化合物的制造方法

摘要

准备连接基团中具有-CF2O-的化合物的溶液，在使上述溶液与精制剂接触后，或者不使上述溶液与精制剂接触，从所得的用于使结晶析出的溶液中析出结晶从而使结晶晶析，滤取所得的结晶，进行干燥，在上述的一系列工序中，从结晶的晶析工序的开始到干燥工序的结束为止，在氧浓度3体积％以下的气氛下进行。

权利要求

1.一种通式(I)所示的化合物的制造方法，其特征在于，准备1种或2种以上的通式(I)所示的化合物的溶液，在使所述溶液与精制剂接触后，或者不使所述溶液与精制剂接触，通过从所得的用于使结晶析出的溶液中析出结晶从而使结晶晶析，滤取所得的结晶，进行干燥，在上述的一系列工序中，从结晶的晶析工序的开始到干燥工序的结束为止，在氧浓度3体积％以下的气氛下进行，1

在所述通式(I)中，R表示碳原子数1～6的烷基、碳原子数2～6的烯基、碳原子数

1～6的烷氧基或碳原子数2～6的烯基氧基，

a表示0、1或2，b表示0、1或2，0≤a+b≤3，

1 2 3 4

A、A、A和A 各自独立地表示选自由(a)、(b)和(c)所组成的组中的基团，(a)反式-1,4-环亚己基，该基团中存在的1个-CH2-或不邻接的2个以上-CH2-可以被-O-或-S-取代，(b)1,4-亚苯基，该基团中存在的1个-CH＝或不邻接的2个以上-CH＝可以被氮原子取代，(c)1,4-二环(2.2.2)亚辛基、萘-2,6-二基、十氢萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基、或色满-2,6-二基，所述基团(a)、基团(b)或基团(c)所包含的氢原子各自可以被氟原子、三氟甲基、三氟

1 1

甲氧基或氯原子取代，在a表示2且A存在多个的情况下，多个存在的A 可以相同也可以

4 4

不同，在b表示2且A存在多个的情况下，多个存在的A 可以相同也可以不同，

1 2

Z和Z 各自独立地表示单键、-CH2CH2-、-CH＝CH-、-C≡C-、-CH2O-、-OCH2-、-CF2O-、-O

1 1

CF2-、-COO-或-OCO-，在a表示2且Z存在多个的情况下，多个存在的Z 可以相同也可以不

2 2

同，在b表示2且Z存在多个的情况下，多个存在的Z 可以相同也可以不同，1

X表示氟甲氧基、二氟甲氧基、三氟甲氧基、氟原子、氯原子、碳原子数1～6的烷基、碳原子数2～6的烯基、碳原子数1～6的烷氧基或碳原子数2～6的烯基氧基。

2.根据权利要求1所述的化合物的制造方法，其中，使所述溶液与精制剂接触后，从所得的溶液蒸馏除去一部分溶剂，获得所述用于使结晶析出的溶液。

3.根据权利要求1所述的化合物的制造方法，其中，使所述溶液与精制剂接触后，从所得的溶液蒸馏除去一部分或全部溶剂，在蒸馏除去一部分溶剂后的溶液、或者通过蒸馏除去全部溶剂而获得的残渣中，添加溶剂，获得所述用于使结晶析出的溶液。

4.根据权利要求1所述的化合物的制造方法，其中，使所述溶液与精制剂接触后，在精制后的溶液中添加溶剂，或者不在精制后的溶液中添加溶剂，获得所述用于使结晶析出的溶液。

5.根据权利要求1所述的化合物的制造方法，其中，在使所述溶液与精制剂接触后，通过从所得的用于使结晶析出的溶液中析出结晶从而使结晶晶析，滤取所得的结晶，进行干燥，在上述的一系列工序中，从与精制剂接触的接触工序的开始到干燥工序的结束为止，在氧浓度3体积％以下的气氛下进行。

6.根据权利要求1所述的化合物的制造方法，其中，使所述溶液与精制剂接触后，或者不使所述溶液与精制剂接触，通过从所得的用于使结晶析出的溶液中析出结晶从而使结晶晶析，滤取所得的结晶，进行干燥，并填充到容器中，在上述的一系列工序中，从结晶的晶析工序的开始到向容器填充的填充工序的结束为止，在氧浓度3体积％以下的气氛下进行。

7.根据权利要求1所述的化合物的制造方法，其中，使所述溶液与精制剂接触后，从所得的用于使结晶析出的溶液中析出结晶从而使结晶晶析，滤取所得的结晶，进行干燥，并填充到容器中，在上述的一系列工序中，从与精制剂接触的接触工序的开始到向容器填充的填充工序的结束为止，在氧浓度3体积％以下的气氛下进行。

8.根据权利要求1～7的任一项所述的化合物的制造方法，其中，在氧浓度3体积％以下的气氛下进行的工序在氧浓度3体积％以下并且湿度15％以下的气氛下进行。

9.根据权利要求1～7中任一项所述的化合物的制造方法，其中，在所述通式(I)中，

1 1 2 3 4

R表示碳原子数1～5的直链烷基或碳原子数2～5的直链烯基，A 、A、A和A 各自独立地表示

1 2 1

中的任一种，Z和Z 各自独立地表示单键、-CH2CH2-或-CF2O-，X表示三氟甲氧基或氟原子。

10.根据权利要求1～7中任一项所述的化合物的制造方法，其中，在所述通式(I)中，

1 1 2 3 4

R表示碳原子数1～5的直链烷基或碳原子数2～5的直链烯基，A 、A、A和A 各自独立地表示

1 2 1

中的任一种，Z和Z 各自独立地表示单键、-CH2CH2-或-CF2O-，X表示碳原子数1～5的直链烷基、碳原子数2～5的直链烯基、碳原子数1～5的直链烷氧基或碳原子数2～5的直链烯基氧基。

11.根据权利要求1～7中任一项所述的化合物的制造方法，其中，在所述通式(I)中，

1 1 2 3 4

R表示碳原子数1～5的直链烷基或碳原子数2～5的直链烯基，A 、A、A和A 各自独立地表示中的任一种，Z1和Z2各自独立地表示单键、-CH2CH2-或-CF2O-，X1表示碳原子数1～5的直链烷基或碳原子数2～5的直链烯基。

