ESD保护装置

摘要

本发明提供一种ESD特性不易发生劣化的ESD保护装置。ESD保护装置(1)包括陶瓷绝缘材料(10)、第1及第2放电电极(21、22)、以及放电辅助部(51)。第1及第2放电电极(21、22)设置于陶瓷绝缘材料(10)。在第1放电电极(21)的前端部与第2放电电极(22)的前端部之间配置有放电辅助部(51)。放电辅助部(51)是降低第1放电电极(21)与第2放电电极(22)之间的放电开始电压的电极。放电辅助部(51)由包含有导电性粒子、半导体粒子以及绝缘性粒子中的至少一方的烧结体构成。第1及第2放电电极(21、22)包含构成半导体粒子的半导体材料和构成绝缘性粒子的绝缘材料中的至少一方。

权利要求

1. 一种ESD保护装置，其特征在于，包括： 陶瓷绝缘材料； 第1及第2放电电极，该第1及第2放电电极设置于所述陶瓷绝缘材料；以及 放电辅助部，该放电辅助部配置于所述第1放电电极的前端部与所述第2放电电极的前 端部之间，是使所述第1放电电极与所述第2放电电极之间的放电开始电压降低的电极，该 放电辅助部由包含导电性粒子、半导体粒子及绝缘性粒子中的至少一方的烧结体构成， 所述第1及第2放电电极包含构成所述半导体粒子的半导体材料和构成所述绝缘性粒 子的绝缘材料中的至少一方。

2. 如权利要求1所述ESD保护装置，其特征在于， 所述第1及第2放电电极中所述半导体材料和所述绝缘性材料的总含有量为20质量％ 以下。

3. 如权利要求2所述ESD保护装置，其特征在于， 所述第1及第2放电电极中所述绝缘性材料的含有量为1质量％~10质量％。

4. 如权利要求2所述ESD保护装置，其特征在于， 所述第1及第2放电电极中所述半导体材料的含有量为1质量％~20质量％。

5. 如权利要求1至3的任一项所述ESD保护装置，其特征在于， 所述第1及第2放电电极包含由所述半导体材料和所述绝缘材料中的至少一方进行了 涂层后得到的导电性粒子。

6. 如权利要求1至3的任一项所述ESD保护装置，其特征在于， 所述第1及第2放电电极设置在所述陶瓷绝缘材料的表面上。

7. 如权利要求1至3的任一项所述ESD保护装置，其特征在于， 所述第1及第2放电电极设置于所述陶瓷绝缘材料的内部。

8. 如权利要求7所述ESD保护装置，其特征在于， 所述陶瓷绝缘材料具有空洞， 所述第1及第2放电电极设置为使得其各自的前端部位于所述空洞内。

9. 如权利要求1至3的任一项所述ESD保护装置，其特征在于，还包括： 第1外部电极，该第1外部电极配置在所述陶瓷绝缘材料上，与所述第1放电电极电连 接；以及 第2外部电极，该第2外部电极配置在所述陶瓷绝缘材料上，与所述第2放电电极电连 接。

说明书

ESD保护装置

技术领域

[0001 ]本发明设及ESD保护装置。

背景技术

[0002] W往，提出了各种用于抑制因静电放电化SD:elect;r〇-static discharge)而引起 的电子设备的破坏的ESD保护装置。例如在专利文献1中记载有W下ESD保护装置，该ESD保 护装置中，在连接一对放电电极之间的区域具备通过使利用不具有导电性的无机材料进行 了涂层的导电材料分散而得到的放电辅助部。

[0003] 现有技术文献

[0004] 专利文献

[0005] 专利文献1:国际公开W02009-098944号公报

发明内容

[0006] 发明所要解决的技术问题

[0007] 如专利文献1所记载的那样，通过设置放电辅助部，例如能够对ESD保护装置的ESD 特性进行调整、W及使其稳定化。[000引然而，在具有放电辅助部的ESD保护装置中，由于反复发生放电，因此存在ESD特性 劣化的问题。

