表面处理压延铜箔、层压板、印刷布线板、电子机器及印刷布线板的制造方法

摘要

本发明公开了表面处理压延铜箔、层压板、印刷布线板、电子机器及印刷布线板的制造方法。并提供一种蚀刻性与弯曲性均优异，与树脂良好粘接，树脂透明性优异的表面处理压延铜箔。关于所述铜箔，其至少一个表面经过表面处理且满足2.5≦I{110}/I{112}≦6.0，层压所述铜箔与贴合于铜箔前ΔB为50以上65以下的聚酰亚胺基板而构成的覆铜箔层压板中隔着所述基板表面的JIS Z8730的色差ΔE*ab为50以上。所述铜箔在从经表面处理的表面侧贴合于所述基板两面后，以蚀刻去除所述铜箔，铺设印刷物于所述基板下，利用摄像机隔着所述基板拍摄印刷物时，下述Sv为3.0以上。Sv＝(ΔB×0.1)/(t1－t2) (1)。

权利要求

1.一种表面处理压延铜箔，其在：一个铜箔表面和/或两个铜箔表面为表面处理面S，对于所述表面处理面S的一面或两面、或者并非所述表面处理面S的表面，将自{112}面的算出X射线衍射强度设为I{112}，将自{110}面的算出X射线衍射强度设为I{110}时，满足2.5≦I{110}/I{112}≦6.0，且是将所述表面处理压延铜箔、与贴合于铜箔前的下述ΔB(PI)为50以上65以下的聚酰亚胺从所述表面处理压延铜箔的所述表面处理面S侧进行层压而构成的覆铜箔层压板中隔着所述聚酰亚胺的表面的基于JIS Z8730的色差ΔE*ab成为50以上的表面处理压延铜箔，并且将所述表面处理压延铜箔从表面处理面S侧贴合于聚酰亚胺树脂基板的两面后，通过蚀刻将所述两面的压延铜箔去除，将印刷有线状标记的印刷物铺设于露出的所述聚酰亚胺基板之下，利用CCD摄像机，隔着所述聚酰亚胺基板对所述印刷物进行拍摄时，在针对通过所述拍摄而获得的图像，沿着与所观察的所述线状标记延伸的方向垂直的方向，测定每个观察地点的亮度而制作的观察地点-亮度曲线中，将从所述标记的端部至没有绘制所述标记的部分所产生的亮度曲线的顶部平均值Bt减去底部平均值Bb而得到的差设为ΔB，在观察地点-亮度曲线中，将表示亮度曲线与Bt的交点中最接近所述线状标记的交点的位置的值设为t1，将表示在以Bt为基准从亮度曲线与Bt的交点至0.1ΔB的深度范围内，亮度曲线与0.1ΔB的交点中最接近所述线状标记的交点的位置的值设为t2时，下述(1)式所定义的Sv成为3.0以上，Sv＝(ΔB×0.1)/(t1－t2)   (1)。

2.根据权利要求1所述的表面处理压延铜箔，其中，所述一个铜箔表面为表面处理面S，且另一个铜箔表面经过表面处理。

3.根据权利要求1所述的表面处理压延铜箔，其中，所述压延铜箔由99.9质量％以上的铜形成。

4.根据权利要求1所述的表面处理压延铜箔，其含有合计10～300质量ppm的选自Ag、Sn、Mg、In、B、Ti、Zr及Au的群中的1种或2种以上，且剩余部分由Cu及不可避免的杂质组成。

5.根据权利要求1所述的表面处理压延铜箔，其中，所述压延铜箔含有2～50质量ppm的氧。

6.根据权利要求1所述的表面处理压延铜箔，其在200℃加热30分钟后，在至少一个表面满足I{112}/I{100}≦1.0。

7.根据权利要求1所述的表面处理压延铜箔，其在350℃加热1秒钟后，将所述压延铜箔的压延面的{200}面的X射线衍射强度设为I{200}，将纯铜粉末试样的{200}面的X射线衍射强度设为I0{200}时，满足5.0≦I{200}/I0{200}≦27.0。

8.根据权利要求1所述的表面处理压延铜箔，其厚度为4～100μm。

9.根据权利要求1所述的表面处理压延铜箔，其中，所述表面处理面S和/或并非所述表面处理面S的铜箔表面的利用激光波长为405nm的激光显微镜所测得的TD的十点平均粗糙度Rz为0.35μm以上，所述TD为与压延方向垂直的方向。

10.根据权利要求1所述的表面处理压延铜箔，其中，所述表面处理面S和/或并非所述表面处理面S的铜箔表面的利用激光波长为405nm的激光显微镜所测得的TD的算术平均粗糙度Ra为0.05μm以上，所述TD为与压延方向垂直的方向。

