红外线滤光元件

摘要

一种红外线滤光元件，包含一透明基底以及一红外线滤除复层膜。红外线滤除复层膜设置于透明基底上，且红外线滤除复层膜包含多个第一介电质层及多个银金属层。第一介电质层与银金属层彼此交错堆叠，且第一介电质层的材质为氮化物。当满足特定条件时，红外线滤光元件可有效改善影像周边产生色偏的问题。

权利要求

1.一种红外线滤光元件，其特征在于，包含：一透明基底；以及

一红外线滤除复层膜，设置于该透明基底上，该红外线滤除复层膜包含：多个第一介电质层；多个银金属层；及至少一第二介电质层；

其中，所述第一介电质层与所述银金属层彼此交错堆叠，所述第二介电质层与所述银金属层间具有所述第一介电质层，且所述第二介电质层与所述银金属层不直接相邻，所述第一介电质层的材质为氮化物，所述第二介电质层的材质为金属氧化物；

其中，该红外线滤除复层膜的总层数为TL，该红外线滤除复层膜的总厚度为TT，所述银金属层的总层数为AgL，所述第一介电质层的总层数为DLA，所述第二介电质层的总层数为DLB，且满足下列条件：

6≤TL≤42；

100nm≤TT≤4000nm；

3≤AgL≤21；

5≤DLA；以及

1≤DLB。

2.根据权利要求1的红外线滤光元件，其特征在于，所述第一介电质层的材质为氮化硅。

3.根据权利要求2的红外线滤光元件，其特征在于，该透明基底的材质为塑胶。

4.根据权利要求2的红外线滤光元件，其特征在于，该红外线滤除复层膜的总厚度为TT，且满足下列条件：

100nm≤TT≤2000nm。

5.根据权利要求1的红外线滤光元件，其特征在于，所述第一介电质层的材质为氮化铝。

6.根据权利要求5的红外线滤光元件，其特征在于，该透明基底的材质为塑胶。

7.根据权利要求5的红外线滤光元件，其特征在于，该红外线滤除复层膜的总厚度为TT，且满足下列条件：

100nm≤TT≤2000nm。

8.根据权利要求1的红外线滤光元件，其特征在于，所述第一介电质层的材质为氮化镓。

9.根据权利要求8的红外线滤光元件，其特征在于，该透明基底的材质为塑胶。

10.根据权利要求8的红外线滤光元件，其特征在于，该红外线滤除复层膜的总厚度为TT，且满足下列条件：

100nm≤TT≤2000nm。

说明书

红外线滤光元件

技术领域

[0001] 本发明是有关于一种滤光元件，且特别是有关于一种滤除红外线的滤光元件。

背景技术

[0002] 一般光学影像系统是由物侧端的镜片组与像侧端的电子感光元件所构成，由于电子感光元件会对红外光产生响应，因此容易造成色彩失真，而通过红外线滤光元件的配置，可使影像得以呈现人眼所见的真实色彩。习用的红外线滤光元件可分为干涉型与吸收型，其中干涉型的红外线滤光元件是利用光波的干涉来过滤特定波长的光线，其是由高折射率材质（如TiO2、Ta2O5、Nb2O5等）与低折射率材质（如SiO2、MgF2等）所形成的薄膜在特定层数与膜厚下堆叠而成。至于吸收型的红外线滤光元件，例如是蓝玻璃，则是利用玻璃内具有吸收红外光特性的化学物质，来达到隔绝红外光的效果。

[0003] 近年来，应用于电子产品的光学影像系统不断地朝轻薄及广视角等方向发展，光学影像系统的总光程（Total track）因此必须缩短，而主光线角（Chief ray angle）也必须变大。其中吸收型的红外线滤光元件，由于价格较高、材质耐候性不佳且薄型化后的吸收效果有限，因此逐渐不适用于日趋轻薄的产品中。而干涉型红外线滤光元件则是在主光线角变大时，易使影像周边产生明显的色偏（Color shift）。另一方面，基于总光程缩短的需求，红外线滤光元件的厚度逐渐薄型化，当干涉型红外线滤光元件的膜层堆叠层数较多时，容易因应力分布不均而导致元件翘曲（Warpage），更容易因微粒污染而造成明显的影像瑕疵。