[0009] 本发明的主要目的在于提供一种ESD特性不易发生劣化的ESD保护装置。

[0010] 解决技术问题所采用的技术方案

[0011] 本发明所设及的ESD保护装置包括陶瓷绝缘材料、第1及第2放电电极、W及放电辅 助部。第1及第2放电电极设置于陶瓷绝缘材料。在第1放电电极的前端部与第2放电电极的 前端部之间配置有放电辅助部。放电辅助部是使第1放电电极与第2放电电极之间的放电开 始电压降低的电极。放电辅助部由包含有导电性粒子、半导体粒子W及绝缘性粒子中的至 少一方的烧结体构成。第1及第2放电电极包含构成半导体粒子的半导体材料和构成绝缘性 粒子的绝缘材料中的至少一方。

[0012] 在本发明所设及的ESD保护装置的某一特定方面中，第1及第2放电电极中半导体 材料和绝缘性材料的总含有量为20质量％ W下。

[0013] 在本发明所设及的ESD保护装置的另一特定方面中，第1及第2放电电极中绝缘性 材料的含有量为1质量％~1〇质量％。

[0014] 在本发明所设及的ESD保护装置的其他特定方面中，第1及第2放电电极中半导体 材料的含有量为1质量％~20质量％。

[0015] 在本发明所设及的ESD保护装置的其他特定方面中，第1及第2放电电极包含由半 导体材料和绝缘材料中的至少一方进行了涂层后得到的导电性粒子。

[0016] 在本发明所设及的ESD保护装置的又一其他特定方面中，第1及第2放电电极设置 在陶瓷绝缘材料的表面上。

[0017] 在本发明所设及的ESD保护装置的又一其他特定方面中，第I及第2放电电极设置 于陶瓷绝缘材料的内部。

[0018] 在本发明的ESD保护装置的另一其他特定方面中，陶瓷绝缘材料具有空桐。第1及 第2放电电极设置为使得其各自的前端部位于空桐内。

[0019] 在本发明所设及的ESD保护装置的另一其他特定方面中，ESD保护装置还包括第1 外部电极、W及第2外部电极。第1外部电极配置在陶瓷绝缘材料上。第1外部电极与第1放电 电极电连接。第2外部电极配置在陶瓷绝缘材料上。第2外部电极与第2放电电极电连接。

[0020] 发明效果[0021 ]根据本发明，能够提供一种ESD特性不易发生劣化的ESD保护装置。

附图说明

[0022] 图1是表示实施方式1所设及的ESD保护装置的简要剖视图。

[0023] 图2是表示实施方式2所设及的ESD保护装置的简要剖视图。

[0024] 图3是表示实施方式3所设及的ESD保护装置的简要剖视图。

[0025] 图4是表示实施方式4所设及的ESD保护装置的简要剖视图。

具体实施方式

[0026] 下面，对实施本发明的优选实施方式的一个示例进行说明。然而，下述实施方式仅 仅是例示。本发明不限于下述任一实施方式。

[0027] 此外，在实施方式等所参照的各附图中，用相同的标号来参照实质上具有相同功 能的构件。并且，实施方式等所参照的附图是示意性描述的图，附图中所绘制的物体的尺寸 比率等可能会与现实中的物体的尺寸比率等不同。附图相互间的物体的尺寸比率等也有可 能不同。具体的物体的尺寸比率等应当参考W下的说明来进行判断。

[0028] 图1是表示本实施方式所设及的ESD保护装置的简要剖视图。

[0029] 如图1所示，ESD保护装置1包括具有空桐11的陶瓷绝缘材料10。陶瓷绝缘材料10是 长方体形状。陶瓷绝缘材料10可W由适合的绝缘性陶瓷构成。具体而言，陶瓷绝缘材料10例 如由包含Ba、Al、Si作为主要成分的低溫共烧陶瓷化TCC:Low Tempertature Co-fired Ceramics)构成。陶瓷绝缘材料10也可W包含有碱金属成分及棚成分中的至少一方。陶瓷绝 缘材料10优选包含有玻璃成分。