11.根据权利要求1所述的表面处理压延铜箔，其中，所述表面处理面S和/或并非所述表面处理面S的铜箔表面的利用激光波长为405nm的激光显微镜所测得的TD的均方根高度Rq为0.08μm以上，所述TD为与压延方向垂直的方向。

12.根据权利要求2所述的表面处理压延铜箔，其中，所述表面处理面S和/或并非所述表面处理面S的铜箔表面的利用激光波长为405nm的激光显微镜所测得的TD的十点平均粗糙度Rz为0.35μm以上，所述TD为与压延方向垂直的方向。

13.根据权利要求2所述的表面处理压延铜箔，其中，所述表面处理面S和/或并非所述表面处理面S的铜箔表面的利用激光波长为405nm的激光显微镜所测得的TD的算术平均粗糙度Ra为0.05μm以上，所述TD为与压延方向垂直的方向。

14.根据权利要求2所述的表面处理压延铜箔，其中，所述表面处理面S和/或并非所述表面处理面S的铜箔表面的利用激光波长为405nm的激光显微镜所测得的TD的均方根高度Rq为0.08μm以上，所述TD为与压延方向垂直的方向。

15.一种层压板，其是将根据权利要求1至14中任一项所述的表面处理压延铜箔与树脂基板进行层压而制造。

16.一种印刷布线板，其使用有根据权利要求1至14中任一项所述的表面处理压延铜箔。

17.一种电子机器，其使用有根据权利要求16所述的印刷布线板。

18.一种连接有2个以上印刷布线板的印刷布线板的制造方法，其是将2个以上根据权利要求16所述的印刷布线板进行连接。

19.一种连接有2个以上印刷布线板的印刷布线板的制造方法，其至少包括：将至少1个根据权利要求16所述的印刷布线板、与另一个根据权利要求16所述的印刷布线板或不属于根据权利要求16所述的印刷布线板的印刷布线板进行连接的步骤。

20.一种电子机器，其使用有1个以上通过根据权利要求18或19所述的方法所制造的印刷布线板。

21.一种印刷布线板的制造方法，其至少包括：将根据权利要求16所述的印刷布线板或通过根据权利要求18或19所述的方法所制造的印刷布线板、与零件进行连接的步骤。

22.一种连接有2个以上印刷布线板的印刷布线板的制造方法，其至少包括如下步骤：将至少1个根据权利要求16所述的印刷布线板、与另一个根据权利要求16所述的印刷布线板或不属于根据权利要求16所述的印刷布线板的印刷布线板进行连接而制造印刷布线板A的步骤；及将所述印刷布线板A与零件进行连接的步骤。

23.一种连接有2个以上印刷布线板的印刷布线板的制造方法，其是将选自由根据权利要求16所述的印刷布线板、通过根据权利要求18或19或21所述的方法所制造的印刷布线板、及

不属于根据权利要求16所述的印刷布线板或通过根据权利要求18或19或21所述的方法所制造的印刷布线板中的任一个的印刷布线板所组成的群中的一种以上的印刷布线板、与

通过根据权利要求21所述的方法所制造的印刷布线板进行连接。

说明书

表面处理压延铜箔、层压板、印刷布线板、电子机器及印刷布

线板的制造方法

技术领域

[0001] 本发明涉及一种表面处理压延铜箔、层压板、印刷布线板、电子机器及印刷布线板的制造方法。

背景技术

[0002] 作为FPC(软性印刷基板)，是使用将铜箔与树脂层进行层压而成的铜箔复合体，对于该铜箔，要求形成电路时的蚀刻性、及考虑到使用FPC时的弯曲性。

[0003] 可是，FPC通常在铜箔发生再结晶的状态下使用。如果对铜箔进行压延加工，则结晶旋转而形成压延集合组织，所谓纯铜的压延集合组织是被称为铜取向(copper orientation)的{112}＜111＞成为主取向。并且，如果在压延后对压延铜箔进行退火、或者在直至加工成最终制品的步骤、即直至成为FPC的步骤中对压延铜箔施加热，则会发生再结晶。以下，将该成为压延铜箔后的再结晶组织简称为“再结晶组织”，将受热前的压延组织简称为“压延组织”。此外，再结晶组织受到压延组织较大地影响，通过控制压延组织，也可控制再结晶组织。

[0004] 根据这种情况，提出了在压延铜箔的再结晶后使{001}＜100＞的立方取向(cube orientation)生长而使弯曲性提高的技术(例如专利文献1、2)。

