晶片的处理方法

摘要

本发明的目的在于，提供一种晶片的处理方法，其是在借助胶粘剂组合物将晶片固定于支承板的状态下对晶片进行处理的晶片的处理方法，所述晶片的处理方法虽然具有实施药液处理、加热处理或伴随发热的处理的晶片处理工序，但仍然可在晶片处理工序时维持充分的粘接力，并且，能够在晶片处理工序结束后将支承板从晶片剥离而不会损伤晶片或发生胶糊残留。本发明为一种晶片的处理方法，其具有：支承板固定工序，其是借助含有固化型胶粘剂成分的胶粘剂组合物将晶片固定于支承板的工序，其中，所述固化型胶粘剂成分是通过光照射或加热而发生交联、固化的固化型胶粘剂成分；胶粘剂固化工序，其是对所述胶粘剂组合物照射光或进行加热而使固化型胶粘剂成分交联、固化的工序；晶片处理工序，其是对固定于所述支承板的晶片的表面实施药液处理、加热处理或伴随发热的处理的工序；和支承板剥离工序，其是从所述处理后的晶片剥离支承板的工序。

权利要求

1.一种晶片的处理方法，其特征在于，具有：

支承板固定工序，其是借助含有固化型胶粘剂成分的胶粘剂组合物将晶片固定于支承板的工序，其中，所述固化型胶粘剂成分是通过光照射或加热而发生交联、固化的胶粘剂成分；

胶粘剂固化工序，其是对所述胶粘剂组合物以300mJ以上的累积照度照射光或进行加热而使固化型胶粘剂成分交联、固化的工序；

晶片处理工序，其是对固定于所述支承板的晶片的表面实施药液处理、加热处理或伴随发热的处理的工序；和支承板剥离工序，其是从在所述晶片处理工序中进行了处理后的晶片剥离支承板的工序，并且，利用动态粘弹性测定的剪切模式且在从-50℃至300℃的连续升温的条件下所

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测得的、胶粘剂固化工序后的胶粘剂组合物在25℃下的剪切储能模量为2.0×10～10 Pa。

2.根据权利要求1所述的晶片的处理方法，其特征在于，胶粘剂组合物含有通过刺激而产生气体的气体发生剂，其中，在支承板剥离工序中，对处理后的晶片赋予刺激而由所述气体发生剂产生气体，由此，将支承板从晶片剥离。

说明书

晶片的处理方法

技术领域

[0001] 本发明涉及一种晶片的处理方法，其为在借助胶粘剂组合物将晶片固定于支承板的状态下对晶片进行处理的方法，所述晶片的处理方法虽然具有实施药液处理、加热处理或伴随发热的处理的晶片处理工序，但仍然可在晶片处理工序时维持充分的粘接力，并且，能够在晶片处理工序结束后将支承板从晶片剥离而不会损伤晶片或发生胶糊残留。

背景技术

[0002] 在半导体芯片的制造工序中，为了在晶片的加工时易于操作或不发生破损，而将晶片固定于支承板。例如，在将从高纯度的硅单晶等切下的厚膜晶片磨削至规定的厚度而制成薄膜晶片时，借助胶粘剂组合物将厚膜晶片粘接于支承板。

[0003] 对于将晶片粘接于支承板的胶粘剂组合物来说，需要在加工工序中尽可能牢固地将晶片固定的高粘接性，并且需要在工序结束后能够无损伤地将晶片剥离(以下，也称为“高粘接易剥离”。)。

[0004] 作为实现高粘接易剥离的胶粘剂组合物，专利文献1中记载了使用了具有下述粘接层的双面粘接带的晶片的处理方法，其中，所述粘接层含有通过偶氮化合物等的刺激而产生气体的气体发生剂。专利文献1所记载的晶片的处理方法中，首先，借助双面粘接带将晶片固定于支承板。在这种状态下进行磨削工序等，然后当赋予刺激时，由气体发生剂产生的气体被释放至胶带的表面与晶片的界面，通过其压力使至少一部分发生剥离。若使用专利文献1的双面粘接带，则不会损伤晶片，并且，能够不发生胶糊残留地进行剥离。

[0005] 另一方面，伴随着近年来的半导体芯片的高性能化，已开始进行对晶片的表面实施药液处理、加热处理或伴随发热的处理的工序。例如，作为新一代的技术，使用了将多个半导体芯片层叠而使器件飞跃性地发生高性能化、小型化的TSV(Si通孔/Through Si via)的3维层叠技术受到关注。TSV除了能够实现半导体安装的高密度化外，还能够通过缩短连接距离而实现低噪音化、低电阻化，并且存取速度飞跃性地加快，在使用中所产生的热的释放也优异。在这种TSV的制造中，需要进行使经磨削而得的薄膜晶片造成凹凸、或在背面形成凸出、或在3维层叠时进行回焊等200℃以上的高温处理工艺。

[0006] 在伴随这种严酷的晶片处理工序的晶片的处理中，对于专利文献1中记载的现有的晶片的处理方法而言，有时在对晶片的表面实施药液处理的工序中胶粘剂组合物受到侵害而导致粘接力下降，或者，反之胶粘剂组合物因高温而使粘接加强而导致剥离性下降。

[0007] 现有技术文献

[0008] 专利文献

[0009] 专利文献1：日本特开2003-231872号公报

发明内容

[0010] 发明要解决的课题

[0011] 本发明鉴于上述现状，其目的在于提供一种晶片的处理方法，其为在借助胶粘剂组合物将晶片固定于支承板的状态下对晶片进行处理的晶片的处理方法，所述晶片的处理方法虽然具有实施药液处理、加热处理或伴随发热的处理的晶片处理工序，但仍然可在晶片处理工序时维持充分的粘接力，并且，能够在晶片处理工序结束后将支承板从晶片剥离而不会损伤晶片或发生胶糊残留。

[0012] 用于解决课题的手段

[0013] 本发明为一种晶片的处理方法，其具有：支承板固定工序，其是借助含有固化型胶粘剂成分的胶粘剂组合物将晶片固定于支承板的工序，其中，所述固化型胶粘剂成分是通过光照射或加热而发生交联、固化的胶粘剂成分；胶粘剂固化工序，其是对所述胶粘剂组合物照射光或进行加热而使固化型胶粘剂成分交联、固化的工序；晶片处理工序，其是对固定于所述支承板的晶片的表面实施药液处理、加热处理或伴随发热的处理的工序；和支承板剥离工序，其是从所述处理后的晶片剥离支承板的工序。

[0014] 以下，对本发明进行详述。

[0015] 本发明的晶片的处理方法中，首先，进行借助含有固化型胶粘剂成分的胶粘剂组合物将晶片固定于支承板的支承板固定工序，其中，所述固化型胶粘剂成分是通过光照射或加热而发生交联、固化的固化型胶粘剂成分。

[0016] 通过将晶片固定于支承板，可使加工时易于操作或不发生破损。

[0017] 作为上述支承板，只要是具有充分的强度、耐热性、耐化学试剂性优异、且可使光透过或通过的支承板，就没有特别限定，可举出玻璃板、石英板、蓝宝石板等。作为上述支承板，例如还可以使用AF32(Schott公司制)、borofloat 33(Schott公司制)等市售品。

[0018] 上述胶粘剂组合物含有通过光照射而发生交联、固化的光固化型胶粘剂成分；或者，通过加热而发生交联、固化的热固化型胶粘剂成分。

[0019] 作为上述光固化型胶粘剂成分，例如，可举出以聚合性聚合物为主成分、且含有光聚合引发剂的光固化型胶粘剂。

[0020] 作为上述热固化型胶粘剂成分，例如，可举出以聚合性聚合物为主成分、且含有热聚合引发剂的热固化型胶粘剂。

[0021] 上述聚合性聚合物例如通过如下方式得到：预先合成分子内具有官能团的(甲基)丙烯酸系聚合物(以下，称为含官能团(甲基)丙烯酸系聚合物)，再使其与分子内具有可与上述官能团反应的官能团、和自由基聚合性的不饱和键的化合物(以下，称为含官能团不饱和化合物)反应。

[0022] 上述含官能团(甲基)丙烯酸系聚合物作为常温下具有粘合性的聚合物，与通常的(甲基)丙烯酸系聚合物的情形同样地，可通过下述方法得到：以烷基的碳数通常处于2～18的范围的丙烯酸烷基酯和/或甲基丙烯酸烷基酯为主单体，通过常规方法，使其与含官能团单体、以及根据需要使用的能够与它们共聚的其他改性用单体发生共聚。上述含官能团(甲基)丙烯酸系聚合物的重均分子量通常为20万～200万左右。