[0030] 陶瓷绝缘材料10中设置有第1及第2放电电极21、22。第1及第2放电电极21、22设置 于陶瓷绝缘材料10的内部。第1放电电极21的前端部和第2放电电极22的前端部位于空桐11 内。第1放电电极21的前端部和第2放电电极22的前端部在空桐11内彼此相对。通过采用上 述结构，能提高ESD保护装置1的响应性，并能提高ESD保护装置1的耐久性。

[0031] 另外，第1放电电极21的前端部与第2放电电极22的前端部也未必需要设置为彼此 相对。例如，也可W设置为使得第1放电电极21的前端部位于空桐11的一个内表面上，而第2 放电电极22的前端部位于空桐11的另一个内表面上。即，只要是能够使得第1放电电极21的 前端部与第2放电电极22的前端部之间发生放电的方式即可，对于第1及第2放电电极21、22 的形状、配置等并没有特殊的限制。

[0032] 此外，也可W设置多组第1及第2放电电极21、22。

[0033] 在陶瓷绝缘材料10的外表面上设置有第I及第2外部电极31、32。第I外部电极31与 第1放电电极21电连接。第2外部电极32与第2放电电极22电连接。

[0034] 另外，第1及第2放电电极21、22、^及第1及第2外部电极31、32分别可^由加、八邑、 Pd、Pt、Al、Ni、W、W及包含上述至少一种的合金等适当的材料构成。

[0035] 在第1放电电极21的前端部与第2放电电极22的前端部之间配置有放电辅助部51。 放电辅助部51具有能够降低第1放电电极21与第2放电电极22之间的放电开始电压的功能。 具体而言，通过设置放电辅助部51，使得除了产生沿面放电和气体放电之外，还产生经由放 电辅助部51进行的放电。通常，在沿面放电、气体放电、W及经由放电辅助部51进行的放电 中，经由放电辅助部51进行的放电的开始电压最低。因此，通过设置放电辅助部51，能够降 低第1放电电极21与第2放电电极22之间的放电开始电压。因此，能抑制ESD保护装置1的绝 缘破坏。此外，通过设置放电辅助部51，还能改善ESD保护装置1的响应性。

[0036] 放电辅助部51由包含有第1粒子51a和第2粒子5化的烧结体构成。第1粒子51a的粒 子直径大于第2粒子5化的粒子直径。第1粒子51a的粒子直径例如可设为2WI1~3WI1左右。第2 粒子5化的粒子直径例如可设为0.1皿~1皿左右。

[0037] 第1粒子51a由导电性粒子构成。第2粒子5化由半导体粒子和绝缘性粒子中的至少 一方构成。运里，半导体粒子是至少表面层由半导体材料构成的粒子，而不限于整体均由半 导体材料构成的粒子。绝缘性粒子是至少表面层由绝缘材料构成的粒子，而不限于整体均 由绝缘材料构成的粒子。

[0038] 第2粒子5化可W仅由半导体粒子构成，也可W仅由绝缘性粒子构成，还可W由半 导体粒子和绝缘性粒子构成。作为优选使用的导电性粒子的具体例，例如可W列举出Cu粒 子、Ni粒子等。导电性粒子例如可W利用绝缘材料或半导体材料来进行涂层。作为优选使用 的半导体粒子的具体例，例如可W列举出由碳化娃、碳化铁、碳化错、碳化钢或碳化鹤等碳 化物构成的粒子、由氮化铁、氮化错、氮化铭、氮化饥或氮化粗等氮化物构成的粒子、由娃化 铁、娃化错、娃化鹤、娃化钢、娃化铭等娃化物构成的粒子、由棚化铁、棚化错、棚化铭、棚化 铜、棚化钢、棚化鹤等棚化物构成的粒子、由氧化锋、铁酸锁等氧化物构成的粒子等。作为优 选使用的绝缘性粒子的具体例，例如可W列举出氧化侣粒子等。

