半导体结构

摘要

本发明是有关于一种半导体结构，包含有载体、第一保护层、第二保护层及第三保护层，该第一保护层的第一表面具有第一抗应力区，该第二保护层显露该第一抗应力区，该第二保护层具有第一侧面及第二侧面，由该第一侧面的第一底边延伸形成的第一延伸线与由该第二侧面的第二底边延伸形成的第二延伸线相交形成有第一基点，该第三保护层具有第三侧面及第四侧面，该第三侧面在该第一表面形成有第一投影线，该第一投影线的延伸线与该第二底边相交形成有第一交点，该第四侧面在该第一表面形成有第二投影线，该第二投影线的延伸线与该第一底边相交形成有第二交点，该第一基点、该第一交点与该第二交点所形成的区域为该第一抗应力区。

权利要求

1.一种半导体结构，其特征在于：其具有角隅，该半导体结构包含：

载体，其具有载体表面，该载体表面具有保护层设置区及位于该保护层设置区外侧的保护层显露区；

第一保护层，其设置于该保护层设置区，该第一保护层具有第一表面，该第一表面具有第一设置区、第一抗应力区及位于该第一设置区及该第一抗应力区外侧的第一显露区，该第一抗应力区位于该角隅；

第二保护层，其设置于该第一设置区，且该第二保护层显露该第一抗应力区及该第一显露区，该第二保护层具有第二表面、第一侧面及第二侧面，该第二表面具有第二设置区及位于该第二设置区外侧的第二显露区，该第一侧面具有第一底边，该第二侧面具有第二底边，由该第一底边延伸形成的第一延伸线与由该第二底边延伸形成的第二延伸线相交形成有第一基点；以及第三保护层，其设置于该第二设置区，该第三保护层具有第三侧面及第四侧面，该第三侧面在该第一保护层的该第一表面形成有第一投影线，该第一投影线的延伸线与该第二侧面的该第二底边相交形成有第一交点，该第四侧面在该第一保护层的该第一表面形成有第二投影线，该第二投影线的延伸线与该第一侧面的该第一底边相交形成有第二交点，该第一基点、该第一交点与该第二交点所形成的区域为该第一抗应力区。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：其中该第一延伸线垂直于该第二延伸线。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：其中该第二保护层的该第二表面另具有第二抗应力区，该第二抗应力区位于该第二设置区的角隅，且该第二显露区位于该第二抗应力区外侧，该第三保护层显露该第二抗应力区，该第二抗应力区及该第一抗应力区皆位于该半导体结构的该角隅，且该第一抗应力区的面积不小于该第二抗应力区的面积。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于：其中该第三侧面具有第三底边且该第三底边具有第一端点，该第四侧面具有第四底边且该第四底边具有第二端点，由该第三底边延伸形成的第三延伸线与由该第四底边延伸形成的第四延伸线相交形成有第二基点，该第二基点、该第一端点与该第二端点所形成的区域为该第二抗应力区。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于：其中该第二基点与该第一端点具有第一距离，该第二基点与该第二端点具有第二距离，该第一距离等于该第二距离。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：其中该第二保护层另具有连接该第一侧面及该第二侧面的第一导接面，该第一导接面为平面或弧面。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：其中该第三保护层另具有连接该第三侧面与该第四侧面的第二导接面，该第二导接面为平面或弧面。

说明书

半导体结构

技术领域

[0001] 本发明涉及一种半导体结构，特别是涉及一种具有抗应力区的半导体结构。其是一种相当具有实用性及进步性的新设计，适于产业界广泛推广应用。

背景技术

[0002] 请参阅图6，为一种现有习知的半导体结构200，其具有载体210、第一保护层220、第二保护层230以及第三保护层240，由于该第一保护层220、该第二保护层230及该第三保护层240皆为四边形且该第一保护层220、该第二保护层230及该第三保护层240以层叠方式设置于该载体210，因此该半导体结构200的应力容易集中于该第一保护层220与该第二保护层230重叠角隅处，使得该第一保护层220与该第二保护层230重叠角隅处破裂或断离，进而降低该半导体结构200的良率。

[0003] 由此可见，上述现有的半导体结构在结构与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决半导体结构存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。

