光学元件

摘要

本发明的光学元件(1)具有光学薄膜(20)。光学薄膜(20)具有氧化铝层(21)，该氧化铝层(21)以氧化铝为主要成分、且具有根据光学膜厚(nd)和中心波长(λ0)规定的0.010以上2.00以下的范围的光学薄膜系数(x)，在中心波段的同一波长中，常温时的第1反射率(R1)和加热时的第2反射率(R2)的偏移量为0.50％以下。

权利要求

1.一种光学元件，其具有光学薄膜，其中，所述光学薄膜具有氧化铝层，该氧化铝层以氧化铝为主要成分、且具有根据光学膜厚和中心波长规定的0.010以上2.00以下的范围的光学薄膜系数，所述光学膜厚是根据折射率和物理膜厚规定的，所述折射率为1.64以上1.70以下的范围，所述物理膜厚为8.0nm以上500.0nm以下的范围，在400nm以上700nm以下的光的波长区域的同一波长中，所述氧化铝层的常温时的第

1光的反射率和能够去除水分的规定温度下的加热时的第2光的反射率的偏移量的最大值为0.50％以下。

2.如权利要求1所述的光学元件，其中，所述光学薄膜是由所述氧化铝层构成的单层膜，所述偏移量的最大值为0.10％以下。

3.如权利要求1或2所述的光学元件，其中，所述光学薄膜是将2个以上的成膜材料层叠而形成的多层膜，所述多层膜包含：

氧化硅层，其由氧化硅形成；和氧化钽层，其由氧化钽形成。

4.如权利要求1或2所述的光学元件，其中，所述光学元件进一步具备光学元件基材，所述光学薄膜设置在所述光学元件基材上，所述光学元件基材为光学玻璃透镜。

说明书

光学元件

技术领域

[0001] 本发明涉及光学元件。

背景技术

[0002] 光学玻璃透镜等光学元件为了获得期望的光学特性，其作为光学面的表面被涂布(coating)光学薄膜。作为光学薄膜，近些年来已知单层膜或多层膜的结构，有时使用包括氧化铝(Al2O3)层的多层结构的光学薄膜(例如参照专利文献1)。

[0003] 现有技术文献

[0004] 专利文献

[0005] 专利文献1：日本特开平9-159803号公报

发明内容

[0006] 发明欲解决的课题

[0007] 然而，包括氧化铝层的光学薄膜在涂布光学元件的光学面的情况下，有时会在光学元件的表面产生颜色不均。该颜色不均是由于光学面的面内的光学薄膜的膜质(膜的折射率和膜密度等)在局部不均匀而产生的。颜色不均的产生会成为光学薄膜的光学特性(例如反射率和涂层色品质(色感))的不均匀性导致的产品成品率降低的要因。因此，期望将颜色不均的产生防患于未然。

[0008] 本发明的目的在于提供一种光学元件，其具有均匀且紧密的膜质的光学薄膜，该光学薄膜即使为包含氧化铝层的光学薄膜，也不会产生颜色不均。

[0009] 用于解决课题的手段

[0010] 本发明是为了达成上述目的而完成的。

[0011] 为了达成上述目的，本申请发明人等首先研究了颜色不均的产生要因。其结果，颜色不均的产生的原因在于，氧化铝层在成膜中或成膜后吸入水分等。关于这种原因，根据针对后面叙述详细情况的偏移量(波长偏移，换言之是常温时和加热时的分光特性的变化量)的验证结果也能够得以明确。

[0012] 而且，基于这种见解，本申请发明人等进一步进行了深入研究，其结果，获得了如下设想，即若能够实现均匀且紧密的膜质的氧化铝层，则也许能够防止作为颜色不均的产生要因的水分等的吸入。

[0013] 本发明就是根据上述本申请发明人等的新见解和设想而完成的。即，本申请发明人等根据上述新见解和设想，想到了下述的课题解决手段。

[0014] 本发明的一个方式的光学元件具有光学薄膜。光学薄膜具有氧化铝层，该氧化铝层以氧化铝为主要成分、且具有根据光学膜厚和中心波长规定的0.010以上2.00以下的范围的光学薄膜系数，在中心波段的同一波长中，常温时的第1反射率和加热时的第2反射率的偏移量为0.50％以下。

[0015] 发明的效果

[0016] 根据本发明，能够获得一种具有均匀且紧密的膜质的光学薄膜的光学元件，该光学薄膜即使为包含氧化铝层的光学薄膜，也不会产生颜色不均。

附图说明

[0017] 图1是表示应用本发明的第1实施方式的光学元件的构成例的要部截面图。

[0018] 图2是在二维坐标平面上绘制本发明的实施例1的光学薄膜(氧化铝层)的光的波长与光的反射率的关系的一个具体例的说明图。

[0019] 图3是关于作为与本发明的实施例1的比较对象的比较例1的说明图。

[0020] 图4是表示应用本发明的第2实施方式的光学元件的构成例的要部截面图。

[0021] 图5是在二维坐标平面上绘制本发明的实施例2的光学薄膜的光的波长与光的反射率的关系的一个具体例的说明图。

[0022] 图6是关于作为与本发明的实施例2的比较对象的比较例2的说明图。

[0023] 图7是在二维坐标平面上绘制本发明的实施例3的光学薄膜的光的波长与光的反射率的关系的一个具体例的说明图。

[0024] 图8是在二维坐标平面上绘制本发明的实施例4的光学薄膜的光的波长与光的反射率的关系的一个具体例的说明图。

[0025] 图9是在二维坐标平面上绘制本发明的实施例5的光学薄膜的光的波长与光的反射率的关系的一个具体例的说明图。

具体实施方式

[0026] 以下，根据附图说明本发明的第1和第2实施方式。

[0027] 这里，关于各实施方式，按照以下的顺序逐项进行说明。

[0028] 1.光学元件的整体构成

[0029] 2.光学薄膜的构成

[0030] 3.成膜步骤

[0031] 此外，关于第1和第2实施方式，同样做出如下的说明。

[0032] 4.第1和第2实施方式的效果

[0033] 5.变形例

[0034] 在第1实施方式中，构成于光学元件的光学面上的光学薄膜由单层膜构成。此外，在后述的第2实施方式中，构成于光学元件的光学面上的光学薄膜由多层膜构成。

[0035] 此外，在以下的实施方式中，关于中心波段，将可见光的波段作为一例举出，设波长区域为400nm以上700nm以下、设中心波长λ0为550nm进行说明。此外，作为光学薄膜系数，以可取0.010～2.00的范围的情况进行说明。需要说明的是，在关于波长区域以外的数值的描述中，只要没有特别限定，“数值～数值”就包括两端的值。