12.根据权利要求1～7中任一项所述的化合物的制造方法，其中，结晶的滤取工序至干燥工序是利用带过滤功能的干燥机进行。

13.一种液晶组合物的制造方法，其通过权利要求1～12中任一项所述的化合物的制造方法来制造所述通式(I)所示的化合物并使用。

说明书

化合物的制造方法

技术领域

[0001] 本发明涉及化合物的制造方法。

背景技术

[0002] 液晶显示元件在从以液晶电视、便携电话、个人电脑等为代表的民生用途到产业用途中被广泛使用。这些制品的寿命从数年到十几年，比较长，为了使显示元件在此期间正常工作，对液晶显示元件所使用的液晶材料要求高的稳定性。作为液晶材料的代表性的稳定性指标，有电阻率值。为了使液晶显示元件正常工作，其所使用的液晶材料的电阻率值必须充分高，而且还必须抑制经时恶化。

[0003] 另一方面，对液晶材料的要求涉及高速响应化、高对比度化等多方面。这些物性不能通过单独的化合物而达成，因而混合多种液晶化合物，作为液晶组合物来应对要求。因此为了获得具有高的稳定性的液晶材料，需要构成液晶材料的各液晶化合物也具有高的稳定性。

[0004] 为了使液晶化合物的稳定性提高，通过除去杂质而使纯度提高、除去液晶材料中的水分、有机离子、无机离子等是有效的。作为以此为目的的方法，通常的方法是与硅胶、氧化铝接触、采用再结晶进行精制(专利文献1和2)。

[0005] 然而，在构成液晶材料的化合物内，连接基团中具有-CF2O-的化合物的化学稳定性低，有时发生由氧引起的氧化、由水分引起的水解，或由于氟原子的脱离等而导致纯度的降低、与此相伴的电阻率值的降低。因此，即使通过上述方法等对化合物进行精制，也存在由于在精制处理中与氧、水分等接触而引起氧化反应等，结果无法得到具有要求的纯度、电阻率值的化合物这样的问题。虽然迫切期望不使连接基团中具有-CF2O-的化合物恶化，精制成高纯度、高电阻率值的化合物的简便且实用的方法，但是具体的解决手段迄今为止还没有报道。

[0006] 现有技术文献

[0007] 专利文献

[0008] 专利文献1：日本特开昭62-210420号公报

[0009] 专利文献2：日本特开昭58-1774号公报

发明内容

[0010] 发明所要解决的课题

[0011] 本发明是鉴于上述情况而提出的，其课题是提供一种对连接基团中具有-CF2O-的化合物进行精制的简便且实用的方法。

[0012] 用于解决课题的手段

[0013] 本发明人鉴于上述状况进行了深入研究，结果发现，在合成出连接基团中具有-CF2O-的化合物后，减少与氧的接触机会，从而能够实现不会使该化合物恶化而可获得高的电阻率值的简便且实用的方法，从而完成了本发明。

[0014] 即，本发明中，提供一种通式(I)所示的化合物的制造方法，其中，准备1种或2种以上的通式(I)所示的化合物的溶液，

[0015] [化1]

[0016]

[0017] (在上述通式(I)中，R1表示碳原子数1～6的烷基、碳原子数2～6的烯基、碳原子数1～6的烷氧基或碳原子数2～6的烯基氧基，

[0018] a表示0、1或2，b表示0、1或2，0≤a+b≤3，

[0019] A1、A2、A3、和A4各自独立地表示选自由

[0020] (a)反式-1,4-环亚己基(该基团中存在的1个-CH2-或不邻接的2个以上-CH2-可以被-O-或-S-取代)，

[0021] (b)1,4-亚苯基(该基团中存在的1个-CH＝或不邻接的2个以上-CH＝可以被氮原子取代)，和

[0022] (c)1,4-二环(2.2.2)亚辛基、萘-2,6-二基、十氢萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基、或色满-2,6-二基所组成的组中的基团，上述基团(a)、基团(b)或基团(c)1
所包含的氢原子各自可以被氟原子、三氟甲基、三氟甲氧基或氯原子取代，在a表示2且A
1 4
存在多个的情况下，多个存在的A可以相同也可以不同，在b表示2且A 存在多个的情况
4
下，多个存在的A可以相同也可以不同，

[0023] Z1和Z2各自独立地表示单键、-CH2CH2-、-CH＝CH-、-C≡C-、-CH2O-、-OCH2-、-CF2O1 1
-、-OCF2-、-COO-或-OCO-，但在a表示2且Z存在多个的情况下，多个存在的Z 可以相同也
2 2
可以不同，在b表示2且Z存在多个的情况下，多个存在的Z 可以相同也可以不同，[0024] X1表示氟甲氧基、二氟甲氧基、三氟甲氧基、氟原子、氯原子、碳原子数1～6的烷基、碳原子数2～6的烯基、碳原子数1～6的烷氧基或碳原子数2～6的烯基氧基。)[0025] 在使上述溶液与精制剂接触后，或者不使上述溶液与精制剂接触，通过从所得的用于使结晶析出的溶液中析出结晶从而使结晶晶析，滤取所得的结晶，进行干燥，[0026] 在上述的一系列工序中，从结晶的晶析工序的开始到干燥工序的结束为止，在氧浓度3体积％以下的气氛下进行。

[0027] 发明的效果

[0028] 根据本发明，可以通过简便且实用的方法来精制连接基团中具有-CF2O-的化合物。

具体实施方式

[0029] 本发明提供一种连接基团中具有-CF2O-的化合物的制造方法，其特征在于，准备连接基团中具有-CF2O-的化合物的溶液后，通过从所得的用于使结晶析出的溶液中析出结晶从而使结晶晶析，滤取所得的结晶，进行干燥，在上述的一系列工序中，至少从结晶的晶析工序的开始到干燥工序的结束为止，在规定的低的氧浓度气氛下进行。

[0030] 连接基团中具有-CF2O-的化合物优选为后面详细描述的通式(I)所示的化合物。在溶液中，可以仅包含一种连接基团中具有-CF2O-的化合物，也可以包含2种以上。