[0004] 有鉴于上述现有的半导体结构存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新型结构的半导体结构，能够改进一般现有的半导体结构，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计,并经过反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。

发明内容

[0005] 本发明的目的在于，克服现有的半导体结构存在的缺陷，而提供一种新型结构的半导体结构，所要解决的技术问题是使其借由第一保护层的第一表面的第一抗应力区，避免应力集中于角隅而导致半导体结构产生破裂或断离。

[0006] 本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的半导体结构，其具有角隅，该半导体结构包含：载体，其具有载体表面，该载体表面具有保护层设置区及位于该保护层设置区外侧的保护层显露区；第一保护层，其设置于该保护层设置区，该第一保护层具有第一表面，该第一表面具有第一设置区、第一抗应力区及位于该第一设置区及该第一抗应力区外侧的第一显露区，该第一抗应力区位于该角隅；第二保护层，其设置于该第一设置区，且该第二保护层显露该第一抗应力区及该第一显露区，该第二保护层具有第二表面、第一侧面及第二侧面，该第二表面具有第二设置区及位于该第二设置区外侧的第二显露区，该第一侧面具有第一底边，该第二侧面具有第二底边，由该第一底边延伸形成的第一延伸线与由该第二底边延伸形成的第二延伸线相交形成有第一基点；以及第三保护层，其设置于该第二设置区，该第三保护层具有第三侧面及第四侧面，该第三侧面在该第一保护层的该第一表面形成有第一投影线，该第一投影线的延伸线与该第二侧面的该第二底边相交形成有第一交点，该第四侧面在该第一保护层的该第一表面形成有第二投影线，该第二投影线的延伸线与该第一侧面的该第一底边相交形成有第二交点，该第一基点、该第一交点与该第二交点所形成的区域为该第一抗应力区。

[0007] 本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

[0008] 前述的半导体结构，其中该第一延伸线垂直于该第二延伸线。

[0009] 前述的半导体结构，其中该第二保护层的该第二表面另具有第二抗应力区，该第二抗应力区位于该第二设置区的角隅，且该第二显露区位于该第二抗应力区外侧，该第三保护层显露该第二抗应力区，该第二抗应力区及该第一抗应力区皆位于该角隅，且该第一抗应力区的面积不小于该第二抗应力区的面积。

[0010] 前述的半导体结构，其中该第三侧面具有第三底边且该第三底边具有第一端点，该第四侧面具有第四底边且该第四底边具有第二端点，由该第三底边延伸形成的第三延伸线与由该第四底边延伸形成的第四延伸线相交形成有第二基点，该第二基点、该第一端点与该第二端点所形成的区域为该第二抗应力区。

[0011] 前述的半导体结构，其中该第二基点与该第一端点具有第一距离，该第二基点与该第二端点具有第二距离，该第一距离等于该第二距离。

[0012] 前述的半导体结构，其中该第二保护层另具有连接该第一侧面及该第二侧面的第一导接面，该第一导接面为平面或弧面。

[0013] 前述的半导体结构，其中该第三保护层另具有连接该第三侧面与该第四侧面的第二导接面，该第二导接面为平面或弧面。

[0014] 本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。借由上述技术方案,本发明半导体结构可达到相当的技术进步性及实用性，并具有产业上的广泛利用价值，其至少具有下列优点：

[0015] 借由第一保护层的第一表面上所形成的该第一抗应力区，使得应力不易集中于该角隅，防止该半导体结构的该角隅处破裂或断离。

[0016] 上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图,详细说明如下。

附图说明

[0017] 图1是本发明的第一较佳实施例，一种半导体结构的分解立体图。

[0018] 图2是本发明的第一较佳实施例，该半导体结构的立体图。

[0019] 图3是本发明的第一较佳实施例，该半导体结构的俯视图。

[0020] 图4是本发明的第二较佳实施例，一种半导体结构的立体图。

[0021] 图5是本发明的第二较佳实施例，该半导体结构的俯视图。

[0022] 图6是现有习知的半导体结构的立体图。

具体实施方式

[0023] 为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的半导体结构，其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。