[0036] 【第1实施方式】

[0037] ＜1.光学元件的整体构成＞

[0038] 首先，说明光学元件的整体构成。

[0039] 光学元件指的是对光(尤其是可见光)进行某种光学处理的元件，具体可举出透镜、棱镜、反射镜、滤色镜、光导、折射元件等光学器件。

[0040] 图1是表示应用本发明的光学元件的构成例的要部截面图。

[0041] 如图1所示，光学元件1的作为元件基材的光学元件基材10的光学面5被涂布光学薄膜20。

[0042] 光学元件基材10由光学玻璃材构成，在光学元件基材10的表面形成作为光学面5的球面或非球面、平面、衍射光栅等的光学功能面。此外，作为光学元件基材10的光学玻璃材，例如可使用M-TAFD305、M-LAC130、M-BACD12、M-FDS2、M-FD80、M-TAFD307、M-FCD1、M-FCD500、M-PCD4、M-TAF101、E-FDS1、E-FDS2、TAFD30、TAFD35、TAF1、FCD100、FCD505、BACD5(HOYA株式会社制)等。

[0043] ＜2.光学薄膜的构成＞

[0044] 接着，说明形成于光学元件1的光学元件基材10的光学面5上的光学薄膜20。

[0045] 光学薄膜20具有辅助光学元件1的光学作用(光学特性)的功能，具体而言，具有减少(防止)光在透镜表面反射的功能。

[0046] 光学元件基材10的位于与光学面5接触侧的层是由氧化铝(氧化铝)形成的层(以下，称作“氧化铝层”)21。其中，在本第1实施方式中，氧化铝层21是通过以10eV以上的离子能量堆积膜构成颗粒的成膜处理而形成的。具体而言，使用后述的离子束辅助沉积(Ion-beam Assisted Deposition，以下简称为“IAD”)。该氧化铝层21若用作光学薄膜20，则关于光的波长与光的反射率的关系，具有如下的膜结构，即在能够去除水分的规定温度为止的加热处理的前后，400nm以上700nm以下的波长区域的光的反射率的变化的最大值为0.50％以下。

[0047] 这里，“加热处理前”表示加热光学薄膜20之前(即，光学薄膜20为常温时的情况)，“加热处理后”表示加热光学薄膜20时的加热时。此外，“光的反射率的变化的最大值”表示在400nm以上700nm以下的波长区域的同一波长中，常温时的第1反射率R1和加热时的第2反射率R2之差的绝对值(以下，记作偏移量ΔR(＝|R1-R2|))。

[0048] 此外，作为本实施方式的优选方式，氧化铝层21具有如下的膜结构，即在400nm以上700nm以下的波长区域的同一波长中，常温时的第1反射率R1和加热时的第2反射率R2的偏移量ΔR为0.30％以下。需要说明的是，在以下的说明中，常温时表示25℃，加热时作为一例表示加热至150℃时。

[0049] 此外，作为本实施方式的方式，氧化铝层21的折射率n为1.64以上1.70以下。需要说明的是，关于形成氧化铝层21的成膜步骤、氧化铝层21的层结构等，将在后面叙述其详细情况。

[0050] ＜3.成膜步骤＞

[0051] 接着，说明上述构成的光学薄膜20的成膜步骤。

[0052] 光学薄膜20是通过在光学元件1的光学元件基材10的光学面5上使薄膜形成颗粒成膜而形成的。

[0053] (成膜工序)

[0054] 详细说明形成氧化铝层21的成膜工序。

[0055] (氧化铝层的成膜手法)

[0056] 在本第1实施方式的成膜工序中，氧化铝层21使用离子束辅助沉积(Ion-beam Assisted Deposition，以下简称为“IAD”)，通过以10eV以上的离子能量将膜构成颗粒堆积于光学元件基材10的光学面5上的成膜处理而形成的。

[0057] 这里，IAD为下述成膜处理：在真空沉积中使用离子枪向被成膜物照射气体离子(和用于中和的同量的电子)，利用其动能，并使膜构成颗粒堆积。根据这种IAD，能够增大照射的离子能量，获得均匀且紧密的膜质的膜。需要说明的是，这里，光学薄膜20由氧化铝层1层形成的情况下的“均匀且紧密的膜质”被定义为具有如下的膜结构的情况，即关于光的波长与光的反射率的关系，在能够去除水分的规定温度为止的加热处理的前后，400nm～700nm的波长区域的光的反射率的变化的最大值为0.50％以下。此外，光学薄膜20由包含氧化铝层的多层膜形成的情况下的“均匀且紧密的膜质”被定义为具有如下的膜结构的情况，即在400nm以上700nm以下的波长区域的同一波长中，常温时的第1反射率R1和加热时的第2反射率R2的偏移量ΔR为0.30％。需要说明的是，只要是具有这里所称的“均匀且紧密的膜质”的膜，就不会产生颜色不均。

[0058] (氧化铝层的成膜条件)

[0059] 本第1实施方式的成膜工序的IAD的成膜条件如下。

[0060] 例如，在用于IAD的离子枪为热电子激励型离子枪的情况下，使用氧与氩的混合气体作为成膜处理室内的导入气体，并且对于其导入气体流量，使氧：0～200SCCM(Standard Cubic Centimeter per Minutes)和氩：0～200SCCM中的至少某一方多于0SCCM。关于离子枪的输出，设施加于离子枪的灯丝的电压和电流分别为灯丝电压：10～100V、灯丝电流：15～150A。进而，设施加于离子枪的阳极的电压和电流分别为阳极电压：10～500V、阳极电流1～30A。此外，成膜速率为0.01～1.50nm/sec。

[0061] 在本第1实施方式中，使用具有热电子激励型的离子枪的薄膜形成装置(未图示)。该热电子激励型的离子枪通过增加作为构成离子枪的热电子产生部件的灯丝的根数，从而能够以10eV以上的离子能量堆积膜构成颗粒，形成均匀且紧密的膜质的层。