[0023] 作为上述含官能团单体，例如可举出：丙烯酸、甲基丙烯酸等含羧基单体；丙烯酸羟基乙酯、甲基丙烯酸羟基乙酯等含羟基单体；丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯等含环氧基单体；丙烯酸异氰酸酯乙酯、甲基丙烯酸异氰酸酯乙酯等含异氰酸酯基单体；丙烯酸氨基乙酯、甲基丙烯酸氨基乙酯等含氨基单体等。

[0024] 作为上述能够共聚的其他的改性用单体，例如可举出乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯等通常的用于(甲基)丙烯酸系聚合物中的各种单体。

[0025] 作为与上述含官能团(甲基)丙烯酸系聚合物反应的含官能团不饱和化合物，可以根据上述含官能团(甲基)丙烯酸系聚合物的官能团而使用与上述的含官能团单体相同的化合物。例如，在上述含官能团(甲基)丙烯酸系聚合物的官能团为羧基时，可以使用含环氧基单体、含异氰酸酯基单体，在该官能团为羟基时，可以使用含异氰酸酯基单体，在该官能团为环氧基时，可以使用含羧基单体、丙烯酰胺等含酰胺基单体，在该官能团为氨基时，可以使用含环氧基单体。

[0026] 上述聚合性聚合物中，自由基聚合性的不饱和键的含量的优选下限为0.01meq/g、优选的上限为2.0meq/g。若上述聚合性聚合物的自由基聚合性的不饱和键的含量在该范围内，则对于在上述胶粘剂固化工序中对胶粘剂组合物照射光或进行加热而使固化型胶粘剂成分交联、固化后的胶粘剂组合物而言，能够将利用动态粘弹性测定的剪切模式、且5
在-50℃至300℃的连续升温的条件下所测得的25℃下的剪切储能模量调整至2.0×10～
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10Pa左右的范围。由此，在上述支承板剥离工序中将支承板从晶片剥离时，可以更有效地防止晶片的表面发生胶糊残留。上述聚合性聚合物的自由基聚合性的不饱和键的含量的更优选下限为0.05meq/g，更优选的上限为1.0meq/g。

[0027] 上述光聚合引发剂例如可举出通过照射250～800nm的波长的光而被活化的光聚合引发剂，作为这种光聚合引发剂，例如可举出：甲氧基苯乙酮等苯乙酮衍生物化合物；苯偶姻丙基醚、苯偶姻异丁基醚等苯偶姻醚系化合物；苯偶酰二甲基缩酮、苯乙酮二乙基缩酮等缩酮衍生物化合物；氧化膦衍生物化合物；双(η5-环戊二烯基)二茂钛衍生物化合物、二苯甲酮、米氏酮、氯代噻吨酮、十二烷基噻吨酮、二甲基噻吨酮、二乙基噻吨酮、α-羟基环己基苯基酮、2-羟基甲基苯基丙烷等光自由基聚合引发剂。这些光聚合引发剂可以单独使用，也可以并用2种以上。

[0028] 上述热聚合引发剂可举出通过热而分解，从而产生使聚合开始的活性自由基的热聚合引发剂，例如可举出过氧化二异丙苯、二叔丁基过氧化物、过氧化苯甲酸叔丁酯(t-butyl peroxy benzoate)、叔丁基过氧化氢、过氧化苯甲酰、过氧化氢异丙苯、过氧化氢二异丙苯、对孟烷过氧化氢、二叔丁基过氧化物等。这些热聚合引发剂可以单独使用，也可以并用2种以上。

[0029] 上述光固化型胶粘剂或热固化型胶粘剂进一步优选含有自由基聚合性的多官能低聚物或单体。通过含有自由基聚合性的多官能低聚物或单体，从而使光固化性或热固化性提高。

[0030] 上述多官能低聚物或单体优选为分子量在1万以下的物质，更优选为其分子量在5000以下且分子内的自由基聚合性的不饱和键的数量为2～20个的物质，以有效地进行由加热或光的照射所引起的胶粘剂层的三维网状化。

[0031] 上述多官能低聚物或单体例如可举出：三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、四羟甲基丙烷四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯或上述同样的甲基丙烯酸酯类等。此外，可举出：1，4-丁二醇二丙烯酸酯、1，6-己二醇二丙烯酸酯、聚丙二醇#700二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、市售的低聚酯丙烯酸酯、上述同样的甲基丙烯酸酯类等。这些多官能低聚物或单体可以单独使用，也可以并用2种以上。

[0032] 上述光固化型胶粘剂或热固化型胶粘剂可以含有通过刺激而产生气体的气体发生剂。在上述光固化型胶粘剂或热固化型胶粘剂含有上述气体发生剂的情况下，在后述的支承板剥离工序中，对处理后的晶片赋予刺激而由上述气体发生剂产生气体，由此，能够更容易地且不发生胶糊残留地将支承板从晶片剥离。

[0033] 在此，对于上述光固化型胶粘剂成分或热固化型胶粘剂成分与上述气体发生剂而言，选择使光固化型胶粘剂成分或热固化型胶粘剂成分交联、固化的光或热、与由气体发生剂产生气体的刺激在质或量的方面不同的组合。通过选择这样的组合，可以防止因后述的胶粘剂固化工序中的光照射或加热而导致由气体发生剂产生了气体的晶片与支承板发生剥离。具体而言，例如可以选择通过热等光以外的刺激而产生气体的气体发生剂。另外，在使气体发生剂产生气体的刺激也为光的情况下，选择如下的气体发生剂：与使光固化型胶粘剂成分交联、固化的光的波长不同；或者，虽然波长重复，但是与使光固化型胶粘剂成分交联、固化的光量相比需要更多的光量。

[0034] 具体而言，例如在使用上述光固化型胶粘剂成分的情况下，可举出选择通过热等光以外的刺激而产生气体的气体发生剂。另外，在使气体发生剂产生气体的刺激也为光的情况下，选择如下的气体发生剂：与使光固化型胶粘剂成分交联、固化的光的波长不同；或者，虽然波长重复，但是与使光固化型胶粘剂成分交联、固化的光量相比需要更多的光量。

[0035] 例如，作为通过上述光照射而进行交联、固化的光固化型胶粘剂成分，在使用含有侧链具有乙烯基等不饱和双键的聚合物、和在250～800nm波长下发生活化的光聚合引发剂的胶粘剂时，可以通过照射365nm以上的波长的光来进行交联、固化。若相对于这种光固化型胶粘剂成分，组合通过照射300nm以下的波长的光而使气体产生的气体发生剂，则可以在胶粘剂固化工序中照射365nm以上的波长的光，在支承板剥离工序中照射300nm以下的波长的光。

[0036] 另外，在使用上述热固化型胶粘剂成分的情况下，可举出选择通过光等热以外的刺激而产生气体的气体发生剂。另外，在使气体发生剂产生气体的刺激也为热的情况下，选择使热固化型胶粘剂成分交联、固化的温度条件低于使气体发生剂产生气体的温度条件的组合。

[0037] 例如，若相对于含有侧链具有乙烯基等不饱和双键的聚合物、和通过50～150℃左右的加热而活化的热聚合引发剂的热固化型胶粘剂，组合通过200℃以上的加热而产生气体的气体发生剂，则可以在胶粘剂固化工序中在50～150℃的条件下进行加热，在支承板剥离工序中在200℃以上的条件下进行加热。

[0038] 上述气体发生剂没有特别限定，例如，可以使用偶氮化合物、叠氮化合物等现有公知的气体发生剂。

[0039] 另外，从即使因药液处理、加热处理或伴随发热的处理也不会发生剥离、即、对这些处理的耐性优异的方面考虑，优选下述通式(1)所表示的羧酸化合物或其盐。对于这种气体发生剂来说，通过照射紫外线等光而产生气体(二氧化碳气体)，另一方面，其具有即使经200℃左右的高温化也不会发生分解的高耐热性。另外，对酸、碱、有机溶剂等药液的耐性也优异。这种气体发生剂即使在后述的严酷的晶片处理工序中也不会反应而产生气体。

[0040]1 7 1 7 1

[0041] 式(1)中，R～R 分别表示氢或有机基团。R ～R 可以相同也可以不同。R ～7
R中的2个可以相互键合而形成环状结构。

[0042] 上述通式(1)中的有机基团例如可举出：甲基、乙基、丙基、丁基、异丁基等烷基；甲氧基、乙氧基等烷氧基；羧基；羟基；硝基；苯基等芳香族基；萘基、芴基、芘基等多环式烃基；联苯基等环集合烃基；呫吨基等杂环基等。
3 7

[0043] 其中，优选为，上述式(1)中的R～R 中的1个为下述式(2)所表示的有机基团，3 7
或者，上述式(1)中的R～R 中相邻的2个相互键合而形成下述式(3)所表示的环状结构。

[0044]