发明内容

[0004] 因此，本发明的一目的是在提供一种红外线滤光元件，可有效减缓影像周边的色偏现象、避免翘曲的发生并提升影像品质。

[0005] 依据本发明的一实施方式，提出一种红外线滤光元件，包含一透明基底以及一红外线滤除复层膜。红外线滤除复层膜设置于透明基底上，且红外线滤除复层膜包含多个第一介电质层及多个银金属层。第一介电质层与银金属层彼此交错堆叠，且第一介电质层的材质为氮化物。其中，红外线滤除复层膜的总层数为TL，红外线滤除复层膜的总厚度为TT，而银金属层的总层数为AgL，且满足下列条件：

[0006] 6≤TL≤42；

[0007] 100nm≤TT≤4000nm；以及

[0008] 3≤AgL≤21。

[0009] 第一介电质层与银金属层交错堆叠且第一介电质层的材质为氮化物，借此在镀膜的制程中，可避免银金属层因氧化而导致反射率下降，使红外线滤光元件能有效减缓红光衰减以改善色偏的问题。

[0010] 当TL满足上述条件时，因红外线滤除复层膜的总层数较少，可减轻微粒污染造成影像瑕疵的问题。

[0011] 当TT满足上述条件时，因红外线滤除复层膜的总厚度较薄，可平衡应力分布而避免红外线滤光元件翘曲。

[0012] 当AgL满足上述条件时，可有效控制制镀成本与加强色偏修正。

附图说明

[0013] 图1是绘示依照本发明第一实施例的一种红外线滤光元件的示意图；

[0014] 图2是绘示依照本发明第二实施例的一种红外线滤光元件的示意图；

[0015] 图3是绘示依照本发明第三实施例的一种红外线滤光元件的示意图；

[0016] 图4是绘示依照本发明第四实施例的一种红外线滤光元件的示意图；

[0017] 图5是绘示依照本发明第五实施例的一种红外线滤光元件的示意图；

[0018] 图6是绘示依照本发明第六实施例的一种红外线滤光元件的示意图；

[0019] 图7是绘示依照本发明第七实施例的一种红外线滤光元件的示意图；

[0020] 图8是本发明第一实施例的红外线滤光元件的穿透响应光谱；

[0021] 图9是本发明第二实施例的红外线滤光元件的穿透响应光谱；

[0022] 图10是本发明第三实施例的一红外线滤光元件的穿透响应光谱；

[0023] 图11是本发明第三实施例的另一红外线滤光元件的穿透响应光谱；

[0024] 图12是本发明第三实施例的又一红外线滤光元件的穿透响应光谱；

[0025] 图13是本发明第四实施例的红外线滤光元件的穿透响应光谱；

[0026] 图14是本发明第五实施例的红外线滤光元件的穿透响应光谱；

[0027] 图15是本发明第六实施例的红外线滤光元件的穿透响应光谱；

[0028] 图16是本发明第七实施例的红外线滤光元件的穿透响应光谱；

[0029] 图17是比较例的红外线滤光元件的穿透响应光谱。

[0030] 【符号说明】

[0031] 100、200、300、400、500、600、700：红外线滤光元件

[0032] 110、210、310、410、510、610、710：透明基底

[0033] 120、220、320、420、520、620、720：红外线滤除复层膜

[0034] 121、221、321、421、521、621、721：第一介电质层

[0035] 122、222、322、422、522、622、722：银金属层

[0036] 323、423、523、623、723：第二介电质层

具体实施方式

[0037] 一种红外线滤光元件，包含一透明基底以及一红外线滤除复层膜。红外线滤除复层膜设置于透明基底上，且红外线滤除复层膜包含多个第一介电质层及多个银金属层。第一介电质层与银金属层彼此交错堆叠，且第一介电质层的材质为氮化物。其中，红外线滤除复层膜的总层数为TL，红外线滤除复层膜的总厚度为TT，而银金属层的总层数为AgL，且满足下列条件：

[0038] 6≤TL≤42；

[0039] 100nm≤TT≤4000nm；以及

[0040] 3≤AgL≤21。

[0041] 第一介电质层与银金属层交错堆叠且第一介电质层的材质为氮化物，借此在镀膜的制程中，可避免银金属层因氧化而导致反射率下降，使红外线滤光元件能有效减缓红光衰减以改善色偏的问题。