[0039] 在陶瓷绝缘材料10和第1及第2放电电极21、22中的至少一方的前端部之间设置有 保护层52。具体而言，保护层52设置为实质上覆盖空桐11的整个内壁。通过设置该保护层 52,能抑制陶瓷绝缘材料10中所包含的成分到达前端部。由此，能抑制因ESD保护装置1的第 1及第2放电电极21、22的劣化而引起的放电特性的下降。

[0040] 保护层52优选由烧结溫度比构成陶瓷绝缘材料10的陶瓷要高的陶瓷构成。陶瓷绝 缘材料10优选包含有例如从侣、多侣红柱石、氧化错、氧化儀、及石英所构成的组中选出的 至少一种。

[0041] ESD保护装置1中，第1及第2放电电极21、22包含有构成第2粒子51b的半导体材料 和绝缘材料中的至少一方。在第2粒子51b由半导体粒子构成的情况下，第1及第2放电电极 21、22包含构成半导体粒子的半导体材料。在第2粒子5化由绝缘性粒子构成的情况下，第1 及第2放电电极21、22包含构成绝缘性粒子的绝缘材料。在第2粒子51b由半导体粒子和绝缘 性粒子构成的情况下，第1及第2放电电极21、22包含构成半导体粒子的半导体材料和构成 绝缘性粒子的绝缘材料中的至少一方。由此，即使在ESD保护装置1中反复发生放电的情况 下，ESD特性也不易发生劣化。其理由虽未确定，但可认为是由于在第I及第2放电电极21、22 包含构成第2粒子5化的半导体材料及绝缘材料中的至少一方的情况下，第1及第2放电电极 21、22与放电辅助部51之间的密接性提高，并且，第1及第2放电电极21、22与放电辅助部51 之间的热膨胀率差变小。

[0042] 另外，半导体材料、绝缘材料是降低导电性的成分。因此，在现有技术中，对于向放 电电极添加半导体材料、绝缘材料运种方式，从会导致放电辅助部的导电性下降的观点来 看，可认为运种方式并不是优选的。

[0043] 优选为第1及第2放电电极21、22中半导体材料和绝缘材料的总含有量在20质量％ W下。若第1及第2放电电极21、22中半导体材料和绝缘材料的总含有量过多，则有可能会导 致第1及第2放电电极21、22的导电性变得过低。

[0044] 在第2粒子51b包含绝缘性粒子的情况下，优选为第1及第2放电电极21、22中绝缘 材料的含有量为1质量％~1〇质量％。若第1及第2放电电极21、22中绝缘材料的含有量过 少，则有可能会导致无法充分抑制ESD特性的劣化。若第1及第2放电电极21、22中绝缘材料 的含有量过多，则有可能会导致第1及第2放电电极21、22的导电性变得过低。

[0045] 在第2粒子51b包含半导体粒子的情况下，优选为第1及第2放电电极21、22中半导 体材料的含有量为1质量％~20质量％。若第1及第2放电电极21、22中半导体材料的含有量 过少，则有可能会导致无法充分抑制ESD特性的劣化。若第1及第2放电电极21、22中半导体 材料的含有量过多，则有可能会导致第1及第2放电电极21、22的导电性变得过低。

[0046] 此外，若导电性粒子由半导体材料和绝缘材料中的至少一方进行了涂层，则能够 使半导体材料、绝缘材料W较高的均匀性分散在导电性粒子的周围。因此，即使在半导体材 料、绝缘材料的添加量较少的情况下，也能够提高第1及第2放电电极21、22与放电辅助部51 之间的密接性。

[0047] 此外，在如ESD保护装置1那样设置有保护层52的情况下，保护层52也与第1及第2 放电电极21、22-样，优选包含半导体材料和绝缘材料中的至少一方。在该情况下，能够改 善保护层52与放电辅助部51之间的密接性，且能够缩小保护层52与放电辅助部51之间的热 膨胀率差。因此，还能够抑制放电辅助部51从保护层52剥离，从而能够更为有效地抑制ESD 特性的劣化。[004引接着，对ESD保护装置1的制造方法的一个示例进行说明。

