一种显示面板及其制作方法、显示装置

摘要

本发明实施例提供一种显示面板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，能够解决由于摩擦辊摩擦面的平坦度低，导致制备的取向槽深浅不一的缺陷。其中，显示面板，包括显示区域和非显示区域，在非显示区域中设置有复位区，复位区设置的薄膜层的厚度小于复位区的相邻区域设置的薄膜层的厚度；复位区与相邻区域交界处薄膜层的段差高度一致；在沿垂直于显示面板的摩擦方向上，复位区的尺寸大于等于显示区域的尺寸。

权利要求

1.一种显示面板，包括显示区域和非显示区域，其特征在于，所述显示面板为阵列基板，在所述非显示区域中设置有复位区，所述复位区设置的薄膜层的厚度小于所述复位区的相邻区域设置的薄膜层的厚度；所述复位区与所述相邻区域交界处薄膜层的段差高度一致；

其中，在沿垂直于所述显示面板的摩擦方向上，所述复位区的尺寸大于等于所述显示区域的尺寸；

绑定位置设置于所述复位区内，所述复位区内设置有保护层，所述保护层覆盖所述绑定位置以外的区域，所述保护层用于对所述绑定位置以外的区域的引线进行保护。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述绑定位置处的引线与所述显示区域的栅线同层同材料，所述保护层包括栅极绝缘层。

3.根据权利要求1-2任一项所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板的源漏金属层表面设置有有机薄膜层，所述有机薄膜层覆盖除了所述复位区以外的区域。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述复位区与位于所述阵列基板表面的封框胶的位置相对应。

5.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-4任一项所述的显示面板。

6.一种显示面板的制作方法，其特征在于，所述显示面板为阵列基板，所述制作方法包括：在衬底基板上形成显示区域；

在所述衬底基板上形成非显示区域；

在所述非显示区域中形成复位区，所述复位区设置的薄膜层的厚度小于所述复位区的相邻区域设置的薄膜层的厚度；所述复位区与所述相邻区域交界处薄膜层的段差高度一致；

其中，在沿垂直于所述显示面板的摩擦方向上，所述复位区的尺寸大于等于所述显示区域的尺寸；

绑定位置设置于所述复位区内，在所述复位区中除了所述绑定位置以外的区域形成保护层，所述保护层用于对所述绑定位置以外的区域的引线进行保护。

7.根据权利要求6所述的显示面板的制作方法，所述绑定位置处的引线与所述显示区域的栅线同层同材料，所述方法包括：在所述引线的表面依次形成栅极绝缘层、半导体有源层、源漏金属层以及钝化层，并在所述钝化层的表面涂覆光刻胶；

通过一次掩膜曝光、显影工艺形成光刻胶完全去除区域、光刻胶部分保留区域以及光刻胶完全保留区域；其中，所述光刻胶完全去除区域对应所述绑定位置，所述光刻胶部分保留区域对应所述复位区中除了所述绑定位置以外的区域，所述光刻胶完全保留区域对应所述复位区以外的区域；

刻蚀对应所述光刻胶完全去除区域的所述钝化层、所述源漏金属层、所述半导体有源层以及所述栅极绝缘层；

将所述光刻胶部分保留区域的光刻胶灰化掉，并刻蚀对应所述光刻胶部分保留区域的所述钝化层、所述源漏金属层以及所述半导体有源层；

将位于所述光刻胶完全保留区域的所述光刻胶剥离。

8.根据权利要求6-7任一项所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述源漏金属层与钝化层之间形成有有机薄膜层，形成所述复位区的方法包括：在所述钝化层的表面，通过一次掩膜曝光工艺，至少将对应所述复位区位置处的所述钝化层和所述有机薄膜层去除。

说明书

一种显示面板及其制作方法、显示装置

技术领域

[0001] 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置。

背景技术

[0002] TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管-液晶显示器)作为一种平板显示装置，因其具有体积小、功耗低、无辐射以及制作成本相对较低等特点，而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。

