一种显示基板的制备方法、显示装置的制备方法

摘要

本发明实施例提供一种显示基板的制备方法、显示装置的制备方法，涉及显示技术领域，能够解决贴附AR膜(抗反射膜)导致的抗反射效果不佳,只针对较窄范围波长的光，等问题。制备所述显示基板的方法包括在衬底基板的第一表面制作黑矩阵，并由黑矩阵横纵交叉界定出多个显示单元；在衬底基板的第二表面上形成光刻胶；对对应显示单元位置处的光刻胶进行固化处理；将对应黑矩阵位置处的光刻胶去除；对衬底基板的第二表面进行毛化处理。

权利要求

1.一种显示基板的制备方法，包括在衬底基板的第一表面形成黑矩阵，以及由所述黑矩阵横纵交叉界定出多个显示单元的方法，其特征在于，还包括：在所述衬底基板的第二表面上形成光刻胶；其中，所述第一表面与所述第二表面相对设置；

对对应所述显示单元位置处的所述光刻胶进行固化处理；

将对应所述黑矩阵位置处的所述光刻胶去除；

对对应所述黑矩阵位置处的所述衬底基板的第二表面进行毛化处理。

2.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述对对应所述显示单元位置处的所述光刻胶进行固化处理包括：在所述光刻胶的表面设置掩膜版，所述掩膜版的透光区域对应所述显示单元的位置，所述掩膜版的不透光区域对应所述黑矩阵的位置；

对所述光刻胶进行曝光，以使得对应所述掩膜版的透光区域的光刻胶固化。

3.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述对对应所述显示单元位置处的所述光刻胶进行固化处理包括：以所述黑矩阵作为掩膜，从所述衬底基板第一表面的一侧对所述光刻胶进行曝光，以使得对应所述显示单元位置的光刻胶固化。

4.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述对对应所述黑矩阵位置处的所述衬底基板的第二表面进行毛化处理包括：在将对应所述黑矩阵位置处的所述光刻胶去除之后，将刻蚀溶液喷洒于所述衬底基板的第二表面，对所述第二表面未被所述光刻胶覆盖的区域进行刻蚀。

5.根据权利要求4所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述刻蚀溶液中添加有气泡。

6.根据权利要求4或5所述的显示基板的制备方法，其特征在于，在所述衬底基板为玻璃基板的情况下，所述刻蚀溶液包括氢氟酸溶液。

7.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，在所述对对应所述黑矩阵位置处的所述衬底基板的第二表面进行毛化处理的步骤之后，所述方法还包括：剥离对应所述显示单元位置处的所述光刻胶。

8.一种显示装置的制备方法，包括形成显示基板的方法，所述显示基板包括衬底基板、位于所述衬底基板第一表面上的黑矩阵以及由所述黑矩阵横纵交叉界定出的多个显示单元，其特征在于，还包括：在所述衬底基板的第二表面形成光刻胶，其中，所述第一表面与所述第二表面相对设置；

对对应所述显示单元位置处的所述光刻胶进行固化处理；

将对应所述黑矩阵位置处的所述光刻胶去除；

对对应所述黑矩阵位置处的所述衬底基板的第二表面进行毛化处理。

9.根据权利要求8所述的显示装置的制备方法，其特征在于，所述对对应所述显示单元位置处的所述光刻胶进行固化处理包括：在所述光刻胶的表面设置掩膜版，所述掩膜版的透光区域对应所述显示单元的位置，所述掩膜版的不透光区域对应所述黑矩阵的位置；

对所述光刻胶进行曝光，以使得对应所述掩膜版的透光区域的光刻胶固化。

10.根据权利要求8所述的显示装置的制备方法，其特征在于，所述对对应所述显示单元位置处的所述光刻胶进行固化处理包括：以所述黑矩阵作为掩膜，从所述衬底基板第一表面的一侧对所述光刻胶进行曝光，以使得对应所述显示单元位置处的光刻胶固化。

11.根据权利要求8所述的显示装置的制备方法，其特征在于，所述对对应所述黑矩阵位置处的所述衬底基板的第二表面进行毛化处理包括：在将对应所述黑矩阵位置处的所述光刻胶去除之后，将刻蚀溶液喷洒于所述衬底基板的第二表面，对所述第二表面未被所述光刻胶覆盖的区域进行刻蚀。

