信号Set以及重置信号Reset产生上桥控制信号UG,以控制第一开关150
的导通时间。第三逻辑电路135耦接于正反器133,且设置成依据上桥控制信号UG产生下桥
控制信号LG,以控制第二开关170的导通时间。
中。
实施例中,控制电路111的内部元件所产生的脉宽调变信号PWM,会在时间T1时由低准位切
换至高准位,且在时间T2时由高准位切换至低准位。为方便说明起见,在此假设脉宽调变信号PWM、上桥控制信号UG、和下桥控制信号LG皆为高电平有效信号。
第一反相信号S1b的第二信号S2。如图2所示,第一逻辑电路113会在第二信号S2中加入一段额外的有效脉波,以形成一保护窗(protection window)210,使得第二信号S2与第一反相
信号S1b不同步的时段为一保护时段P1。在一实施例中,前述的保护时段P1占了T1~T2时段的至少20%。亦即,保护时段P1的时间长度,相当于是脉宽调变信号PWM处于有效状态的时间长度的至少20%。
相信号S1b不完全同步,故第一控制信号HS1也不完全同步于第二控制信号HS2。在对应于第二信号S2中的保护窗210的信号边缘的时间点,第一传输装置115所产生的第一控制信号
HS1中,会出现相对应的第一指示脉波220以及第二指示脉波230。
信号Set切换至有效状态。当第二逻辑电路131将设置信号Set切换至有效状态时,正反器
133会受到设置信号Set的边缘触发,而将上桥控制信号UG切换至有效状态,以导通第一开
关150。此时,第三逻辑电路135会依据上桥控制信号UG将下桥控制信号LG切换至无效状态,以截止第二开关170。
中,第二逻辑电路131会无视于第二控制信号HS2的变化,以避免因第二控制信号HS2中的噪声而误触发重置信号Reset的情况发生。换言之,前述第一逻辑电路113在第二信号S2中所
设置的保护窗210,可降低第二逻辑电路131因第二控制信号HS2中的噪声而发生误作动的
情况,故能提升电源转换电路100的抗噪声能力。
至有效状态。当第二逻辑电路131将重置信号Reset切换至有效状态时,正反器133会受到重置信号Reset的边缘触发,而将上桥控制信号UG切换至无效状态,以截止第一开关150。此
时,第三逻辑电路135会依据上桥控制信号UG将下桥控制信号LG切换至有效状态,以导通第二开关170。
100的抗噪声能力。
桥控制信号LG,且上桥控制信号UG和下桥控制信号LG和边缘会对应于脉宽调变信号PWM的
边缘。因此,前述第二信号S2与第一反相信号S1b不同步的时间长度,亦即保护时段P1的时间长度,会相当于是上桥控制信号UG和下桥控制信号LG的其中之一处于有效状态的时间长
度的至少20%。例如,在前述图2的实施例中,前述第二信号S2与第一反相信号S1b不同步的时间长度,会相当于是上桥控制信号UG处于有效状态的时间长度的至少20%。
310上。第二介电层330位于第一介电层320上。第一蜿蜒状金属体340位于第二介电层330
中,且垂直于基底310的第一表面312。第二蜿蜒状金属体350位于第二介电层330中,且垂直于基底310的第一表面312。换言之,第一蜿蜒状金属体340与第二蜿蜒状金属体350两者皆
垂直于基底310。
可避免输入电压HV经由信号传递路径,逆流回控制信号产生电路110而损坏控制信号产生
电路110中的电路。
电容420会形成串联组态,并可等效成一等效寄生电容。藉由电容的串联效应,上述等效寄生电容的电容值,会小于第一寄生电容410以及第二寄生电容420的个别电容值。因此,基底
310中的第一寄生电容410,以及第一介电层320中的第二寄生电容420不会影响到第一控制
信号HS1的传输质量。换言之,采用图3和图4架构的第一传输装置115,并不会影响到逻辑重生电路130所产生的上桥控制信号UG以及下桥控制信号LG的信号质量。
一控制信号HS1和第二控制信号HS2的传输质量。另外,前述控制信号产生电路110中的第一逻辑电路113产生第二信号S2的方式,可降低逻辑重生电路130因第二控制信号HS2中的噪
声而发生误作动的情况,故能提升电源转换电路100的抗噪声能力。再者,前述逻辑重生电路130中的第二逻辑电路131产生设置信号Set和重置信号Reset的方式,也可降低逻辑重生
电路130因第一控制信号HS1和第二控制信号HS2中的噪声而发生误作动的情况,同样能提
升电源转换电路100的抗噪声能力。
的第一表面542。第二蜿蜒状金属体560位于第二介电层530中,且垂直于第三介电层540的
第一表面542。换言之,第一蜿蜒状金属体550与第二蜿蜒状金属体560两者皆垂直于基底
510。
可避免输入电压HV经由信号传递路径,逆流回控制信号产生电路110而损坏控制信号产生
电路110中的电路。