[0003] TFT-LCD由阵列基板和彩膜基板构成。在阵列基板和彩膜基板之间设置有液晶层，通过控制液晶分子的偏转，从而实现对光线强弱的控制，然后通过彩膜基板的滤光作用，实现彩色图像显示。为了使得对液晶的偏转分子进行有效的控制，需要通过在阵列基板和彩膜基板上分别设置取向层，并通过摩擦工艺在取向层的表面制备出方向一致的取向槽，以使得位于取向槽中的液晶分子沿一致方向排列。

[0004] 然而，现有技术中，由于基板在摩擦方向上存在段差，导致摩擦辊上摩擦布的表面产生不同的变形区域。然而，又由于不同变形区域的摩擦强度不一致，导致在取向工艺过程中，使得制备的取向槽深浅不一。进而在显示的过程中，会产生块状灰度不均的不良现象(摩擦Mura)。

[0005] 具体的例如，为了对显示面板图像显示进行控制，需要在显示面板的绑定位置绑定(Bonding)驱动IC(Integrated Circuit，集成电路)。通常在绑定过程中，需要在显示面板的绑定位置设置过孔，以使得位于绑定位置的引线与显示区域的栅线或数据线相连接，从而将驱动IC输出的控制信号输入至所述数据线和栅线。

[0006] 然而，由于过孔位置处的一些薄膜层被去除，所以所述过孔与其周边区域之间存在段差。从而降低了摩擦面的平坦度，在取向工艺过程中，使得制备的取向槽深浅不一，造成摩擦Mura的产生。大大降低了显示面板的显示效果，以及产品的质量。

发明内容

[0007] 本发明的实施例提供一种显示面板及其制作方法、显示装置，能够解决由于摩擦辊摩擦面的平坦度低，导致制备的取向槽深浅不一的缺陷。

[0008] 为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

[0009] 本发明实施例的一方面，提供一种显示面板，包括显示区域和非显示区域，在所述非显示区域中设置有复位区，所述复位区设置的薄膜层的厚度小于所述复位区的相邻区域设置的薄膜层的厚度；所述复位区与所述相邻区域交界处薄膜层的段差高度一致；

[0010] 其中，在沿垂直于所述显示面板的摩擦方向上，所述复位区的尺寸大于等于所述显示区域的尺寸。

[0011] 本发明实施例的另一方面，提供一种显示装置，包括如上所述的任意一种显示面板。

[0012] 本发明实施例的又一方面，提供一种显示面板的制作方法，包括：

[0013] 在衬底基板上形成显示区域；

[0014] 在所述衬底基板上形成非显示区域；

[0015] 在所述非显示区域中形成复位区，所述复位区设置的薄膜层的厚度小于所述复位区的相邻区域设置的薄膜层的厚度；所述复位区与所述相邻区域交界处薄膜层的段差高度一致；

[0016] 其中，在沿垂直于所述显示面板的摩擦方向上，所述复位区的尺寸大于等于所述显示区域的尺寸。

[0017] 本发明实施例提供一种显示面板及其制作方法、显示装置，其中所述显示面板可以包括显示区域和非显示区域，在非显示区域中设置有复位区。其中，一方面，复位区设置的薄膜层的厚度小于复位区的相邻区域设置的薄膜层的厚度。从而使得复位区表面的薄膜层与相邻区域表面的薄膜层之间具有段差。此外，复位区与相邻区域交界处薄膜层的段差高度一致，从而使得摩擦辊从非显示区域向显示区域滚动的过程中，与上述交界处的段差相接触，这样在摩擦过程中，摩擦辊的布毛在上述交界处的段差位置受力均匀，从而发生一致的形变。另一方面，由于在沿垂直于显示面板的摩擦方向上，复位区的尺寸大于等于显示区域的尺寸。使得摩擦辊上形变一致的布毛能够完全覆盖显示区域，从而提高了与显示区域相接处的摩擦面的平整度，使得形成于显示区域的取向层上的取向槽深浅一致。进而避免了由于取向槽深浅不一，而造成的块状灰度不均的不良现象。