[0062] 此外，例如，在用于IAD的离子枪为高频(RF)激励型离子枪的情况下，关于离子枪的输出，设施加于离子枪的加速电极的电压和电流分别为加速电压：10～1500V、加速电流：10～1500mA。另外，对于加速电极，向电极和接地间施加+。此外，设施加于离子枪的抑制器电极的电压和电流分别为抑制器电压：0～1000V、抑制器电流：10～100mA。需要说明的是，对于抑制器，向电极和接地间施加-。此外，其他内容为与上述热电子离子枪的情况相同的条件。

[0063] (氧化铝层的膜质)

[0064] 若通过这种条件成膜，则在光学元件基材10的光学面5上以10eV以上(具体的为例如1000eV左右)的离子能量堆积氧化铝层21的膜构成颗粒。因此，在光学元件基材10的光学面5上形成均匀且紧密的膜质的氧化铝层21。

[0065] 接着，列举实施例，具体说明本发明的实施方式。其中，本发明当然不限于以下的实施例。

[0066] 此外，构成层的氧化物膜为期望的膜质即可，对其组成不做特别限定。关于氧化铝膜的组成，包含作为化学计量组成的氧化铝(Al2O3)的组成较为稳定，因而在以下的说明中描述为Al2O3层，然而并不限于Al2O3，在组成为AlxOy的情况下，例如，可以存在y/x＝1～2左右的组成。这对于以下说明的氧化硅膜、氧化钽膜等各种氧化物膜也是相同的。

[0067] 此外，在以下的说明中，层的编号是从透镜基板10的光学面5侧起按顺序赋予的。此外，用n表示各层的折射率、d表示物理膜厚、nd表示光学膜厚，x表示光学薄膜系数、λ0表示中心波长。另外，光学膜厚nd通过折射率n与物理膜厚d的积来表示。

[0068] 需要说明的是，光学薄膜系数x可通过下式(1)表示，是根据光学膜厚nd和中心波长λ0规定的。

[0069] 光学薄膜系数x＝nd×(1/(λ0/4))···式(1)

[0070] 此外，根据光学膜厚nd和中心波长λ0规定、且以氧化铝为主要成分的氧化铝层的光学薄膜系数x被设定为0.010以上2.000以下的范围内。此外，作为中心波长λ0说明的是550nm，也可以设定为500nm、1000nm或2000nm等。此外，氧化铝层的物理膜厚d可以设定为8.0nm以上500.0nm以下的范围。另外，在上述式(1)和以下的说明中，作为除以中心波长λ0的值使用的是“4”，然而不限于此。例如，可以为“2”和“6”等的整数。

[0071] (实施例1)

[0072] 具体而言，在实施例1中，形成了以下的光学薄膜20。

[0073] 表1表示实施例1的光学薄膜20的膜构成。此外，表2表示实施例1的光学薄膜20的膜形成条件。

[0074] 【表1】

[0075]

[0076] 【表2】

[0077]

[0078] 光学元件基材10使用了作为玻璃模具透镜用硝种的M-TAFD305(HOYA株式会社制)。而且，在该光学元件基材10的光学面5上形成了单层结构的光学薄膜20。光学薄膜20是物理膜厚92.91nm的Al2O3层21。

[0079] Al2O3层21以通过90eV的离子能量堆积膜构成颗粒的方式，按照以下的成膜条件进行了成膜处理。即，在成膜Al2O3层21的成膜工序中，使用热电子激励型离子枪作为离子枪，设施加于阳极的电压和电流分别为阳极电压：90V、阳极电流：15A。此外，设施加于灯丝的电压和电流分别为灯丝电压：55V、灯丝电流：90A。此外，使用氧(O2)与氩(Ar)的混合气体作为成膜处理室内的导入气体，设O2的气体流量为35SCCM、Ar的气体流量为5SCCM。此外，设作为成膜处理对象物的光学元件基材10的温度为250℃。此外，设Al2O3的蒸发速度(成膜速率)为0.10nm/sec。

[0080] 对通过以上的成膜条件形成的光学薄膜20(由氧化铝层21构成的单层膜)测定了光的波长与光的反射率的关系，可得到图2所示的结果。

[0081] 图2是在二维坐标平面上绘制实施例1的光学薄膜20(氧化铝层21)的光的波长与光的反射率的关系的说明图。在图2中，针对氧化铝层21，关于常温时和加热至作为能够去除水分的规定温度的一例的150℃时的情况，分别在二维坐标平面上绘制光的波长与光的反射率的关系，其中横轴为光的波长(单位：nm)，纵轴为光的反射率(单位：％)。

[0082] 需要说明的是，图2中，对于以本第1实施方式中说明的条件进行IAD得到的氧化铝层21，示出了光的波长与反射率的关系的一个具体例。此外，在图2的局部放大图中，反射率R1和R2分别表示规定的同一波长的常温时的反射率和加热时的反射率。

[0083] 此外，在表3的左侧5列分别表示图2的波长400nm、500nm、600nm、700nm的、(A)常温时的反射率R1、(B)加热时的反射率R2、偏移量ΔR(以绝对值表示常温时的反射率R1与加热时的反射率R2之差)。此外，在表3的右侧2列分别表示图2的波长400nm～700nm的最大偏移量ΔRmax和最小偏移量ΔRmin以及ΔRmax和ΔRmin时的波长。

[0084] 【表3】

[0085]

[0086] 根据图2、表3所示的内容可知，氧化铝层21的关于光的波长与反射率的关系在二维坐标平面上的绘制位置在常温时和加热时几乎没有发生变化。即，可知各个绘制位置接近为几乎重合，在常温时和加热时反射率的变化极小。

[0087] 图2的常温时和加热时的反射率的偏移(变化)量ΔR具体如下所述。

[0088] 在作为可见区域的400nm以上700nm以下的波段中，反射率的偏移(变化)量ΔR在波长为415nm时为最大。而且，常温时的反射率R1为6.893％，相对于此，加热时的反射率R2为6.951％，它们的差(常温时和加热时的反射率的偏移量ΔR)为0.058％。此外，偏移量ΔR为最小的情况是波长为433nm、665nm和666nm时，偏移量ΔR为0.014％。在这种波段中，关于其他的波长，偏移量ΔR属于最小值0.014％～最大值0.058％的范围内。即，在400nm以上700nm以下的波段中，偏移量ΔR为0.058以下，被抑制得极小。

[0089] 如上，偏移量ΔR为极小的是由于氧化铝层21具有均匀且紧密的膜质。

[0090] 根据图2、表3所示的测定结果，至少在作为可见区域的400nm以上700nm以下的波长区域中，氧化铝层21为均匀且紧密的膜质，未产生颜色不均。此外，如果是实施例1的光学薄膜20，则能够在可见区域充分发挥防反射功能。需要说明的是，在实施例1中形成的光学薄膜20是由氧化铝层构成的单层膜，更优选使偏移量ΔR为0.10％以下。

