由此将第1接合对象物和第2接合对象物接合。接合方法、接合结构体及其制造方法

摘要

本发明提供能得到无空隙、致密且耐热性高、可靠性优异的接合部的接合方法和接合部的可靠性高的接合结构体。在将第1接合对象物3和第2接合对象物13用嵌入材料C接合时，第1接合对象物3和/或第2接合对象物13具有由Sn或含Sn合金构成的第1金属，在第1接合对象物和第2接合对象物之间配置以由含有选自Ni、Mn、Al及Cr中的至少一种和Cu的合金构成的第2金属为主要成分的嵌入材料D，进行热处理，生成第1接合对象物和/或第2接合对象物所具有的低熔点金属与嵌入材料中所含的上述合金的金属间化合物，

权利要求

1.接合方法，其是用嵌入材料将第1接合对象物和第2接合对象物接合的方法，其中，所述第1接合对象物和/或所述第2接合对象物具有由熔点比构成下述嵌入材料的合金低的Sn或含Sn合金构成的第1金属，所述嵌入材料以第2金属为主要成分，所述第2金属为Cu-Ni合金或Cu-Mn合金或Cu-Al或Cu-Cr合金，在将所述嵌入材料配置在所述第1接合对象物和所述第2接合对象物之间的状态下进行热处理，生成所述第1接合对象物和/或所述第2接合对象物所具有的所述第1金属与构成所述嵌入材料的所述第2金属的金属间化合物，由此将所述第1接合对象物和所述第2接合对象物接合。

2.根据权利要求1所述的接合方法，其特征在于，所述第1金属是含Sn 70重量％以上的合金。

3.根据权利要求1所述的接合方法，其特征在于，所述第1金属是含Sn 85重量％以上的合金。

4.根据权利要求1所述的接合方法，其特征在于，所述第2金属以Cu-Ni合金或Cu-Mn合金为主要成分。

5.根据权利要求4所述的接合方法，其特征在于，所述Cu-Ni合金在5～30重量％的范围内含有Ni，所述Cu-Mn合金以5～30重量％的比例含有Mn。

6.接合结构体，其特征在于，通过权利要求1～5中任一项所述的接合方法形成。

7.接合结构体的制造方法，其特征在于，使用权利要求1～5中任一项所述的接合方法。

说明书

接合方法、接合结构体及其制造方法

技术领域

[0001] 本发明涉及将一方的接合对象物(第1接合对象物)和另一方的接合对象物(第2接合对象物)接合的接合方法和使用该接合方法形成的接合结构体，更详细地，涉及例如在将作为第1接合对象物的芯片型电子部件的外部电极接合到作为第2接合对象物的基板上的安装用电极时等情况中所使用的接合方法、使用该接合方法形成的接合结构体及其制造方法。

背景技术

[0002] 作为将表面安装型电子部件安装在基板等上时的安装方法，将电子部件的外部电极焊接到基板上的安装用电极(陆地电极)等上进行安装的方法被广泛使用。

[0003] 作为在这种通过焊接进行安装的方法中所使用的焊膏，例如，有人提出含有(a)由Cu、Al、Au、Ag等高熔点金属或含有这些金属的高熔点合金构成的第2金属(或合金)球与(b)由Sn或In构成的第1金属球的混合体的焊膏(可参见专利文献1)。

[0004] 此外，在该专利文献1中还公开了使用该焊膏的接合方法和电子设备的制造方法。

[0005] 然而，在使用该专利文献1的焊膏进行焊接时，如图6(a)示意所示，含有低熔点金属(例如Sn)球51、高熔点金属(例如Cu)球52和助焊剂53的焊膏加热后反应，焊接后，如图6(b)所示，多个高熔点金属球52介由来自低熔点金属球的低熔点金属和来自高熔点金属球的高熔点金属之间形成的金属间化合物54而连结，通过该连结体，接合对象物连接-连结(焊接)在一起。

[0006] 然而，在为该专利文献1的焊膏的情况下，在焊接工序中对焊膏进行加热，以生成高熔点金属(例如Cu)和低熔点金属(例如Sn)的金属间化合物，但在Cu(高熔点金属)与Sn(低熔点金属)的组合中，作为低熔点金属的Sn因其扩散速度慢而残留。而且，若焊膏中有Sn残留，则高温下的接合强度会大幅降低，根据要接合的产品的种类，有时会无法使用。此外，会有焊接工序中残留的Sn在之后的其他焊接工序中熔融而流出之虞，作为在温阶连接中使用的高温焊料，存在可靠性低的问题。