[0005] 另外，随着智能手机或平板PC等小型电子机器的高功能化，信号传输速度向高速化方向发展，对于FPC而言阻抗匹配(impedance matching)也成为重要的要素。作为针对信号容量增加的阻抗匹配的方案，成为FPC的基底的树脂绝缘层(例如聚酰亚胺)向厚层化方向发展。另外，根据布线的高密度化要求，FPC的多层化进一步发展。另一方面，对于FPC，会实施向液晶基材的接合或IC芯片的搭载等加工，但此时的位置对准是经由定位图案而进行，该定位图案是透过在对铜箔与树脂绝缘层的层压板中的铜箔进行蚀刻后所残留的树脂绝缘层进行视认，因此树脂绝缘层的视认性变得重要。

[0006] 作为这种技术，例如专利文献3中揭示有关于覆铜箔层压板的发明，该覆铜箔层压板是将聚酰亚胺膜与低粗糙度铜箔进行层压而成，且蚀刻铜箔后的膜在波长600nm的透光率为40％以上，雾度(HAZE)为30％以下，粘接强度为500N/m以上。

[0007] 另外，专利文献4中揭示有关于COF用软性印刷布线板的发明，该COF用软性印刷布线板是具有层压有由电解铜箔形成的导体层的绝缘层，在对该导体层进行蚀刻而形成电路时的蚀刻区域中绝缘层的透光性为50％以上的薄膜覆晶(COF)用软性印刷布线板，其特征在于：所述电解铜箔在粘接于绝缘层上的粘接面具备由镍-锌合金形成的防锈处理层，且该粘接面的表面粗糙度(Rz)为0.05～1.5μm，并且入射角60°的镜面光泽度为250以上。

[0008] 另外，专利文献5中揭示有关于印刷电路用铜箔的处理方法的发明，该处理方法是印刷电路用铜箔的处理方法，其特征在于：在铜箔的表面进行利用铜-钴-镍合金镀敷所进行的粗化处理后，形成钴-镍合金镀层，进一步形成锌-镍合金镀层。

[0009] [现有技术文献]

[0010] [专利文献]

[0011] [专利文献1]日本专利第3856616号公报

[0012] [专利文献2]日本专利第4716520号公报

[0013] [专利文献3]日本特开2004-98659号公报

[0014] [专利文献4]WO2003/096776

[0015] [专利文献5]日本专利第2849059号公报。

发明内容

[0016] [发明所欲解决的课题]

[0017] 然而，在如专利文献1、2般使铜箔的立方取向生长的情况下，有如下问题：如果铜箔的立方取向生长的程度过大，则蚀刻性会降低。认为其原因在于：即便立方体集合组织生长，也并非单晶，而成为在立方取向的大结晶粒中存在其他取向的小结晶粒的混粒状态，对于各取向的结晶粒而言蚀刻速度发生变化。特别是电路的L/S(线宽/线距)宽度变得越窄(细间距)，蚀刻性越成问题。另外，如果立方取向过于生长，则有铜箔变得过于柔软，而操作性差的情况。

[0018] 此外，为了调整立方取向的生长度，有在最终压延中于再结晶后控制压延组织的方法，但有立方取向未生长，或者过于生长而无法充分调整立方取向的生长度的问题。

[0019] 另外，专利文献3中，通过黑化处理或镀敷处理后的有机处理剂对粘接性进行改良处理而获得的低粗糙度铜箔在对覆铜箔层压板要求弯曲性的用途中，有因疲劳而断线的情况，且有树脂透视性差的情况。

[0020] 另外，在专利文献4中没有进行粗化处理，在COF用软性印刷布线板以外的用途中，铜箔与树脂的密接强度低而不充分。

[0021] 并且，在专利文献5所记载的处理方法中，虽然可对铜箔进行利用Cu-Co-Ni的微细处理，但对于使该铜箔与树脂粘接并通过蚀刻去除该铜箔后的树脂而言，无法实现优异的透明性。

[0022] 因此，本发明的课题在于鉴于所述各种问题，而提供一种蚀刻性与弯曲性均优异，与树脂良好地粘接，且通过蚀刻去除铜箔后的树脂的透明性优异的表面处理压延铜箔。

[0023] [解决课题的技术手段]

[0024] 本发明者等人发现，在压延组织中的压延面，{110}面的存在比例比{112}面的存在比例越多，铜箔的压延集合组织越生长，而在再结晶退火时立方取向越生长。由此，为了适当调整使弯曲性提高但使蚀刻性降低的立方取向的生长度，而控制在铜箔的压延面上{112}面与{110}面的生长比例，从而成功地使压延铜箔的蚀刻性与弯曲性均提高。并且，着眼于观察地点-亮度曲线中所绘制的标记端部附近的亮度曲线的斜率，发现对该亮度曲线进行控制会在不受基板树脂膜的种类或基板树脂膜的厚度的影响的情况下，对将铜箔蚀刻去除后的树脂透明性产生影响，所述观察地点-亮度曲线是通过如下方式获得，即，针对将通过表面处理而将表面的色差控制在特定范围的压延铜箔从该处理面侧贴合并将该铜箔去除的聚酰亚胺基板，将附标记的印刷物置于该聚酰亚胺基板之下，利用CCD摄像机(charge-coupled device camera，电荷耦合元件摄像机)，隔着聚酰亚胺基板对该印刷物进行拍摄，并从所得的该标记部分的图像而获得。