[0091] (比较例1)

[0092] 图3是关于作为与本发明的实施例1的比较对象的比较例1的说明图。此外，图3为了与图2所示的内容进行比较，关于通过真空沉积对构成于光学元件基材10的光学面
5上的氧化铝层进行成膜的情况，示出了光的波长与反射率的关系的一个具体例。

[0093] 对于光学元件基材10，使用了作为玻璃模具透镜用硝种的M-BACD12(HOYA株式会社制)。而且，在该光学元件基材10的光学面5上形成了由单层膜构成的光学薄膜。

[0094] 具体而言，在比较例1中，形成了以下的光学薄膜。

[0095] 表4表示比较例1的光学薄膜的膜构成。此外，表5表示比较例1的光学薄膜的膜形成条件。

[0096] 【表4】

[0097]

[0098] 【表5】

[0099]

[0100] 光学薄膜是通过真空沉积成膜的物理膜厚为84.41nm的Al2O3层。此外，Al2O3层以沉积Al2O3的方式，按照表5所示的成膜条件进行了成膜处理。即，在Al2O3层的成膜工序中，使用氧(O2)气作为成膜处理室内的导入气体，设O2的气体流量为15SCCM。此外，设作为成膜处理对象物的光学元件基材10的温度为250℃。此外，设Al2O3的蒸发速度(成膜速率)为0.80nm/sec。

[0101] 对于按照以上的成膜条件形成的光学薄膜(由氧化铝层构成的单层膜)测定了光的波长与光的反射率的关系，得到了图3所示的结果。

[0102] 可知图3所示的光的波长与反射率的关系中，在二维坐标平面上的绘制位置在常温时和加热时有很大不同。图3的常温时和加热时的反射率的偏移(变化)量具体如表6和以下内容所述。需要说明的是，表6中，在表6的左侧表示图3的波长400nm、500nm、
600nm、700nm的、(A)常温时的反射率R1(未图示)、和(B)加热时的反射率R2(未图示)、偏移量ΔR(以绝对值表示常温时的反射率与加热时的反射率之差)。此外，在表6的最右侧的列表示图3的波长400nm～700nm的最大偏移量Δrmax和Δrmax时的波长。

[0103] 【表6】

[0104]

[0105] 在作为可见区域的400nm以上700nm以下的波段中，反射率的偏移量ΔR在波长为489nm和502nm时最大。在波长为489nm时，常温时的反射率为7.293％，与此相对，加热时的反射率为6.786％，它们的差(常温时和加热时的反射率的偏移量ΔR)为0.507％。此外，在波长为502nm时，常温时的反射率为7.349％，与此相对，加热时的反射率为6.842％，它们的差(常温时和加热时的反射率的偏移量ΔR)为0.507％。

[0106] 即，在400nm以上700nm以下的波段中，常温时和加热时的反射率的偏移量ΔR的最大值超过0.50％。

[0107] 如上，基于真空沉积的氧化铝层的情况下，偏移量ΔR较大的原因可认为是，所形成的氧化铝层是多孔质，在常温时(即用于去除水分处理之前)吸入水分等，而在其加热时所吸入的水分等被去除。换言之，由于偏移量ΔR的最大值超过0.50％，因而这种氧化铝层并非均匀且紧密的膜质。

[0108] 综合考察如上所示的图2、3的内容可知，如果400nm以上700nm以下的波长区域的常温时和加热时的反射率的偏移量ΔR的最大值为0.50％以下(优选为0.30％以下、更优选为0.10％以下)，则氧化铝层21为均匀且紧密的膜质。

[0109] 【第2实施方式】

[0110] 接着，说明第2实施方式。在第2实施方式中，如上所述，构成于光学元件基材10的光学面5上的光学薄膜20由多层膜构成。第1实施方式和第2实施方式包含较多共通部分。因此，在以下的第2实施方式的说明中，重点说明与第1实施方式不同的部分。

[0111] ＜1.光学元件的整体构成＞

[0112] 光学元件的整体构成与第1实施方式相同。

[0113] ＜2.光学薄膜的构成＞

[0114] 接着，说明形成于图4所示的光学元件1的光学元件基材10的光学面5上的光学薄膜20(多层膜)的构成。图4是示出了光学元件的构成例的要部截面图，该光学元件的构成例为应用本发明的第2实施方式的光学元件1的例子。图4所示的光学薄膜20具有防反射膜功能，光学元件基材10是光学玻璃透镜。此外，光学薄膜20为了获得防反射功能而由从光学元件基材10的光学面5侧起按顺序形成的第1层至第8层的8层结构构成。另外，光学薄膜20也可以通过8层以外的m层(m为2以上的整数)构成。

[0115] (第1层)

[0116] 第1层的构成与第1实施方式相同。

[0117] (第2层～第7层)

[0118] 第1层至第8层的多层膜中，从重叠形成于作为第1层的氧化铝层21上的第2层至第7层为交替层叠低折射率材料层和高折射率材料层的重复结构部。更具体而言，第2层、第4层和第6层为低折射率材料层22、24和26。此外，第3层、第5层和第7层为高折射率材料层23、25和27。作为低折射率材料层22、24和26的形成材料，例如可使用折射率n为1.45～1.50的氧化硅。此外，作为高折射率材料层23、25和27的形成材料，例如可使用折射率n为2.00～2.35的氧化钽。

[0119] 另外，这里举出的重复结构部的层结构仅为一个具体例。例如，关于构成重复结构部的层数，也可以并非上述低折射率材料层和高折射率材料层分别为3层而共计6层，而是分别为4层而共计8层等的其他的层结构。此外，例如，关于低折射率材料层22、24和26的形成材料，除了上述氧化硅以外，还可以使用氧化铝、氟化镁、氟化铝、氟化钇、氟化钕等。进而，例如，关于高折射率材料层23、25和27的形成材料，除了上述氧化钽之外，还可以使用氧化钛、氧化铌、氧化锆、氧化钯、氧化锌等。此外，第2层至第8层的各层还可以使用将以上材料按照适量比例混合而成的混合材料。

[0120] (第8层)

[0121] 第1层至第8层的多层膜中，位于外表面侧的第8层是通过氟化镁形成的层28。需要说明的是，第8层只要能够发挥作为保护膜的功能即可，例如可以由氧化硅、氟化铝、氟化钇、氟化钕等其他的低折射率材料形成。