附图说明

[0018] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

[0019] 图1a为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；

[0020] 图1b为本发明实施例提供的一种设置有复位区的显示面板的结构示意图；

[0021] 图2a为本发明实施例提供的另一种设置有复位区的显示面板的结构示意图；

[0022] 图2b为本发明实施例提供的又一种设置有复位区的显示面板的结构示意图；

[0023] 图2c为本发明实施例提供的一种显示面板的复位区结构的截面图；

[0024] 图3为本发明实施例提供的另一种显示面板的复位区结构的截面图；

[0025] 图4为本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法流程图；

[0026] 图5a-5d为发明实施例提供的一种显示面板各个制作过程中的结构示意图。

[0027] 附图说明：

[0028] 01-显示面板；衬底基板-02；10-显示区域；100-引线；101-保护层；102-栅极绝缘层；103-半导体有源层；104-源漏金属层；105-钝化层；106-有机薄膜层；20-非显示区域；201-复位区；30-摩擦辊；A-绑定位置；X-显示面板的摩擦方向；Y-垂直于显示面板的摩擦方向；300-光刻胶；301-光刻胶完全去除区域；302-光刻胶部分保留区域；303-光刻胶完全保留区域。

具体实施方式

[0029] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

[0030] 本发明实施例提供一种显示面板01，如图1a所示，可以包括显示区域10和非显示区域20。其中，如图1b所示，可以在非显示区域20中设置有复位区201，所述复位区201设置的薄膜层的厚度K小于复位区201的相邻区域设置的薄膜层的厚度K’。所述复位区201与相邻区域交界处(O-O’)薄膜层的段差高度一致。这样在摩擦辊滚动的过程中，摩擦辊的布毛在上述交界处(O-O’)的段差位置受力均匀，从而发生一致的形变。

[0031] 需要说明的是，复位区201设置的薄膜层可以是一层，也可以是多层。当复位区201设置的薄膜层为一层时，复位区201设置的薄膜层的厚度K，为所述一层薄膜层的表面到衬底基板02表面的距离，即所述一层薄膜层的厚度。当复位区201设置的薄膜层为多层时，复位区201设置的薄膜层的厚度K为所述多层薄膜层中最上层的薄膜层的表面到衬底基板02表面的距离，即所述多层薄膜层的总厚度。此外，相邻区域设置的薄膜层的厚度K’同理可得。

[0032] 此外，在方向Y上，复位区201的尺寸L大于等于显示区域的尺寸L’，其中，所述方向Y垂直于显示面板的摩擦方向X，使得摩擦辊30上形变一致的布毛能够完全覆盖显示区域，从而提高了与显示区域10相接处的摩擦面的平整度，使得形成于显示区域10的取向层上的取向槽深浅一致。

[0033] 本发明实施例提供一种显示面板，可以包括显示区域和非显示区域，在非显示区域中设置有复位区。其中，一方面，复位区设置的薄膜层的厚度小于复位区的相邻区域设置的薄膜层的厚度。从而使得复位区表面的薄膜层与相邻区域表面的薄膜层之间具有段差。此外，复位区与相邻区域交界处薄膜层的段差高度一致，从而使得摩擦辊从非显示区域向显示区域滚动的过程中，与上述交界处的段差相接触，这样在摩擦过程中，摩擦辊的布毛在上述交界处的段差位置受力均匀，从而发生一致的形变。另一方面，由于在沿垂直于显示面板的摩擦方向上，复位区的尺寸大于等于显示区域的尺寸。使得摩擦辊上形变一致的布毛能够完全覆盖显示区域，从而提高了与显示区域相接处的摩擦面的平整度，使得形成于显示区域的取向层上的取向槽深浅一致。进而避免了由于取向槽深浅不一，而造成的块状灰度不均的不良现象。

[0034] 需要说明的是，第一、上述显示面板01可以是阵列基板或者彩膜基板。由于摩擦取向工艺在切割工艺之前进行，因此如图1a所示，未切割的显示面板上包括多个间隔设置的显示区域10和非显示区域20。

[0035] 第二、上述复位区201的相邻区域，可以根据复位区201设置位置的不同而不同。例如，当复位区201距离显示区域10较远时，相邻区域还位于非显示区域。当复位区201紧邻显示区域10时，相邻区域可以是显示区域。