[0007] 即，例如在半导体装置的制造工序中，经过进行焊接的工序制造半导体装置后，想要用回流焊的方法将该半导体装置安装到基板上时，会有半导体装置的制造工序的焊接工序中残留的Sn在回流焊工序中熔融而流出之虞。

[0008] 此外，要使低熔点金属完全成为金属间化合物，使Sn不残留，在焊接工序中，需要高温且长时间的加热，但由于要兼顾生产效率，因而实际上不可行。

[0009] 为了解决这种问题，有人提出含有由第1金属粉末和熔点高于第1金属粉末的第2金属粉末构成的金属成分及助焊剂成分的焊膏，使第1金属为Sn或含Sn合金，使第2金属(Cu-Mn或Cu-Ni)为会与上述第1金属生成显示310℃以上的熔点的金属间化合物且在第2金属粉末的周围最初生成的金属间化合物的晶格常数与第2金属成分的晶格常数之差即晶格常数差在50％以上的金属或合金(可参见专利文献2)。

[0010] 另外，在该专利文献2中，作为第2金属，举例示出了Cu-Mn或Cu-Ni等。

[0011] 此外，专利文献2中，还提出了使用上述焊膏的接合方法、接合结构以及电子设备的制造方法。

[0012] 而且，根据使用该焊膏的接合方法，能够进行可大幅减少Sn残留量、在回流焊时不发生焊料流出、高温下的接合强度、接合可靠性优异的接合。

[0013] 然而，在使用专利文献2的焊膏的接合方法中，Cu-Mn、Cu-Ni等第2金属与Sn或Sn合金等第1金属的扩散反应快速发生，因而，Sn呈现液状的时间短，迅速形成熔融温度高的金属间化合物，因此，视情况，可能会在接合部内产生空隙。因此，期待有一种能够进行接合可靠性更高的接合的接合方法。

[0014] 专利文献：

[0015] 专利文献1：日本特开2002-254194号公报

[0016] 专利文献2：PCT专利申请公开说明书第2011/027659号

发明内容

[0017] 本发明是为了解决上述问题而作出的，旨在提供能够得到没有空隙、致密、耐热性优异、可靠性高的接合部的接合方法，使用该接合方法形成的接合可靠性高的接合结构体，以及制造该接合结构体的制造方法。

[0018] 为了解决上述问题，本发明的接合方法是用于将第1接合对象物和第2接合对象物用嵌入材料接合的方法，在该方法中，

[0019] 所述第1接合对象物和/或所述第2接合对象物具有由熔点低于构成下述嵌入材料的合金的Sn或含Sn合金构成的第1金属，

[0020] 所述嵌入材料以第2金属为主要成分，所述第2金属为含有选自Ni、Mn、Al及Cr中的至少一种和Cu的合金，

[0021] 在将所述嵌入材料配置在所述第1接合对象物和所述第2接合对象物之间的状态下进行热处理，生成所述第1接合对象物和/或所述第2接合对象物具有的所述第1金属与构成所述嵌入材料的所述第2金属的金属间化合物，由此将所述第1接合对象物和所述第2接合对象物接合。

[0022] 另外，作为第1和第2接合对象物，例如可以列举芯片型电子部件的外部电极和搭载有芯片型电子部件的基板上的安装用电极的情况，但在本发明中，包括一方的接合对象物例如为“镀有Sn或Sn合金的Cu线”的情况等。

[0023] 此外，在本发明中，作为由Sn或含Sn合金构成的第1金属，可以列举以由形成在电极表面的Sn或含Sn合金构成的镀层的形式提供的情况等。这种情况下，优选由第1金属(Sn或含Sn合金)构成的镀层在第1和/或第2接合对象物的最表面，但其表面上还可进一步形成其他层(例如贵金属层等)。