[0049] 首先，准备用于构成陶瓷绝缘材料10的陶瓷生片。陶瓷生片优选包含玻璃成分。陶 瓷生片也可W包含有碱金属成分、棚成分。陶瓷生片例如可W包含氧化钟等碱金属氧化物、 碱金属碳酸盐、碱金属硝酸盐等来作为碱金属成分。

[0050] 接着，在陶瓷生片上涂布用于构成放电辅助部的放电辅助部形成用糊料，从而形 成放电辅助部形成用糊料层。接着，在陶瓷生片上涂布用于构成放电电极的导电性糊料，从 而形成导电性糊料层。然后在陶瓷生片上涂布用于形成空桐11的树脂糊料，从而形成树脂 糊料层。另外，用于构成放电电极的导电性糊料包含有放电辅助部形成用糊料中所包含的 绝缘材料和半导体材料中的至少一方。作为树脂糊料，例如优选使用聚对苯二甲酸乙二醇 醋树脂、聚丙締树脂、丙締酸树脂等。

[0051] 接着，对表面上形成有放电辅助部形成用糊料层的陶瓷生片、表面上形成有导电 性糊料层的陶瓷生片、表面上形成有树脂糊料层的陶瓷生片、W及表面上未形成层的陶瓷 生片适当进行层叠，由此来制作生片层叠体。

[0052] 接着，对生片层叠体进行烧结。然后，例如通过锻敷或导电性糊料的烧接等在烧结 体上形成第1及第2外部电极31、32,由此可完成ESD保护装置1。另外，生片层叠体的烧结例 如可在850°C~1000°C左右的溫度下进行。

[0053] 在本实施方式中，W第1及第2放电电极21、22设置于陶瓷绝缘材料10的内部的示 例进行了说明。但本发明并不限于该结构。例如，可W如图2所示那样，在陶瓷绝缘材料10的 表面上设置第1及第2放电电极21、22。该情况下，优选在陶瓷绝缘材料10上设置有保护层 60,使其覆盖第1及第2放电电极21、22各自的前端部。保护层60例如可由树脂构成。

[0054] 此外，如图3所示那样，ESD保护装置2可W与布线基板设置为一体。即，ESD保护装 置2可构成内置有至少一个具有ESD保护功能的ESD保护机构的ESD保护机构内置布线基板。

[0055] 此外，如图4所示那样，ESD保护装置可W不具备保护层52。

[0056] (比较例1)

[0057] 在下述条件下，按照上述实施方式中所说明的方法制作得到实质上具有与上述实 施方式所设及的ESD保护装置1相同的结构的ESD保护装置。

[0058] 陶瓷绝缘材料的结构中所使用的陶瓷：WBa、Al、及Si为主体的陶瓷

[0059] 外部电极、内部导体:化

[0060] ESD保护装置的尺寸:长1. Omm X宽0.5mm X厚0.3mm

[0061] 放电电极的宽度aoowii

[0062] 放电间隙的距离:30皿

[0063] 放电辅助部的第1粒子:平均粒子直径为2皿、由氧化侣进行涂层后得到的化粒子

[0064] 放电辅助部的第2粒子:平均粒子直径为0.5皿的碳化娃粒子

[0065] 放电电极:平均粒子直径为2曲!的化粒子

[0066] (实施例1)

[0067] 如下所述，制作得到除了使放电电极还包含有平均粒子直径为0.5WI1的氧化侣粒 子之外，其他结构与比较例1相同的ESD保护装置。

[0068] 放电电极:包含平均粒子直径为2WI1的Cu粒子、W及平均粒子直径为0.5WI1的氧化 侣粒子。另外，放电辅助部中由氧化侣进行了涂层的Cu粒子与碳化娃粒子的质量比为90: 10。

[0069] 放电电极中化粒子、氧化侣粒子、W及碳化娃粒子的质量比（化粒子:氧化侣粒子： 碳化娃粒子）=99.5:0.5: 0。

[0070] (实施例2)