[0025] 基于以上见解而完成的本发明在一侧面是一种表面处理压延铜箔，其在：一个铜箔表面和/或两个铜箔表面为表面处理面S，且对于所述表面处理面S的一面或两面、或者并非所述表面处理面S的表面，将自{112}面的算出X射线衍射强度设为I{112}，将自{110}面的算出X射线衍射强度设为I{110}时，

[0026] 满足2.5≦I{110}/I{112}≦6.0，且是

[0027] 将表面处理压延铜箔、与贴合于铜箔前的下述ΔB(PI)为50以上65以下的聚酰亚胺从所述表面处理压延铜箔的所述表面处理面S侧进行层压而构成的覆铜箔层压板中，隔着所述聚酰亚胺的表面的基于JIS Z8730的色差ΔE*ab成为50以上的表面处理压延铜箔，并且

[0028] 将所述表面处理压延铜箔从表面处理面S侧贴合于聚酰亚胺树脂基板的两面后，通过蚀刻将所述两面的压延铜箔去除，

[0029] 将印刷有线状标记的印刷物铺设于露出的所述聚酰亚胺基板之下，利用CCD摄像机，隔着所述聚酰亚胺基板对所述印刷物进行拍摄时，

[0030] 在针对通过所述拍摄而获得的图像，沿着与所观察的所述线状标记延伸的方向垂直的方向，测定每个观察地点的亮度而制作的观察地点-亮度曲线中，

[0031] 将从所述标记的端部至没有绘制所述标记的部分所产生的亮度曲线的顶部平均值Bt与底部平均值Bb的差设为ΔB(ΔB＝Bt－Bb)，在观察地点-亮度曲线中，将表示亮度曲线与Bt的交点中最接近所述线状标记的交点的位置的值设为t1，将表示在以Bt为基准从亮度曲线与Bt的交点至0.1ΔB的深度范围内，亮度曲线与0.1ΔB的交点中最接近所述线状标记的交点的位置的值设为t2时，下述(1)式所定义的Sv成为3.0以上，

[0032] Sv＝(ΔB×0.1)/(t1－t2)(1)。

[0033] 本发明的表面处理压延铜箔在一个实施方式中，所述一个铜箔表面为表面处理面S，且另一个铜箔表面经过表面处理。

[0034] 本发明的表面处理压延铜箔在另一个实施方式中，所述压延铜箔由99.9质量％以上的铜形成。

[0035] 本发明的表面处理压延铜箔在又一个实施方式中，含有合计10～300质量ppm的选自Ag、Sn、Mg、In、B、Ti、Zr及Au的群中的1种或2种以上，且剩余部分由Cu及不可避免的杂质组成。

[0036] 本发明的表面处理压延铜箔在又一个实施方式中，所述压延铜箔含有2～50质量ppm的氧。

[0037] 本发明的表面处理压延铜箔在又一个实施方式中，在200℃加热30分钟后，在至少一个表面满足I{112}/I{100}≦1.0。

[0038] 本发明的表面处理压延铜箔在又一个实施方式中，在350℃加热1秒钟后，将所述压延铜箔的压延面的{200}面的X射线衍射强度设为I{200}，将纯铜粉末试样的{200}面的X射线衍射强度设为I0{200}时，

[0039] 满足5.0≦I{200}/I0{200}≦27.0。

[0040] 本发明的表面处理压延铜箔在又一个实施方式中，厚度为4～100μm。

[0041] 本发明的表面处理压延铜箔在又一个实施方式中，所述表面处理面S和/或并非所述表面处理面S的铜箔表面的利用激光波长为405nm的激光显微镜所测得的TD的十点平均粗糙度Rz为0.35μm以上。

[0042] 本发明的表面处理压延铜箔在又一个实施方式中，所述表面处理面S和/或并非所述表面处理面S的铜箔表面的利用激光波长为405nm的激光显微镜所测得的TD的算术平均粗糙度Ra为0.05μm以上。

[0043] 本发明的表面处理压延铜箔在又一个实施方式中，所述表面处理面S和/或并非所述表面处理面S的铜箔表面的利用激光波长为405nm的激光显微镜所测得的TD的均方根高度Rq为0.08μm以上。