[0122] ＜3.成膜步骤＞

[0123] 接着，说明上述构成的光学薄膜20的成膜步骤。

[0124] 光学薄膜20在光学元件1的光学元件基材10的光学面5上按顺序成膜第1层至第8层。

[0125] (第1层成膜工序)

[0126] 第1层成膜工序与第1实施方式相同，因而省略说明。

[0127] (第2层成膜工序～第8层成膜工序)

[0128] 在第1层成膜工序成膜氧化铝层21之后，接着，按顺序经过成膜第2层的第2层成膜工序、成膜第3层的第3层成膜工序、成膜第4层的第4层成膜工序、成膜第5层的第5层成膜工序、成膜第6层的第6层成膜工序、成膜第7层的第7层成膜工序和成膜第8层的第8层成膜工序。

[0129] 在第2层成膜工序～第8层成膜工序中，与上述第1实施方式的成膜工序的情况同样地，能够通过IAD成膜第2层～第8层。其中，第2层成膜工序～第8层成膜工序未必一定通过IAD进行，例如可以通过真空沉积进行成膜。

[0130] 需要说明的是，关于第2层成膜工序～第8层成膜工序的详细情况，使用公知技术实施即可，在此省略其说明。此外，在第2层成膜工序～第m层成膜工序中使用IAD的情况下，可以通过上述成膜条件和以下具体所示的条件进行成膜。

[0131] 按顺序经过以上的第1层成膜工序～第8层成膜工序，从而成膜涂布在光学元件1的光学元件基材10的光学面5上的光学薄膜20。

[0132] 接着，列举实施例，具体说明本发明的第2实施方式。其中，本发明当然不限于以下的实施例。

[0133] 图5、图7～图9是关于本发明的实施例2～实施例5的说明图。此外，图6是关于比较例2的说明图。

[0134] 此外，构成各层的氧化物膜为期望的膜质即可，对其组成不做特别限定。关于氧化铝膜的组成，包含作为化学计量组成的氧化铝(Al2O3)的组成较为稳定，因而在以下的说明中描述为Al2O3层，然而并不限于Al2O3，在将组成作为AlxOy的情况下，例如，可以存在y/x＝1～2左右的组成。这对于以下说明的氧化硅膜、氧化钽膜等的各种氧化物膜而言也是相同的。

[0135] (实施例2)

[0136] 具体地，在实施例2中，形成表7所示的光学薄膜20。

[0137] 表7表示实施例2的光学薄膜20的膜构成。此外，表8表示实施例2的光学薄膜20的膜形成条件。

[0138] 【表7】

[0139]

[0140] 【表8】

[0141]

[0142] 在实施例2中，光学元件基材10使用作为玻璃模具透镜用硝种的M-LAC130(HOYA株式会社制)。而且，在该光学元件基材10的光学面5上形成8层结构的光学薄膜20。即，光学薄膜20的第1层是通过IAD成膜的物理膜厚10.00nm的Al2O3层21。

[0143] 第2层～第7层是按顺序层叠了物理膜厚4.20nm的SiO2层22、物理膜厚28.44nm的Ta2O5层23、物理膜厚16.45nm的SiO2层24、物理膜厚74.71nm的Ta2O5层25、物理膜厚15.04nm的SiO2层26、物理膜厚30.86nm的Ta2O5层27构成的重复结构部。构成该重复结构部的第2层～第7层也通过IAD成膜。

[0144] 作为光学薄膜20的最表面层的第8层是通过沉积制膜而成的物理膜厚97.74nm的MgF2层28。

[0145] 如上，光学薄膜20是层叠多个成膜材料形成的多层膜21～28，多层膜21～28包括由氧化硅形成的氧化硅层22、24、26和由氧化钽形成的氧化钽层23、25、27。

[0146] 在这些多层膜中，Al2O3层21通过以90eV的离子能量堆积膜构成颗粒的方式，按照以下的成膜条件进行了成膜处理。即，在成膜Al2O3层21的第1层成膜工序中，使用热电子激励型离子枪作为离子枪，设施加于阳极的电压和电流分别为阳极电压：90V、阳极电流：18A。此外，设施加于灯丝的电压和电流分别为灯丝电压：55V、灯丝电流：90A。进而，使用O2和Ar的混合气体作为成膜处理室内的导入气体，设O2的气体流量为40SCCM、Ar的气体流量为10SCCM。此外，设作为成膜处理对象物的光学元件基材10的温度为250℃。此外，设Al2O3的蒸发速度(成膜速率)为0.10nm/sec。并且，SiO2的蒸发速度(成膜速率)为
0.30nm/sec、Ta2O5的蒸发速度(成膜速率)为0.50nm/sec、MgF2的蒸发速度(成膜速率)为0.80nm/sec。

[0147] 对通过以上的成膜条件成膜的光学薄膜20测定光的波长与光的反射率的关系，可获得图5所示的结果。

[0148] 图5是在二维坐标平面上绘制本发明的实施例2的光学薄膜的光的波长与光的反射率的关系的一个具体例的说明图。需要说明的是，在图5的局部放大图中，反射率R1和R2分别表示规定的同一波长的常温时的反射率R1和加热时的反射率R2。此外，在以下的说明中，将常温时的反射率R1和加热时的反射率R2的差的绝对值描述为偏移量ΔR。

[0149] 此外，在表9的左侧5列表示图5的波长400nm、500nm、600nm、700nm的、(A)常温时的反射率R1、(B)加热时的反射率R2、和偏移量ΔR(以绝对值表示常温时的反射率R1和加热时的反射率R2之差)。此外，在表9的右侧2列分别表示图5的波长400nm～700nm的最大偏移量ΔRmax和最小偏移量ΔRmin、以及ΔRmax和ΔRmin时的波长。

[0150] 【表9】

[0151]

[0152] 如图5、表9所示内容可知，氧化铝层21的关于光的波长与反射率的关系的在二维坐标平面上的绘制位置在常温时和加热时几乎没有发生变化。即，各个绘制位置以几乎重合的方式接近，常温时和加热时的反射率R1、R2的偏移量ΔR极小。此外，可知在波长400nm以上700nm以下的波段中，反射率为0.50％以下，具有防反射功能。

