一种超低温板载微能源系统及其制造方法、正极制造方法转让专利

申请号 : CN201410618517.7

文献号 : CN104377381B

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法律信息:

相似专利:

发明人 : 胡博徐艳辉吕猛郭雷

申请人 : 湖州创亚动力电池材料有限公司

摘要 :

本发明涉及一种锂离子电池,尤其涉及一种超低温板载微能源系统,是一种用于超低温环境下集成电路板的微能源,可用于解决超低温环境下集成电路板的电力供应问题。超低温板载微能源系统,是直接加工在集成电路板上的微电池,微电池的负极为金属锂,微电池的正极为TiO2纳米管阵列微电极,电解液为在?40℃时仍不凝固仍具有导电性的LiBF4/PC电解液,所述微电池无隔膜。本发明可以作为板载微能源系统使用,在?40℃条件下为微电子器件、集成电路板、微传感器提供必要的电力供应。

权利要求 :

1.一种超低温板载微能源系统,是直接加工在集成电路板上的微电池,其特征在于:负极为金属锂,正极为TiO2纳米阵列微电极,电解液为LiBF4/PC;

且由以下方法制造:在加工好的带有导线的硅片上通过微加工方法形成凹槽,在凹槽底部放置金属锂片,在锂片上侧放置带孔小硅片,然后注入电解液,最后在最外侧放置所述纳米阵列微电极,构成所述超低温板载微能源系统。

2.根据权利要求1所述的一种超低温板载微能源系统,其特征在于:所述电解液为

0.005~0.05M LiBF4/PC电解液。

3.根据权利要求1所述的一种超低温板载微能源系统,其特征在于:所述超低温板载微能源系统半嵌入在硅片中;其中,负极全嵌入到硅片中,正极至少有部分裸露。

4.一种超低温板载微能源系统的制造方法,其特征在于:在加工好的带有导线的硅片上通过微加工方法形成凹槽,在凹槽底部放置金属锂片,在锂片上侧放置带孔小硅片,然后注入电解液,最后在最外侧放置纳米阵列电极,构成所述超低温板载微能源系统;

所述纳米阵列电极由以下方法制造:在含F有机醇和水的混合溶液中,以钛箔作为工作电极,以金属铂作为辅助电极,通过交变的直流电对钛箔进行表面刻蚀处理,然后再在450℃下加热刻蚀处理后的电极,得到纳米阵列电极。

说明书 :

一种超低温板载微能源系统及其制造方法、正极制造方法

技术领域

[0001] 本发明涉及一种锂离子电池,尤其涉及一种超低温板载微能源系统。用于超低温环境下集成电路板的微能源,解决超低温环境下集成电路板的电力供应问题。

背景技术

[0002] 我国北方冬季最低气温可达到-40℃,在西藏高原地区,-40℃的气温也是比较常见;在南北极的科学考察中,-40℃的气温也是比较常见的。在这些地区,一些无人维护的仪器和设备的电力供应问题比较突出。
[0003] 这些免维护仪器和设备具有监视当地气象、环境、人员等信息的功能,对科研、军事都具有重要的意义。
[0004] 免维护仪器的电源供应问题比较突出,比较合适的解决方案是在集成电路板上集成微电源系统。对微电源系统的主要要求是在-40℃环境下可以正常工作。很明显,水系二次电池是不能满足这一条件的,适合的电池系统主要是两类,一类是核电池,另一类就是锂电池。
[0005] 一般的锂电池可以在-10℃以上的温度下正常工作,比如碳酸乙烯酯和碳酸甲乙酯,但是在-40℃下,一般的电解液体系都会凝固。此外,在-40℃下,大部分电极材料的电化学性能都有所衰减。

发明内容

[0006] 本发明要解决上述技术问题,从而提供一种超低温板载微能源系统,它能在-40℃的环境下正常工作。
[0007] 本发明解决上述问题的技术方案如下:
[0008] 一种超低温板载微能源系统,负极为金属锂,正极为TiO2纳米阵列微电极,电解液为LiBF4/PC,所述超低温板载微能源系统无隔膜。
[0009] 微电池的负极为金属锂:在-40℃的条件下,常温下通常使用的电池性能会严重衰减,影响因素主要是负极碳基材料,本发明直接使用金属锂,能够最大程度的保证负极的性能;原则上,在任何温度下都是金属锂的放电性能是最好的;
[0010] 微电池的正极是TiO2纳米阵列微电极:板载微能源系统,是直接加工在集成电路板上的微电池,要求具有可加工性,一般的传统正极材料可加工性不好,但是,TiO2纳米管微阵列电极可以直接在钛箔金属上加工而成,加工后的纳米管微阵列电极可直接压制到板载微能源系统上;
[0011] 电解液为0.01M LiBF4/PC电解液:该电解液在-40℃仍然具有一定的导电性,不凝固;
[0012] 该微电池体系不适用隔膜:1)不使用隔膜,这保证了可加工性同时还能避免引入隔膜产生的高内阻;2)金属锂的使用,最大限度保证负极低温性能的同时,又能避免碳材料存在的结构崩溃现象(PC共嵌入引起的);
[0013] 正极为TiO2纳米管阵列微电极:纳米结构的大比表面积保证了低温下的放电性能。
[0014] 作为上述技术方案的优选,所述电解液为0.005~0.05M LiBF4/PC电解液。
[0015] 作为上述技术方案的优选,所述超低温板载微能源系统半嵌入在硅片中;其中,负极全嵌入到硅片中,正极至少有部分裸露。
[0016] 本发明的另一个目的是提供一种TiO2纳米阵列电极的制造方法。
[0017] 具体技术方案如下:在含F有机醇和水的混合溶液中,以钛箔作为工作电极,以金属铂作为辅助电极,通过交变的直流电对钛箔进行表面刻蚀处理,然后再在450℃下加热刻蚀处理后的电极,得到纳米阵列电极。
[0018] 本发明的还一个目的是提供一种超低温板载微能源系统的制造方法。
[0019] 技术方案具体为:在含F有机醇和水的混合溶液中,以钛箔作为工作电极,以金属铂作为辅助电极,通过交变的直流电对钛箔进行表面刻蚀处理,然后再在450℃下加热刻蚀处理后的电极,得到纳米阵列电极;在加工好的带有导线的硅片上通过微加工方法形成凹槽,在凹槽底部放置金属锂片,在锂片上侧放置带孔小硅片,然后注入电解液,最后在最外侧放置所述纳米阵列电极,构成所述超低温板载微能源系统。
[0020] 本发明具有以下有益效果:
[0021] 本发明涉及一种锂电池体系,可以在-40℃温度下工作,可以作为板载微能源系统使用,在-40℃条件下为微电子器件、集成电路板、微传感器提供必要的电力供应。电池在低温下可以维持运行,放电后可以在常温下进行充电。