[0044] 本发明在又一个侧面是一种层压板，其是将本发明的表面处理压延铜箔与树脂基板进行层压而制造。

[0045] 本发明在又一个侧面是一种印刷布线板，其使用有本发明的表面处理压延铜箔。

[0046] 本发明在又一个侧面是一种电子机器，其使用有本发明的印刷布线板。

[0047] 本发明在又一个侧面是一种连接有2个以上印刷布线板的印刷布线板的制造方法，其是将2个以上本发明的印刷布线板进行连接。

[0048] 本发明在又一个侧面是一种连接有2个以上印刷布线板的印刷布线板的制造方法，其包括：将至少1个本发明的印刷布线板、与另一个本发明的印刷布线板或不属于本发明的印刷布线板的印刷布线板进行连接的步骤。

[0049] 本发明在又一个侧面是一种电子机器，其使用有1个以上印刷布线板，该印刷布线板连接有至少1个本发明的印刷布线板。

[0050] 本发明在又一个侧面是一种印刷布线板的制造方法，其至少包括：将通过本发明的方法而制作的印刷布线板与零件进行连接的步骤。

[0051] 本发明在又一个侧面是一种连接有2个以上印刷布线板的印刷布线板的制造方法，其至少包括如下步骤：将至少1个本发明的印刷布线板、与另一个本发明的印刷布线板或不属于本发明的印刷布线板的印刷布线板进行连接而制造印刷布线板A的步骤；及[0052] 将所述印刷布线板A与零件进行连接的步骤。

[0053] 本发明在又一个侧面是一种连接有2个以上印刷布线板的印刷布线板的制造方法，其是将选自由

[0054] 本发明的印刷布线板、

[0055] 通过本发明的方法而制作的印刷布线板、及、

[0056] 不属于本发明的印刷布线板或通过本发明的方法而制作的印刷布线板中的任一个的印刷布线板

[0057] 所组成的群中的一种以上的印刷布线板、与

[0058] 通过本发明的方法所制造的印刷布线板进行连接。

[0059] [发明的效果]

[0060] 根据本发明，可提供一种蚀刻性与弯曲性均优异，与树脂良好地粘接，且通过蚀刻而去除铜箔后的树脂的透明性优异的表面处理压延铜箔。

附图说明

[0061] 图1是示意性地表示用以在铜箔的压延面增加{112}面的最终再结晶退火中对铜箔所施加的张力与铜箔中的添加元素的量的关系的图。

[0062] 图2是分别表示实施例5、比较例1的蚀刻面的光学显微镜图像的图。

[0063] 图3是表示基准图像与蚀刻性评价的对应的图。

[0064] 图4是定义将标记宽度设为约0.3mm时的Bt及Bb的示意图。

[0065] 图5是定义将标记宽度设为约1.3mm时的Bt及Bb的示意图。

[0066] 图6是定义t1及t2及Sv的示意图。

[0067] 图7是表示亮度曲线的斜率评价时的摄影装置的构成及亮度曲线的斜率的测定方法的示意图。

[0068] 图8是实施例所使用的夹杂物的外观照片。

[0069] 图9是实施例所使用的夹杂物的外观照片。

[0070] 图10是实施例所使用的夹杂物的外观照片。

具体实施方式

[0071] ＜压延铜箔的组成＞

[0072] 关于本发明的表面处理压延铜箔，优选该压延铜箔是由99.9质量％以上的铜所形成。作为这种组成，可列举：JIS-H3510(C1011)或JIS-H3100(C1020)所规定的无氧铜、或JIS-H3100(C1100)所规定的韧铜。另外，优选将表面处理压延铜箔的含氧量设为2～50质量ppm。在表面处理压延铜箔中的含氧量少而为2～50质量ppm的情况下，压延铜箔中几乎不存在氧化亚铜。因此，在将压延铜箔弯曲时，几乎没有由氧化亚铜产生的应变的蓄积，因此不易产生龟裂，而弯曲性提高。此外，铜所含有的氧的含量的上限没有特别限定，通常为500质量ppm以下，进而通常为320质量ppm以下。

[0073] 进而，表面处理压延铜箔也可为如下构成，即含有合计10～300质量ppm的选自Ag、Sn、Mg、In、B、Ti、Zr及Au的群中的1种或2种以上，且剩余部分由Cu及不可避免的杂质组成。如果添加这些Ag、Sn、Mg、In、B、Ti、Zr、Au的元素，则有在压延铜箔的表面(以下，也称为“压延面”；此外，在经过表面处理的情况下是指表面处理后的表面){110}面增多的倾向，因此变得容易调整下述的I{110}/I{112}的值。如果所述元素的合计量小于10质量ppm，则有在压延面使{110}面生长的效果小的情况，如果超过300质量ppm，则有如下情况：导电率降低并且再结晶温度上升，而在最终压延后的退火中变得难以一边抑制铜箔的表面氧化一边再结晶。