[0153] 图5的常温时和加热时的反射率的偏移量具体如下所述。着眼于作为可见区域的400nm以上700nm以下的波段时，反射率的偏移量在波长为400nm时最大。而且，常温时的反射率R1为0.222％，与此相对，加热时的反射率R2为0.278％，它们的差(常温时和加热时的反射率的偏移量ΔR)为0.056％。此外，偏移量ΔR最小的情况是波长为670nm和
680nm时，常温时和加热时的反射率的差为0％。在400nm以上700nm以下的波段中，对于其他的波长而言，常温时和加热时的反射率的差属于最小值0％～最大值0.056％的范围内。即，在400nm以上700nm以下的波段中，常温时和加热时的反射率R1、R2的偏移量ΔR为0.30％以下，可以说氧化铝层21为均匀且紧密的膜质。在实施例2的光学薄膜20中，未产生颜色不均。此外，可认为在可见区域中能够充分发挥防反射功能。

[0154] (比较例2)

[0155] 具体地，在比较例2中，形成了具有防反射功能的如下光学薄膜。

[0156] 表10表示比较例2的光学薄膜的膜构成。此外，表11表示比较例2的光学薄膜的膜形成条件。

[0157] 【表10】

[0158]

[0159] 【表11】

[0160]

[0161] 其中，为了与上述实施例2进行比较，说明比较例2。图6是关于作为与本发明的实施例2的比较对象的比较例2的说明图。在比较例2中，使用真空沉积法，形成了以下的光学薄膜。

[0162] 光学元件1的光学元件基材10使用作为玻璃模具透镜用硝种的M-BACD12(HOYA株式会社制)。而且，在该光学元件基材10的光学面5上形成具有防反射功能的4层结构的光学薄膜。

[0163] 即，光学薄膜的第1层～第4层是按顺序层叠物理膜厚59.66nm的Al2O3层、物理膜厚91.84nm的Al2O3层、物理膜厚115.58nm的ZrO2+TiO2层、物理膜厚89.43nm的MgF2层构成的重复结构部。构成该重复结构部的第1层～第4层按照以下的条件成膜。

[0164] 作为成膜处理室内的导入气体的O2的气体流量，在第1层的Al2O3层和第3层的ZrO2+TiO2层时为15SCCM，在第2层的Al2O3层时为13SCCM。此外，设作为成膜处理对象物的光学元件基材10的温度为250℃。此外，Al2O3、ZrO2+TiO2、MgF2的蒸发速度(成膜速率)分别为0.80nm/sec。

[0165] 图6表示对按照以上的条件成膜的光学薄膜测定光的波长与光的反射率的关系的结果。此外，表12中，在表12的左侧5列表示图6的波长400nm、500nm、600nm、700nm的、(A)常温时的反射率R1(图6中未图示)、(B)加热时的反射率R2(图6中未图示)、和偏移量ΔR(以绝对值表示常温时的反射率R1和加热时的反射率R2的差)。此外，在表12的最右列表示图6的波长400nm～700nm的最大偏移量ΔRmax和ΔRmax时的波长。

[0166] 【表12】

[0167]

[0168] 可知，对于图6和表12所示的光的波长与反射率的关系，在二维坐标平面上的绘制位置在常温时和加热时有很大不同。图6的常温时和加热时的反射率的偏移量ΔR具体如下所述。在作为可见区域的400nm以上700nm以下的波段中，反射率的偏移量ΔR在波长为400nm时最大。波长为400nm时，常温时的反射率R1为0.350％，与此相对，加热时的反射率R2为0％，它们的差(偏移量ΔR)为0.350％。即，在400nm以上700nm以下的波段中，偏移量ΔR的最大值为超过0.30％的较大数值，并非均匀且紧密的膜质。在比较例2的光学薄膜20可发现颜色不均的产生，无法说在可见区域中充分可发挥防反射功能。

[0169] (实施例3～实施例5)

[0170] 接着，说明实施例3～实施例5。在实施例3～实施例5中，对于在实施例2中已经说明的内容，省略说明，描述与实施例2不同的内容。

[0171] 在实施例3～实施例5中，首先描述共通的说明。在实施例3～实施例5中，虽然没有示出如实施例1和2的加热处理的结果，然而发明人等认为在以下所示的实施例中未产生颜色不均，因而能够应用本发明。

[0172] 在实施例3～实施例5中，光学元件基材10使用了M-LAC130(HOYA株式会社制)。此外，表13、15、17表示各实施例的光学薄膜20的膜构成。此外，表14、16、18表示各实施例的光学薄膜20的膜形成条件。图7～图9是在二维坐标平面上绘制各实施例的光学薄膜的光的波长与光的反射率的关系的一个具体例的说明图。此外，与上述实施例同样，实施例3～实施例5的光学薄膜20具有防反射功能。需要说明的是，在各表中也省略对重复内容的说明。

[0173] (实施例3)

[0174] 在实施例3中，变更第1层的氧化铝层的物理膜厚d，除了第1层之外，还通过氧化铝层构成第3层和第5层。此外，作为膜构成材料，不使用SiO2，而通过Ta2O5构成第2、4、6层。

[0175] 【表13】

[0176]

[0177] 【表14】

[0178]

[0179] 对按照以上的成膜条件成膜得到的光学薄膜20测定光的波长与光的反射率的关系，可得到图7所示的结果。根据图7所示的测定结果，可知至少在作为可见区域的400nm以上700nm以下的波长区域中能够将反射率抑制得较低。此外，在实施例3的光学薄膜20中未确认到颜色不均。

[0180] 此外，根据该结果，可知氧化铝层21不仅可形成为第1层，还可以形成为第3层和第5层，可以变更物理膜厚d。

[0181] (实施例4)

[0182] 在实施例4中，通过使用RF激励型电子枪的IAD成膜第1层的氧化铝层。此外，将光学薄膜20的层数从8层变更为10层。

[0183] 【表15】

[0184]

[0185] 【表16】

[0186]

[0187] 对按照以上的成膜条件成膜得到的光学薄膜20测定光的波长与光的反射率的关系，可得到图8所示的结果。根据图示例所示的测定结果，可知至少在作为可见区域的400nm以上700nm以下的波长区域中将反射率抑制得较低。此外，在实施例4的光学薄膜
20中未确认到颜色不均。

[0188] 此外，根据该结果可知，对于氧化铝层21，若为通过10eV以上的离子能量堆积膜构成颗粒的成膜处理，则可以使用高频放电激励型电子枪。此外，确认到光学薄膜20的层数不限于8层，可以为多层。

[0189] (实施例5)