[0024] 此外，上述嵌入材料以上述合金(第2金属)为主要成分，但也可在其表面上形成Sn镀层、Au镀层等抗氧化膜。

[0025] 在本发明中，优选上述第1金属(含Sn合金)为含Sn70重量％以上的合金。

[0026] 第1金属为含Sn70重量％以上的合金时，能够更切实地获得本发明的效果，即能够得到没有空隙且耐热性高、可靠性优异的接合部。

[0027] 此外，优选上述第1金属(含Sn合金)为含Sn85重量％以上的合金。

[0028] 第1金属为含Sn85重量％以上的合金时，能更切实地得到耐热性更高的接合部。

[0029] 此外，在本发明中，优选构成上述嵌入材料的第2金属以Cu-Ni合金或Cu-Mn合金为主要成分。

[0030] 在构成嵌入材料的第2金属以Cu-Ni合金和/或Cu-Mn合金为主要成分时，能得到尤其是耐热性高的接合部。

[0031] 此外，优选上述Cu-Ni合金在5～30重量％的范围内含有Ni，上述Cu-Mn合金以5～30重量％的比例含有Mn。

[0032] 通过上述构成，能更切实地得到尤其是耐热性高的接合部。

[0033] 此外，本发明的接合结构体的特征在于，用上述本发明的接合方法形成。

[0034] 此外，本发明的接合结构体的制造方法的特征在于，使用上述本发明的接合方法。

[0035] 根据本发明的接合方法，在使用嵌入材料将第1接合对象物和第2接合对象物接合时，第1接合对象物和/或第2接合对象物具有由Sn或含Sn合金构成的第1金属(低熔点金属)，嵌入材料以含有选自Ni、Mn、Al及Cr中的至少一种和Cu的合金(第2金属)为主要成分，在嵌入材料位于第1接合对象物和第2接合对象物之间的状态下进行热处理，生成第1接合对象物和/或第2接合对象物具有的第1金属(低熔点金属)与构成嵌入材料的第2金属(上述Cu合金)的金属间化合物，由此将第1接合对象我和第2接合对象物接合，因而能得到耐热性优异、可靠性高的接合部。

[0036] 即，由于第1和/或第2接合对象物具有第1金属(Sn或含Sn合金)，嵌入材料以第2金属即含有选自Ni、Mn、Al及Cr中的至少一种和Cu的合金为主要成分，因而在热处理工序中，第2金属(上述Cu合金)和上述第1金属(低熔点金属)快速扩散，在接合部上生成高熔点的金属间化合物，并且第1金属基本上变成金属间化合物。其结果，例如在第1接合对象物为电子部件的外部电极、第2接合对象物为基板的安装用电极的情况下，均能得到在电子部件安装后的阶段，在实施多次回流焊的情况下，以及在安装的电子部件(例如车载用电子部件)在高温下使用等情况下都不会引起电子部件的脱落等、高温下的接合可靠性高的接合部。

[0037] 另外，在使用嵌入材料接合第1和第2接合对象物时，在嵌入材料位于第1和第2接合对象物之间的状态下进行热处理。此时，温度达到第1金属(Sn或Sn合金等低熔点金属)的熔点以上时，第1和/或第2接合对象物中的第1金属熔融。第1金属和嵌入材料中的第2金属(Cu合金)迅速扩散，生成金属间化合物。

[0038] 然后进一步继续加热，作为低熔点金属的第1金属与第2金属进一步反应，在第1金属和第2金属的组成比等处于适宜条件的情况下，第1金属全部变成金属间化合物，第1金属不再存在于接合部。

[0039] 另外，在本发明中，在第1金属和第2金属的界面上生成的金属间化合物与第2金属之间的晶格常数差大(第2金属和金属间化合物的晶格常数差在50％以上)，因此，在熔融第1金属(Sn或Sn合金)中，金属间化合物边剥离、分散边反复进行反应，金属间化合物的生成飞跃性地进行，能够在在短时间内充分减少第1金属(Sn或Sn合金)的含量。

[0040] 其结果，能够进行耐热强度大的接合。

[0041] 另外，构成第2金属(Cu合金)的Al和Cr与Cu相比，第1离子化能均小，这些金属(Al和Cr)固溶在Cu中，因此，与Cu相比，Al和Cr先被氧化。其结果，未被氧化的Cu向熔融的第1金属(Sn或含Sn合金)的扩散得到促进，在非常短的时间内，与第1金属之间生成金属间化合物。因此，与该部分相应地，接合部中的第1金属的含量降低，接合部的熔点上升，耐热强度提高。

[0042] 此外，在本发明中，能以板状等表面积小的形式供给含有第2金属(Cu合金)的嵌入材料，因而能够减慢与第1和/或第2接合对象物中所含的第1金属(Sn或Sn合金)的反应。

[0043] 即，在使嵌入材料为板状时，与例如将构成嵌入材料的第2金属以膏状这样的表面积大的粉末的形式供给的情况相比，能使第2金属的表面积充分小，减缓与第1金属的反应。其结果，能够延长第1金属(Sn或Sn合金)以液体存在的时间，形成无空隙、致密的接合部。