[0074] ＜厚度＞

[0075] 铜箔的厚度优选4～100μm，优选4～70μm，进而优选5～70μm。如果厚度小于4μm，则有铜箔的操作性差的情况，如果厚度超过100μm，则有铜箔的弯曲性差的情况。

[0076] ＜压延铜箔表面的{112}面及{110}面＞

[0077] 将根据{200}、{220}、{111}面的X射线衍射强度所算出的铜箔压延面中的各面的存在强度定义为算出X射线衍射强度。并且，本发明的表面处理压延铜箔在将{112}面的算出X射线衍射强度设为I{112}，将自{110}面的算出X射线衍射强度设为I{110}时，在表面处理面S的一面或两面、或者并非表面处理面S的表面上，满足2.5≦I{110}/I{112}≦6.0。更优选范围为4.0≦I{110}/I{112}≦5.6。

[0078] 在压延组织中的压延面，{110}面的存在比例比{112}面的存在比例越多，铜箔的压延集合组织越生长，而在再结晶退火时立方取向越生长。由此，可适当调整使弯曲性提高但使蚀刻性降低的立方取向的生长度，而控制铜箔的压延面上的{112}面与{110}面的生长比例，而使压延铜箔的蚀刻性与弯曲性均提高。即，如果I{110}/I{112}小于2.5，则压延铜箔的弯曲性变差，如果I{110}/I{112}超过6.0，则压延铜箔的蚀刻性变差。

[0079] 另外，关于本发明的表面处理铜箔，也可一个铜箔表面为表面处理面S，且对另一个铜箔表面实施表面处理。

[0080] X射线衍射由于其波长较长，因此虽然能够测定铜箔的{200}、{220}、{111}面的衍射强度，但无法获得{422}面(即{112}面)的衍射波峰。因此，根据通过正极图测定法而获得的{200}、{220}、{111}的X射线衍射结果，利用结晶取向的几何学关系而求出{110}面及{112}面的算出X射线衍射强度。{110}面的衍射强度虽然也可设为与{220}面的衍射强度相等而直接测定，但在本发明中应用自{200}、{220}、{111}面的衍射强度算出的算出X射线衍射强度。

[0081] 具体而言，通过如下方式而获得{110}面及{112}面的算出X射线衍射强度的值。

[0082] 首先，进行铜箔的{200}、{220}、{111}面的正极图测定。正极图测定法是在供设置试样的测角仪上安装双轴(α、β)的旋转机构，一边改变这些的角度一边测定X射线衍射的方法。而且，可根据X射线衍射正极图测定结果(铜箔的{200}、{220}、{111}面的正极图)，利用几何学关系，通过计算求出{110}面及{112}面的集合度。该计算可使用市售的软件(例如StandardODF(Norm Engineering股份有限公司制造)，转换为反极图表示而进行。

[0083] 关于{110}面及{112}面的集合度，首先进行{200}、{220}、{111}面的正极图测定，其次同样地进行纯铜粉末标准试样的{200}、{220}、{111}面的正极图测定。然后，分别利用纯铜粉末标准试样的{200}、{220}、{111}面的集合度而将{200}、{220}、{111}面的集合度标准化。然后，根据这样经过标准化的{200}、{220}、{111}面的正极图，通过所述软件转换为反极图，并计算{110}面及{112}面的集合度(算出X射线衍射强度)。

[0084] 本发明的压延铜箔通常是在热轧及平面切削后，重复进行冷轧与退火多次(通常为2次左右)，接着进行最终再结晶退火后，进行最终冷轧而制造。此处，所谓“最终再结晶退火”，是指最终冷轧前的退火中最后的退火。另外，为了与所述的“再结晶组织”(成为压延铜箔后的再结晶组织)加以区别，而将最终再结晶退火后的再结晶组织称为“中间再结晶组织”。首先，作为简单地调整中间再结晶组织的方法，可列举改变退火温度的方法。然而，在仅提高最终再结晶退火温度的情况下，随机取向的再结晶粒会成长，如果再结晶粒成为混粒(结晶粒径的大小的分布范围变广)，则会导致最终压延后的条纹等表面缺陷，所以欠佳，因此难以适当地控制I{110}/I{112}的值。