[0042] 当满足6≤TL≤42条件时，因红外线滤除复层膜的总层数较少，可减轻微粒污染造成影像瑕疵的问题。

[0043] 当满足100nm≤TT≤4000nm条件时，因红外线滤除复层膜的总厚度较薄，可平衡应力分布而避免红外线滤光元件翘曲。较佳地，可满足下列条件：100nm≤TT≤2000nm。

[0044] 当满足3≤AgL≤21条件时，可有效控制制镀成本与加强色偏修正。

[0045] 第一介电质层的材质可为氮化硅（Silicon Nitride，SixNy）、氮化铝（Aluminium Nitride，AlN）或氮化镓（Gallium Nitride，GaN）。其中，第一介电质层的总层数为DLA，且满足下列条件：3≤DLA。借此，可避免银金属层因氧化而导致反射率下降的问题。

[0046] 红外线滤除复层膜可还包含至少一第二介电质层，第二介电质层与银金属层间具有第一介电质层(也就是说，第二介电质层与银金属层彼此不相邻)，且第二介电质层的材质可为金属氧化物。其中，第一介电质层的总层数为DLA，第二介电质层的总层数为DLB，且满足下列条件：5≤DLA以及1≤DLB。借此，可有效节省制镀成本，并提升耐磨性与硬度。

[0047] 透明基底的材质可为塑胶或玻璃，当透明基底的材质为塑胶时，不仅可有效降低制作成本，且红外线滤除复层膜更可制镀于具屈折力的塑胶光学镜片上，以加强红外光滤除与色偏修正的效果。

[0048] 红外线滤光元件在554nm至700nm的波段，其穿透响应值的衰减率为D，，且满足下列条件：1%≤D≤30%。借此，可有效改善色偏的问题。较佳地，可满足下列条件：1%≤D≤20%。

[0049] 本发明所述的红外线滤光元件可为红外线滤光片，而所述的穿透响应值是指特定波段的光线通过红外线滤光元件的穿透率与感光元件相对响应值相乘后的总和，且所述的衰减率是指特定波段的光线因主光线角的角度不同而在穿透响应值上产生的变化。

[0050] 穿透响应值的算式如下：

[0051]

[0052] 其中，TR为穿透响应值（Transmittance Response Value），m为起始波长，n为结束波长，且m、n皆为整数，X为穿透率（Transmittance），Y为感光元件相对响应值（Relative Response）。

[0053] 衰减率的算式如下：

[0054]

[0055] 其中，D为衰减率（Decrement），TR1为主光线角为0度时的穿透响应值，TR2为主光线角为40度时的穿透响应值。本技术领域的通常知识者应当理解，前述的衰减率可视同是红外线滤光元件的衰减率。

[0056] 此外，所谓第二介电质层与银金属层间具有第一介电质层，具体而言，是指第二介电质层与银金属层彼此不相邻，也就是说，第二介电质层可设置在两个第一介电质层间，或者可设置在透明基底与第一介电质层间，又或者可设置在空气与第一介电质层间。

[0057] 另一方面，当第二介电质层的总层数大于1时，各第二介电质层的材质并不以相同为限，且第二介电质层亦可相互堆叠，只要第二介电质层与银金属层不相邻即可。另外，设置于透明基底上的红外线滤除复层膜中的各层，可通过任何适用的已知镀膜技术完成，例如是蒸镀、溅镀等。根据上述实施方式，以下提出具体实施例并配合附图予以详细说明。

[0058] <第一实施例>

[0059] 请参照图1，其绘示依照本发明第一实施例的一种红外线滤光元件100的示意图。如图所示，红外线滤光元件100包含一透明基底110以及一红外线滤除复层膜120。红外线滤除复层膜120包含三个第一介电质层121及三个银金属层122，而三个第一介电质层121与三个银金属层122彼此交错堆叠，且红外线滤除复层膜120是以银金属层122为接触面而设置于透明基底110上。

[0060] 在本实施例中，第一介电质层121的材质为一氮化硅（silicon mononitride，SiN），但并不以此为限，第一介电质层121的材质亦可为氮化铝、氮化镓或其他氮化程度不同的氮化硅。以图观之，红外线滤除复层膜120中的各层自透明基底110向上分别以编号1至6排序，而红外线滤除复层膜120的各层材质与厚度如下表一所示。此外，红外线滤光元件
100于不同主光线角的穿透响应值及衰减率如下表二所示。