[0044] 此外，由于第1金属为液体的时间变长，因而，由于液体状的第1金属的表面张力，自对准性也提高。

[0045] 此外，根据本发明的接合结构体，如上述那样，第1和第2接合对象物介由以高熔点的金属间化合物为主要成分的接合部被切实地接合，因而能够提供耐热强度也优异的接合结构体。

[0046] 另外，为了更切实地得到本发明的效果，优选第1和第2接合对象物具有的第1金属(Sn或Sn合金)的量和嵌入材料中所含的第2金属(含有选自Ni、Mn、Al及Cr中的至少一种和Cu的合金)的比例在规定的范围内，通常，相对于第1金属的量和第2金属的合计量，优选第1金属的比例在70体积％以下。

附图说明

[0047] 图1是显示作为供实施本发明的接合方法用的第1(或第2)接合对象物的芯片型电子部件的图。

[0048] 图2是显示具有作为供实施本发明的接合方法用的第2(或第1)接合对象物的安装用电极的玻璃环氧基板的图。

[0049] 图3是显示用本发明的接合方法将第1接合对象物和第2接合对象物接合时的一个工序的图。

[0050] 图4是显示用本发明的接合方法将第1接合对象物和第2接合对象物接合而成的接合结构体的图。

[0051] 图5是显示用本发明的接合方法将第1接合对象物和第2接合对象物接合而成的接合结构体的变形例的图。

[0052] 图6是显示用现有的焊膏进行焊接时的焊料性状的图，(a)是显示加热前的状态的图，(b)是显示焊接工序结束后的状态的图。

具体实施方式

[0053] 下面显示本发明的实施方式，对本发明的特征进行更详细的说明。

[0054] 另外，在该实施方式中，以将陶瓷层叠体的两端部上配设有外部电极的芯片型电子部件(层叠陶瓷电容器)的外部电极(第1接合对象物)介由嵌入材料接合到玻璃环氧基板上的安装用电极上(第2接合对象物)上的情况为例进行说明。

[0055] 〔第1和第2接合对象物的准备〕

[0056] 首先，作为第1接合对象物，如图1所示，准备具有外部电极3的芯片型电子部件A，该外部电极3通过在形成在内部电极4和陶瓷层5交替层叠成的陶瓷层叠体10的两端部上的由Cu厚膜电极构成的外部电极主体1的表面上形成表1和2的试样编号1～25所示的Sn或含Sn合金(熔点低于构成嵌入材料的Cu合金的第1金属)的镀层而形成。

[0057] 另外，虽在图中未示出，但在Cu厚膜电极与Sn或含Sn合金的镀层2之间形成了Ni镀层。

[0058] 此外，镀层2不必覆盖外部电极主体1的整个表面，只要以在热处理工序中会与下述嵌入材料C反应、形成金属间化合物的方式给到外部电极主体1上即可。

[0059] 此外，作为第2接合对象物，如图2所示，准备具有安装用电极13的玻璃环氧基板B，该安装用电极13通过在形成在主面上的Cu电极膜11的表面上形成表1和2的试样编号1～25所示的第1金属(Sn或含Sn合金)的镀层12而形成。另外，镀层12可以以如图2所示的覆盖Cu电极膜11的整个表面、即Cu电极膜11的上表面和侧面的方式形成，也可以仅形成在Cu电极膜11的上表面，甚至仅形成在上表面的一部分上。

[0060] 在该实施方式中，作为第1接合对象物(芯片型电子部件的外部电极)和第2接合对象物(玻璃环氧基板的安装用电极)的镀层2及12用的第1金属，如表1和2所示，使用了Sn-3Ag-0.5Cu、Sn、Sn-3.5Ag、Sn-0.75Cu、Sn-15Bi、Sn-0.7Cu-0.05Ni、Sn-5Sb、Sn-2Ag-0.5Cu-
2Bi、Sn-30Bi、Sn-3.5Ag-0.5Bi-8In、Sn-9Zn、Sn-8Zn-3Bi。

[0061] 另外，在上述第1金属的标记中，例如试样编号1的“Sn-3Ag-0.5Cu”表示，低熔点金属材料是含有Ag3重量％、Cu0.5重量％、其余部分为Sn的合金(Sn合金)。