[0071] 制作得到除了使放电电极中化粒子、氧化侣粒子、W及碳化娃粒子的质量比（化粒 子:氧化侣粒子:碳化娃粒子）=99:1:0之外，其他结构与实施例1相同的ESD保护装置。

[0072] (实施例3)

[0073] 制作得到除了使放电电极中化粒子、氧化侣粒子、W及碳化娃粒子的质量比（化粒 子:氧化侣粒子:碳化娃粒子）=95:5:0之外，其他结构与实施例1相同的ESD保护装置。

[0074] (实施例4)

[0075] 制作得到除了使放电电极中化粒子、氧化侣粒子、W及碳化娃粒子的质量比（化粒 子:氧化侣粒子:碳化娃粒子）=90:10:0之外，其他结构与实施例1相同的ESD保护装置。

[0076] (实施例5)

[0077] 制作得到除了使放电电极中化粒子、氧化侣粒子、W及碳化娃粒子的质量比（化粒 子:氧化侣粒子:碳化娃粒子）=80:20:0之外，其他结构与实施例1相同的ESD保护装置。[007引（实施例6)

[0079] 如下所述，制作得到除了使放电电极中包含平均粒子直径为0.5WI1的碳化娃粒子 之外，其他结构与比较例1相同的ESD保护装置。

[0080] 放电电极:包含平均粒子直径为2WI1的Cu粒子、W及平均粒子直径为0.5WI1的碳化 娃粒子。

[0081] 放电电极中化粒子、氧化侣粒子、W及碳化娃粒子的质量比（化粒子:氧化侣粒子： 碳化娃粒子）=99.5:0:0.5。

[0082] (实施例7)

[0083] 制作得到除了使放电电极中化粒子、氧化侣粒子、W及碳化娃粒子的质量比（化粒 子:氧化侣粒子:碳化娃粒子）=99:0:1之外，其他结构与实施例6相同的ESD保护装置。

[0084] (实施例8)

[0085] 制作得到除了使放电电极中化粒子、氧化侣粒子、W及碳化娃粒子的质量比（化粒 子:氧化侣粒子:碳化娃粒子）=95:0:5之外，其他结构与实施例6相同的ESD保护装置。

[0086] (实施例9)

[0087] 制作得到除了使放电电极中化粒子、氧化侣粒子、W及碳化娃粒子的质量比（化粒 子:氧化侣粒子:碳化娃粒子）=90:0:10之外，其他结构与实施例6相同的ESD保护装置。[008引（实施例10)

[0089] 制作得到除了使放电电极中化粒子、氧化侣粒子、W及碳化娃粒子的质量比（化粒 子:氧化侣粒子:碳化娃粒子）=80:0:20之外，其他结构与实施例6相同的ESD保护装置。

[0090] (实施例11)[0091 ]如下所述，制作得到除了使放电电极还包含平均粒子直径为0.5WI1的氧化侣粒子、 W及平均粒子直径为0.5皿的碳化娃粒子之外，其他结构与比较例1相同的ESD保护装置。

[0092] 放电电极:包含平均粒子直径为2WI1的Cu粒子、平均粒子直径为0.5WI1的氧化侣粒 子、W及平均粒子直径为0.5WI1的碳化娃粒子。

[0093] 放电电极中化粒子、氧化侣粒子、W及碳化娃粒子的质量比（化粒子:氧化侣粒子： 碳化娃粒子）=99:0.5:0.5。

[0094] (实施例12)[00M]制作得到除了使放电电极中化粒子、氧化侣粒子、W及碳化娃粒子的质量比（化粒 子:氧化侣粒子:碳化娃粒子）=95:2.5:2.5之外，其他结构与实施例11相同的ESD保护装 置。

[0096] (实施例13)

[0097] 制作得到除了使放电电极中化粒子、氧化侣粒子、W及碳化娃粒子的质量比（化粒 子:氧化侣粒子:碳化娃粒子）=90:5:5之外，其他结构与实施例11相同的ESD保护装置。[009引（实施例14)