[0061] 表一

[0062]编号 材质 厚度（nm） 膜层种类
6 SiN 36.4 第一介电质层121
5 Ag 19.6 银金属层122
4 SiN 74.1 第一介电质层121
3 Ag 17.8 银金属层122
2 SiN 63.4 第一介电质层121
1 Ag 8.9 银金属层122

[0063] 表二

[0064]

[0065] 由表一可知，红外线滤光元件100的红外线滤除复层膜120的总厚度为220.2nm。请一并参照图8，其为红外线滤光元件100的穿透响应光谱，图中的斜线区块即示意不同主光线角在红光波段的衰减幅度。

[0066] <第二实施例>

[0067] 请参照图2，其绘示依照本发明第二实施例的一种红外线滤光元件200的示意图。如图所示，红外线滤光元件200包含一透明基底210以及一红外线滤除复层膜220。红外线滤除复层膜220包含四个第一介电质层221及三个银金属层222，而四个第一介电质层221与三个银金属层222彼此交错堆叠，且红外线滤除复层膜220是以第一介电质层221为接触面而设置于透明基底210上。

[0068] 在本实施例中，第一介电质层221的材质为SiN，但并不以此为限，第一介电质层221的材质亦可为氮化铝、氮化镓或其他氮化程度不同的氮化硅。以图观之，红外线滤除复层膜220中的各层自透明基底210向上分别以编号1至7排序，而红外线滤除复层膜220的各层材质与厚度如下表三所示。此外，红外线滤光元件200于不同主光线角的穿透响应值及衰减率如下表四所示。

[0069] 表三

[0070]编号 材质 厚度（nm） 膜层种类
7 SiN 36.5 第一介电质层221
6 Ag 19.3 银金属层222
5 SiN 73.9 第一介电质层221
4 Ag 18.2 银金属层222
3 SiN 71.9 第一介电质层221
2 Ag 14.0 银金属层222
1 SiN 34.2 第一介电质层221

[0071] 表四

[0072]

[0073] 由表三可知，红外线滤光元件200的红外线滤除复层膜220的总厚度为268nm。请一并参照图9，其为红外线滤光元件200的穿透响应光谱，图中的斜线区块即示意不同主光线角在红光波段的衰减幅度。

[0074] <第三实施例>

[0075] 请参照图3，其绘示依照本发明第三实施例的一种红外线滤光元件300的示意图。如图所示，红外线滤光元件300包含一透明基底310以及一红外线滤除复层膜320。红外线滤除复层膜320包含四个第一介电质层321、三个银金属层322及一个第二介电质层323。其中，四个第一介电质层321与三个银金属层322彼此交错堆叠，而第二介电质层323与银金属层
322彼此不相邻，且红外线滤除复层膜320是以第一介电质层321为接触面而设置于透明基底310上。更具体而言，第二介电质层323是设置在空气与第一介电质层321间。

[0076] 在本实施例中，第一介电质层321的材质可为SiN、AlN或GaN，而第二介电质层323的材质为SiO2，但并不以此为限，第一介电质层321的材质亦可为其他氮化程度不同的氮化硅，而第二介电质层323的材质亦可为Nb2O5、Ta2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、Al2O3、ZnO或氧化钛（Titanium Oxides，TixOy）。以图观之，红外线滤除复层膜320中的各层自透明基底310向上分别以编号1至8排序，而红外线滤除复层膜320的各层材质与厚度如下表五所示。此外，对于红外线滤除复层膜320的第一介电质层321的材质分别为SiN、AlN及GaN的红外线滤光元件300而言，不同主光线角的穿透响应值及衰减率如下表六所示。

[0077] 表五

[0078]编号 材质 厚度（nm） 材质 厚度（nm） 材质 厚度（nm） 膜层种类
8 SiO2 50.0 SiO2 50.0 SiO2 50.0 第二介电质层323
7 SiN 12.4 AlN 11.0 GaN 13.7 第一介电质层321
6 Ag 16.2 Ag 15.4 Ag 18.0 银金属层322
5 SiN 70.4 AlN 68.4 GaN 55.4 第一介电质层321
4 Ag 17.8 Ag 16.5 Ag 18.3 银金属层322
3 SiN 71.6 AlN 70.1 GaN 57.2 第一介电质层321
2 Ag 14.4 Ag 13.7 Ag 16.9 银金属层322
1 SiN 33.7 AlN 32.8 GaN 27.8 第一介电质层321