[0045] 式(2)中，R8～R12分别表示氢或有机基团。R8～R12可以相同也可以不同。R8～12
R 中的2个可以相互键合而形成环状结构。

[0046] 式(3)中，R13～R16分别表示氢或有机基团。R13～R16可以相同也可以不同。R13～16
R 中的2个可以相互键合而形成环状结构。

[0047] 另外，上述式(1)中的R1优选为甲基。

[0048] 作为上述式(1)所表示的羧酸化合物的具体例，例如可举出：苯乙酸、二苯基乙酸、三苯基乙酸、2-苯基丙酸、2，2-二苯基丙酸、2，2，2-三苯基丙酸、2-苯基丁酸、α-甲氧基苯基乙酸、扁桃酸、阿卓乳酸、二苯基乙醇酸、莨菪酸、苯基丙二酸、苯基琥珀酸、3-甲基-2-苯基丁酸、邻甲苯乙酸、间甲苯乙酸、4-异丁基-α-甲基苯基乙酸、对甲苯乙酸、1，2-亚苯基二乙酸、1，3-亚苯基二乙酸、1，4-亚苯基二乙酸、2-甲氧基苯乙酸、2-羟基苯乙酸、2-硝基苯乙酸、3-硝基苯乙酸、4-硝基苯乙酸、2-(4-硝基苯基)丙酸、3-(4-硝基苯基)丙酸、4-(4-硝基苯基)丙酸、3，4-二甲氧基苯乙酸、3，4-(亚甲基二氧基)苯乙酸、2，5-二甲氧基苯乙酸、3，5-二甲氧基苯乙酸、3，4，5-三甲氧基苯乙酸、2，4-二硝基苯乙酸、4-联苯乙酸、1-萘乙酸、2-萘乙酸、6-甲氧基-α-甲基-2-萘乙酸、1-芘乙酸、9-芴羧酸或9H-呫吨-9-羧酸等。

[0049] 其中，上述式(1)所表示的羧酸化合物优选为下述式(1-1)所表示的酮洛芬、或下述式(1-2)所表示的2-呫吨酮乙酸(2-xanthoneacetic acid)。

[0050]

[0051] 上述式(1)所表示的羧酸化合物的盐也具有上述式(1)所表示的羧酸化合物来源的骨架，因此若被光照射，则容易引起脱羧，能够产生二氧化碳气体。

[0052] 上述式(1)所表示的羧酸化合物的盐只需通过将上述式(1)所表示的羧酸化合物和碱性化合物在容器中混合，就可不经由复杂的合成路径简单地制备。

[0053] 上述碱性化合物不受特别限定，例如可举出胺、肼化合物、氢氧化季铵盐、膦化合物等。

[0054] 上述胺不受特别限定，可以使用伯胺、仲胺及叔胺中的任一种。

[0055] 其中，上述碱性化合物优选为单烷基胺或二烷基胺。在使用单烷基胺或二烷基胺的情况下，可以使所得的上述式(1)表示的羧酸化合物的盐的极性发生低极性化，可以提高与胶粘剂成分的溶解性。更优选为碳数6～12的单烷基胺或二烷基胺。

[0056] 另外，上述气体发生剂还优选为下述通式(4)、通式(5)或通式(6)所表示的四唑化合物或其盐。对于这些气体发生剂而言，也是一方面通过照射紫外线等光而产生气体(氮气)，另一方面具有即使在200℃左右的高温下也不会发生分解的高耐热性。另外，对酸、碱、有机溶剂等药液的耐性也优异。这些气体发生剂即使在后述的严酷的晶片处理工序中也不会发生反应而产生气体。

[0057]

[0058] 式(4)～(6)中，R21、R22表示氢、碳数1～7的烷基、亚烷基、苯基、巯基、羟基或氨基。

[0059] 上述通式(4)～(6)所表示的四唑化合物的盐也具有上述通式(4)～(6)所表示的四唑化合物来源的骨架，因此若被光照射，则能够产生氮气。

[0060] 上述通式(4)～(6)所表示的四唑化合物的盐不受特别限定，例如可举出钠盐、钾盐、铵盐等。

[0061] 上述通式(4)～(6)所表示的四唑化合物的盐只需通过将上述通式(4)～(6)所表示的四唑化合物和碱性化合物在容器中混合，就能够不经由复杂的合成路径而简单地制备。

[0062] 上述碱性化合物不受特别限定，例如可举出胺、肼化合物、氢氧化季铵盐、膦化合物等。

[0063] 上述胺不受特别限定，也可以使用伯胺、仲胺及叔胺中的任一种。

[0064] 其中，上述碱性化合物优选为单烷基胺或二烷基胺。在使用单烷基胺或二烷基胺的情况下，可以使所得的上述通式(4)～(6)表示的四唑化合物的盐的极性发生低极性化，可以提高与光固化型胶粘剂成分的溶解性。更优选为碳数6～12的单烷基胺或二烷基胺。

[0065] 上述通式(4)所表示的四唑化合物或其盐不受特别限定，具体而言，例如可举出1H-四唑、5-苯基-1H-四唑、5，5-偶氮双-1H-四唑、5-氨基-1H-四唑、5-甲基-1H-四唑、1-甲基-5-巯基-1H-四唑、1-甲基-5-乙基-1H-四唑、1-(二甲基氨基乙基)-5-巯基-1H-四唑等。

[0066] 上述通式(5)所表示的四唑化合物或其盐不受特别限定，具体而言，例如可举出5，5’-双四唑二铵盐等。

[0067] 上述通式(6)所表示的四唑化合物或其盐不受特别限定，具体而言，例如可举出5，5’-双四唑胺单铵盐等。

[0068] 上述气体发生剂的含量相对于上述光固化型胶粘剂成分或热固化型胶粘剂成分100重量份的优选的下限为5重量份，优选的上限为50重量份。若上述气体发生剂的含量小于5重量份，则因刺激所产生的二氧化碳气体或氮气的产生变少，有时无法进行充分的剥离，若超过50重量份，则有时无法完全溶于光固化型胶粘剂成分或热固化型胶粘剂成分而使粘接力下降。上述气体发生剂的含量的更优选的下限为10重量份，更优选的上限为30重量份。

[0069] 上述胶粘剂组合物还可以含有光敏剂。

[0070] 上述光敏剂具有放大光对上述气体发生剂带来的刺激的效果，因此，可以通过更少的光的照射而使气体释放。另外，可以通过更广的波长区域的光使气体释放。

[0071] 上述光敏剂只要是耐热性优异的光敏剂，则不受特别限定。

[0072] 耐热性优异的光敏剂例如可举出至少具有1个以上烷氧基的多环芳香族化合物。其中，优选具有一部分被缩水甘油基或羟基取代了的烷氧基的取代烷氧基多环芳香族化合物。这些光敏剂的耐升华性高，可以在高温下使用。另外，通过将部分烷氧基利用缩水甘油基或羟基取代，从而可以提高在上述光固化型胶粘剂成分中的溶解性，可以防止渗出。

[0073] 上述多环芳香族化合物优选为蒽衍生物。上述烷氧基优选为碳数1～18的烷氧基，更优选为碳数1～8的烷氧基。

[0074] 上述至少具有1个以上烷氧基的多环芳香族化合物例如可举出：9，10-二甲氧基蒽、2-乙基-9，10-二甲氧基蒽、2-叔丁基-9，10-二甲氧基蒽、2，3-二甲基-9，10-二甲氧基蒽、9-甲氧基-10-甲基蒽、9，10-二乙氧基蒽、2-乙基-9，10-二乙氧基蒽、2-叔丁基-9，10-二乙氧基蒽、2，3-二甲基-9，10-二乙氧基蒽、9-乙氧基-10-甲基蒽、9，10-二丙氧基蒽、2-乙基-9，10-二丙氧基蒽、2-叔丁基-9，10-二丙氧基蒽、2，3-二甲基-9，10-二丙氧基蒽、9-异丙氧基-10-甲基蒽、9，10-二丁氧基蒽、9，10-二苄氧基蒽、2-乙基-9，10-二苄氧基蒽、2-叔丁基-9，10-二苄氧基蒽、2，3-二甲基-9，10-二苄氧基蒽、9-苄氧基-10-甲基蒽、9，10-二-α-甲基苄氧基蒽、2-乙基-9，10-二-α-甲基苄氧基蒽、2-叔丁基-9，
10-二-α-甲基苄氧基蒽、2，3-二甲基-9，10-二-α-甲基苄氧基蒽、9-(α-甲基苄氧基)-10-甲基蒽、9，10-二(2-羟基乙氧基)蒽、2-乙基-9，10-二(2-羧基乙氧基)蒽等蒽衍生物等。