[0031] 上述一系列工序中，在从用于使上述结晶析出的溶液中析出结晶的工序(结晶的晶析工序)之前，可以经历使连接基团中具有-CF2O-的化合物的溶液与精制剂接触的工序(与精制剂接触的接触工序)、和/或从连接基团中具有-CF2O-的化合物的溶液蒸馏除去一部分或全部溶剂的工序(一部分或全部溶剂的蒸馏除去工序)、和/或在上述连接基团中具有-CF2O-的化合物的溶液中追加溶剂的工序(溶剂的追加工序)，也可以不经历这些工序。在经历与精制剂接触的接触工序和一部分或全部溶剂的蒸馏除去工序的情况下，优选为在与精制剂接触的接触工序之后经历一部分或全部溶剂的蒸馏除去工序。在经历与精制剂接触的接触工序、一部分或全部溶剂的蒸馏除去工序、和溶剂的追加工序的情况下，优选在与精制剂接触的接触工序之后经历一部分或全部溶剂的蒸馏除去工序，然后经历溶剂的追加工序。

[0032] 在与精制剂接触的接触工序时连接基团中具有-CF2O-的化合物的溶液的浓度低的情况下，也可以在与精制剂接触的接触工序之前进行一部分溶剂的蒸馏除去工序。与精制剂接触的接触工序之前的溶液的浓度优选为不析出结晶的程度。

[0033] 在结晶的晶析工序之后，具有滤取所得的结晶的工序(结晶的滤取工序)、干燥结晶的工序(结晶的干燥工序)。

[0034] 在结晶的干燥工序之后，进一步，可以具有填充到容器中的工序(向容器填充的填充工序)。

[0035] 用于填充所得的结晶的容器优选为可密闭的容器。为了可以阻隔水分、氧，进一步优选为水蒸气、氧气的透过性低的材质的容器。为了可以目视内部，优选为透明的容器，为了抑制紫外线等光对结晶的影响，优选为不透明的容器或暗色的容器。容器的材质没有特别限定，可举出玻璃、金属、塑料等。优选在容器中将所得的结晶与气体等流体一起填充。与所得的结晶一起填充到容器中的流体优选为与在上述一系列工序中使用的气氛同等程度的低的氧浓度。可举出例如惰性气体、其混合气体等氧浓度低的气体。

[0036] 在本发明中，作为用于溶解连接基团中具有-CF2O-的化合物的溶剂的有机溶剂，优选为碳原子数6～9的饱和或芳香族的烃，优选除了苯环以外不具有碳-碳不饱和键。可举出例如烷烃、环烷烃、烷基环烷烃、苯、烷基苯、二烷基苯等。具体而言，优选为选自己烷及其结构异构体(碳原子数6的非环式饱和烃)、庚烷及其结构异构体(碳原子数7的非环式饱和烃)、辛烷及其结构异构体(碳原子数8的非环式饱和烃)、石油醚、苯、甲苯、二甲苯和异丙基苯、甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、丙酮、2-丁酮、乙酸乙酯、乙醚、四氢呋喃，甲基-叔丁基醚、乙腈或丙腈中的单一溶剂或它们中的2种以上的混合溶剂，更优选为选自己烷及其结构异构体、庚烷及其结构异构体、和甲苯中的单一溶剂、或包含它们中的1种或2种以上的混合溶剂。

[0037] 在结晶的晶析工序之前，经历与精制剂接触的接触工序、一部分或全部溶剂的蒸馏除去工序、或溶剂的追加工序中的任意一种以上的工序，获得用于使结晶析出的溶液的情况下，可以通过例如以下的(1)～(5)的方法来进行。

[0038] (1)第1方法

[0039] 第1方法是，对于连接基团中具有-CF2O-的化合物的溶液，进行与精制剂接触的接触工序，从所得的用于使结晶析出的溶液中析出结晶的方法。

[0040] 在结晶的晶析工序之前进行与精制剂接触的接触工序的情况下，作为精制剂，优选使用硅胶、氧化铝、离子交换树脂或它们的混合物。硅胶、氧化铝可以由疏水性基团、亲水性基团、官能团等进行了化学修饰。

[0041] 相对于连接基团中具有-CF2O-的化合物的合计100质量份，精制剂的使用量优选为0.1质量份以上，优选为0.5质量份以上，优选为1质量份以上，优选为3质量份以上，优选为5质量份以上，优选为10质量份以上，优选为30质量份以上，此外，优选为1000质量份以下，优选为500质量份以下，优选为300质量份以下，优选为200质量份以下，优选为100质量份以下，更优选为50质量份以下，可以为10质量份以下。

[0042] 此时，使溶液与精制剂接触的方法没有特别限制，可以通过例如以下的(A)或(B)中的任一种方法来进行。

[0043] (A)使连接基团中具有-CF2O-的化合物的溶液通过填充有精制剂的柱色谱而获得溶液。

[0044] 该方法中，相对于连接基团中具有-CF2O-的化合物的合计100质量份，精制剂的使用量优选为10质量份～300质量份，更优选为30质量份～200质量份。可以在使溶液通过柱色谱后，根据需要进一步使有机溶剂通过，与所得的溶液合并(混合)。

[0045] (B)在连接基团中具有-CF2O-的化合物的溶液中添加精制剂并搅拌一定时间，通过过滤而除去使用的精制剂来获得溶液。

[0046] 该方法中，相对于连接基团中具有-CF2O-的化合物的合计100质量份，精制剂的使用量优选为0.1质量份～100质量份，更优选为0.5质量份～50质量份，特别优选为0.5质量份～10质量份。

[0047] (2)第2方法

[0048] 第2方法是，对于连接基团中具有-CF2O-的化合物的溶液，进行与精制剂接触的接触工序，在所得的溶液中追加溶剂，从所得的用于使结晶析出的溶液中析出结晶的方法。

[0049] 在再结晶的晶析时溶剂的使用量是重要的。其原因是，根据溶剂的使用量，结晶的回收率、结晶的形状变化。进行与精制剂接触的接触工序后的溶液有时溶剂量过少，因此可以通过追加溶剂从而使用于使结晶析出的溶液的量成为用于析出结晶的最佳量。

[0050] (3)第3方法

[0051] 第3方法是，对于连接基团中具有-CF2O-的化合物的溶液，进行与精制剂接触的接触工序，蒸馏除去所得的溶液的一部分溶剂而进行一部分溶剂的蒸馏除去工序，从所得的用于使结晶析出的溶液中析出结晶的方法。

[0052] 进行与精制剂接触的接触工序后的溶液有时溶液的量过多，因此可以通过蒸馏除去一部分溶剂而提高连接基团中具有-CF2O-的化合物的浓度，使用于使结晶析出的溶液的量成为用于析出结晶的最佳量。