[0079] 表六

[0080]

[0081] 由表五可知，第一介电质层321的材质分别为SiN、AlN及GaN的各红外线滤光元件300的红外线滤除复层膜320的总厚度分别为286.5nm、277.9nm及257.3nm。请一并参照第10至12图，其为第一介电质层321的材质分别为SiN、AlN及GaN的各红外线滤光元件300的穿透响应光谱。各图中的斜线区块即示意不同主光线角在红光波段的衰减幅度。

[0082] <第四实施例>

[0083] 请参照图4，其绘示依照本发明第四实施例的一种红外线滤光元件400的示意图。如图所示，红外线滤光元件400包含一透明基底410以及一红外线滤除复层膜420。红外线滤除复层膜420包含五个第一介电质层421、三个银金属层422及两个第二介电质层423。其中，第一介电质层421与银金属层422彼此交错堆叠，而第二介电质层423与银金属层422彼此不相邻，且红外线滤除复层膜420是以银金属层422为接触面而设置于透明基底410上。更具体而言，第二介电质层423是设置在任两个第一介电质层421间。

[0084] 在本实施例中，第一介电质层421的材质为SiN，而第二介电质层423的材质为Nb2O5，但并不以此为限，第一介电质层421的材质亦可为氮化铝、氮化镓或其他氮化程度不同的氮化硅，而第二介电质层423的材质亦可为Ta2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、Al2O3、ZnO、SiO2或氧化钛。以图观之，红外线滤除复层膜420中的各层自透明基底410向上分别以编号1至10排序，而红外线滤除复层膜420的各层材质与厚度如下表七所示。此外，红外线滤光元件400于不同主光线角的穿透响应值及衰减率如下表八所示。

[0085] 表七

[0086]编号 材质 厚度（nm） 膜层种类
10 SiN 35.7 第一介电质层421
9 Ag 18.7 银金属层422
8 SiN 38.5 第一介电质层421
7 Nb2O5 22.4 第二介电质层423
6 SiN 7.4 第一介电质层421
5 Ag 18.8 银金属层422
4 SiN 7.8 第一介电质层421
3 Nb2O5 20.8 第二介电质层423
2 SiN 28.8 第一介电质层421
1 Ag 8.2 银金属层422

[0087] 表八

[0088]

[0089] 由表七可知，红外线滤光元件400的红外线滤除复层膜420的总厚度为207.1nm。请一并参照图13，其为红外线滤光元件400的穿透响应光谱，图中的斜线区块即示意不同主光线角在红光波段的衰减幅度。

[0090] <第五实施例>

[0091] 请参照图5，其绘示依照本发明第五实施例的一种红外线滤光元件500的示意图。如图所示，红外线滤光元件500包含一透明基底510以及一红外线滤除复层膜520。红外线滤除复层膜520包含六个第一介电质层521、三个银金属层522及两个第二介电质层523。其中，第一介电质层521与银金属层522彼此交错堆叠，而第二介电质层523与银金属层522彼此不相邻，且红外线滤除复层膜520是以第一介电质层521为接触面而设置于透明基底510上。更具体而言，第二介电质层523是设置在任两个第一介电质层521间。

[0092] 在本实施例中，第一介电质层521的材质为SiN，而第二介电质层523的材质为Nb2O5，但并不以此为限，第一介电质层521的材质亦可为氮化铝、氮化镓或其他氮化程度不同的氮化硅，而第二介电质层523的材质亦可为Ta2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、Al2O3、ZnO、SiO2或氧化钛。以图观之，红外线滤除复层膜520中的各层自透明基底510向上分别以编号1至11排序，而红外线滤除复层膜520的各层材质与厚度如下表九所示。此外，红外线滤光元件500于不同主光线角的穿透响应值及衰减率如下表十所示。

[0093] 表九

[0094]编号 材质 厚度（nm） 膜层种类
11 SiN 35.9 第一介电质层521
10 Ag 18.5 银金属层522
9 SiN 42.6 第一介电质层521
8 Nb2O5 19.5 第二介电质层523
7 SiN 7.1 第一介电质层521
6 Ag 19.2 银金属层522
5 SiN 8.2 第一介电质层521
4 Nb2O5 22.5 第二介电质层523
3 SiN 34.8 第一介电质层521
2 Ag 13.2 银金属层522
1 SiN 33.4 第一介电质层521

