一种去除含Si笼状化合物中硅及含硅化合物杂相的方法转让专利

申请号 : CN201410499587.5

文献号 : CN104308140B

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发明人 : 毕山力刘丽华李阳

摘要 :

一种去除含Si笼状化合物中包含的硅及硅化物杂相的方法,属于材料制备领域。其步骤为按照预合成的含Si笼状化合物的分子式,称量高纯单质元素作为原料。按照常规的方法冶炼样品。研磨并球磨冶炼所获得的合金。使用碱溶液浸泡球磨后的粉末12小时。过滤上述溶液,使用稀盐酸处理过滤得到的粉末。再次过滤,并用去离子水反复冲洗过滤得到的粉末。干燥上步所获的粉末,得到目标样品。本发明利用含Si笼状化合物耐酸、耐碱的特点,采用碱液浸泡的方式,有效地去除含Si笼状化合物中的杂相硅。结合酸液浸泡的方法,可获得纯相的含Si笼状化合物。该方法是一种去除含Si笼状化合物包含的杂相的普适的方法。