[0075] 上述具有一部分被缩水甘油基或羟基取代了的烷氧基的取代烷氧基多环芳香族化合物例如可举出：9，10-二(缩水甘油氧基)蒽、2-乙基-9，10-二(缩水甘油氧基)蒽、2-叔丁基-9，10-二(缩水甘油氧基)蒽、2，3-二甲基-9，10-二(缩水甘油氧基)蒽、9-(缩水甘油氧基)-10-甲基蒽、9，10-二(2-乙烯氧基乙氧基)蒽、2-乙基-9，10-二(2-乙烯氧基乙氧基)蒽、2-叔丁基-9，10-二(2-乙烯氧基乙氧基)蒽、2，3-二甲基-9，10-二(2-乙烯氧基乙氧基)蒽、9-(2-乙烯氧基乙氧基)-10-甲基蒽、9，10-二(3-甲基-3-氧杂环丁基甲氧基)蒽、2-乙基-9，10-二(3-甲基-3-氧杂环丁基甲氧基)蒽、2-叔丁基-9，10-二(3-甲基-3-氧杂环丁基甲氧基)蒽、2，3-二甲基-9，10-二(3-甲基-3-氧杂环丁基甲氧基)蒽、9-(3-甲基-3-氧杂环丁基甲氧基)-10-甲基蒽、9，10-二(对环氧基苯基甲氧基)蒽、2-乙基-9，10-二(对环氧基苯基甲氧基)蒽、2-叔丁基-9，10-二(对环氧基苯基甲氧基)蒽、2，3-二甲基-9，10-二(对环氧基苯基甲氧基)蒽、9-(对环氧基苯基甲氧基)-10-甲基蒽、9，10-二(对乙烯基苯基甲氧基)蒽、2-乙基-9，10-二(对乙烯基苯基甲氧基)蒽、2-叔丁基-9，1-二(对乙烯基苯基甲氧基)蒽、2，3-二甲基-9，10-二(对乙烯基苯基甲氧基)蒽、9-(对乙烯基苯基甲氧基)-10-甲基蒽、9，10-二(2-羟基乙氧基)蒽、
9，10-二(2-羟基丙氧基)蒽、9，10-二(2-羟基丁氧基)蒽、9，10-二(2-羟基-3-丁氧基丙氧基)蒽、9，10-二(2-羟基-3-(2-乙基己氧基)丙氧基)蒽、9，10-二(2-羟基-3-烯丙氧基丙氧基)蒽、9，10-二(2-羟基-3-苯氧基丙氧基)蒽、9，10-二(2，3-二羟基丙氧基)蒽等。

[0076] 上述光敏剂的含量相对于上述光固化型胶粘剂成分或热固化型胶粘剂成分100重量份的优选下限为0.05重量份，优选的上限为10重量份。若上述光敏剂的含量小于0.05重量份，则有时无法得到充分的增敏效果，若超过10重量份，则源自光敏剂的残留物增加，有时无法进行充分的剥离。上述光敏剂的含量的更优选的下限为0.1重量份，更优选的上限为5重量份。

[0077] 上述胶粘剂组合物可以含有热解法二氧化硅。通过配合热解法二氧化硅，从而可使上述胶粘剂组合物的凝聚力提高。因此，即使在含官能团(甲基)丙烯酸系聚合物中混合极性不同的添加剂，也不会发生分离，可以使胶粘剂组合物均匀。另外，由于拉伸强度显著改善，因此，即使经药液处理、200℃以上的高温处理后，胶粘剂也不会因剥离时的应力而断裂，可不发生胶糊残留地进行剥离。

[0078] 上述热解法二氧化硅的平均粒径的下限为0.05μm，上限为3μm。上述热解法二氧化硅的平均粒径在该范围内时，即使在实施了药液处理、200℃以上的高温处理的情况下，也可发挥出：不发生浮起等的高耐化学试剂性、耐热性、以及即使在经过药液处理或200℃以上的高温处理后进行剥离时也不会发生胶糊残留的较高的非胶糊残留性。上述热解法二氧化硅的平均粒径的优选的下限为0.06μm，优选的上限为2μm，更优选的下限为
0.07μm，更优选的上限为1μm。

[0079] 需要说明的是，在本说明书中，热解法二氧化硅的平均粒径是指：使用激光散射衍射法或动态光散射法中的任一种方法，对配合前的分散于甲乙酮、甲乙酮/甲苯(60∶40)溶液等介质中的热解法二氧化硅进行测定而得的粒径。

[0080] 配合上述热解法二氧化硅时，相对于上述光固化型胶粘剂成分或热固化型胶粘剂成分100重量份而优选40重量份以下的配合量。通过40重量份以下的配合量，可以发挥出：使凝聚力提高而使胶粘剂组合物均匀的效果、提高非胶糊残留性的效果。上述热解法二氧化硅的配合量的下限没有特别限定，但为了充分发挥上述粘合剂组成的均匀性、及提高非胶糊残留性的效果，而优选配合3重量份以上。

[0081] 上述胶粘剂组合物可以含有硅酮化合物(以下，也简称为“硅酮化合物A”。)，所述硅酮化合物具有能够与上述光固化型胶粘剂成分或热固化型胶粘剂成分发生交联的官能团。

[0082] 硅酮化合物的耐化学试剂性、耐热性优异，因此即使经过药液处理、200℃以上的高温处理，仍可防止胶粘剂的烧焦等，在剥离时渗出至被粘物界面而使剥离变得容易。硅酮化合物具有能够与上述光固化型胶粘剂成分或热固化型胶粘剂成分发生交联的官能团，由此通过进行光照射或加热而与上述光固化型胶粘剂成分或热固化型胶粘剂成分发生化学反应，被纳入到上述光固化型胶粘剂成分中或热固化型胶粘剂成分中，因此硅酮化合物不会附着于被粘物而造成污染。另外，通过配合硅酮化合物，从而对支承板的亲和性提高，还可发挥出防止在晶片上残留胶糊的效果。

[0083] 上述硅酮化合物A的硅酮骨架没有特别限定，可以是D体、DT体中的任一种。

[0084] 上述硅酮化合物A优选在硅酮骨架的侧链或末端具有该官能团。

[0085] 其中，若使用具有D体的硅酮骨架、且在末端具有能够与上述光固化型胶粘剂成分或热固化型胶粘剂成分发生交联的官能团的硅酮化合物，则易于兼顾高初期粘接力、与药液处理或200℃以上的高温处理后的剥离力，因此更为优选。

[0086] 上述硅酮化合物A的官能团可以根据上述光固化型胶粘剂成分或热固化型胶粘剂成分来选择适当的官能团。例如，在光固化型胶粘剂成分或热固化型胶粘剂成分为将在上述分子内具有自由基聚合性的不饱和键的(甲基)丙烯酸烷基酯系聚合性聚合物作为主成分的光固化型胶粘剂或热固化型胶粘剂的情况下，可选择能够与(甲基)丙烯酰基发生交联的官能团。

[0087] 上述能够与(甲基)丙烯酰基发生交联的官能团为具有不饱和双键的官能团，具体而言，例如可举出乙烯基、(甲基)丙烯酰基、烯丙基、马来酰亚胺基等。

[0088] 上述硅酮化合物A的官能团当量没有特别限定，优选的下限为1，优选的上限为20。若上述官能团当量小于1，则在所得的胶粘剂组合物的固化时，硅酮化合物A未被充分纳入到光固化型胶粘剂成分中，有时会污染被粘物或无法充分发挥剥离性，若超过20，则有时无法得到充分的粘接力。上述官能团当量的更优选的上限为10，更优选的下限为2，进一步优选的上限为6。

[0089] 上述硅酮化合物A的分子量没有特别限定，优选的下限为300，优选的上限为50000。若上述分子量小于300，则有时所得的胶粘剂组合物的耐化学试剂性、耐热性变得不充分，若超过50000，则有时上述光固化型胶粘剂成分或热固化型胶粘剂成分的混合变得困难。上述分子量的更优选的下限为400，更优选的上限为10000，进一步优选的下限为500，进一步优选的上限为5000。

[0090] 合成上述硅酮化合物A的方法没有特别限定，例如可举出：通过硅氢化反应使具有SiH基的硅酮树脂、与具有能够与上述光固化型胶粘剂成分或热固化型胶粘剂成分发生交联的官能团的乙烯基化合物进行反应，从而在硅酮树脂中导入能够与上述光固化型胶粘剂成分或热固化型胶粘剂成分发生交联的官能团的方法；使硅氧烷化合物、和具有能够与上述光固化型胶粘剂成分或热固化型胶粘剂成分发生交联的官能团的硅氧烷化合物发生缩合反应的方法等。

[0091] 对于上述硅酮化合物A中的市售产品而言，例如可举出：信越化学工业公司制的X-22-164、X-22-164AS、X-22-164A、X-22-164B、X-22-164C、X-22-164E等两末端具有甲基丙烯酰基的硅酮化合物；信越化学工业公司制的X-22-174DX、X-22-2426、X-22-2475等一个末端具有甲基丙烯酰基的硅酮化合物；Daicel-Cytec公司制的EBECRYL350、EBECRYL1360等具有丙烯酰基的硅酮化合物；东亚合成公司制的AC-SQ TA-100、AC-SQ SI-20等具有丙烯酰基的硅酮化合物；东亚合成公司制的MAC-SQ TM-100、MAC-SQ SI-20、MAC-SQ HDM等具有甲基丙烯酰基的硅酮化合物等。