[0085] 另一方面，如果在最终再结晶退火中增大对铜箔所施加的张力，则该张力成为驱动力，可使中间再结晶组织中的结晶粒径变大，而使{112}面大量存在于压延面。但是，如果张力变得过大，则最终压延后的压延面{110}面减少，因此以I{110}/I{112}的值成为所述范围内的方式调整张力的范围便可。另外，由于张力的值也根据最终再结晶退火温度、及所述的添加元素的量而变化，所以根据这些而调整张力的值便可。此外，所谓张力，是向进行最终再结晶退火的环境中搬入铜条时最终再结晶退火环境的入侧与出侧的各辊间的张力。张力的适宜值(绝对值)是根据退火温度与铜条的成分而变化，因此优选对用张力除以退火温度下的材料的耐力而获得的无因次值进行管理。此外，以往，基于防止搬送辊的劣化等目的，连续退火炉中的张力的值通常被设定为0.1～0.15的范围。

[0086] 图1是表示用以在铜箔的压延面上增加{112}面的在最终再结晶退火中调整对铜箔所施加的张力的一例。如上所述，如果增大张力，则在压延面上{112}面会增多，但如果添加元素(所述的Ag等)的量增加，则在压延面上{110}面增多，因此如果不施加更高的张力，则在压延面上{112}面的比例不会增高。因此，图1的被2条线包围的区域成为优选范围。

[0087] 优选将压延铜箔在200℃加热30分钟后，在至少一个表面满足I{112}/I{100}≦1.0。在200℃进行30分钟的加热是模拟通过所谓浇铸法而制造FPC时的铜箔的加热条件。而且，如果是在该加热中铜箔完全再结晶而没有残留未再结晶区域的状态，则成为I{112}/I{100}≦1.0。在I{112}/I{100}>1.0的情况下，有未再结晶区域残留，而FPC的弯曲性差的情况。

[0088] 优选将压延铜箔在350℃加热1秒钟后，将压延铜箔的压延面的{200}面的X射线衍射强度设为I{200}，将纯铜粉末试样的{200}面的X射线衍射强度设为I0{200}时，满足5.0≦I{200}/I0{200}≦27.0。如果再结晶后{001}＜100＞取向(立方取向)生长，则可获得良好的弯曲性，因此I{200}/I0{200}越高越好。如果5.0>I{200}/I0{200}，则有弯曲性降低的情况。特别是更优选13.0≦I{200}/I0{200}≦27.0。此外，在与其他特性的平衡方面，在工业上难以实现I{200}/I0{200}>27.0，所以将上限设为27.0。

[0089] ＜表面处理压延铜箔＞

[0090] 本发明中所使用的铜箔对于通过层压于树脂基板上来制作层压板并通过蚀刻来形成电路而使用的铜箔有用。

[0091] 通常，对于铜箔的与树脂基板进行粘接的面、即表面处理侧的表面，为了提高层压后的铜箔的剥离强度，也可实施对脱脂后的铜箔表面进行瘤状电沉积的粗化处理。在本发明中，该粗化处理可通过铜-钴-镍合金镀敷或铜-镍-磷合金镀敷等合金镀敷而进行。另外，在本发明中，粗化处理优选可通过铜合金镀敷而进行。作为铜合金镀浴，例如优选使用含有铜与1种以上的铜以外的元素的镀浴，更优选含有铜与选自由钴、镍、砷、钨、铬、锌、磷、锰及钼所组成的群中的任一种以上的镀浴。而且，在本发明中，该粗化处理是用以形成表面处理面S的表面处理的一例，且将该粗化处理的电流密度设为高于以往粗化处理，而缩短粗化处理时间。有时进行通常的镀铜等作为粗化前的预处理，有时为了防止电沉积物的脱落，也进行通常的镀铜等作为粗化后的最终加工处理。

[0092] 本发明中所使用的铜箔也可在进行粗化处理后，或者省略粗化处理，而在表面设置耐热镀层或防锈镀层。

[0093] 作为形成表面处理面S的粗化处理的铜-钴-镍合金镀敷可通过如下方式实施，即通过电解镀敷而形成如附着量为15～40mg/dm2的铜-100～3000μg/dm2的钴-100～1500μg/dm2的镍的三元系合金层。如果Co附着量小于100μg/dm2，则有耐热性变差，蚀刻性变差的情2
况。如果Co附着量超过3000μg/dm ，则在必须考虑磁性影响的情况下欠佳，且有产生蚀刻斑，另外耐酸性及耐化学品性变差的情况。如果Ni附着量小于100μg/dm2，则有耐热性变差的情况。另一方面，如果Ni附着量超过1500μg/dm2，则有蚀刻残留物增多的情况。Co附着量优选1000～2500μg/dm2，镍附着量优选500～1200μg/dm2。此处，所谓蚀刻斑是指在利用氯化铜进行蚀刻的情况下，Co未溶解而残留的情况，而且，所谓蚀刻残留物是指在利用氯化铵进行碱性蚀刻的情况下，Ni未溶解而残留的情况。