[0062] 〔嵌入材料的准备〕

[0063] 此外，作为嵌入材料，准备了由表1和2所示的Cu合金(第2金属)形成的板状的嵌入材料。

[0064] 另外，作为构成嵌入材料的第2金属，如表1和2所示，使用了Cu-5Ni、Cu-10Ni、Cu-15Ni、Cu-20Ni、Cu-30Ni、Cu-5Mn、Cu-10Mn、Cu-15Mn、Cu-20Mn、Cu-30Mn、Cu-12Mn-4Ni、Cu-
10Mn-1P、Cu-10Al、Cu-10Cr合金。

[0065] 作为构成嵌入材料的第2金属，通常可以使用Cu-Ni、Cu-Mn、Cu-Al和Cu-Cr合金中的任一种，但也可以如试样编号22那样同时含有Mn和Ni，还可以如试样编号23那样含有P(磷)等第3成分。

[0066] 此外，为了进行比较，作为嵌入材料，准备了不具备本发明要件的表2的试样编号26和27的嵌入材料。

[0067] 另外，试样编号26的嵌入材料由Cu形成，此外，试样编号27的嵌入材料由Cu-Zn合金形成。

[0068] 〔第1接合对象物和第2接合对象物的接合〕

[0069] 如图3所示，载置表1和2的各芯片型电子部件A，并使外部电极(第1接合对象物)3介由表1和2的各嵌入材料C与表1和2的各玻璃环氧基板B上的安装用电极(第2接合对象物)13相向，在250℃、30分钟的条件下进行回流焊。

[0070] 这样，如图4所示，得到了芯片型电子部件A的外部电极(第1接合对象物)3和玻璃环氧基板B的安装用电极(第2接合对象物)13介由金属间化合物(接合部)M12而接合的接合结构体D。

[0071] 另外，图5显示通过上述方法得到的接合结构体D的变形例。对本发明的接合结构体而言，如图5所示，嵌入材料C的一部分可以残存，此外，在构成外部电极3的Sn或含Sn合金(低熔点金属)的镀层2中，不与嵌入材料C接触的部分的镀层2也可以未反应的状态残留。

[0072] 此外，同样地，使用不具备本发明要件的嵌入材料(试样编号26的由Cu构成的嵌入材料和试样编号27的由Cu-Zn合金构成的嵌入材料)，将与试样编号1～10中使用的相同的芯片型电子部件的外部电极接合在玻璃环氧基板的安装用电极上。

[0073] 〔特性评价〕

[0074] 以按上述那样得到的接合结构体作为试样，用以下方法进行了特性评价。

[0075] 《接合强度》

[0076] 使用接合强度测定仪测定了所得接合结构体的剪切强度，并对接合强度进行了评价。

[0077] 剪切强度的测定在横推速度：0.1mm·s-1、室温和260℃的条件下进行。

[0078] 将剪切强度在20Nmm-2以上的试样评价为◎(优)，2Nmm-2以上、小于20Nmm-2的试样-2评价为良(○)，2Nmm 以下的试样评价为×(不合格)。

[0079] 在表1和2中一并示出对各试样测得的室温和260℃下的接合强度的值和评价结果。

[0080] 《残留成分评价》

[0081] 切取约7mg在回流焊后凝固的接合部的金属间化合物(反应生成物)，在测定温度30℃～300℃、升温速度5℃/min、N2气氛、对照物Al2O3的条件下进行差示扫描量热测定(DSC测定)。由所得DSC图中第1金属(低熔点金属)成分在熔融温度下的熔融吸热峰的吸热量对残留的低熔点金属成分量进行了定量，求出残留低熔点金属含有率(体积％)。将残留低熔点金属含有率为0体积％的情况评价为◎(优)，将大于0体积％、在50体积％以下的情况评价为良(○)，将大于50体积％的情况评价为×(不合格)。

[0082] 在表1和2中一并示出残留低熔点金属含有率和评价结果。

[0083] 《流出不良率》

[0084] 所得接合结构体的流出不良率用以下方法测定。

[0085] 首先，将接合结构体用环氧树脂密封并放置在相对湿度85％的环境中，在峰值温度260℃的回流焊条件下进行加热。将接合材料再熔融流出的试样视为不良，检查流出不良的发生比例。由该结果求出流出不良发生率。