[0092] 其中，上述硅酮化合物A的耐化学试剂性、耐热性特别高，且极性也高，因此从胶粘剂组合物中的渗出比较容易，因此优选为下述通式(I)、通式(II)、通式(III)所表示的在硅氧烷骨架上具有(甲基)丙烯酰基的硅酮化合物。

[0093]

[0094] 式中，X、Y表示0～1200的整数(其中，不包括X及Y均为0的情况。)，R表示具有不饱和双键的官能团。

[0095] 对于上述通式(I)、通式(II)、通式(III)所表示的、在硅氧烷骨架上具有(甲基)丙烯酰基的硅酮化合物中的市售的产品而言，例如可举出Daicel-Cytec公司制的EBECRYL350、EBECRYL1360(R均为丙烯酰基)等。

[0096] 上述硅酮化合物A的含量相对于上述光固化型胶粘剂成分或热固化型胶粘剂成分100重量份的优选的下限为0.5重量份，优选的上限为50重量份。若硅酮化合物A的含量小于0.5重量份，则有时即使照射光或进行加热也无法使粘接力充分降低，因而无法从被粘物上剥离，若超过50重量份，则有时成为被粘物的汚染的原因。硅酮化合物A的含量的更优选的下限为1重量份，更优选的上限为40重量份。

[0097] 出于实现对胶粘剂的凝聚力进行调节的目的，上述胶粘剂组合物可以根据要求而适当含有异氰酸酯化合物、三聚氰胺化合物、环氧化合物等通常配合于胶粘剂的各种的多官能性化合物。

[0098] 上述胶粘剂组合物可以含有增塑剂、树脂、表面活性剂、蜡、微粒填充剂等公知的添加剂。

[0099] 在上述支承板固定工序中，晶片与支承板的粘接可以通过上述胶粘剂组合物而直接粘接，也可以使用至少在一个面具有由上述胶粘剂组合物构成的胶粘剂层的双面粘接带来进行粘接。

[0100] 上述双面粘接带可以是在基材的两面具有胶粘剂层的支承带，也可以是不具有基材的非支承带。

[0101] 在上述双面粘接带为支承带的情况下，上述基材例如可举出：由丙烯酸类、烯烃、聚碳酸酯、氯乙烯、ABS、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、尼龙、氨基甲酸酯、聚酰亚胺等透明的树脂构成的片材；具有网状的结构的片材；开孔的片材等。

[0102] 在本发明的晶片的处理方法中，接下来，进行胶粘剂固化工序，所述胶粘剂固化工序是对胶粘剂组合物照射光或进行加热而使固化型胶粘剂成分交联、固化的工序。

[0103] 通脱照射光或进行加热而发生交联、固化后的固化型胶粘剂成分的耐化学试剂性飞跃性地提高，即使在对晶片的表面实施药液处理的工序中，胶粘剂也不会在药液中溶出。另外，交联、固化后的固化型胶粘剂成分的弹性模量上升，因此即使在高温下也不易发生粘接加强，不会使支承板剥离工序中的剥离性下降。此外，若在进行了交联、固化而使弹性模量上升后的硬的固化型胶粘剂成分中，由上述气体发生剂产生气体，则所产生的大部分气体被释放至外部，释放的气体使胶粘剂的粘接面的至少一部分从被粘物上剥离而使粘接力下降。由于实现了这样的易剥离，因此还可以期待较短的生产节拍化。

[0104] 如上所述，在本发明中，通过在晶片处理工序之前进行胶粘剂固化工序，从而即使具有实施药液处理、加热处理或伴随发热的处理的晶片处理工序，也可在晶片处理工序时维持充分的粘接力，并且，能够在晶片处理工序结束后将支承板从晶片剥离而不会损伤晶片或发生胶糊残留。

[0105] 例如，在使用了含有在侧链具有乙烯基等不饱和双键的聚合物、和在250～800nm的波长下发生活化的光聚合引发剂的胶粘剂作为通过上述光照射而发生交联、固化的光固化型胶粘剂成分的情况下，通过照射365nm以上的波长的光，从而能够使上述光固化型胶粘剂成分发生交联、固化。

[0106] 对于这种光固化型胶粘剂成分，例如，优选以5mW以上的照度来照射波长365nm的光，更优选以10mW以上的照度来照射，进一步优选以20mW以上的照度来照射，特别优选以50mW以上的照度来照射。另外，优选以300mJ以上的累积照度来照射波长365nm的光，更优选以500mJ以上且10000mJ以下的累积照度来照射，进一步优选以500mJ以上且7500mJ以下的累积照度来照射，特别优选以1000mJ以上且5000mJ以下的累积照度来照射。

[0107] 另外，例如，在使用了含有在侧链具有乙烯基等不饱和双键的聚合物、和通过50～150℃左右的加热而发生活化的热聚合引发剂的胶粘剂作为通过上述加热而发生交联、固化的热固化型胶粘剂成分的情况下，可以通过加热至50～150℃左右的温度，从而使上述热固化型胶粘剂成分发生交联、固化。

[0108] 利用动态粘弹性测定的剪切模式在-50℃至300℃的连续升温的条件所测得的、上述胶粘剂固化工序后的胶粘剂组合物在25℃下的剪切储能模量的优选的下限为5 8
2.0×10Pa，优选的上限为10Pa。若弹性模量在该范围内，则在上述晶片处理工序中，晶片与支承板不会意料外地发生剥离，另一方面，在上述支承板剥离工序中，可防止将支承板从
6
晶片剥离时在晶片的表面发生胶糊残留。上述弹性模量的更优选的下限为1.0×10Pa，更
7
优选的上限为5.0×10Pa。

[0109] 在本发明的晶片的处理方法中，之后具有晶片处理工序，所述晶片处理工序是对固定于上述支承板的晶片的表面实施药液处理、加热处理或伴随发热的处理的工序。

[0110] 上述药液处理只要是使用酸、碱或有机溶剂的处理，则没有特别限定，例如可举出：电解镀覆、非电解镀敷等镀覆处理；利用氢氟酸、氢氧化四甲铵水溶液(TMAH)等的湿式蚀刻处理；利用N-甲基-2-吡咯烷酮、单乙醇胺、DMSO等的抗蚀剂剥离工艺；利用浓硫酸、氨水、过氧化氢水溶液等进行清洗工艺等。

[0111] 上述加热处理或伴随发热的处理例如可举出：溅射、蒸镀、蚀刻、化学气相沉积法(CVD)、物理气相沉积法(PVD)、抗蚀剂涂布·图案化、回焊等。

[0112] 本发明的晶片的处理工序可以在后述的支承板剥离工序之前具有切割胶带贴附工序，所述割胶带贴附工序是在上述处理后的晶片的处理面上贴附切割胶带的工序。通过预先贴附切割胶带，从而在支承板剥离工序中将支承板剥离后，可以迅速地进入切割工序。

[0113] 在本发明的晶片的处理方法中，之后具有支承板剥离工序，所述支承板剥离工序是将支承板从上述处理后的晶片上剥离的工序。在上述胶粘剂固化工序中，固化型胶粘剂成分发生交联、固化，因此支承板从晶片上的剥离能够比较容易地且无胶糊残留地进行。

[0114] 在上述胶粘剂组合物含有上述气体发生剂的情况下，在支承板剥离工序中，对处理后的晶片赋予刺激而由所述气体发生剂产生气体，由此，能够容易地将支承板从晶片上剥离。

[0115] 例如，在使用了通过照射300nm以下的波长的光而产生气体的气体发生剂来作为上述气体发生剂的情况下，通过照射300nm以下的波长的光而由上述气体发生剂产生气体，从而能够将支承板从晶片上容易地剥离。

[0116] 对于这样的气体发生剂，例如，优选以5mW以上的照度照射波长254nm的光，更优选以10mW以上的照度进行照射，进一步优选以20mW以上的照度进行照射，特别优选以50mW以上的照度进行照射。另外，优选以1000mJ以上的累积照度照射波长254nm的光，更优选以1000mJ以上且20J以下的累积照度进行照射，进一步优选以1500mJ以上且15J以下的累积照度进行照射，特别优选以2000mJ以上且10J以下的累积照度进行照射。

[0117] 另外，例如，在使用了通过200℃以上的加热而产生气体的气体发生剂作为上述气体发生剂的情况下，通过加热至200℃以上的温度而由上述气体发生剂产生气体，从而能够将支承板从晶片上容易地剥离。

