多级单元存储器转让专利
申请号 : CN201280074302.2
文献号 : CN104380383B
文献日 : 2018-05-15
发明人 : N.穆拉利马诺哈 , H.B.庸 , N.P.朱皮
摘要 :
一种多级单元存储器,包括:存储器单元,其存储两个或更多位的信息;感测电路,其耦合到存储器单元;以及行缓冲器结构,其包括分页缓冲器,所述分页缓冲器具有第一页缓冲器和第二页缓冲器。感测电路进行操作以读自和写至存储器设备,将第一位置于第一页缓冲器和第二页缓冲器之一中,并且将第二位置于第一页缓冲器和第二页缓冲器之一中。