[0036] 接下来，以显示面板为阵列基板为例，通过具体的实施例对设置有复位区的阵列基板的结构进行详细的描述。

[0037] 实施例一

[0038] 阵列基板的显示区域10中包括多条有横纵交叉的栅线和数据线界定而成的像素单元，每个像素单元内设置有一个TFT。在显示过程中，栅极信号通过栅线将与该行栅线相连接的TFT打开。然后，数据信号通过数据线输入至TFT的源极，在经过TFT的漏极为像素单元中的像素电极充电，从而控制与该像素单元位置相对应的液晶分子进行旋转，以显示不同的灰阶。

[0039] 为了将上述驱动信号(栅极信号和数据信号)输入至显示区域10，一般在阵列基板的非显示区域20中需要设置绑定位置A，以将能够输出驱动信号的驱动IC绑定于显示面板上。

[0040] 具体的绑定过程可以是，在非显示区域20上设置有由金属材料制成的引线100。引线100的一端与显示区域20中的栅线或数据线相连接，另一端与位于绑定位置A的驱动IC相连接。需要说明的是，所述引线100可以采用栅极金属制成，与栅线同时形成，也可以采用源漏金属层制成，与数据线同时形成。

[0041] 当上述绑定位置A设置于复位区201内时，由于复位区201内的薄膜层厚度一致，因此复位区201中的薄膜层如图2a所示，需要和引线100的表面平齐，以使得引线100的表面能够露出，从而与驱动IC进行连接。

[0042] 然而这样一来，绑定工艺完成之后，绑定位置A以外的引线100会因为表面裸露，从而会受到外部环境的影响，例如氧化或污染。从而造成驱动电路的短路或短路，影响显示器的质量。

[0043] 为了解决上述问题，可以在复位区201中设置保护层101。如图2b所示，所述保护层101覆盖绑定位置A以外的区域。从而可以对无需与驱动IC相接处的引线100进行保护。

[0044] 其中，保护层101可以是制作完复位区201以后再制作。具体的例如，当引线100与栅线同层同材料设置时，可以将复位区201中位于栅线远离衬底基板一侧的薄膜层(如图2c所示，所述薄膜层包括栅极绝缘层102、半导体有源层103、源漏金属层104、钝化层105)全部去除。然后，在复位区201中，制作覆盖绑定位置A以外的区域的保护层101。该保护层的材料可以采用与栅极绝缘层102相同的材料。

[0045] 或者，也可是在制作复位区201的过程中完成保护层101的制备。

[0046] 例如，当引线100与栅线同层同材料设置时，可以将复位区201中位于栅线表面的栅极绝缘层102远离衬底基板一侧的薄膜层(例如半导体有源层103、源漏金属层104、钝化层105)全部去除。而将对应绑定位置A处的栅极绝缘层去除，以露出引线101。

[0047] 虽然上述两种制作方法中，绑定位置A与绑定位置A以外的区域具有一个薄膜层(栅极绝缘层102)厚度的段差。但是由于该段差较小，从而不会对摩擦辊30上的布毛造成明显的变形不均。

[0048] 并且，当引线100与栅线同层同材料设置时，由于栅线和栅极绝缘层距离阵列基板的衬底基板较近。因此制作复位区201的过程中，将栅极绝缘层上的薄膜层去除后，会造成复位区201与其相邻区域的交界处(O-O’)的薄膜层产生较大的高度一致的段差。当摩擦辊30经过上述绑定位置后，还会经过复位区201与其相邻区域的交界处(O-O’)的段差，这时，该位置可以使得摩擦辊上的布毛发生较大的一致化的变形。因此，仍然可以避免由布毛变形不均而造成值得的取向槽深浅不一。

[0049] 实施例二

[0050] 为了降低阵列基板上数据线与像素电极之间的寄生电容，以提高TFT的开关速度。可以将源漏金属层104与钝化层105之间的部分区域制作有机薄膜层106。

[0051] 由于有机薄膜层106的厚度远大于钝化层105的厚度，因此在制作复位区201时，如图3所示，可以将复位区201中的有机薄膜层106和位于其表面的钝化层105去除，使得有机薄膜层106覆盖除了复位区201以外的区域，就可以形成位于复位区201与其相邻区域交接处(O-O’)的很大的且高度一致的段差。当摩擦辊进入显示区域10前，经过上述段差时，使得摩擦辊上的布毛发生较大的一致化的变形。因此，仍然可以避免由布毛变形不均而造成值得的取向槽深浅不一。