[0118] 发明效果

[0119] 根据本发明，可以提供一种晶片的处理方法，其为在借助胶粘剂组合物将晶片固定于支承板的状态下对晶片进行处理的晶片的处理方法，所述晶片的处理方法虽然具有实施药液处理、加热处理或伴随发热的处理的晶片处理工序，但仍然可在晶片处理工序时维持充分的粘接力，并且，能够在晶片处理工序结束后将支承板从晶片剥离而不会损伤晶片或发生胶糊残留。

具体实施方式

[0120] 以下，列举实施例对本发明的方式进一步作详细的说明，但本发明并不仅限于这些实施例。

[0121] (树脂A～树脂L的合成)

[0122] 准备具备温度计、搅拌机和冷却管的反应器，在该反应器内添加作为(甲基)丙烯酸烷基酯的丙烯酸2-乙基己酯94重量份、作为含官能团单体的甲基丙烯酸羟基乙酯6重量份、十二烷基硫醇0.01重量份、和乙酸乙酯80重量份后，加热反应器开始回流。接着，在上述反应器内添加作为聚合引发剂的1，1-双(叔己基过氧基)-3，3，5-三甲基环己烷0.01重量份，在回流下开始聚合。接下来，在开始聚合1小时后及2小时后，分别添加1，1-双(叔己基过氧基)-3，3，5-三甲基环己烷0.01重量份，进一步在聚合开始4小时后添加过氧化新戊酸叔己酯0.05重量份并使聚合反应继续。然后，开始聚合8小时后，得到固体成分为55重量％、重均分子量为60万的含官能团(甲基)丙烯酸系聚合物的乙酸乙酯溶液。

[0123] 相对于所得的含有含官能团(甲基)丙烯酸系聚合物的乙酸乙酯溶液的树脂固体成分100重量份，加入作为含官能团不饱和化合物的甲基丙烯酸2-异氰酸根合乙酯3.5重量份，使其反应而得到光固化型胶粘剂(树脂A)。

[0124] 作为(甲基)丙烯酸烷基酯、含官能团单体及含官能团不饱和化合物而使用表1中记载的物质，除此以外，与树脂A的情况同样地操作，合成树脂B～L。需要说明的是，就树脂I而言，并用了作为多官能低聚物的季戊四醇三丙烯酸酯5重量份，开始聚合。

[0125] [表1]

[0126]

[0127] (实施例1)

[0128] (1)粘接带的制造

[0129] 相对于所得的树脂A的乙酸乙酯溶液的树脂固体成分100重量份，混合光聚合引发剂(Esacure One、日本Siber Hegner公司制)1重量份。

[0130] 以使干燥皮膜的厚度达到30μm的方式，利用刮刀将所得的胶粘剂组合物的乙酸乙酯溶液涂敷在对单面实施了电晕处理后的厚度为50μm的透明的聚萘二甲酸乙二醇酯膜的电晕处理面上，在110℃下加热5分钟使涂敷溶液干燥。之后，在40℃下静置养护3天，得到粘接带。

[0131] (2)紫外线照射后的胶粘剂组合物的弹性模量的评价

[0132] 作为评价用样品，以使干燥皮膜的厚度达到500μm的方式，利用刮刀将胶粘剂组合物的乙酸乙酯溶液涂敷在对单面实施了电晕处理后的厚度为50μm的透明的聚萘二甲酸乙二醇酯膜的电晕处理面上，在110℃下加热5分钟使涂敷溶液干燥后，在40℃下静置养护3天。将所得的粘接带切割为纵0.6cm、横1.0cm的长方形状，将其作为评价用样品。接2
下来，使用超高压汞灯，以使对胶带表面的照射强度达到80mW/cm的方式调节照度，从而照射2分钟365nm的紫外线，使胶粘剂成分交联、固化。对于固化后的评价用样品，在动态粘弹性测定的剪切模式角频率为10Hz的条件下进行测定，得到从-50℃连续升温至300℃的测定值内25℃下的储能模量的值。

[0133] (3)紫外线照射后的耐化学试剂性及耐热性评价

[0134] 将所得的粘接带切割为直径20cm的圆形，在真空中贴附于直径20cm且厚度约750μm的硅晶片。在与贴附于硅晶片的面的相反面，在真空中贴附直径20cm且厚度1mm的石英玻璃板，得到层叠体。

[0135] 对所得的层叠体的晶片侧进行研削磨削(グラィンド研削)及研磨，磨削至厚度50μm为止。

[0136] 接下来，从玻璃板侧使用超高压汞灯，以使对玻璃板表面的照射强度达到80mW/2
cm的方式调节照度，照射1分钟365nm的紫外线，使胶粘剂成分交联、固化。

[0137] (3-1)

[0138] 对于使胶粘剂成分交联、固化后的层叠体，通过以下的方法，评价对酸、碱及有机溶剂的耐化学试剂性。

[0139] 即，制备作为酸的standard clean 1(SC1)溶液，在60℃下将使胶粘剂成分交联、固化后的层叠体浸渍于该SC1溶液中1小时。浸渍后，取出层叠体，从石英玻璃板侧目视观察粘接带与硅晶片的粘接面，将遍及整个面而未确认到浮起的情形评价为“○”，将确认到浮起或粘接带发生剥离的情形评价为“×”。

[0140] 使用作为碱的2.38％TMAH水溶液、作为有机溶剂的丙酮进行同样的评价。

[0141] 将结果示于表2。

[0142] (3-2)

[0143] 对于使胶粘剂成分交联、固化后的层叠体，通过以下的方法评价耐热性。

[0144] 即，在200℃下对使胶粘剂成分交联、固化后的层叠体进行1小时的热处理。将热处理后的层叠体取出，恢复至25℃后，从石英玻璃板侧目视观察粘接带与硅晶片的粘接面，将遍及整个面而未确认到浮起的情形评价为“○”，将确认到浮起或粘接带发生剥离的情形评价为“×”。

[0145] 使用形成有高低差约5μm的电路的、厚度为700μm的硅晶片(电路晶片)进行同样的评价。

[0146] 将结果示于表2。

[0147] (4)热处理后的胶糊残留评价

[0148] 将所得的粘接带切割为直径20cm的圆形，在真空中贴附于直径20cm且厚度约750μm的硅晶片。在与贴附于硅晶片的面的相反面，在真空中贴附直径20cm且厚度1mm的石英玻璃板，得到层叠体。

[0149] 对所得的层叠体的晶片侧进行研削磨削及研磨，磨削至厚度50μm为止。

[0150] 接下来，从玻璃板侧使用超高压汞灯，以使对玻璃板表面的照射强度达到80mW/2
cm的方式调节照度，照射1分钟365nm的紫外线，使胶粘剂成分交联、固化。

[0151] 在200℃下对使胶粘剂成分交联、固化后的层叠体进行2小时的热处理。热处理后，在硅晶片的未粘接于粘接带的一侧的面上贴附切割胶带，吸附固定后，剥离石英玻璃板及粘接带。

[0152] 目视观察将粘接带剥离后的硅晶片的表面，将不存在胶糊残留的情形评价为“◎”，将胶糊残留小于整个面积的5％的情形评价为“○”，将胶糊残留为整个面积的5％以上的情形评价为“×”。

[0153] 另外，使用倍率为100倍的光学显微镜对将粘接带剥离后的硅晶片的表面进行观察，将视野内不存在胶糊残留的情形评价为“◎”，将胶糊残留小于视野整个面积的5％的情形评价为“○”，将胶糊残留为视野整个面积的5％以上的情形评价为“×”。

[0154] 将结果示于表2。

[0155] (实施例2～25、比较例1)

[0156] 使树脂的种类如表2所示，并且，在胶粘剂组合物的制备中，如表2所示，还加入具有(甲基)丙烯酰基的硅酮化合物(Daicel-Cytec公司制、EBECRYL350(丙烯酸当量2)、EBECRYL1360(丙烯酸当量6))、增塑剂(根上工业公司制、UN-2600、UN-5500、UN-7700)，除此以外，与实施例1同样地操作而得到胶粘剂组合物及粘接带。使用所得的粘接带，进行与实施例1同样的评价。

[0157] 需要说明的是，在比较例1中，在耐化学试剂性、耐热性评价及胶糊残留评价中，未进行照射紫外线而使胶粘剂成分交联、固化的操作。

[0158] 将结果示于表2。

[0159] [表2]

[0160]

[0161] (实施例26)

[0162] (1)粘接带的制造

[0163] 相对于所得的树脂A的乙酸乙酯溶液的树脂固体成分100重量份，混合光聚合引发剂(Esacure One、日本Siber Hegner公司制)1重量份、硅酮化合物(EBECRYL350、Daicel-Cytec公司制)5重量份、增塑剂(UN-5500、根上工业公司制)20重量份、作为气体发生剂的5-苯基-1H-四唑10重量份。

[0164] 以使干燥皮膜的厚度达到30μm的方式，利用刮刀将所得的胶粘剂组合物的乙酸乙酯溶液涂敷在对单面实施了电晕处理后的厚度为50μm的透明的聚萘二甲酸乙二醇酯膜的电晕处理面上，在110℃下加热5分钟使涂敷溶液干燥。之后，在40℃下静置养护3天，得到粘接带。