12.根据权利要求8所述的显示装置的制备方法，其特征在于，在所述对对应所述黑矩阵位置处的所述衬底基板的第二表面进行毛化处理的步骤之后，所述方法还包括：剥离对应所述显示单元位置处的所述光刻胶。

说明书

一种显示基板的制备方法、显示装置的制备方法

技术领域

[0001] 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板的制备方法、显示装置的制备方法。

背景技术

[0002] TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管-液晶显示器)作为一种平板显示器，因其具有体积小、功耗低、无辐射以及制作成本相对较低等特点，而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。

[0003] TFT-LCD如图1a所示，由阵列基板10和彩膜基板10’构成。在阵列基板10和彩膜基板10’之间设置有液晶层12。此外，在彩膜基板10’的上表面设置有偏振片13。通过控制液晶层12中的液晶分子的排列方向以对光线强弱进行控制，并在彩膜基板10’的滤光作用，实现彩色图像显示。

[0004] 在制作TFT-LCD的过程中，为了消除外界光源对显示效果的影响。现有技术中，一般在偏振片13的表面贴附AR(Anti-Reflective，防反射)膜16。其中，构成所述AR膜14的材料与构成偏光片13的材料的折射率不同。这样一来，从同一点入射至AR膜的光线，在空气与AR膜14界面上发生反射的反射光，与其在AR膜14与偏光片13表面的界面上发生反射的反射光会相干叠加，干涉相消，从而减小了反射。

[0005] 然而，AR膜的厚度与其能够消除的光线的波长有关。例如，当AR膜的厚度接近红光在AR膜中波长的四分之一时，AR膜能够对入射的接近红光波长的光线的反射光进行消除。因此，AR膜只能实现较窄范围波长的零反射，并不能对可见光中的所有波长的光线的反射光进行消除。所以降低了抗反射的效果。此外，如果为了提高抗反射的效果，在偏光片13上设置多个不同厚度的AR膜，虽然能够有效的减少可见光的反射对显示效果的影响，但与此同时会增加显示器的厚度，不利于显示器超薄化的设计。

发明内容

[0006] 本发明的实施例提供一种显示基板的制备方法、显示装置的制备方法，能够解决贴附AR膜只能实现较窄范围波长的零反射的问题。

[0007] 为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

[0008] 本发明实施例的一方面，提供一种显示基板的制备方法，包括在衬底基板的第一表面形成黑矩阵，以及由所述黑矩阵横纵交叉界定出多个显示单元的方法，还包括：

[0009] 在所述衬底基板的第二表面上形成光刻胶；其中，所述第一表面与所述第二表面相对设置；

[0010] 对对应所述显示单元位置处的所述光刻胶进行固化处理；

[0011] 将对应所述黑矩阵位置处的所述光刻胶去除；

[0012] 对对应所述黑矩阵位置处的所述衬底基板的第二表面进行毛化处理。

[0013] 本发明实施例的另一方面，提供一种显示基板，包括衬底基板，以及位于衬底基板第一表面上的黑矩阵以及由所述黑矩阵横纵交叉界定出的多个显示单元；在衬底基板第二表面对应所述黑矩阵的部分凹凸不平；其中，所述第一表面与所述第二表面相对设置。

[0014] 本发明实施例的另一方面，提供一种显示装置，包括如上所述的显示基板。

[0015] 本发明实施例的又一方面，提供一种显示装置的制备方法，包括形成显示基板的方法，所述显示基板包括衬底基板、位于衬底基板第一表面上的黑矩阵以及由所述黑矩阵横纵交叉界定出的多个显示单元，还包括：