附图说明

[0022] 图1是本发明在电镜下的照片;
[0023] 图2是本发明的结构示意图;
[0024] 图3是本发明的顶视图;
[0025] 图中,1-负极,2-电解液,3-正极,4-导线。

具体实施方式

[0026] 本具体实施方式仅仅是对本发明的解释,并不是对本发明的限制。本领域技术人员在阅读了本发明的说明书之后所作出的任何改变,只要在权利要求书的范围内,都将受到专利法的保护。
[0027] 如图1-3所示,一种超低温板载微能源系统,是直接加工在集成电路板上的微电池,负极1为金属锂,正极3为TiO2纳米阵列微电极,电解液2为LiBF4/PC,所述超低温板载微能源系统无隔膜。如图2所示,所述超低温板载微能源系统半嵌入在硅片中;其中,负极1全嵌入到硅片中,正极3至少有部分裸露。图3是顶视图,此时只能看到正极TiO2纳米阵列微电极。根据Ahhrennius公式可以估算出板载微能源的能量密度在2-5mAh/cm2/mm,可以满足极度严寒条件下的特种需要。
[0028] 微电池电极及微电池制备方法简述:
[0029] 在含F有机醇和水的混合溶液中,以钛箔作为工作电极,以金属铂作为辅助电极,通过交变的直流电对钛箔进行表面刻蚀处理,然后再在450℃下加热刻蚀处理后的电极,即可得到纳米阵列电极。
[0030] 在加工好的带有导线的硅片上通过微加工方法形成凹槽,在凹槽底部放置金属锂片,在锂片上侧放置带孔小硅片,然后注入电解液,最后在最外侧放置纳米阵列TiO2电极,即可构成微电池。
[0031] 测试过程为:锂片电极作为负极,TiO2作为正极,在1.0-2.5V范围内在0.001mA电流密度下在不同温度下测试微电池的容量。
[0032] 实施例1:
[0033] 一种超低温板载微能源系统,负极为金属锂,正极为采用直流脉冲腐蚀技术结合热处理的后处理技术制备的TiO2纳米阵列微电极,电解液为0.005M LiBF4/PC,所述超低温板载微能源系统无隔膜。所述超低温板载微能源系统半嵌入在硅片中;其中,负极全嵌入到硅片中,正极至少有部分裸露。在-40℃环境下,可逆充放电容量为4.3mAh/cm2/mm,循环次数为300次。
[0034] 实施例2:
[0035] 一种超低温板载微能源系统,负极为金属锂,正极为采用直流脉冲腐蚀技术结合热处理的后处理技术制备的TiO2纳米阵列微电极,电解液为0.05M LiBF4/PC,所述超低温板载微能源系统无隔膜。所述超低温板载微能源系统半嵌入在硅片中;其中,负极全嵌入到硅片中,正极至少有部分裸露。在-40℃环境下,可逆充放电容量为2.0mAh/cm2/mm,循环次数为100次。
[0036] 实施例3:
[0037] 一种超低温板载微能源系统,负极为金属锂,正极为采用直流脉冲腐蚀技术结合热处理的后处理技术制备的TiO2纳米阵列微电极,电解液为0.02M LiBF4/PC,所述超低温板载微能源系统无隔膜。所述超低温板载微能源系统半嵌入在硅片中;其中,负极全嵌入到硅片中,正极至少有部分裸露。在-40℃环境下,可逆充放电容量为2.9mAh/cm2/mm,循环次数为152次。
[0038] 实施例4:
[0039] 一种超低温板载微能源系统,负极为金属锂,正极为采用直流脉冲腐蚀技术结合热处理的后处理技术制备的TiO2纳米阵列微电极,电解液为0.01M LiBF4/PC,所述超低温板载微能源系统无隔膜。所述超低温板载微能源系统半嵌入在硅片中;其中,负极全嵌入到硅片中,正极至少有部分裸露。在-40℃环境下,可逆充放电容量为4.95mAh/cm2/mm,循环次数为700次。在-50℃下,可逆充放电容量为2.1mAh/cm2/mm,循环次数为300次。在-30℃下,可逆充放电容量为5.6mAh/cm2/mm,循环次数为803次。