[0165] (2)紫外线照射后的胶粘剂组合物的弹性模量的评价

[0166] 作为评价用样品，以使干燥皮膜的厚度达到500μm的方式，利用刮刀将胶粘剂组合物的乙酸乙酯溶液涂敷在对单面实施了电晕处理后的厚度为50μm的透明的聚萘二甲酸乙二醇酯膜的电晕处理面上，在110℃下加热5分钟使涂敷溶液干燥后，在40℃下静置养护3天。将所得的粘接带切割为纵0.6cm、横1.0cm的长方形状，将其作为评价用样品。2
接下来，使用超高压汞灯，以使对胶带表面的照射强度达到80mW/cm的方式调节照度，照射
365nm的紫外线2分钟，使胶粘剂成分交联、固化。对于固化后的评价用样品，在动态粘弹性测定的剪切模式角频率为10Hz的条件下进行测定，得到从-50℃连续升温至300℃的测定值内25℃下的储能模量的值。

[0167] (3)紫外线照射后的耐化学试剂性及耐热性评价

[0168] 将所得的粘接带切割为直径20cm的圆形，在真空中贴附于直径20cm且厚度约750μm的硅晶片。在与贴附于硅晶片的面的相反面，在真空中贴附直径20cm且厚度1mm的石英玻璃板，得到层叠体。

[0169] 对所得的层叠体的晶片侧进行研削磨削及研磨，磨削至厚度50μm为止。

[0170] 接下来，从玻璃板侧使用超高压汞灯，以使对玻璃板表面的照射强度达到80mW/2
cm的方式调节照度，照射1分钟365nm的紫外线，使胶粘剂成分交联、固化。

[0171] (3-1)

[0172] 对于使胶粘剂成分交联、固化后的层叠体，通过以下的方法，评价对酸、碱及有机溶剂的耐化学试剂性。

[0173] 即，制备作为酸的standard clean 1(SC1)溶液，在60℃下将使胶粘剂成分交联、固化后的层叠体浸渍于该SC1溶液中1小时。浸渍后，取出层叠体，从石英玻璃板侧目视观察粘接带与硅晶片的粘接面，将遍及整个表面而未确认到浮起的情形评价为“○”，将确认到浮起或粘接带发生剥离的情形评价为“×”。

[0174] 使用作为碱的2.38％TMAH水溶液、作为有机溶剂的丙酮进行同样的评价。

[0175] 将结果示于表3。

[0176] (3-2)

[0177] 对于使胶粘剂成分交联、固化后的层叠体，通过以下的方法评价耐热性。

[0178] 即，在200℃下对使胶粘剂成分交联、固化后的层叠体进行1小时的热处理。将热处理后的层叠体取出，恢复至25℃后，从石英玻璃板侧目视观察粘接带与硅晶片的粘接面，将遍及整个表面而未确认到浮起的情形评价为“○”，将确认到浮起或粘接带发生剥离的情形评价为“×”。

[0179] 将结果示于表3。

[0180] (4)热处理后的胶糊残留评价

[0181] 将所得的粘接带切割为直径20cm的圆形，在真空中贴附于直径20cm且厚度约750μm的硅晶片。在与贴附于硅晶片的面的相反面，在真空中贴附直径20cm且厚度1mm的石英玻璃板，得到层叠体。

[0182] 对所得的层叠体的晶片侧进行研削磨削及研磨，磨削至厚度50μm为止。

[0183] 接下来，从玻璃板侧使用超高压汞灯，以使对玻璃板表面的照射强度达到80mW/2
cm的方式调节照度，照射1分钟365nm的紫外线，使胶粘剂成分交联、固化。

[0184] 在200℃下对使胶粘剂成分交联、固化后的层叠体进行1小时的热处理。热处理后，在硅晶片的未粘接于粘接带的一侧的面上贴附切割胶带，进行吸附固定，利用超高压汞2
灯从TEMPAX玻璃侧照射照度为254nm且强度为70mW/cm的光150秒。之后，将石英玻璃板及粘接带剥离。

[0185] 目视观察将粘接带剥离后的硅晶片的表面，将不存在胶糊残留的情形评价为“◎”，将胶糊残留小于整个面积的5％的情形评价为“○”，将胶糊残留为整个面积的5％以上的情形评价为“×”。

[0186] 另外，使用倍率为100倍的光学显微镜对将粘接带剥离后的硅晶片的表面进行观察，将视野内不存在胶糊残留的情形评价为“◎”，将胶糊残留小于整个视野的面积的5％的情形评价为“○”，将胶糊残留为整个视野的面积的5％以上的情形评价为“×”。

[0187] 将结果示于表3。

[0188] (实施例27～45、比较例2)

[0189] 使树脂的种类、及配合于胶粘剂组合物中的气体发生剂的种类及量如表3所示，除此以外，与实施例26同样地操作，得到胶粘剂组合物及粘接带，使用所得的粘接带，进行与实施例26同样的评价。需要说明的是，在比较例2中，在耐化学试剂性、耐热性评价及胶糊残留评价中，未进行照射紫外线而使胶粘剂成分交联、固化的操作。

[0190] [表3]

[0191]

[0192] (实施例46)

[0193] (1)粘接带的制造

[0194] 相对于所得的树脂A的乙酸乙酯溶液的树脂固体成分100重量份，混合热聚合引发剂(PERHEXYL O、日油公司制)1重量份。

[0195] 以使干燥皮膜的厚度达到30μm的方式，利用刮刀将所得的胶粘剂组合物的乙酸乙酯溶液涂敷在对单面实施了电晕处理后的厚度为50μm的透明的聚萘二甲酸乙二醇酯膜的电晕处理面上，在80℃下加热5分钟使涂敷溶液干燥。之后，在40℃下静置养护3天，得到粘接带。

[0196] (2)利用加热进行交联、固化后的胶粘剂组合物的弹性模量的评价[0197] 作为评价用样品，以使干燥皮膜的厚度达到500μm的方式，利用刮刀将胶粘剂组合物的乙酸乙酯溶液涂敷在对单面实施了电晕处理后的厚度为50μm的透明的聚萘二甲酸乙二醇酯膜的电晕处理面上，在110℃下加热5分钟使涂敷溶液干燥后，在40℃下静置养护3天。将所得的粘接带切割为纵0.6cm、横1.0cm的长方形状，将其作为评价用样品。接下来，在100℃下进行1小时的热处理，使胶粘剂成分交联、固化。对于固化后的评价用样品，在动态粘弹性测定的剪切模式角频率为10Hz的条件下进行测定，得到从-50℃连续升温至300℃的测定值内25℃下的储能模量的值。

[0198] (3)加热后的耐化学试剂性及耐热性评价

[0199] 将所得的粘接带切割为直径20cm的圆形，在真空中贴附于直径20cm且厚度约750μm的硅晶片。在与贴附于硅晶片的面的相反面，在真空中贴附直径20cm且厚度1mm的石英玻璃板，得到层叠体。

[0200] 对所得的层叠体的晶片侧进行研削磨削及研磨，磨削至厚度50μm为止。

[0201] 接下来，在100℃下进行1小时的热处理，使胶粘剂成分交联、固化。

[0202] (3-1)

[0203] 对于使胶粘剂成分交联、固化后的层叠体，通过以下的方法，评价对酸、碱及有机溶剂的耐化学试剂性。

[0204] 即，制备作为酸的standard clean 1(SC1)溶液，在60℃下将使胶粘剂成分交联、固化后的层叠体浸渍于该SC1溶液中1小时。浸渍后，取出层叠体，从石英玻璃板侧目视观察粘接带与硅晶片的粘接面，将遍及整个表面而未确认到浮起的情形评价为“○”，将确认到浮起或粘接带发生剥离的情形评价为“×”。

[0205] 使用作为碱的2.38％TMAH水溶液、作为有机溶剂的丙酮进行同样的评价。

[0206] 将结果示于表4。

[0207] (3-2)

[0208] 对于使胶粘剂成分交联、固化后的层叠体，通过以下的方法评价耐热性。

[0209] 即，在200℃下对使胶粘剂成分交联、固化后的层叠体进行1小时的热处理。将热处理后的层叠体取出，恢复至25℃后，从石英玻璃板侧目视观察粘接带与硅晶片的粘接面，将遍及整个表面而未确认到浮起的情形评价为“○”，将确认到浮起或粘接带发生剥离的情形评价为“×”。

[0210] 使用形成有高低差约为5μm的电路的、厚度为700μm的硅晶片(电路晶片)来进行同样的评价。

[0211] 将结果示于表4。

[0212] (4)高温处理后的胶糊残留评价

[0213] 将所得的粘接带切割为直径20cm的圆形，在真空中贴附于直径20cm且厚度约750μm的硅晶片。在与贴附于硅晶片的面的相反面，在真空中贴附直径20cm且厚度1mm的石英玻璃板，得到层叠体。