[0053] (4)第4方法

[0054] 第4方法是，对于连接基团中具有-CF2O-的化合物的溶液，进行与精制剂接触的接触工序，蒸馏除去所得的溶液的一部分溶剂而进行一部分溶剂的蒸馏除去工序，然后追加溶剂，从所得的用于使结晶析出的溶液中析出结晶的方法。

[0055] 使连接基团中具有-CF2O-的化合物的溶液溶解在甲苯等导电率低的溶剂(连接基团中具有-CF2O-的化合物的溶解性高的溶剂)中，在经历与精制剂接触的接触工序、和一部分溶剂的蒸馏除去工序后，重新追加溶剂而形成导电率更高的溶剂组成，从而可以将用于使结晶析出的溶液调整为适于再结晶的组成，可以提高结晶的回收率。此外，虽然导电率低的溶剂易于带有在结晶析出、搅拌和过滤等时产生的静电，但通过调整为导电率更高的组成，可以抑制带静电。

[0056] (5)第5方法

[0057] 第5方法是，对于连接基团中具有-CF2O-的化合物的溶液，进行与精制剂接触的接触工序，蒸馏除去所得的溶液的全部溶剂而进行全部溶剂的蒸馏除去工序，然后，在所得的残渣中追加溶剂，从所得的用于使结晶析出的溶液中析出结晶的方法。

[0058] 根据该方法，可以将与精制剂接触的接触工序中使用的溶液的组成、和结晶的析出工序中使用的用于使结晶析出的溶液的组成调整成在各个工序中最优的组成而使用。

[0059] 本发明中，在上述一系列工序中，至少从结晶的晶析工序的开始到干燥工序的结束为止，在规定的低的氧浓度气氛下进行。作为规定的低的氧浓度，优选为3体积％以下，可以为2体积％以下、1体积％以下。优选为了减少连接基团中具有-CF2O-的化合物的溶液与氧接触的机会，从结晶的晶析工序的开始到向容器填充的填充工序的结束为止，在规定的低的氧浓度气氛下进行。

[0060] 在上述一系列工序包含与精制剂接触的接触工序的情况下，优选从与精制剂接触的接触工序的开始到干燥工序的结束为止，在规定的低的氧浓度气氛下进行，更优选从与精制剂接触的接触工序的开始到向容器填充的填充工序的结束为止，在规定的低的氧浓度气氛下进行。

[0061] 此外，为了防止由于与水分的接触而引起的恶化，在规定的低的氧浓度气氛下进行的上述工序优选在湿度15％以下进行。

[0062] 为了调制上述的湿度和氧浓度的气氛，优选置换为惰性气体，或者形成减压状态。更优选为在形成减压状态后填充惰性气体而解除减压的方法。作为惰性气体，优选氩气或氮气。在使气氛为减压状态的情况下，优选从减压前开始氧浓度为3体积％以下。由此，即使在减压的前后气氛的组成不变化，也可以维持规定的低的氧浓度。气氛的减压优选在例如结晶的滤取工序中从过滤器的滤液排出侧进行抽吸的情况下、对结晶进行干燥的情况下进行。在结晶的滤取工序中对过滤器的浆料供给侧进行加压的情况下，供给惰性气体、其混合气体等氧浓度低的气体。

[0063] 在减压状态下，也有时氧浓度不为3体积％以下，只要氧的分压充分低即可。例如，大气压(101325Pa)下氧浓度为3体积％以下时氧的分压为约3000Pa以下，因此气氛下的氧的分压优选为约3000Pa以下，可以为2000Pa以下、1000Pa以下。

[0064] 关于上述一系列工序中使用的装置，溶液的调制、与精制剂的接触、精制剂的除去、结晶的晶析、结晶的滤取、结晶的干燥、和各工序间的溶液或化合物的移送时使用的装置和配管类，优选为全部被连接而与外部空气隔断。

[0065] 特别是对于从结晶的过滤工序到干燥工序，极其优选用带过滤功能的干燥机进行。作为带过滤功能的干燥机，优选为罗森孟(Rosenmund)型过滤干燥机、带过滤功能的PV混合器、或带过滤功能的锥形干燥器。

[0066] 带过滤功能的干燥机优选包含：装入包含结晶和溶液的浆料的可密闭的容器；过滤结晶的过滤器；和将结晶通过加热和/或减压而进行干燥的干燥装置。带过滤功能的干燥机中，可以附带：搅拌浆料的搅拌叶片，使容器振动、旋转或倾斜的动力装置，浆料的投入口，滤液的排出口，洗涤(冲洗)结晶的洗涤装置，所得的结晶的回收、排出装置，加热、冷却等温度调整装置等。容器的形状没有特别限定，可举出圆筒形、圆锥形、球形等。在加热容器的情况下，可举出在容器的外侧设置加热夹套而向容器内导热的方法，在容器内外通入配管并使热介质流通的方法，在容器内吹入高温气体的方法。作为干燥方法，可举出加热干燥、减压干燥、真空干燥、冷冻干燥、或它们中的2种以上的组合。关于过滤器的面，可以为在容器的下部、中间部的水平面，也可以为沿着容器壁面的圆筒面、圆锥面。在为了将结晶从过滤器的面剥离、或从容器排出而使结晶移动时，优选利用机械抓取、气体的喷射压力等。在带过滤功能的干燥机中导入气体的情况下，为了不提高容器内部的气氛的氧浓度，优选使用惰性气体。

[0067] ＜通式(I)所示的化合物＞

[0068] 作为连接基团中具有-CF2O-的化合物，可举出下述通式(I)所示的化合物。在溶液中，可以仅包含1种通式(I)所示的化合物，也可以包含2种以上。

[0069] [化2]

[0070]

[0071] 在上述通式(I)中，R1表示碳原子数1～6的烷基、碳原子数2～6的烯基、碳原子数1～6的烷氧基或碳原子数2～6的烯基氧基。

[0072] 在上述通式(I)中，a表示0、1或2，b表示0、1或2，0≤a+b≤3。

[0073] 在上述通式(I)中，A1、A2、A3和A4各自独立地表示选自由

[0074] (a)反式-1,4-环亚己基(该基团中存在的1个-CH2-或不邻接的2个以上-CH2-可以被-O-或-S-取代)，

[0075] (b)1,4-亚苯基(该基团中存在的1个-CH＝或不邻接的2个以上-CH＝可以被氮原子取代)，和

[0076] (c)1,4-二环(2.2.2)亚辛基、萘-2,6-二基、十氢萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基、或色满-2,6-二基，所组成的组中的基团，上述基团(a)、基团(b)或基团(c)所包含的氢原子各自可以被氟原子、三氟甲基、三氟甲氧基或氯原子取代。