544间会形成第三寄生电容640。前述的第一寄生电容610、第二寄生电容620、以及第三寄生电容640会形成串联组态,并可等效成一等效寄生电容。藉由电容的串联效应,上述等效寄生电容的电容值,会小于第一寄生电容610的电容值、第二寄生电容620的电容值、以及第三寄生电容640的电容值。因此,基底510中的第一寄生电容610、第一介电层520中的第二寄生电容620、以及第三介电层540中的第三寄生电容640不会影响到第一控制信号HS1的传输质
量。换言之,采用图5和图6架构的第一传输装置115,并不会影响到逻辑重生电路130所产生的上桥控制信号UG以及下桥控制信号LG的信号质量。
730上。第三介电层750位于导孔层740上。第一蜿蜒状金属体760垂直于基底710的第一表面
712。第一蜿蜒状金属体760的第一部份位于第三介电层750中,第一蜿蜒状金属体760的第
二部份位于第二介电层730中,且第一蜿蜒状金属体760的第一部份和第二部份藉由导孔层
740相耦接。第二蜿蜒状金属体770垂直于基底710的第一表面712。第二蜿蜒状金属体770的第一部份位于第三介电层750中,第二蜿蜒状金属体770的第二部份位于第二介电层730中,且第二蜿蜒状金属体770的第一部份和第二部份藉由导孔层740相耦接。换言之,第一蜿蜒
状金属体760与第二蜿蜒状金属体770两者皆垂直于基底710。
可避免输入电压HV经由信号传递路径,逆流回控制信号产生电路110而损坏控制信号产生
电路110中的电路。
容820会形成串联组态,并可等效成一等效寄生电容。藉由电容的串联效应,上述等效寄生电容的电容值,会小于第一寄生电容810的电容值以及第二寄生电容820的电容值。因此,基底710中的第一寄生电容810,以及第一介电层720中的第二寄生电容820不会影响到第一控
制信号HS1的传输质量。换言之,采用图7和图8架构的第一传输装置115,并不会影响到逻辑重生电路130所产生的上桥控制信号UG以及下桥控制信号LG的信号质量。
950。基底910的第二表面914耦接于参考信号REF。阻隔区920包含有至少一阻隔区介电层
922,且每一阻隔区介电层922上设置有一阻隔区导孔层924。连接区930包含有至少三个连
接区介电层932,且每两个连接区介电层932间设置有一连接区导孔层934。第一蜿蜒状金属体940包含至少一第一金属区段942以及多个第二金属区段944。第二蜿蜒状金属体950包含
至少一第三金属区段952以及多个第四金属区段954。
的不同部份藉由至少一阻隔区导孔层924和多个连接区导孔层934相耦接。另外,各第二金
属区段944中的多个部份分别位于多个连接区介电层932,且各第二金属区段944中的不同
部份藉由多个连接区导孔层934相耦接。
不同部份藉由至少一阻隔区导孔层924和多个连接区导孔层934相耦接。此外,各第四金属
区段954中的多个部份分别位于多个连接区介电层932,且各第四金属区段954中的不同部
份藉由多个连接区导孔层934相耦接。
状金属体950相邻交错但不接触的面积,故可在有限的空间中形成具有更高电容值的等效
电容,以避免输入电压HV经由信号传递路径,逆流回控制信号产生电路110而损坏控制信号产生电路110中的电路。
来避免各第二金属区段944以及各第四金属区段954受到外部的噪声干扰。
容1020,会形成串联组态,并可等效成一等效寄生电容。藉由电容的串联效应,上述等效寄生电容的电容值,会小于第一寄生电容1010的电容值以及第二寄生电容1020的电容值。因
此,第一寄生电容1010以及第二寄生电容1020不会影响到第一控制信号HS1的传输质量。换言之,采用图9和图10架构的第一传输装置115,并不会影响到逻辑重生电路130所产生的上桥控制信号UG以及下桥控制信号LG的信号质量。
制信号产生电路1110,省略了前述控制信号产生电路110中的第一逻辑电路113,以精简电
路的架构。
制信号HS3也会同步于第二传输装置117产生的第二控制信号HS2。
围并不以名称的差异作为区分元件的方式,而是以元件在功能上的差异来作为区分的基
准。在说明书及申请专利范围所提及的「包含」为开放式的用语,故应解释成「包含但不限定于」。另外「,耦接」在此包含任何直接及间接的连接手段。因此,若文中描述第一元件耦接于第二元件,则代表第一元件可通过电性连接或无线传输、光学传输等信号连接方式而直接
地连接于第二元件,或者通过其他元件或连接手段间接地电性或信号连接至该第二元件。
上」、「在…上方」「、于…下」、「在…下方」、「高于…」「、低于…」、「向上」、「向下」等等。所属技术领域的技术人员应可理解,这些与空间中的相对位置有关的叙述,不仅包含所描述的元
件在附图中的指向关系(orientation),也包含所描述的元件在使用、运作、或组装时的各种不同指向关系。例如,若将附图上下颠倒过来,则原先用「于…上」来描述的元件,就会变成「于…下」。因此,在说明书中所使用的「于…上」的描述方式,解释上包含了「于…下」以及「于…上」两种不同的指向关系。同理,在此所使用的「向上」一词,解释上包含了「向上」以及「向下」两种不同的指向关系。