[0190] 在实施例5中，将第1层的氧化铝层21的物理膜厚d形成得较厚、并且将光学薄膜20的层数从8层变更为10层。

[0191] 【表17】

[0192]

[0193] 【表18】

[0194]

[0195] 对按照以上的成膜条件成膜得到的光学薄膜20测定光的波长与光的反射率的关系，可得到图9所示的结果。根据图示例所示的测定结果，可知至少在作为可见区域的400nm以上700nm以下的波长区域中将反射率抑制得较低。此外，在实施例5的光学薄膜
20中未确认到颜色不均。

[0196] 此外，根据该结果可知，可以增大氧化铝层21的物理膜厚d。

[0197] (小结)

[0198] 考察以上列举的实施例1～5以及比较例1和2的结果，若采用实施例1～5的包含Al2O3层21的光学薄膜20，则Al2O3层21为均匀且紧密的膜质，因而在涂布光学元件基材10的光学面5的情况下，不会产生颜色不均，能够实现良好的防反射功能。

[0199] ＜4.第1实施方式和2的效果＞

[0200] 根据在第1和第2实施方式中说明的光学薄膜20，可获得以下所述的效果。

[0201] 根据第1和第2实施方式，通过以10eV以上的离子能量堆积膜构成颗粒的成膜处理即IAD形成氧化铝层21，该氧化铝层21具有均匀的膜质。即，氧化铝层21具有如下的膜结构，即在400nm以上700nm以下的波长区域的同一波长中，常温时的第1反射率R1和加热时的第2反射率R2的偏移量ΔR为0.30％以下。

[0202] 因此，第1和第2实施方式的氧化铝层21具有几乎不存在吸入水分等的余地的均匀且紧密的膜质，因而能够有效防止作为颜色不均的产生要因的水分等的吸入。因此，在以接触光学元件基材10的光学面5的方式定位氧化铝层21的情况或将氧化铝层21形成为第2层～第m层的情况下，不会产生可能招致光学元件1的成品率降低等的要因的颜色不均。因此，能够纠正颜色不均所导致的光学面5的面内的光学特性(例如折射率n或透光率)的不均匀程度。即，根据本实施方式，即使为包含氧化铝层21的光学薄膜，也能够获得不会产生颜色不均的光学薄膜20。

[0203] 此外，根据第1和第2实施方式，通过使用IAD的形成而使得氧化铝层21具有“均匀且紧密的膜质”，因此关于该氧化铝层21的折射率n，能够实现1.64以上1.70以下的较高的折射率。即，这种较高的折射率是由于氧化铝层21为具有均匀的膜质的膜结构而得到的。因此，通过实现这种较高折射率的氧化铝层21，也能够避免可能成为招致光学元件1的成品率降低等的要因的颜色不均的产生。

[0204] ＜5.变形例＞

[0205] 以上说明了第1和第2实施方式，然而上述公开的内容表示本发明的例示的实施方式。即，本发明的技术范围不限于上述例示的实施方式。

[0206] 在上述的实施方式中，在氧化铝层21的形成时，作为以10eV以上的离子能量堆积膜构成颗粒的成膜处理，举例说明了进行IAD的情况。然而，用于形成氧化铝层21的成膜处理只要是以10eV以上的离子能量堆积膜构成颗粒的处理即可，例如可以是基于溅射那样的IAD以外的手法的成膜处理。

[0207] 此外，在上述第2实施方式中，对于构成光学薄膜20的第2层～第m层的各层，举例说明了使用IAD形成的情况。然而，用于形成各层的成膜处理只要至少是对氧化铝层以10eV以上的离子能量堆积膜构成颗粒的成膜处理即可，对于其他层不做特别限定。

[0208] 此外，在上述第2实施方式中，作为光学薄膜20的成膜步骤，举例说明了按顺序成膜第1层至第8层或第10层的情况。然而，光学薄膜20可以不通过在上述实施方式中说明的成膜步骤形成，而是独立于光学元件1的光学元件基材10形成。这种情况下，独立于光学元件基材10形成的光学薄膜20贴附于光学元件基材10的光学面5上，从而涂布光学面5。

[0209] 此外，在上述第1和第2实施方式中，举例说明了光学元件为光学玻璃透镜，通过防反射膜涂布该光学玻璃透镜的透镜基材的光学面5的情况。然而，光学玻璃透镜以外的例如球面玻璃透镜、非球面玻璃透镜、光学滤色镜、衍射光栅等光学元件也能与上述实施方式同样地应用本发明。

[0210] 此外，在上述第1和第2实施方式中，作为中心波段，举出可见光的波段作为一例，将波长区域以400nm以上700nm以下(中心波长λ0为550nm)进行了说明，然而不限于此。例如，中心波段可以设定为200nm以上2000nm以下的范围内，作为可见光区域，可以设定为
380nm以上780nm以下的范围，可以优选设定为400nm以上700nm以下的范围。此外，中心波段还可以设定为200nm以上380nm以下的范围(紫外区域)。此外，中心波段还可以设定为780nm以上2000nm以下的范围(红外区域)。需要说明的是，可以在设定的波段的范围内适当设定中心波长λ0，在设中心波段为400nm以上700nm以下的范围的情况下，优选将中心波长λ0设定为550nm。

[0211] 此外，使用上述式(1)，表示实施例1的光学薄膜系数x的计算例。

[0212] (实施例1的计算例)

[0213] 通过式(1)和表1，计算实施例1的光学薄膜系数x的计算例。

[0214] 1.将波段设定为400nm以上700nm以下，将设定的波段的中心波长λ0设为550nm。

[0215] 2.接着，规定折射率n和物理膜厚d。在实施例1中，n＝1.6745、d＝92.91。

[0216] 3.将在上述1、2中规定的数值代入上述式(1)，获得光学薄膜系数x的值(x＝1.131)。

[0217] 此外，在上述的第1和第2实施方式中，举例说明了光学薄膜20，然而不限于此。本申请发明还能应用于IR滤光片、UV滤光片等的光学薄膜。

[0218] 此外，在上述第1实施方式中，举例说明了偏移量ΔR为0.50％以下的情况，然而不限于此。偏移量ΔR也可以为0.30％以下，此外，可以优选为0.20％以下。进而可以更优选使偏移量ΔR为0.10％以下，还可以使其为0.070％以下。