[0077] 在a表示2且A1存在多个的情况下，多个存在的A1可以相同也可以不同。

[0078] 在b表示2且A4存在多个的情况下，多个存在的A4可以相同也可以不同。

[0079] Z1和Z2各自独立地表示单键、-CH2CH2-、-CH＝CH-、-C≡C-、-CH2O-、-OCH2-、-CF2O-、-OCF2-、-COO-或-OCO-。

[0080] 在a表示2且Z1存在多个的情况下，多个存在的Z1可以相同也可以不同。

[0081] 在b表示2且Z2存在多个的情况下，多个存在的Z2可以相同也可以不同。

[0082] X1表示氟甲氧基、二氟甲氧基、三氟甲氧基、氟原子、氯原子、碳原子数1～6的烷基、碳原子数2～6的烯基、碳原子数1～6的烷氧基或碳原子数2～6的烯基氧基。

[0083] ＜通式(I)所示的化合物的第1方式＞

[0084] 上述通式(I)所示的化合物可以为介电常数各向异性Δε＞0且Δε的绝对值大的p型液晶化合物。

[0085] 作为相当于该第1方式的化合物组，可举出例如这样的化合物：在上述通式(I)1 1 2 3 4
中，R表示碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，A 、A、A和A 各自独立地表
1 2
示下述式(这些式的左右与通式(I)的左右相同。)中的任一种，Z和Z 各自独立地表示
1
单键、-CH2CH2-或-CF2O-，X表示三氟甲氧基或氟原子。

[0086] [化3]

[0087]

[0088] 在第1方式中，上述通式(I)的R1优选表示碳原子数1～5的直链烷基或碳原子数2～5的直链烯基。

[0089] 作为上述通式(I)所示的化合物的第1方式的具体例，可举出例如下述的通式(I-1.1)～式(I-1.4)或式(I-1.11)～式(I-1.16)所示的化合物，但不特别限定于这些。

[0090] [化4]

[0091]

[0092] [化5]

[0093]

[0094] 在上述通式(I-1.1)～式(I-1.4)或式(I-1.11)～式(I-1.16)中，R1表示碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基。

[0095] ＜通式(I)所示的化合物的第2方式＞

[0096] 上述通式(I)所示的化合物可以为介电常数各向异性Δε＜0且Δε的绝对值大的n型液晶化合物。

[0097] 作为相当于该第2方式的化合物组，可举出例如如下的化合物：在上述通式(I)1 1 2 3 4
中，R表示碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，A 、A、A和A 各自独立地表
1 2
示下述式(这些式的左右与通式(I)的左右相同。)中的任一种，Z和Z 各自独立地表示
1
单键、-CH2CH2-或-CF2O-，X表示碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基、碳原子数
1～5的烷氧基或碳原子数2～5的烯基氧基。

[0098] [化6]

[0099]1

[0100] 在第2方式中，上述通式(I)的R优选表示碳原子数1～5的直链烷基或碳原子数2～5的直链烯基。

[0101] 在第2方式中，上述通式(I)的X1优选表示碳原子数1～5的直链烷基、碳原子数2～5的直链烯基、碳原子数1～5的直链烷氧基或碳原子数2～5的直链烯基氧基。

[0102] 作为上述通式(I)所示的化合物的第2方式的具体例，可举出例如下述的通式(I-2.1)～式(I-2.18)所示的化合物，但不特别限定于这些。

[0103] [化7]

[0104]

[0105] [化8]

[0106]

[0107] [化9]

[0108]

[0109] 在上述通式(I-2.1)～式(I-2.18)中，R1表示碳原子数1～5的烷基或碳原子数2
2～5的烯基，R表示碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基、碳原子数1～5的烷氧基或碳原子数2～5的烯基氧基。

[0110] ＜通式(I)所示的化合物的第3方式＞

[0111] 上述通式(I)所示的化合物可以为介电常数各向异性Δε的绝对值比较小的非极性的液晶化合物。

[0112] 作为相当于该第3方式的化合物组，可举出例如如下的化合物：在上述通式(I)1 1 2 3 4
中，R表示碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，A 、A、A和A 各自独立地表
1 2
示下述式(这些式的左右与通式(I)的左右相同。)中的任一种，Z和Z 各自独立地表示
1
单键、-CH2CH2-或-CF2O-，X表示碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基。

[0113] [化10]

[0114]

[0115] 在第3方式中，上述通式(I)的R1优选表示碳原子数1～5的直链烷基或碳原子数2～5的直链烯基。

[0116] 在第3方式中，上述通式(I)的X1优选表示碳原子数1～5的直链烷基或碳原子数2～5的直链烯基。

[0117] 作为上述通式(I)所示的化合物的第3方式的具体例，可举出例如下述的通式(I-3.1)～式(I-3.8)所示的化合物，但不特别限定于这些。

[0118] [化11]

[0119]

[0120] 在上述通式(I-3.1)～式(I-3.8)中，R1表示碳原子数1～5的烷基或碳原子数2
2～5的烯基，R表示碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基。

[0121] 通过本发明的制造方法制造的上述通式(I)所示的化合物可防止由在精制处理中与氧、水分等接触而引起的氧化反应等，可获得高纯度、高电阻率值的化合物。简便且实用，可以抑制生产成本。

[0122] 所得的上述通式(I)所示的化合物可以与其它化合物配合而用于液晶材料(液晶组合物)的调制。

[0123] 作为用作液晶材料的其它化合物，可举出例如下述通式(II)所示的化合物。

[0124] [化12]

[0125]

[0126] 在上述通式(II)中，R3表示碳原子数1～6的直链烷基、碳原子数2～6的烯基、3
碳原子数1～6的烷氧基或碳原子数2～6的烯基氧基。R优选表示碳原子数1～6的直链烷基、碳原子数2～6的直链烯基、碳原子数1～6的直链烷氧基或碳原子数2～6的直链烯基氧基。