[0016] 在所述衬底基板的第二表面形成光刻胶，其中，所述第一表面与所述第二表面相对设置；

[0017] 对对应所述显示单元位置处的所述光刻胶进行固化处理；

[0018] 将对应所述黑矩阵位置处的所述光刻胶去除；

[0019] 对对应所述黑矩阵位置处的所述衬底基板的第二表面进行毛化处理。

[0020] 本发明实施例提供一种显示基板的制备方法、显示装置的制备方法。其中，所述显示基板的制备方法包括，首先，在衬底基板的第一表面形成黑矩阵，并由黑矩阵横纵交叉界定出多个显示单元；然后，在衬底基板上与所述第一表面相对设置的第二表面上形成光刻胶；由于显示面板的显示区域对应显示单元的位置，因此接下来可以对对应显示单元位置处的光刻胶进行固化处理，使其对对应显示单元位置的衬底基板进行保护；然后，将对应黑矩阵位置处未固化的光刻去除，以使得衬底基板第二表面上对应黑矩阵的位置未被光刻胶覆盖；之后，对衬底基板的第二表面上未被光刻胶覆盖的区域进行毛化处理，使其表面凹凸不平；这样一来，可见光照射至显示面板上对应黑矩阵的非显示区域时，通过上述凹凸不平的表面，可以使得所有入射至该表面的可见光发生漫反射，从而可以消除非显示区域的反射光。虽然衬底基板对应显示区域的位置未经过刻蚀处理，但是由于显示区域出射的用于显示的光线强度远远大于反射光线的强度，因此该区域的反射光线对显示效果造成的影响甚微。因此，本发明提供的实施例能够在保证显示面板正常显示的前提下，消除了入射至非显示区域的所有可见光的反射光线，并且无需增加显示面板的厚度，从而提升了画面品质及产品的质量。

附图说明

[0021] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

[0022] 图1a为现有技术提供的一种显示装置的结构示意图；

[0023] 图1b为现有技术提供的一种阵列基板的俯视结构示意图；

[0024] 图1c为现有技术提供的一种显示基板的俯视结构示意图；

[0025] 图2为本发明实施例提供的一种显示基板的制备方法流程图；

[0026] 图3a-图3d为本发明实施例提供的一种显示基板制备过程中各个阶段的结构示意图；

[0027] 图4为本发明实施例提供的另一种显示基板的制备方法流程图；

[0028] 图5a-图5b为本发明实施例提供的另一种显示基板制备过程中各个阶段的结构示意图；

[0029] 图6为本发明实施例提供的一种显示基板的制备方法示意图；

[0030] 图7为本发明实施例提供的一种显示装置的制备方法流程图；

[0031] 图8a-图8d为本发明实施例提供的一种显示装置制备过程中各个阶段的结构示意图；

[0032] 图9为本发明实施例提供的另一种显示装置的制备方法流程图；

[0033] 图10为本发明实施例提供的一种显示装置的制备方法示意图；

[0034] 图11为本发明实施例提供的另一种显示装置的制备方法示意图。

[0035] 附图说明：

[0036] 10-阵列基板；10’-彩膜基板；11-显示基板；100-亚像素；101-像素电极；110-衬底基板；A-衬底基板的第一表面；B-衬底基板的第二表面；111-黑矩阵；112-显示单元；12-液晶层；13-偏振片；14-AR膜；20-光刻胶；21-掩膜版；C-掩膜版的透光区域；D-掩膜版的不透光区域；22-刻蚀溶液。

具体实施方式

[0037] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

[0038] 本发明实施例提供一种显示基板11的制备方法，包括在衬底基板110的第一表面A形成黑矩阵111以及由黑矩阵111交叉界定出多个显示单元112的方法，如图2所示，还可以包括：