[0052] 实施例三

[0053] 在显示面板01为阵列基板的情况下，上述复位区201可以与位于阵列基板表面的封框胶(图中未示出)的位置相对应。这样一来，即使在制作复位区201的过程中，将引线100裸露出来，也可以在后续的封框胶制作工序中，通过封框胶将非绑定位置A处裸露的引线100进行覆盖，从而避免上述引线100受到环境的影响。

[0054] 本发明实施例提供一种显示装置，包括如上所述的任意一种显示面板。具有与前述实施例提供的显示面板相同的结构和有益效果。由于前述实施例已经对该显示面板的结构和有益效果进行了详细的描述。此处不再赘述。

[0055] 需要说明的是，在本发明实施例中，显示装置具体可以包括液晶显示装置，例如该显示装置可以为液晶显示器、液晶电视、数码相框、手机或平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件。

[0056] 本发明实施例提供一种显示面板的制作方法，如图4所示，可以包括：

[0057] S101、在衬底基板上形成显示区域10。

[0058] S102、在衬底基板上形成非显示区域20。

[0059] S103、在所述非显示区域中形成复位区201，复位区201设置的薄膜层的厚度K小于复位区201的相邻区域设置的薄膜层的厚度K’。所述复位区201与相邻区域交界处(O-O’)薄膜层的段差高度一致。这样在摩擦过程中，摩擦辊的布毛在上述交界处(O-O’)的段差处受力均匀，从而发生一致的形变。

[0060] 此外，在方向Y上，复位区201的尺寸L大于等于显示区域的尺寸L’，其中，所述方向Y沿垂直于显示面板的摩擦方向X，使得摩擦辊30上形变一致的布毛能够完全覆盖显示区域，从而提高了与显示区域10相接处的摩擦面的平整度，使得形成于显示区域10的取向层上的取向槽深浅一致。

[0061] 需要说明的是，上述步骤S101、步骤S102可以同时进行，然后再进行步骤S103；或者，步骤S101、步骤S102以及步骤S103可以同时进行。本发明对上述步骤的次序不做限制。

[0062] 接下来，以显示面板为阵列基板为例，通过具体的实施例对设置有复位区的阵列基板的制作方法进行详细的描述。

[0063] 实施例四

[0064] 当绑定位置A设置于复位区201内时，由于复位区201内的薄膜层厚度一致，因此复位区201中的薄膜层如图2a所示，需要和引线100的表面平齐，以使得引线100的表面能够露出，从而与驱动IC进行连接。

[0065] 然而这样一来，绑定工艺完成之后，绑定位置A以外的引线100会因为表面裸露，从而会受到外部环境的影响，例如氧化或污染。从而造成驱动电路的短路或短路，影响显示器的质量。

[0066] 为了解决上述问题，所述显示面板的制作方法，可以包括在复位区201中除了绑定位置A以外的区域形成保护层101。从而可以对无需与驱动IC相接处的引线100进行保护。

[0067] 其中，保护层101可以是制作完复位区201以后再制作。具体的例如，当引线100与栅线同层同材料设置时，可以将复位区201中位于栅线远离衬底基板一侧的薄膜层，如图2c所示，所述薄膜层包括栅极绝缘层102、半导体有源层103、源漏金属层104、钝化层105全部去除。然后，在复位区201中，制作覆盖绑定位置A以外的区域的保护层101。该保护层的材料可以采用与栅极绝缘层102相同的材料。

[0068] 或者，也可是在制作复位区201的过程中完成保护层101的制备。

[0069] 具体的，当引线100与栅线同层同材料设置时，所述方法包括：

[0070] 首先，如图5a所示，在引线100的表面依次形成栅极绝缘层102、半导体有源层103、源漏金属层104以及钝化层105，在钝化层105的表面并涂覆光刻胶300。