[0127] 在上述通式(II)中，m表示1、2或3，A5和A6各自独立地表示选自由

[0128] (a)反式-1,4-环亚己基(该基团中存在的1个-CH2-或不邻接的2个以上-CH2-可以被-O-或-S-取代)，

[0129] (b)1,4-亚苯基(该基团中存在的1个-CH＝或不邻接的2个以上-CH＝可以被-N＝取代)，和

[0130] (c)1,4-二环(2.2.2)亚辛基、萘-2,6-二基、十氢萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基、或色满-2,6-二基所组成的组中的基团，上述基团(a)、基团(b)或基团(c)所包含的1个或2个以上氢原子各自可以被氟原子、三氟甲基、三氟甲氧基或氯原子取代，5 5
在m表示2或3且A存在多个的情况下，多个存在的A 可以相同也可以不同。

[0131] 在上述通式(II)中，Z3表示单键、-CH2CH2-、-CH＝CH-、-C≡C-、-CH2O-、-OCH2-、-3 3
CF2O-、-OCF2-、-COO-或-OCO-，但在m表示2或3且Z存在多个的情况下，多个存在的Z 可以相同也可以不同。

[0132] 在上述通式(II)中，Y1表示氢原子、氟原子、氯原子、三氟甲基、三氟甲氧基、碳原子数1～6的烷基、碳原子数2～6的烯基、碳原子数1～6的烷氧基或碳原子数2～6的烯基氧基。

[0133] 此外，作为液晶材料也可以使用聚合性化合物。可举出例如下述通式(III)所示的聚合性化合物。

[0134] [化13]

[0135]

[0136] 在上述通式(III)中，P1和P2各自独立地表示丙烯酰氧基、甲基丙烯酰氧基、乙烯基、乙烯氧基或下述式(Ep-1)～(Ep-7)中的任一种所示的1价基团。

[0137] [化14]

[0138]

[0139] 另外，上述式(Ep-1)～(Ep-7)所示的基团以右上方的键的末端进行结合。例如(Ep-1)表示缩水甘油基氧基，(Ep-3)表示环氧乙烷基。

[0140] 在上述通式(III)中，n表示0、1或2，

[0141] A7和A8各自独立地表示1,4-亚苯基或萘-2,6-二基(这些基团所包含的1个或8
2个以上氢原子各自可以被氟原子取代。)，但在n表示2且A存在多个的情况下，多个存
8
在的A可以相同也可以不同。

[0142] Z4表示-COO-、-OCO-或单键，但在n表示2且Z4存在多个的情况下，多个存在的4
Z可以相同也可以不同。

[0143] 本发明所使用的化合物优选在分子内不具有过氧等过氧化物(-OO-、-CO-OO-)结构，即，氧原子不直接邻接。此外，在重视液晶组合物的可靠性和长期稳定性的情况下，优选不使用具有羰基的化合物。此外，在重视UV照射时的稳定性的情况下，期望不使用氯原子取代的化合物。

[0144] 本发明的液晶组合物中，为了制作聚合物稳定化(PS)模式、聚合物维持取向(PSA)模式、横向电场型PSVA(高分子稳定化垂直取向)模式等的液晶显示元件，可以含有聚合性化合物。作为可以使用的聚合性化合物，可举出通过光等能量射线而进行聚合的光聚合性单体等，作为结构，可举出例如联苯衍生物、三联苯衍生物等具有多个六元环连接的液晶骨架的聚合性化合物等。

[0145] 在本发明的液晶组合物中添加单体的情况下，虽然在不存在聚合引发剂的情况下也会进行聚合，但为了促进聚合也可以含有聚合引发剂。作为聚合引发剂，可举出苯偶姻醚类、二苯甲酮类、苯乙酮类、苯偶酰缩酮类、酰基氧化膦类等。

[0146] 本发明的含有聚合性化合物的液晶组合物用于如下的液晶显示元件：液晶组合物中包含的聚合性化合物利用紫外线照射而聚合，从而赋予液晶取向能力，并利用液晶组合物的双折射而控制光的透过光量。作为液晶显示元件，在AM-LCD(有源矩阵液晶显示元件)、TN(扭曲向列液晶显示元件)、STN-LCD(超扭转向列液晶显示元件)、OCB-LCD、IPS-LCD(共面转换液晶显示元件)和FFS(边缘场切换模式的液晶显示元件)中有用，在具有有源矩阵寻址装置的AM-LCD中特别有用，可以在透射型或反射型的液晶显示元件中使用。

[0147] 液晶显示元件所使用的液晶单元的2块基板可以使用玻璃或如塑料那样具有柔软性的透明材料，另一方面，也可以是硅等的不透明材料。具有透明电极层的透明基板例如可以通过在玻璃板等透明基板上溅射氧化铟锡(ITO)来获得。

[0148] 滤色器可以通过例如颜料分散法、印刷法、电沉积法或染色法等制成。将采用颜料分散法的滤色器的制成方法作为一例进行说明，将滤色器用的固化性着色组合物涂布在该透明基板上，实施图案化处理，进而通过加热或光照射使其固化。通过对红、绿、蓝3色分别进行该工序，可以制成滤色器用的像素部。此外，也可以在该基板上设置TFT、设有薄膜二极管、金属绝缘体金属电阻率元件等有源元件的像素电极。

[0149] 使上述基板以透明电极层成为内侧的方式对置。此时，可以隔着间隔体而调整基板的间隔。此时优选调整以使得所得的调光层的厚度成为1～100μm。进一步优选为1.5～10μm，在使用偏光板的情况下，优选调整液晶的折射率各向异性Δn与单元厚度d之积以使得对比度成为最大。另外，在有二块偏光板的情况下，也可以调整各偏光板的偏光轴而将视角、对比度调整为良好。此外，也可以使用用于扩大视角的相位差膜。作为间隔体，可举出例如由玻璃粒子、塑料粒子、氧化铝粒子、光致抗蚀剂材料等形成的柱状间隔体等。然后，将环氧系热固性组合物等密封剂以设有液晶注入口的形式丝网印刷于该基板，使该基板彼此贴合，加热而使密封剂热固化。

[0150] 关于使含有聚合性化合物的液晶组合物夹持在2块基板间的方法，可以使用通常的真空注入法或滴下注入(ODF：One Drop Fill)法等。在真空注入法中虽然不产生滴痕，但是存在注入痕迹残留的课题，而在本发明中，可以更适合地用于采用ODF法制造的显示元件。在ODF法的液晶显示元件制造工序中，可以使用敷料器将环氧系光热并用固化性等密封剂描绘成闭环堤状在背板或前板中的任意一方的基板上，在其中在脱气下滴下规定量的液晶组合物后，将前板与背板接合，从而可以制造液晶显示元件。就本发明的液晶组合物而言，由于可稳定地进行ODF工序中的液晶组合物的滴下，因此可以适合地使用。