[0039] S101、如图3a所示，在衬底基板110的第二表面B上形成光刻胶20；其中，第一表面A与第二表面B相对设置。

[0040] S102、如图3b所示，对对应显示单元112位置处的光刻胶20进行固化处理，以使得该位置处的光刻胶20固化。

[0041] S103、将对应黑矩阵111位置处的光刻胶20去除。

[0042] S104、如图3c所示，对对应黑矩阵111位置处的衬底基板110的第二表面B进行毛化处理，使得第二表面B未被光刻胶覆盖的部分凹凸不平。

[0043] 本发明实施例提供一种显示基板的制备方法，包括：首先，在衬底基板的第一表面形成黑矩阵，并由黑矩阵横纵交叉界定出的多个显示单元；然后，在衬底基板上与所述第一表面相对设置的第二表面上形成光刻胶；由于显示面板的显示区域对应显示单元的位置，因此接下来可以对对应显示单元位置处的光刻胶进行固化处理，使其对对应显示单元位置的衬底基板进行保护；然后，将对应黑矩阵位置处未固化的光刻胶去除，以使得衬底基板第二表面上对应黑矩阵的位置未被光刻胶覆盖；之后，对衬底基板的第二表面上未被光刻胶覆盖的区域进行毛化处理，使其表面凹凸不平；这样一来，可见光照射至显示面板上对应黑矩阵的非显示区域时，通过上述凹凸不平的表面，可以使得所有入射至该表面的可见光发生漫反射，从而可以消除非显示区域的反射光。最后，剥离对应显示单元位置处的光刻胶，以使得显示面板能够正常显示。虽然衬底基板对应显示区域的位置未经过刻蚀处理，但是由于显示区域出射的用于显示的光线强度远远大于反射光线的强度，因此该区域的反射光线对显示效果造成的影响甚微。因此，本发明提供的实施例能够在保证显示面板正常显示的前提下，消除了入射至非显示区域的所有可见光的反射光线，并且无需增加显示面板的厚度，从而提升了画面品质及产品的质量。

[0044] 需要说明的是，第一、上述显示基板11可以为设置有黑矩阵111和彩色膜层的彩膜基板10’，也可以是设置有黑矩阵111和彩色膜层的阵列基板10。本发明对显示基板11不作限制。

[0045] 第二、由阵列基板10(俯视图如图1b所示)由多条横纵交叉的栅线Gate和数据线Date界定形成多个亚像素100。每个亚像素100内设置有一个像素电极101。

[0046] 显示基板11，例如彩膜基板10’(俯视图如图1c所示)，包括黑矩阵111以及由横纵交叉的黑矩阵111界定出的多个显示单元112，显示单元112内设置有彩色膜层，其颜色可以为红色(R)、绿色(G)或蓝色(B)。

[0047] 其中，显示单元112与图1b所示的阵列基板10上亚像素100中的像素电极101一一对应。显示基板11和阵列基板10对盒之后形成多个像素单元，每个像素单元包括红(R)、绿(G)、蓝(B)三种不同颜色的亚像素100。

[0048] 此外，亚像素100中除了像素电极101以外的非显示区域与显示基板11上的黑矩阵111的位置相对应，以使得黑矩阵111能够将位于阵列基板10上的控制电路(例如TFT区域)进行遮挡，防止光线照射至上述控制电路，造成线路的损坏。

[0049] 第三、上述衬底基板110可以采用玻璃或者石英石构成。

[0050] 第四、毛化处理，是指将衬底基板110上对应非显示区域的表面进行粗糙化处理，使其表面凹凸不平，导致入射至该表面的可见光，反射后的方向不一致(发生漫反射)，从而消除反射光线对显示效果的影响。其中，毛化处理可以采用喷砂、打磨工艺，或者溶液刻蚀工艺等工艺。由于溶液刻蚀工艺操作简单，对显示面板的损伤小，本发明优选溶液刻蚀工艺。以下实施例均是以采用刻蚀溶液22进行毛化处理为例进行的说明。

[0051] 具体的，溶液刻蚀工艺可以是，通过高压气体，将刻蚀溶液22喷洒于衬底基板110的第二表面B，对第二表面B未被光刻胶20覆盖的区域(即第二表面B上对应黑矩阵位置的部分)进行刻蚀。

[0052] 优选的，可以上述刻蚀溶液22中添加气泡，使得喷洒于衬底基板110的第二表面B的刻蚀溶液22分布不均匀，以形成凹凸不平的表面。从而可以防止刻蚀溶液22均匀的覆盖部分第二表面B时，形成较平滑的刻蚀面，降低漫反射的效果。具体的，可以通过在刻蚀溶液22中加入干燥的空气、氢气或氮气以形成气泡。

[0053] 第五、在毛化处理之后，可以对显示基板11进行冲洗，避免残留的刻蚀溶液22对衬底基板110的侵蚀。

[0054] 第六、上述固化处理可以通过高温、高压固化工艺，或者曝光或显影工艺实现。对于曝光或显影工艺而言，当采用在曝光条件下发生固化的光刻胶(正胶)时，上述固化处理可以是指曝光工艺。因此当衬底基板110的第二表面B上形成的光刻胶20为正胶时，可以对对应显示单元112位置处的光刻胶20进行曝光，以使得该位置处的光刻胶20固化。而对对应黑矩阵111位置处的光刻胶20进行显影工艺，以去除该位置处未固化的光刻胶20。