[0086] 将接合材料的流出不良率为0的情况评价为◎(优)，将大于0％、在50％以下的情况评价为良(○)，将大于50％的情况评价为×(不合格)。

[0087] 在表1和2中一并示出流出不良发生率和评价结果。

[0088] 《致密性》

[0089] 用金属显微镜观察所得接合结构体的截面，确认有无存在于接合部的空隙。将不存在一边在50μm以上的空隙的情况评价为◎(优)，存在的情况评价为×。

[0090] 在表1和2中一并示出致密性评价结果。

[0091] 表1

[0092]

[0093] 表2

[0094]

[0095] 如表1和2所示，关于室温下的接合强度，确认试样编号1～25的具备本发明要件的试样(实施例)和试样编号26、27的不具备本发明要件的比较例试样均显示出20Nmm-2以上的接合强度，具有实用强度。

[0096] 另一方面，关于260℃下的接合强度，确认试样编号26、27的比较例试样的接合强度不充分，在2Nmm-2以下，与此相对，试样编号1～25的本发明的实施例试样保持在20Nmm-2以上，具有实用强度。

[0097] 此外，关于残留低熔点金属含有率，确认试样编号26、27的比较例试样的残留低熔点金属含有率大于50体积％，与此相对，试样编号1～25的本发明的实施例试样的残留低熔点金属含有率均在50体积％以下。

[0098] 此外还确认，与使用Cu-Al合金或Cu-Cr合金作为构成嵌入材料的第2金属的试样编号24、25的试样相比，使用Cu-Ni、Cu-Mn、Cu-Mn-Ni、Cu-Mn-P合金的试样编号1～23的试样的残留低熔点金属含有率低。

[0099] 此外还确认，使用Ni量或Mn量为5～20重量％的Cu-Ni合金或Cu-Mn合金的试样编号1～4、6～9的试样与Ni量或Mn量为30重量％的试样编号5、10的试样相比，残留低熔点金属含有率低。

[0100] 还确认，在作为第1金属(低熔点金属)而使用Sn或含Sn85重量％以上的合金的情况下(试样编号1～4、6～9、11～17、19～23)，残留低熔点金属含有率为0体积％，尤其优选。

[0101] 此外，关于接合材料的流出不良率，试样编号26、27的比较例试样的流出不良率在50％以上，与此相对，试样编号1～25的本发明的实施例试样的流出不良率均在50％以下。

[0102] 还确认，尤其是在使用Sn或含Sn85重量％以上的合金作为低熔点金属、使用Ni量或Mn量为5～20重量％的合金作为第2金属的情况下(试样编号1～4、6～9、11～17、19～23)，流出不良率为0％，具有高耐热性。

[0103] 此外，如上述那样，还确认具备本发明要件的试样编号1～25的试样不受第1金属(低熔点金属)的种类的左右，均具有符合实用要求的耐热性，但第2金属的Ni量或Mn量为30重量％的试样编号5、10的试样与其他试样(1～4、6～9、11～25的试样)相比，存在260℃下的接合强度稍有降低的倾向。

[0104] 另外还确认，使用本发明的接合方法时，与如上述专利文献2的接合方法那样用含有Sn等第1金属粉末、熔点高于第1金属粉末的第2金属粉末(Cu-Mn合金或Cu-Ni合金)和助焊剂的焊膏将不含Sn等第1金属的第1和第2接合对象物接合的情况相比，能得到致密性高的接合部。

[0105] 另外，在上述实施方式中，以第1接合对象物为芯片型电子部件(层叠陶瓷电容器)的外部电极、第2接合对象物为玻璃环氧基板的安装用电极的情况为例进行了说明，但第1和第2接合对象物的种类不局限于此。

[0106] 例如，第1和/或第2接合对象物也可以是具有其他结构的电子部件的外部电极、形成在其他基板上的电极。

[0107] 此外，本发明也能应用到将“镀有Sn或Sn合金的Cu线”接合到基板上的电极、电子部件的外部电极上的情况。

[0108] 本发明在其他方面也不局限于上述实施方式，关于第1金属和第2金属的组成等，在发明范围内能够进行各种应用、变形。

[0109] 符号说明：

[0110] 1          外部电极主体

[0111] 2          构成外部电极的第1金属(低熔点金属)的镀层

[0112] 3          外部电极(第1接合对象物)

[0113] 10         陶瓷层叠体

[0114] 11         Cu电极膜

[0115] 12         构成安装用电极的第1金属(低熔点金属)的镀层

[0116] 13         安装用电极(第2接合对象物)

[0117] A          芯片型电子部件

[0118] B          玻璃环氧基板

[0119] C          嵌入材料

[0120] D          接合结构体

[0121] M12        金属间化合物