[0151] 作为使聚合性化合物聚合的方法，为了获得液晶的良好的取向性能，期望适度的聚合速度，因此优选为通过单一或并用或依次照射紫外线或电子射线等活性能量射线来进行聚合的方法。在使用紫外线的情况下，可以使用偏光光源，也可以使用非偏光光源。此外，在以使含有聚合性化合物的液晶组合物夹持在2块基板间的状态进行聚合的情况下，至少照射面侧的基板必须相对于活性能量射线而具有适当的透明性。此外，可以使用下述手段：在光照射时使用掩模仅使特定的部分聚合后，使电场、磁场或温度等条件变化，从而使未聚合部分的取向状态变化，进而照射活性能量射线而进行聚合。特别在进行紫外线曝光时，优选一边对含有聚合性化合物的液晶组合物施加交流电场一边进行紫外线曝光。施加的交流电场优选为频率10Hz～10kHz的交流，更优选为频率60Hz～10kHz，电压取决于液晶显示元件的期望的预倾角而选择。即，可以通过施加的电压来控制液晶显示元件的预倾角。在横向电场型MVA模式的液晶显示元件中，从取向稳定性和对比度的观点考虑，优选将预倾角控制为80度～89.9度。

[0152] 照射时的温度优选在本发明的液晶组合物的液晶状态得以保持的温度范围内。优选在接近于室温的温度、即典型地在15～35℃的温度下进行聚合。作为产生紫外线的灯，可以使用金属卤化物灯、高压水银灯、超高压水银灯等。此外，作为进行照射的紫外线的波长，优选照射波长区域不在液晶组合物的吸收波长域的紫外线，根据需要，优选滤除(カッ2 2
ト)紫外线而使用。照射的紫外线的强度优选为0.1mW/cm～100W/cm ，更优选为2mW/
2 2 2 2
cm～50W/cm 。照射的紫外线的能量的量可以适宜调整，但优选为10mJ/cm～500J/cm ，
2 2
更优选为100mJ/cm～200J/cm 。在照射紫外线时，可以使强度变化。照射紫外线的时间根据照射的紫外线强度而适宜选择，优选为10秒～3600秒，更优选为10秒～600秒。

[0153] 使用了本发明的液晶组合物的液晶显示元件是兼有高速响应和抑制显示不良的有用的元件，特别是在有源矩阵驱动用液晶显示元件中有用，可以适用于VA模式、PSVA模式、PSA模式、IPS模式、FFS模式或ECB模式用液晶显示元件。

[0154] 实施例

[0155] 以下，举出实施例而更详细地说明本发明，但本发明不限定于这些实施例。此外，以下的实施例和比较例的组合物中的“％”意思是“质量％”。纯度通过气相色谱(柱：DB-1，载气：氦气)的面积比而算出。

[0156] (实施例1)

[0157] 将下述式(1-1)所示的化合物(纯度99.90％)100g溶解在己烷400mL中。准备柱色谱(填充硅胶50g作为精制剂)，在柱色谱管的下部连接密闭容器，该密闭容器安装有用氩气置换3次并充满了氩气的充气球。将先前调制出的溶液注入到柱色谱管中，进行流动直到溶液表面与精制剂层的上表面一致。进而添加己烷300mL作为展开溶剂，使吸附于精制剂的化合物溶出。密闭容器内的氧浓度为3体积％，温度为20℃，湿度为6％。保持密闭状态，将该溶液在-10℃搅拌3小时，使结晶晶析。将密闭容器移至氧浓度3体积％、温度20℃、湿度7％的手套箱中，在其中滤取结晶。将结晶移至干燥用的烧瓶并安装于干燥机，在
133Pa、40℃干燥5小时。为了解除减压而使用了氩气。测定所得的式(1-1)所示的化合物
82g的纯度，结果为99.92％。此外将所得的式(1-1)所示的化合物以20％的量添加到电阻
13
率值为1.0×10 Ω·m的下述式(1-2)所示的组合物中，所得的液晶组合物的电阻率值为
12
2.0×10 Ω·m。此外，制作使用了所得的液晶组合物的液晶显示元件，结果不引起显示不良而显示良好的特性。

[0158] [化15]

[0159]

[0160] [化16]

[0161]

[0162] 由以上的结果可知，通过本精制法，不引起恶化，可获得具有高的纯度和电阻率值的式(1-1)所示的化合物。

[0163] (实施例2)

[0164] 将上述式(1-1)所示的化合物(纯度99.90％)100g溶解在己烷400mL中。在其中添加硅胶1g，安装用氩气置换3次后用氩气充满的充气球。容器内的氧浓度为3体积％，温度为20℃，湿度为6％。将该混合物在室温搅拌1小时。然后在氧浓度3体积％、温度20℃、湿度7％的手套箱内进行过滤，将所得的溶液在-10℃搅拌3小时，使结晶晶析。在氧浓度3体积％，温度20℃、湿度7％的手套箱的中滤取结晶。将结晶移至干燥用的烧瓶并安装于干燥机，在133Pa、40℃干燥5小时。为了解除减压而使用了氦气。测定所得的式(1-1)所示的化合物83g的纯度，结果为99.91％。此外将所得的式(1-1)所示的化合物以20％的量添加到电阻率值为1.0×1013Ω·m的上述式(1-2)所示的组合物中，所得的液晶组合物的电阻率值为1.8×1012Ω·m。此外，制作使用了所得的液晶组合物的液晶显示元件，结果不引起显示不良而显示良好的特性。

[0165] 由以上的结果可知，通过本精制法，不引起恶化，可获得具有高的纯度和电阻率值的式(1-1)所示的化合物。

[0166] (实施例3)

[0167] 在实施例1中，代替上述式(1-1)所示的化合物而使用下述式(1-4)所示的化合物(纯度99.91％)，进行同样的操作。所得的式(1-4)所示的化合物的收量为83g，纯度为99.93％。此外将所得的式(1-4)所示的化合物以20％的量添加到电阻率值为1.0×1013Ω·m的上述式(1-2)所示的组合物中，所得的液晶组合物的电阻率值为1.6×1012Ω·m。此外，制作使用了所得的液晶组合物的液晶显示元件，结果不引起显示不良而显示良好的特性。

[0168] [化17]

[0169]