[0095] 表十

[0096]

[0097] 由表九可知，红外线滤光元件500的红外线滤除复层膜520的总厚度为254.9nm。请一并参照图14，其为红外线滤光元件500的穿透响应光谱，图中的斜线区块即示意不同主光线角在红光波段的衰减幅度。

[0098] <第六实施例>

[0099] 请参照图6，其绘示依照本发明第六实施例的一种红外线滤光元件600的示意图。如图所示，红外线滤光元件600包含一透明基底610以及一红外线滤除复层膜620。红外线滤除复层膜620包含六个第一介电质层621、三个银金属层622及三个第二介电质层623。其中，第一介电质层621与银金属层622彼此交错堆叠，第二介电质层623与银金属层622彼此不相邻，且红外线滤除复层膜620是以第一介电质层621为接触面而设置于透明基底610上。更具体而言，其中一个第二介电质层623设置在空气与第一介电质层621间，其余的第二介电质层623则分别设置在任两个第一介电质层621间。其中，设置在空气与第一介电质层621间的第二介电质层623的材质不同于设置在任两个第一介电质层621间的第二介电质层623的材质。

[0100] 在本实施例中，第一介电质层621的材质为SiN，设置在空气与第一介电质层621间的第二介电质层623的材质为SiO2，而设置在任两个第一介电质层621间的第二介电质层623的材质则皆为Nb2O5，但并不以此为限，第一介电质层621的材质亦可为氮化铝、氮化镓或其他氮化程度不同的氮化硅，而第二介电质层623的材质亦可为Ta2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、Al2O3、ZnO或氧化钛。红外线滤除复层膜620中的各层自透明基底610向上分别以编号1至12排序，而红外线滤除复层膜620的各层材质与厚度如下表十一所示。此外，红外线滤光元件
600于不同主光线角的穿透响应值及衰减率如下表十二所示。

[0101] 表十一

[0102]编号 材质 厚度（nm） 膜层种类
12 SiO2 50.0 第二介电质层623
11 SiN 13.3 第一介电质层621
10 Ag 15.8 银金属层622
9 SiN 46.6 第一介电质层621
8 Nb2O5 14.2 第二介电质层623
7 SiN 7.1 第一介电质层621
6 Ag 19.0 银金属层622
5 SiN 8.2 第一介电质层621
4 Nb2O5 16.7 第二介电质层623
3 SiN 43.0 第一介电质层621
2 Ag 13.8 银金属层622
1 SiN 34.0 第一介电质层621

[0103] 表十二

[0104]

[0105] 由表十一可知，红外线滤光元件600的红外线滤除复层膜620的总厚度为281.7nm。请一并参照图15，其为红外线滤光元件600的穿透响应光谱，图中的斜线区块即示意不同主光线角在红光波段的衰减幅度。

[0106] <第七实施例>

[0107] 请参照图7，其绘示依照本发明第七实施例的一种红外线滤光元件700的示意图。如图所示，红外线滤光元件700包含一透明基底710以及一红外线滤除复层膜720。红外线滤除复层膜720包含六个第一介电质层721、三个银金属层722及五个第二介电质层723。其中，第一介电质层721与银金属层722彼此交错堆叠，第二介电质层723与银金属层722彼此不相邻，且红外线滤除复层膜720是以第二介电质层723为接触面而设置于透明基底710上。更具体而言，其中一个第二介电质层723设置在透明基底710与第一介电质层721间，其中另外两个第二介电质层723则相互堆叠并设置在空气与第一介电质层721间且其材质互不相同，其余的第二介电质层723则分别设置在任两个第一介电质层721间。

[0108] 在本实施例中，第一介电质层721的材质为SiN，第二介电质层723设置在空气与第一介电质层721间且与空气接触的材质为SiO2，而其余的第二介电质层723的材质皆为Nb2O5，但并不以此为限，第一介电质层721的材质亦可为氮化铝、氮化镓或其他氮化程度不同的氮化硅，第二介电质层723的材质亦可为Ta2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、Al2O3、ZnO或氧化钛。红外线滤除复层膜720中的各层自透明基底710向上分别以编号1至14排序，而红外线滤除复层膜720的各层材质与厚度如下表十三所示。此外，红外线滤光元件700于不同主光线角的穿透响应值及衰减率如下表十四所示。