[0024] 请参阅图1及图2，其为本发明的第一较佳实施例，一种半导体结构100具有角隅100a，该半导体结构100包含有载体110、第一保护层120、第二保护层130以及第三保护层
140，该载体110具有载体表面111，该载体表面111具有保护层设置区111a及位于该保护层设置区111a外侧的保护层显露区111b，该第一保护层120设置于该保护层设置区111a，该第一保护层120具有第一表面121，该第一表面121具有第一设置区121a、第一抗应力区121b及位于该第一设置区121a及该第一抗应力区121b外侧的第一显露区121c，该第一抗应力区
121b位于该半导体结构100的该角隅100a，该第二保护层130设置于该第一设置区121a，且该第二保护层130显露该第一抗应力区121b及该第一显露区121c，该第二保护层130具有第二表面131、第一侧面132、第二侧面133及连接该第一侧面132及该第二侧面133的第一导接面134，该第二表面131具有第二设置区131a、第二抗应力区131b及位于该第二设置区131a及该第二抗应力区131b外侧的第二显露区131c，该第二抗应力区131b位于该第二设置区
131a的角隅，且该第二抗应力区131b及该第一抗应力区121b皆位于该半导体结构100的该角隅100a，在本实施例中，该第一抗应力区121b的面积不小于该第二抗应力区131b的面积。

[0025] 请参阅图2及图3，该第一侧面132具有第一底边132a，该第二侧面133具有第二底边133a，由该第一底边132a延伸形成的第一延伸线L1与由该第二底边133a延伸形成的第二延伸线L2相交形成有第一基点A1，在本实施例中，该第一延伸线L1垂直于该第二延伸线L2，该第一导接面134为平面。

[0026] 请参阅图1、图2及图3，该第三保护层140设置于该第二设置区131a，且该第三保护层140显露该第二抗应力区131b，该第三保护层140具有第三侧面141、第四侧面142及连接该第三侧面141与该第四侧面142的第二导接面143，该第三侧面141在该第一保护层120的该第一表面121形成有第一投影线P1，该第一投影线P1的延伸线与该第二侧面133的该第二底边133a相交形成有第一交点I1，该第四侧面142在该第一保护层120的该第一表面121形成有第二投影线P2，该第二投影线P2的延伸线与该第一侧面132的该第一底边132a相交形成有第二交点I2，该第一基点A1、该第一交点I1与该第二交点I2所形成的区域即为该第一抗应力区121b，在本实施例中，该第二导接面143为平面。

[0027] 请再参阅图2，该第三侧面141具有第三底边141a且该第三底边141a具有第一端点T1，该第四侧面142具有第四底边142a且该第四底边142a具有第二端点T2，由该第三底边141a延伸形成的第三延伸线L3与由该第四底边142a延伸形成的第四延伸线L4相交形成有第二基点A2，该第二基点A2、该第一端点T1与该第二端点T2所形成的区域为该第二抗应力区131b，在本实施中，该第二基点A2与该第一端点T1具有第一距离D1，该第二基点A2与该第二端点T2具有第二距离D2，该第一距离D1等于该第二距离D2。

[0028] 本发明借由该第一延伸线L1与该第二延伸线L2相交形成的该第一基点A1、该第一投影线P1的延伸线与该第二底边133a相交形成的该第一交点I1以及该第二投影线P2的延伸线与该第一底边132a相交形成的该第二交点I2在该第一表面121上形成的该第一抗应力区121b，使得该第一保护层120、该第二保护层130以及该第三保护层140叠设于该载体110时所产生的应力不会集中于该角隅100a，防止该半导体结构100的该角隅100a处破裂或断离。

[0029] 接着，请参阅图4及图5，其为本发明的第二较佳实施例，其与第一较佳实施例的差异在于该第一导接面134及该第二导接面143为弧面，当该第一导接面134及该第二导接面143为弧面时，也具有防止该半导体结构100的应力集中于该第二保护层130与该第一保护层120交叠的角隅处（邻近该角隅100a）的功效，因此亦可避免该半导体结构100由该角隅
100a处断离或破裂。

[0030] 上述如此结构构成的本发明半导体结构的技术创新，对于现今同行业的技术人员来说均具有许多可取之处，而确实具有技术进步性。

[0031] 以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明,任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内,当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例,但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。