发热后可增加外围超氧根离子浓度之陶瓷半导体

摘要

本发明提供一种发热后可增加外围超氧根离子浓度之陶瓷半导体，可增加外围超氧根离子(O2-)浓度，该陶瓷半导体于成型时掺加有可增强空间电荷效应的氧化物材料，且该陶瓷半导体具有复数个贯穿的通孔，该陶瓷半导体通电后产生电流及热，造成该该陶瓷半导体的外层电子脱离，并留在该陶瓷半导体的通孔，且在该通孔累积形成电子云，空气经过该通孔后，空气中的氧与电子经冲撞后再结合，即形成超氧根离子(O2-)，由此，增加外围超氧根离子(O2-)量，以此高浓度超氧根离子(O2-)作为杀菌、活化细胞及帮助伤口愈合等效果。

权利要求

1.一种发热后可增加外围超氧根离子浓度之陶瓷半导体，其特征在于：该陶瓷半导体于成型时掺加有可增强空间电荷效应的氧化物材料，且该陶瓷半导体具有一个以上贯穿的通孔；提供一电源，该电源与该陶瓷半导体电性连接，该陶瓷半导体通电后产生电流及热，造成该陶瓷半导体外层电子脱离并留在通孔，且在通孔累积形成电子云，空气经过通孔后，空气中的氧与电子冲撞后结合，形成超氧根离子，使该陶瓷半导体可释出超氧根离子。

2.根据权利要求1所述的发热后可增加外围超氧根离子浓度之陶瓷半导体，其特征在于：该可增强空间电荷效应的氧化物材料为二氧化钛(TiO2)。

3.根据权利要求1所述的发热后可增加外围超氧根离子浓度之陶瓷半导体，其特征在于：该可增强空间电荷效应的氧化物材料为氧化锌(ZnO)。

4.根据权利要求1所述的发热后可增加外围超氧根离子浓度之陶瓷半导体，其特征在于：该可增强空间电荷效应的氧化物材料为三氧化钨(WO3)。

5.根据权利要求1所述的发热后可增加外围超氧根离子浓度之陶瓷半导体，其特征在于：该可增强空间电荷效应的氧化物材料为三氧化二铁(Fe2O3)。

6.根据权利要求1所述的发热后可增加外围超氧根离子浓度之陶瓷半导体，其特征在于：该可增强空间电荷效应的氧化物材料为钛酸锶(SrTiO3)。

7.根据权利要求1所述的发热后可增加外围超氧根离子浓度之陶瓷半导体，其特征在于：该通孔的孔径为Φ1mm～2mm。

8.根据权利要求1-7任一项所述的发热后可增加外围超氧根离子浓度之陶瓷半导体，其特征在于：该陶瓷半导体的外侧设置一风扇，该风扇的风是吹向该陶瓷半导体的通孔。

9.根据权利要求1-7任一项所述的发热后可增加外围超氧根离子浓度之陶瓷半导体，其特征在于：该陶瓷半导体受一驱动机构驱动而走移。

说明书

发热后可增加外围超氧根离子浓度之陶瓷半导体

【技术领域】

[0001] 本发明是关于一种发热后空气经过可增加外围超氧根离子浓度之陶瓷半导体，尤指一种陶瓷半导体成型时掺加有可增强空间电荷效应的氧化物材料，且该陶瓷半导体具有贯穿的通孔，使该陶瓷半导体通电后，即产生电流及热，造成该陶瓷半导体外层电子脱离，在通孔处累积形成电子云，空气经过通孔后，空气中的氧与电子冲撞后再结合，形成超氧根离子，由此提升超氧根离子浓度。【背景技术】

[0002] 我们所呼吸的空气中，氧占体积21%，该氧是以O2 分子的游离状态(free state)存在。该O2 分子是两个氧原子共享一对电子，其中一个氧原子有一个未成对电子，所以，对电子有很大的亲和力。当该O2与电子(e)碰撞后再结合，即产生O2+e→O2-或O2+e→O+O-(超氧根离子)。该超氧根离子，其解离子及离子化所需能量为1.62～22.9ev(电子伏特)，化学活性极高，具杀菌、活化细胞及帮助伤口愈合等效果。申请人之前有中国台湾发明第I337507号【ＰＴＣ发热器结构】、实用新型第041331号【PTC发热器的构造(一)】及其追加一实用新型第053055号【PTC发热器的构造(三)】及其追加二等有关PTC发热器的相关专利核准，有鉴于超氧根离子具有上述功效，针对PTC发热器(即陶瓷半导体)通电后会产生热的特性加以再发明，使该陶瓷半导体不仅能发热，也能产生超氧根离子。【发明内容】