[0109] 表十三

[0110]编号 材质 厚度（nm） 膜层种类
14 SiO2 50.0 第二介电质层723
13 Nb2O5 4.1 第二介电质层723
12 SiN 10.0 第一介电质层721
11 Ag 16.5 银金属层722
10 SiN 10.0 第一介电质层721

[0111]9 Nb2O5 38.9 第二介电质层723
8 SiN 10.0 第一介电质层721
7 Ag 17.0 银金属层722
6 SiN 10.0 第一介电质层721
5 Nb2O5 40.7 第二介电质层723
4 SiN 10.0 第一介电质层721
3 Ag 15.4 银金属层722
2 SiN 10.0 第一介电质层721
1 Nb2O5 19.4 第二介电质层723

[0112] 表十四

[0113]

[0114] 由表十三可知，红外线滤光元件700的红外线滤除复层膜720的总厚度为262nm。请一并参照图16，其为红外线滤光元件700的穿透响应光谱，图中的斜线区块即示意不同主光线角在红光波段的衰减幅度。

[0115] 在本发明其他实施例中，红外线滤除复层膜可以是多个重复单元的组合，且重复单元的个数可依需求调整。所谓重复单元，以前述第一实施例为例，当中编号1至6的膜层配置即可视为是1个重复单元，当红外线滤除复层膜是7个重复单元的组合时，即表示红外线滤除复层膜的总层数为42，而此时银金属层的总层数为21。同理，前述第二至七的实施例中，各实施例的膜层配置亦可依需求重复配置与调整。

[0116] <比较例>

[0117] 用以进行比较的红外线滤光元件，为透明基底上设置有两种介电质层交互堆叠的层状结构，而交互堆叠的层状结构总计共44层，而层状结构中的各层自透明基底向上分别以编号1至44排序，其各层材质与厚度如下表十五所示。此外，比较例的红外线滤光元件于不同主光线角的穿透响应值及衰减率如下表十六所示。

[0118] 表十五

[0119]编号 材质 厚度（nm） 编号 材质 厚度（nm）
44 SiO2 79.3 22 SiO2 146.9
43 TiO2 102.2 21 TiO2 74.9
42 SiO2 10.5 20 SiO2 148.4
41 TiO2 98.5 19 TiO2 80.5
40 SiO2 152.2 18 SiO2 166.8
39 TiO2 72.6 17 TiO2 113.7
38 SiO2 146.8 16 SiO2 188.4
37 TiO2 66.7 15 TiO2 112.8
36 SiO2 150.7 14 SiO2 190.5
35 TiO2 61.6 13 TiO2 111.1
34 SiO2 155.5 12 SiO2 179.8
33 TiO2 58.7 11 TiO2 103.9
32 SiO2 156.9 10 SiO2 172.9
31 TiO2 59.9 9 TiO2 106.9
30 SiO2 153.9 8 SiO2 185.1
29 TiO2 65.2 7 TiO2 112.5
28 SiO2 149.9 6 SiO2 186.2
27 TiO2 76.8 5 TiO2 112.6
26 SiO2 169.3 4 SiO2 181.9
25 TiO2 113.9 3 TiO2 110.8
24 SiO2 165.9 2 SiO2 39.4
23 TiO2 78.5 1 TiO2 10.1

[0120] 表十六

[0121]

[0122] 由表十五可知，比较例的红外线滤光元件的层状结构的总厚度高达5181.6nm。请一并参照图17，其为比较例的红外线滤光元件的穿透响应光谱，图中的斜线区块即示意不同主光线角在红光波段的衰减幅度。

[0123] 由表十六以及图17可知，比较例的红外线滤光元件相对于0度与40度的主光线角，在蓝光与绿光的衰减率分别约5%与10%，而红光（尤指554nm至700nm的波段范围）的衰减率更是高达约65%。反观本发明上述实施例的各红外线滤光元件，在相同测试条件下，蓝光与绿光的衰减率分别仅0.78%～1.75%与2.38～3.29%，而红光的衰减率更是仅有约11%～16%左右，因此可有效改善影像周边产生色偏的问题。

[0124] 虽然本发明已以实施方式揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟悉此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视所附的权利要求书所界定的范围为准。