[0071] 然后，如图5b所示，利用半透过掩模版，通过一次掩膜曝光、显影工艺形成光刻胶完全去除区域301、光刻胶部分保留区域302以及光刻胶完全保留区域303。

[0072] 其中，光刻胶完全去除区域301对应绑定位置A，光刻胶部分保留区域302对应复位区201中除了绑定位置A以外的区域，光刻胶完全保留区域303对应复位区201以外的区域。

[0073] 接下来，如图5c所示，刻蚀对应光刻胶完全去除区域301的钝化层105、源漏金属层104、半导体有源层103以及栅极绝缘层102。

[0074] 然后，如图5d所示，将光刻胶部分保留区域302的光刻胶灰化掉。并刻蚀对应光刻胶部分保留区域302的钝化层105、源漏金属层104以及半导体有源层103。从而使得未被刻蚀的栅极绝缘层102对复位区201中除了绑定位置A以外的区域进行保护。因此，所述未被刻蚀的栅极绝缘层102能够起到保护层101的保护作用。

[0075] 最后，将位于光刻胶完全保留区域303的光刻胶剥离300，形成如图2c所示的结构。

[0076] 虽然上述两种制作方法中，绑定位置A与绑定位置A以外的区域具有一个薄膜层(栅极绝缘层102)厚度的段差。但是由于该段差较小，从而不会对摩擦辊30上的布毛造成明显的变形不均。

[0077] 并且，当引线100与栅线同层同材料设置时，由于栅线和栅极绝缘层距离阵列基板的衬底基板较近。因此制作复位区201的过程中，将栅极绝缘层上的薄膜层去除后，会造成复位区201与其相邻区域的交界处(O-O’)的薄膜层产生较大的高度一致的段差。当摩擦辊30经过上述绑定位置后，还会经过复位区201与其相邻区域的交界处(O-O’)的段差，这时，该位置可以使得摩擦辊上的布毛发生较大的一致化的变形。因此，仍然可以避免由布毛变形不均而造成值得的取向槽深浅不一。

[0078] 实施例五

[0079] 在显示面板01为阵列基板的情况下，为了降低阵列基板上数据线与像素电极之间的寄生电容，以提高TFT的开关速度。可以将源漏金属层104与钝化层105之间的部分区域制作有机薄膜层106。

[0080] 因此，形成复位区201的方法可以包括：

[0081] 在所述钝化层105的表面，通过一次掩膜曝光工艺，至少将对应复位区201位置处的钝化层105和有机薄膜层106去除。

[0082] 需要说明的是，当复位区201中未设置绑定位置A时，可以采用普通掩膜板，在钝化层105的表面涂覆光刻胶300，然后在通过掩膜曝光、显影工艺形成对应复位区201位置的光刻胶去除区域，以及对应钝化层105表面其它位置的光刻胶保留区域。接下来，至少刻蚀掉对应光刻胶刻蚀区域的钝化层105和有机薄膜层106。然后，将光刻胶保留区域的光刻胶剥离，最终形成复位区201。

[0083] 或者，当将绑定位置A设置在复位区201时，如图3所示，在至少刻蚀掉复位区201中的钝化层105和有机薄膜层106的同时，还需要在将绑定位置A处的栅极绝缘层103刻蚀。因此刻蚀采用同实施例四中的半透过掩模版，在曝光显影后形成厚度不同的光刻胶区域。然后采用刻蚀、灰化等工艺形成如图3所示的结构。由于采用半透过掩模版制作薄膜层图案的方法在前述实施例中已经详细说明，此处不再赘述。

[0084] 需要说明的是，由于有机薄膜层106的厚度远大于钝化层105的厚度，因此在制作复位区201时，如图3所示，当将复位区201中的有机薄膜层106和钝化层105去除，使得有机薄膜层106覆盖除了复位区201以外的区域，就可以形成位于复位区201与其相邻区域交接处(O-O’)的很大的且高度一致的段差。当摩擦辊进入显示区域10前，经过上述段差时，使得摩擦辊上的布毛发生较大的一致化的变形。因此，仍然可以避免由布毛变形不均而造成值得的取向槽深浅不一。

[0085] 以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。