[0219] 此外，在上述第2实施方式中，举例说明了偏移量ΔR为0.30％以下的情况，然而不限于此。偏移量ΔR可以为0.20％以下，此外，可以优选为0.15％以下。进而，更优选使偏移量ΔR为0.10％以下，还可以使其为0.070％以下。

[0220] 此外，通过上述实施例1的成膜条件，在平板状的玻璃基板10上以物理膜厚为89nm的方式成膜了氧化铝层21，使用以下的条件、装置测定了该氧化铝层21的膜密度。

[0221] 膜密度是通过高分解能卢瑟福背散射分析法、使用高分解能RBS(Rutherford Backscattering Spectrometry：卢瑟福背散射光谱法)分析装置(株式会社神戸制钢所社制)测定的。

[0222] 测定如上得到的氧化铝层21的膜密度的结果为，膜密度是2.93g/cm3。

[0223] 此外，在上述的实施例2～5中，说明了将氧化铝层设置为第1层上的例子，然而不限于此。氧化铝层能够配置为第2层～第m层中的任一层。

[0224] 此外，在上述的实施例3中，说明了将氧化铝层设置为第1、3、5层这3层的例子，然而不限于此。氧化铝层也可以设置为第2、4层这2层，还可以设置4层以上。此外，氧化铝层例如可以按照第2、3层连续的方式设置。

[0225] 最后，使用附图等概括本发明的第1和第2实施方式。

[0226] 如图1和图4所示，本发明的实施方式的光学元件1具有光学薄膜20。光学薄膜20具有氧化铝层21，该氧化铝层21以氧化铝作为主要成分、且具有根据光学膜厚nd和中心波长λ0规定的0.010以上2.00以下的范围的光学薄膜系数，在中心波段的同一波长中，常温时的第1反射率R1和加热时的第2反射率R2的偏移量ΔR为0.50％以下。

[0227] 此外，优选的是，光学膜厚是根据折射率n和物理膜厚d规定的，折射率n为1.64～1.70的范围内。

[0228] 此外，更优选的是，物理膜厚d为8.0nm以上500.0nm以下的范围内。

[0229] 此外，更优选的是，光学薄膜20是由氧化铝层21构成的单层膜，偏移量ΔR为0.10％以下。

[0230] 此外，更优选的是，光学薄膜20是层叠2个以上成膜材料形成的多层膜21～28，多层膜(21～28)包含由氧化硅形成的氧化硅层(22、24、26)和由氧化钽形成的氧化钽层(23、25、27)。

[0231] 此外，关于其他观点可如下加以理解。如图4所示，本发明的实施方式的光学薄膜20具有由多层膜(21～28)层叠构成的多层结构，配置于光学元件1的元件基材10的光学面5上使用，多层膜(21～28)中的接触光学面5的一侧的第1层21是通过以10eV以上的离子能量堆积膜构成颗粒的成膜处理而形成的氧化铝层21，氧化铝层21具有如下的膜结构，其关于光的波长与光的反射率的关系，在加热至能够去除水分的规定温度的加热处理的前后，在400nm以上700nm以下的波长区域的光的反射率的变化的最大值为0.50％以下。

[0232] 此外，优选的是，氧化铝层21的折射率n为1.64以上1.70以下。

[0233] 此外，更优选的是，多层膜(21～28)除了具有氧化铝层21之外，还具有由低折射率材料层(22、24和26)和高折射率材料层(23、25和27)交替层叠的重复结构部。

[0234] 此外，关于其他观点可如下加以理解。如图4所示，本发明的实施方式的光学元件1中，通过光学薄膜20涂布元件基材10的光学面5，光学薄膜20具有由多层膜(21～28)层叠构成的多层结构，并且多层膜(21～28)中的接触光学面5的一侧的第1层21是通过以10eV以上的离子能量堆积膜构成颗粒的成膜处理形成的氧化铝层21，氧化铝层21具有如下的膜结构，其关于光的波长与光的反射率的关系，在加热至能够去除水分的规定温度的加热处理的前后，在400nm以上700nm以下的波长区域的光的反射率的变化的最大值为
0.50％以下。

[0235] 此外，优选光学元件1由光学玻璃透镜构成。

[0236] 此外，关于其他观点可如下加以理解。如图4所示，本发明的实施方式的光学薄膜20的制造方法为下述光学薄膜20的制造方法，该光学薄膜20具有由多层膜(21～27)层叠构成的多层结构、且配置于光学元件1的元件基材10的光学面5上使用，该制造方法具有第1层成膜工序，作为多层膜(21～27)中的接触光学面5的一侧的第1层21，通过以
10eV以上的离子能量堆积膜构成颗粒的成膜处理形成氧化铝层21，在第1层成膜工序中形成的氧化铝层21具有如下的膜结构，其关于光的波长与光的反射率的关系，在加热至能够去除水分的规定温度的加热处理的前后，在400nm以上700nm以下的波长区域的光的反射率的变化的最大值为0.50％以下。

[0237] 此外，关于其他观点可如下加以理解。如图4所示，本发明的实施方式的光学元件1的制造方法为利用光学薄膜20对元件基材10的光学面5进行涂布而得到的光学元件1的制造方法，其制造方法具有光学薄膜成膜工序，其中，将具有由多层膜(21～28)层叠构成的多层结构的光学薄膜20形成于光学面5上；光学薄膜成膜工序包括第1层成膜工序，其中，通过以10eV以上的离子能量堆积膜构成颗粒的成膜处理形成氧化铝层21，将其作为多层膜(21～28)中的接触光学面5的一侧的第1层21；在第1层成膜工序中形成的氧化铝层21具有如下的膜结构，其关于光的波长与光的反射率的关系，在加热至能够去除水分的规定温度的加热处理的前后，在400nm以上700nm以下的波长区域的所述光的反射率的变化的最大值为0.50％以下。

[0238] 本说明书所公开的实施方式的所有内容仅为示例而并非用以限制本发明。本发明的范围不限于上述说明而是通过权利要求书示出，其包含与权利要求书的范围等同的意义和范围内的所有变更。

[0239] 符号说明

[0240] 1…光学元件

[0241] 5…光学面

[0242] 10…光学元件基材

[0243] 20…光学薄膜

[0244] 21…氧化铝层

[0245] 22、24、26…低折射率材料层

[0246] 23、25、27…高折射率材料层

[0247] n…折射率

[0248] d…物理膜厚

[0249] x…光学薄膜系数

[0250] λ0…中心波长

[0251] R1…第1反射率

[0252] R2…第2反射率

[0253] ΔR…偏移量。