[0003] 本发明的目的是在提供一种可增加外围超氧根离子浓度之陶瓷半导体。

[0004] 本发明一种发热后可增加外围超氧根离子浓度之陶瓷半导体，其特征在于：该陶瓷半导体于成型时掺加有可增强空间电荷效应的氧化物材料，且该陶瓷半导体具有一个以上贯穿的通孔；由此，该陶瓷半导体通电后产生电流及热，造成该陶瓷半导体外层电子脱离并留在通孔，且在通孔累积形成电子云，空气经过通孔后，空气中的氧与电子冲撞后结合，形成超氧根离子，使该陶瓷半导体可释出超氧根离子。

[0005] 其中，该可增强空间电荷效应的氧化物材料为二氧化钛(TiO2)。

[0006] 其中，该可增强空间电荷效应的氧化物材料为氧化锌(ZnO)。

[0007] 其中，该可增强空间电荷效应的氧化物材料为三氧化钨(WO3)。

[0008] 其中，该可增强空间电荷效应的氧化物材料为三氧化二铁(Fe2O3)。

[0009] 其中，该可增强空间电荷效应的氧化物材料为钛酸锶(SrTiO3)。

[0010] 其中，该通孔的孔径为Φ1mm-2mm。

[0011] 其中，该陶瓷半导体的外侧设置一风扇，该风扇的风是吹向该陶瓷半导体的通孔。

[0012] 其中，该陶瓷半导体受一驱动机构驱动而走移。

[0013] 本发明优点及功效在于：该陶瓷半导体于成型时掺加有可增强空间电荷效应的氧化物材料，且该陶瓷半导体具有复数个贯穿的通孔。该陶瓷半导体通电后，即产生电流及热，造成该陶瓷半导体外层电子脱离，并在该通孔累积形成电子云，空气经过通孔后，空气中的氧与电子冲撞后再结合，即形成超氧根离子，由此提升超氧根离子浓度。【附图说明】

[0014] 图1所示是本发明实施例单一陶瓷半导体立体图。

[0015] 图2所示是本发明实施例多个陶瓷半导体组合立体图。

[0016] 图3所示是本发明实施例的使用示意图。

[0017] 图中标号说明如下：

[0018] 陶瓷半导体10  通孔11  风扇20【具体实施方式】

[0019] 请参阅图1-2所示，该陶瓷半导体10于成型时掺加有可增强空间电荷效应的氧化物材料，该氧化物材料可使原子最外层的电子容易移动，如:TiO2(二氧化钛)、ZnO(氧化锌)、WO3(三氧化钨)、Fe2O3(三氧化二铁)、SrTiO3(钛酸锶)…….等。该陶瓷半导体10具有复数个贯穿的通孔11，每个通孔11的孔径以Φ1mm～2mm为佳。

[0020] 当该陶瓷半导体10通电后，该可增强空间电荷效应的氧化物材料接受电流及热后，会造成电子脱离，并滞留在通孔11，该电子累积的量一多便形成密度高的电子云。如图3所示位在该陶瓷半导体10外所设置的风扇20吹向该陶瓷半导体10，空气经过通孔11后，空气中的氧(O2)会与由该陶瓷半导体10脱离的电子冲撞的后再结合，如此便形成超氧根离子，俾该陶瓷半导体10通电后除发热外，亦同时释出超氧根离子(O2+e→O2-或O2+e→O+O-)。该陶瓷半导体10通电后释出超氧根离子，该超氧根离子因化学活性极高，具杀菌、活化细胞及帮助伤口愈合等效果，致该陶瓷半导体10通电后使用，亦具有杀菌、活化细胞及帮助伤口愈合等功能。

[0021] 其次，本发明也可不设置风扇20，由驱动机构驱动该陶瓷半导体10走移，也能使空气快速经过通孔11，使空气中的氧(O2)迅速与电子(e)冲撞再结合，一直快速释出超氧根离子。