[0170] 由以上的结果可知，通过本精制法，不引起恶化，可获得具有高的纯度和电阻率值的式(1-4)所示的化合物。

[0171] (实施例4)

[0172] 在实施例1中，代替上述式(1-1)所示的化合物而将下述式(1-5)所示的化合物(纯度99.89％)100g溶解在己烷400mL中。准备柱色谱(填充硅胶50g作为精制剂)，在柱色谱管的下部连接密闭容器，该密闭容器安装有用氩气置换3次并充满了氩气的充气球。将先前调制出的溶液注入到柱色谱管中，进行流动直到溶液表面与精制剂层的上表面一致。进而添加己烷300mL作为展开溶剂，使吸附于精制剂的化合物溶出。密闭容器内的氧浓度为3体积％，温度为20℃，湿度为6％。在减压下从所得的溶液蒸馏除去己烷400mL。为了解除减压而使用了氦气。将所得的溶液在-20℃搅拌3小时，使结晶晶析。将密闭容器移至氧浓度3体积％、温度20℃、湿度7％的手套箱中，在其中滤取结晶。将结晶移至干燥用的烧瓶并安装于干燥机，在133Pa、40℃干燥5小时。为了解除减压而使用了氦气。测定所得的式(1-5)所示的化合物75g的纯度，结果为99.90％。此外将所得的式(1-5)所示的
13
化合物以20％的量添加到电阻率值为1.0×10 Ω·m的上述式(1-2)所示的组合物中，所
12
得的液晶组合物的电阻率值为8.6×10 Ω·m。此外，制作使用了所得的液晶组合物的液晶显示元件，结果不引起显示不良而显示良好的特性。

[0173] [化18]

[0174]

[0175] 由以上的结果可知，通过本精制法，不引起恶化，可获得具有高的纯度和电阻率值的式(1-5)所示的化合物。

[0176] (实施例5)

[0177] 将上述式(1-1)所示的化合物(纯度99.90％)100g溶解在己烷400mL中。准备柱色谱(填充硅胶50g作为精制剂)，在柱色谱管的下部连接密闭容器，该密闭容器安装有用氩气置换3次并充满了氩气的充气球。将先前调制出的溶液注入到柱色谱管中，进行流动直到溶液表面与精制剂层的上表面一致。进而添加己烷300mL作为展开溶剂，使吸附于精制剂的化合物溶出。在减压下从所得的溶液蒸馏除去溶剂，在所得的残渣98g中添加用于电子材料的丙酮300mL，并用氩气置换3次后加温溶解。容器内的氧浓度为3体积％，温度为23℃，湿度为6％。保持密闭状态，将该溶液在-10℃搅拌3小时，使结晶晶析。将密闭容器移至氧浓度3体积％、温度20℃、湿度7％的手套箱中，在其中滤取结晶。将结晶移至干燥用的烧瓶并安装于干燥机，在133Pa、40℃干燥5小时。为了解除减压而使用了氦气。测定所得的式(1-1)所示的化合物90g的纯度，结果为99.92％。此外将所得的式(1-1)所
13
示的化合物以20％的量添加到电阻率值为1.0×10 Ω·m的上述式(1-2)所示的组合物
12
中，所得的液晶组合物的电阻率值为1.2×10 Ω·m。此外，制作使用了所得的液晶组合物的液晶显示元件，结果不引起显示不良而显示良好的特性。

[0178] 由以上的结果可知，通过本精制法，不引起恶化，可获得具有高的纯度和电阻率值的式(1-1)所示的化合物。

[0179] (比较例1)

[0180] 将上述式(1-1)所示的化合物(纯度99.90％)100g溶解在己烷400mL中。准备柱色谱(填充硅胶50g作为精制剂)，在柱色谱管的下部连接安装有充气球的密闭容器。虽然是密闭体系，但是并不进行利用惰性气体的置换。将先前调制出的溶液注入到柱色谱管中，进行流动直到溶液表面与精制剂层的上表面一致。进而添加己烷300mL作为展开溶剂，使吸附于精制剂的化合物溶出。密闭容器内的氧浓度为21体积％，湿度为23％。保持密闭状态，将该溶液在-10℃搅拌3小时，使结晶晶析。然后，在氧浓度21体积％、湿度23％的大气中滤取结晶。将结晶移至干燥用的烧瓶并安装于干燥机，在133Pa、40℃干燥5小时。为了解除减压而使用了大气。测定所得的式(1-1)所示的化合物82g的纯度，结果为99.79％。分析的结果是，作为杂质，新检测到0.080％的下述(1-3)所示的化合物(上述式(1-1)中的-CF2O-变为-COO-的化合物)。此外将所得的上述式(1-1)所示的化合物以20％的量
13
添加到电阻率值为1.0×10 Ω·m的上述式(1-2)所示的组合物中，所得的液晶组合物的
11
电阻率值为1.2×10 Ω·m。

[0181] [化19]

[0182]

[0183] 由该结果可知，在本比较例的精制方法中，式(1-1)所示的化合物的纯度降低，而且电阻率值也不充分。

[0184] (比较例2)

[0185] 将上述式(1-1)所示的化合物(纯度99.90％)100g溶解在己烷400mL中。准备柱色谱(填充硅胶50g作为精制剂)，在柱色谱管的下部连接安装有充气球的密闭容器。在密闭容器内用氩气置换1次。将先前调制出的溶液注入到柱色谱管中，进行流动直到溶液表面与精制剂层的上表面一致。进而添加己烷300mL作为展开溶剂，使吸附于精制剂的化合物溶出。密闭容器内的氧浓度为5体积％，湿度为10％。保持密闭状态，将该溶液在-10℃搅拌3小时，使结晶晶析。然后，在氧浓度5体积％、湿度10％的手套箱内滤取结晶。将结晶移至干燥用的烧瓶并安装于干燥机，在133Pa、40℃干燥5小时。为了解除减压而使用了氦气。测定所得的式(1-1)所示的化合物82g的纯度，结果为99.88％。分析的结果是，作为杂质，新检测到0.015％的上述(1-3)所示的化合物(上述式(1-1)中的-CF2O-变为-COO-的化合物)。此外将所得的上述式(1-1)所示的化合物以20％的量添加到电阻13
率值为1.0×10 Ω·m的上述式(1-2)所示的组合物中，所得的液晶组合物的电阻率值为
11
8.2×10 Ω·m。

[0186] 由该结果可知，在本比较例的精制方法中，式(1-1)所示的化合物的纯度降低，而