[0055] 此外，当采用在显影工艺中发生固化的光刻胶(负胶)时，上述固化处理可以是显影工艺。因此当衬底基板110的第二表面B上形成的光刻胶20为负胶时，可以对对应显示单元112位置处的光刻胶20进行显影工艺，以使得该位置处的光刻胶20固化。而对对应黑矩阵111位置处的光刻胶20进行曝光工艺，以去除该位置处未固化的光刻胶20。

[0056] 本发明对固化处理不做限制，但以下实施例均是以光刻胶20为正胶为例进行的说明。

[0057] 以下通过具体的实施例对显示基板的制备方法进行详细的描述。

[0058] 实施例一

[0059] S201、在上述步骤S101之后，如图4和图5a所示，在光刻胶20的表面设置掩膜版21。其中，掩膜版21的透光区域C对应显示单元112的位置，掩膜版21的不透光区域D对应黑矩阵
111的位置。

[0060] S202、对光刻胶20进行曝光，以使得对应掩膜版21透光区域A的光刻胶20固化，从而可以对衬底基板110表面对应显示区域的部分进行保护，避免毛化处理将其表面粗糙化。

[0061] S203、在衬底基板110为玻璃基板的情况下，可以在氢氟酸溶液中充入干燥的空气以形成具有气泡的刻蚀溶液22，并如图5b所示，将该刻蚀溶液22通过高压气体喷洒于衬底基板110的第二表面B，形成如图3d所示的凹凸不平的表面。

[0062] S204、如图3d所示，剥离对应显示单元112位置处的光刻胶20。

[0063] 需要说明的是，当光刻胶20是白色透明的时，由于不会对显示造成影响，因此可以不用进行步骤S204。如果光刻胶20不是白色透明的，或者为了减小显示器的厚度可以进行上述步骤S204，以剥离光刻胶20。

[0064] 实施例二

[0065] 在上述步骤S101之后，如图6所示，以黑矩阵111作为掩膜，从衬底基板110第一表面A的一侧对光刻胶20进行曝光，以使得对应显示单元112位置的光刻胶20固化，从而可以对衬底基板110表面对应显示区域的部分进行保护，避免毛化处理将其表面粗糙化。

[0066] 接下来可以采用步骤S203以及、S204，或者采用步骤S104。

[0067] 实施例二相对于实施例一而言，利用黑矩阵111的不透光的特性，采用不同的曝光方向，可以省去设置掩膜版21的步骤。

[0068] 本发明实施例提供一种显示基板，如图3d所示，可以包括衬底基板110，以及位于衬底基板110第一表面A上的黑矩阵111，以及由黑矩阵横纵交叉界定出的多个显示单元112。其中，在衬底基板110第二表面B对应黑矩阵111的部分凹凸不平；其中，第一表面A与第二表面B相对设置。这样一来，可见光照射至显示面板上对应黑矩阵的非显示区域时，通过上述凹凸不平的表面，可以使得可见光发生漫反射，从而可以消除非显示区域的反射光。此外，虽然衬底基板对应显示区域的位置表面光滑，但是由于显示区域出射的用于显示的光线强度远远大于反射光线的强度，因此该区域的反射光线对显示效果造成的影响甚微。因此，本发明提供的实施例能够在保证显示面板正常显示的前提下，消除了入射至非显示区域的所有可见光的反射光线，并且无需增加显示面板的厚度，从而提升了画面品质及产品的质量。

[0069] 本发明实施例提供一种显示装置，包括如上所述的显示基板11。具有与前述实施例提供的显示基板11相同的结构和有益效果，由于前述实施例已经对显示基板11的结构和有益效果进行了详细的描述，此处不再赘述。

[0070] 需要说明的是，在本发明实施例中，显示装置具体可以包括液晶显示装置，例如该显示装置可以为液晶显示器、液晶电视、数码相框、手机或平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件。

[0071] 本发明实施例提供一种显示装置的制备方法，包括形成显示基板11的方法，所述显示基板11可以包括衬底基板110、位于衬底基板110第一表面A上的黑矩阵111以及由黑矩阵111横纵交叉界定出的多个显示单元112，如图7所示，所述制备方法还可以包括(其中，以下实施例中，是以显示基板11为彩膜基板10’为例进行说明)：