[0214] 对所得的层叠体的晶片侧进行研削磨削及研磨，磨削至厚度50μm为止。

[0215] 接下来，在100℃下进行1小时的热处理，使胶粘剂成分交联、固化。

[0216] 在200℃下对使胶粘剂成分交联、固化后的层叠体进行2小时的热处理。热处理后，在硅晶片的未粘接于粘接带一侧的面上贴附切割胶带，吸附固定后，剥离石英玻璃板及粘接带。

[0217] 目视观察将粘接带剥离后的硅晶片的表面，将不存在胶糊残留的情形评价为“◎”，将胶糊残留小于整个面积的5％的情形评价为“○”，将胶糊残留为整个面积的5％以上的情形评价为“×”。

[0218] 另外，使用倍率为100倍的光学显微镜对将粘接带剥离后的硅晶片的表面进行观察，将视野内不存在胶糊残留的情形评价为“◎”，将胶糊残留小于整个视野的面积的5％的情形评价为“○”，将胶糊残留为整个视野的面积的5％以上的情形评价为“×”。

[0219] 将结果示于表4。

[0220] (实施例47～70、比较例3)

[0221] 使树脂的种类如表4所示，并且，在胶粘剂组合物的制备中，如表4所示，还加入了具有(甲基)丙烯酰基的硅酮化合物(Daicel-Cytec公司制、EBECRYL350(丙烯酸当量2)、EBECRYL1360(丙烯酸当量6))、增塑剂(UN-2600、UN-5500、UN-7700根上工业公司制)，除此以外，与实施例46同样地操作而得到胶粘剂组合物及粘接带。使用所得的粘接带，按照如表4所示的条件使胶粘剂成分交联、固化，除此以外，进行与实施例46同样的评价。

[0222] 需要说明的是，在比较例3中，在耐化学试剂性、耐热性评价及胶糊残留评价中，未进行加热而使胶粘剂成分交联、固化的操作。

[0223] 将结果示于表4。

[0224] [表4]

[0225]

[0226] (实施例71)

[0227] (1)粘接带的制造

[0228] 相对于所得的树脂A的乙酸乙酯溶液的树脂固体成分100重量份，混合热聚合引发剂(PERHEXYL O、日油公司制)1重量份、硅酮化合物(EBECRYL350、Daicel-Cytec公司制)5重量份、增塑剂(UN-5500、根上工业公司制)20重量份、作为气体发生剂的5-苯基-1H-四唑10重量份。

[0229] 以使干燥皮膜的厚度达到30μm的方式，利用刮刀将所得的胶粘剂组合物的乙酸乙酯溶液涂敷在对单面实施了电晕处理后的厚度为50μm的透明的聚萘二甲酸乙二醇酯膜的电晕处理面上，在80℃下加热5分钟使涂敷溶液干燥。之后，在40℃下静置养护3天，得到粘接带。

[0230] (2)利用加热进行交联、固化后的胶粘剂组合物的弹性模量的评价[0231] 作为评价用样品，以使干燥皮膜的厚度达到500μm的方式，利用刮刀将胶粘剂组合物的乙酸乙酯溶液涂敷在对单面实施了电晕处理后的厚度为50μm的透明的聚萘二甲酸乙二醇酯膜的电晕处理面上，在110℃下加热5分钟使涂敷溶液干燥后，在40℃下静置养护3天。将所得的粘接带切割为纵0.6cm、横1.0cm的长方形状，将其作为评价用样品。接下来，在100℃下进行1小时热处理，使胶粘剂成分交联、固化。对于固化后的评价用样品，在动态粘弹性测定的剪切模式角频率为10Hz的条件下进行测定，得到从-50℃连续升温至300℃的测定值内25℃下的储能模量的值。

[0232] (3)加热后的耐化学试剂性及耐热性评价

[0233] 将所得的粘接带切割为直径20cm的圆形，在真空中贴附于直径20cm且厚度约750μm的硅晶片。在与贴附于硅晶片的面的相反面，在真空中贴附直径20cm且厚度1mm的石英玻璃板，得到层叠体。

[0234] 对所得的层叠体的晶片侧进行研削磨削及研磨，磨削至厚度50μm为止。

[0235] 接下来，在100℃下进行1小时的热处理，使胶粘剂成分交联、固化。

[0236] (3-1)

[0237] 对于使胶粘剂成分交联、固化后的层叠体，通过以下的方法，评价对酸、碱及有机溶剂的耐化学试剂性。

[0238] 即，制备作为酸的standard clean 1(SC1)溶液，在60℃下将使胶粘剂成分交联、固化后的层叠体浸渍于该SC1溶液中1小时。浸渍后、取出层叠体，从石英玻璃板侧目视观察粘接带与硅晶片的粘接面，将遍及整个表面而未确认到浮起的情形评价为“○”，将确认到浮起或粘接带发生剥离的情形评价为“×”。

[0239] 使用作为碱的2.38％TMAH水溶液，作为有机溶剂的丙酮进行同样的评价。

[0240] 将结果示于表5。

[0241] (3-2)

[0242] 对于使胶粘剂成分交联、固化后的层叠体，通过以下的方法评价耐热性。

[0243] 即，在200℃下对使胶粘剂成分交联、固化后的层叠体进行1小时的热处理。将热处理后的层叠体取出，恢复至25℃后，从石英玻璃板侧目视观察粘接带与硅晶片的粘接面，将遍及整个表面而未确认到浮起的情形评价为“○”，将确认到浮起或粘接带发生剥离的情形评价为“×”。

[0244] 将结果示于表5。

[0245] (4)高温处理后的胶糊残留评价

[0246] 将所得的粘接带切割为直径20cm的圆形，在真空中贴附于直径20cm且厚度约750μm的硅晶片。在与贴附于硅晶片的面的相反面，在真空中贴附直径20cm且厚度1mm的石英玻璃板，得到层叠体。

[0247] 对所得的层叠体的晶片侧进行研削磨削及研磨，磨削至厚度50μm为止。

[0248] 接下来，在100℃下对进行1小时的热处理，使胶粘剂成分交联、固化。

[0249] 在200℃下对使胶粘剂成分交联、固化后的层叠体进行2小时的热处理。热处理后，在硅晶片的未粘接于粘接带的一侧的面上贴附切割胶带，进行吸附固定，利用超高压汞2
灯从TEMPAX玻璃侧照射照度为254nm且强度为70mW/cm的光150秒。之后，将石英玻璃板及粘接带剥离。

[0250] 目视观察将粘接带剥离后的硅晶片的表面，将不存在胶糊残留的情形评价为“◎”，将胶糊残留小于整个面积的5％的情形评价为“○”，将胶糊残留为整个面积的5％以上的情形评价为“×”。

[0251] 另外，使用倍率为100倍的光学显微镜对将粘接带剥离后的硅晶片的表面进行观察，将视野内不存在胶糊残留的情形评价为“◎”、将胶糊残留小于整个视野的面积的5％的情形评价为“○”，将胶糊残留为整个视野的面积的5％以上的情形评价为“×”。

[0252] 将结果示于表5。

[0253] (实施例72～90、比较例4)

[0254] 使树脂的种类、及配合于胶粘剂组合物中的气体发生剂的种类及量如表5所示，除此以外，与实施例71同样地操作，得到胶粘剂组合物及粘接带，使用所得的粘接带，进行与实施例71同样的评价。

[0255] 需要说明的是，在比较例4中，在耐化学试剂性、耐热性评价及胶糊残留评价中，未进行加热而使胶粘剂成分交联、固化的操作。

[0256] [表5]

[0257]

[0258] (实施例91～93、比较例5)

[0259] 使树脂的种类如表6所示，并且，在胶粘剂组合物的制备中，如表6所示，还加入使用均化器使热解法二氧化硅分散于甲乙酮中并且将平均粒径调整至0.1μm的热解法二氧化硅分散溶液(Tokuyama公司制、REOLOSIL MT-10)、具有(甲基)丙烯酰基的硅酮化合物(Daicel-Cytec公司制、EBECRYL350(丙烯酸当量2))、增塑剂(UN-5500根上工业公司制)，除此以外，与实施例1同样地操作而得到胶粘剂组合物及粘接带。使用所得的粘接带，进行与实施例1同样评价。

[0260] 需要说明的是，在比较例5中，在耐化学试剂性、耐热性评价及胶糊残留评价中，未进行照射紫外线而使胶粘剂成分交联、固化的操作。

[0261] 将结果示于表6。

[0262] [表6]

[0263]

[0264] 产业上的可利用性

[0265] 根据本发明，可以提供一种晶片的处理方法，其是在借助胶粘剂组合物将晶片固