[0099]制作得到除了使放电电极中化粒子、氧化侣粒子、W及碳化娃粒子的质量比（化粒 子:氧化侣粒子:碳化娃粒子）=80:10:10之外，其他结构与实施例11相同的ESD保护装置。

[0100] (放电响应性评价）

[0101] 通过进行IEC标准IEC61000-4-2中所定义的静电放电抗扰度试验，来对比较例1和 实施例1~14中分别制作得到的ESD保护装置的放电响应性进行评价。若保护电路中所检测 到的峰值电压超过700V，则评价为放电响应性不良（X )，若在500V~700V，则评价为放电响 应性良好(O)，若小于500V，则评价为放电响应性尤其良好(©)。表1中示出结果。

[0102] (反复耐受性评价）

[0103] 对比较例1和实施例1~14中分别制作得到的ESD保护装置反复发生放电时的耐受 性进行评价。具体而言，首先，施加SkV的电压，并进行100次接触放电，然后进行上述放电响 应性评价。之后，再进行200次(总计300次)接触放电，然后进行上述放电响应性评价。之后， 再进行200次(总计500次)接触放电，然后进行上述放电响应性评价。之后，再进行500次(总 计1000次)接触放电，然后进行上述放电响应性评价。表1中示出结果。

[0104] [表 1]

[0105]

[0106] (实施例15)

[0107] 制作得到除了将放电电极中所包含的Cu粒子中相当于80质量％的量的粒子变更 为由氧化侣进行涂层后得到的Cu粒子之外，其他结构与比较例1相同的ESD保护装置。另外， 在实施例15中，放电电极中氧化侣的含有量为0.5质量％。

[0108] (实施例16)

[0109] 制作得到除了将放电电极中氧化侣的含有量设为1质量％ ^外，其他结构与实施 例15相同的ESD保护装置。

[0110] (实施例17)

[0111] 制作得到除了将放电电极中氧化侣的含有量设为3质量％ ^外，其他结构与实施 例15相同的ESD保护装置。

[0112](实施例 18)

[0113] 制作得到除了将放电电极中氧化侣的含有量设为5质量％ ^外，其他结构与实施 例15相同的ESD保护装置。

[0114] (实施例19)

[0115] 制作得到除了将放电电极中所包含的Cu粒子中相当于80质量％的量的粒子变更 为由碳化娃进行涂层后得到的Cu粒子之外，其他结构与比较例1相同的ESD保护装置。另外， 在实施例19中，放电电极中碳化娃的含有量为0.5质量％。

[0116] (实施例20)

[0117] 制作得到除了将放电电极中碳化娃的含有量设为1质量％ ^外，其他结构与实施 例15相同的ESD保护装置。[011引（实施例21)

[0119] 制作得到除了将放电电极中碳化娃的含有量设为3质量％ ^外，其他结构与实施 例15相同的ESD保护装置。

[0120] (实施例22)

[0121] 制作得到除了将放电电极中碳化娃的含有量设为5质量％ ^外，其他结构与实施 例15相同的ESD保护装置。

[0122] 对于实施例15~22中分别制作得到的ESD保护装置，也与实施例1等相同地进行放 电响应性评价和反复耐受性评价。表2、3中示出结果。

[0123] [表 2]

[0124][01：
[01：

[0127]根据表1~3所示的结果可知，通过使放电电极中包含有放电辅助部所包含的绝缘 材料和半导体材料中的至少一方，能够抑制放电响应性的下降，并且还能够抑制反复发生 放电时的ESD特性的劣化。[012引标号说明

[0129] 1，2 ESD保护装置

[0130] 10陶瓷绝缘材料

[0131] 11 空桐

[0132] 21第1放电电极

[0133] 22第2放电电极

[0134] 31第1外部电极

[0135] 32第2外部电极

[0136] 51放电辅助部

[0137] 51a 第 1 粒子[013引 5化第2粒子

[0139] 52保护层

[0140] 60保护层