[0072] S301、如图8a所示，在衬底基板110的第二表面B形成光刻胶20。其中，第一表面A与第二表面B相对设置。

[0073] S302、如图8b所示，对对应显示单元112位置处的光刻胶20进行固化处理，以使得该位置处的光刻胶20固化。

[0074] S303、将对应黑矩阵111位置处的光刻胶20去除。

[0075] S304、如图8c所示，对对应黑矩阵111位置处的衬底基板110的第二表面B进行毛化处理，使得衬底基板110的第二表面B未被光刻胶覆盖的部分凹凸不平。

[0076] 本发明实施例提供一种显示装置的制备方法，包括，首先，形成显示基板，该显示基板包括衬底基板、位于衬底基板第一表面上的黑矩阵以及由黑矩阵横纵交叉界定出的多个显示单元；然后，在衬底基板的第二表面形成光刻胶，其中第一表面和第二表面相对设置；由于显示面板的显示区域对应显示单元的位置，因此接下来可以对对应显示单元位置处的光刻胶进行固化处理，以使其对对应显示单元位置的衬底基板进行保护；然后，将对应的黑矩阵位置处的光刻胶去除，以使得衬底基板上对应黑矩阵的位置未被光刻胶覆盖；之后，对对应黑矩阵位置处的衬底基板的第二表面进行毛化处理，使得衬底基板的第二表面未被光刻胶覆盖的区域凹凸不平；这样一来，可见光照射至显示面板上对应黑矩阵的非显示区域时，通过上述凹凸不平的表面，可以使得所有入射至该表面的可见光发生漫反射，从而可以消除非显示区域的反射光。虽然衬底基板对应显示区域的位置未经过刻蚀处理，但是由于显示区域出射的用于显示的光线强度远远大于反射光线的强度，因此该区域的反射光线对显示效果造成的影响甚微。因此，本发明提供的实施例能够在保证显示面板正常显示的前提下，消除了入射至非显示区域的所有可见光的反射光线，并且无需增加显示面板的厚度，从而提升了画面品质及产品的质量。

[0077] 以下通过具体的实施例对显示装置的制备方法进行详细的描述。

[0078] 实施例三

[0079] S401、在上述步骤S301之后，如图9和图10所示，在光刻胶20的表面设置掩膜版21。其中，所述掩膜版21的透光区域C对应显示单元112层的位置，掩膜版21的不透光区域D对应黑矩阵111的位置。

[0080] S402、对光刻胶20进行曝光，以使得对应掩膜版21的透光区域A的光刻胶20固化，从而可以对衬底基板110表面对应显示区域的部分进行保护，避免毛化处理将其表面粗糙化。

[0081] S403、在衬底基板110为玻璃基板的情况下，可以在氢氟酸溶液中充入干燥的空气以形成具有气泡的刻蚀溶液22，并如图5b所示，将该刻蚀溶液22通过高压气体喷洒于衬底基板110远离阵列基板10的一侧表面(第二表面B)，形成如图8d所示的凹凸不平的表面。

[0082] S404、如图8d所示，剥离对应显示单元112位置处的光刻胶20。

[0083] 实施例四

[0084] 在上述步骤S301之后，如图11所示，以黑矩阵111作为掩膜，从衬底基板110的第一表面A一侧对光刻胶20进行曝光。以使得该位置的光刻胶20固化，从而可以对衬底基板110表面对应显示区域的部分进行保护，避免毛化处理将其表面粗糙化。

[0085] 接下来可以采用步骤S403、S404，或者采用步骤S304。

[0086] 实施例二相对于实施例一而言，利用黑矩阵111的不透光的特性，采用不同的曝光方向，可以省去设置掩膜版21的步骤。并且实施例二可以在阵列基板10和彩膜基板10’对盒之后进行，可以避免在对盒的过程中，机械手通过真空吸附的方法抓取彩膜基板10’时，由于彩膜基板10’的衬底基板110远离阵列基板10一侧的部分区域(对应黑矩阵111的位置)的表面粗糙，而导致出现真空吸附不良的现象产生。

[0087] 以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。