[0094] 用以形成这种三元系铜-钴-镍合金镀层的镀浴及镀敷条件如下：

[0095] ·镀浴组成：Cu 10～20g/L、Co 1～10g/L、Ni 1～10g/L

[0096] ·pH值：1～4

[0097] ·温度：30～50℃

[0098] ·电流密度Dk：30～45A/dm2

[0099] ·镀敷时间：0.2～1.5秒

[0100] 此外，本发明所使用的除胶渣处理、电解、表面处理或镀敷等所使用的处理液的剩余部分只要没有特别明确记载，则为水。

[0101] 为了形成表面处理面S，也可省略粗化处理而在表面设置耐热镀层或防锈镀层，作为这种处理，可使用利用如下镀浴所进行的镀敷处理，即下述条件的Ni-W合金等Ni合金镀浴，更优选包含Ni与选自由Zn、W、P、Co、Mo、In、Sn及Cu所组成的群中的一种以上元素的合金镀浴，进而优选由Ni与选自由Zn、W、P、Co、Mo、In、Sn及Cu所组成的群中的一种以上元素所组成的合金镀浴。即，表面处理面S在省略粗化处理的情况下，也可具有Ni合金镀层，优选具有包含Ni与选自由Zn、W、P、Co、Mo、In、Sn及Cu所组成的群中的一种以上元素的合金镀层，进而优选具有由Ni与选自由Zn、W、P、Co、Mo、In、Sn及Cu所组成的群中的一种以上元素所组成的合金镀层。此外，关于省略粗化处理而在表面设置耐热镀层或防锈镀层的处理，需降低电流密度，且延长镀敷时间。

[0102] ·镀浴组成：Ni 10～30g/L、W 5～50mg/L

[0103] ·pH值：3～5

[0104] ·浴温：40～50℃

[0105] ·电流密度Dk：0.5～3A/dm2

[0106] ·镀敷时间：10～30秒

[0107] 另外，可使用利用Ni镀浴所进行的镀敷处理。此外，关于省略粗化处理而在表面设置耐热镀层或防锈镀层的处理，需降低电流密度，且延长镀敷时间。

[0108] ·镀浴组成：Ni 10～40g/L

[0109] ·pH值：1～4

[0110] ·浴温：35～50℃

[0111] ·电流密度Dk：0.2～3A/dm2

[0112] ·镀敷时间：5～20秒

[0113] 另外，粗化处理后，可在粗化面上形成附着量为200～3000μg/dm2的钴-100～700μg/dm2的镍的钴-镍合金镀层。该处理在广义上可视为一种防锈处理。该钴-镍合金镀层需以实质上不使铜箔与基板的粘接强度降低的程度进行。如果钴附着量小于200μg/dm2，则有耐热剥离强度降低，耐氧化性及耐化学品性变差的情况。另外，作为另一原因，如果钴量少，则2
处理表面泛红，所以欠佳。如果钴附着量超过3000μg/dm ，则在必须考虑磁性影响的情况下欠佳，且有产生蚀刻斑的情况，另外，有耐酸性及耐化学品性变差的情况。钴附着量优选500～2500μg/dm2。另一方面，如果镍附着量小于100μg/dm2，则有耐热剥离强度降低，而耐氧化性及耐化学品性变差的情况。如果镍超过1300μg/dm2，则碱性蚀刻性变差。镍附着量优选
2
200～1200μg/dm。

[0114] 另外，钴-镍合金镀敷的条件如下：

[0115] ·镀浴组成：Co 1～20g/L、Ni 1～20g/L

[0116] ·pH值：1.5～3.5

[0117] ·温度：30～80℃

[0118] ·电流密度Dk：1.0～20.0A/dm2

[0119] ·镀敷时间：0.5～4秒

[0120] 根据本发明，在钴-镍合金镀层上进一步形成附着量为30～250μg/dm2的锌镀层。如果锌附着量小于30μg/dm2，则有耐热劣化率改善效果消失的情况。另一方面，如果锌附着量超过250μg/dm2，则有耐盐酸劣化率极度变差的情况。锌附着量优选30～240μg/dm2，更优
2
选80～220μg/dm。

[0121] 所述镀锌的条件如下：

[0122] ·镀浴组成：Zn 100～300g/L

[0123] ·pH值：3～4

[0124] ·温度：50～60℃

[0125] ·电流密度Dk：0.1～0.5A/dm2

[0126] ·镀敷时间：1～3秒

[0127] 此外，也可形成锌-镍合金镀层等锌合金镀层来代替锌镀层，还可在最表面通过铬酸盐处理或硅烷偶联剂的涂布等而形成防锈层。

[0128] 通常，在对铜箔表面实施粗化处理的情况下，现有技术是在硫酸铜水溶液中的烧焦镀敷(burning plating)，但可通过镀浴中含有铜以外的金属的铜-钴-镍合金镀敷或铜-镍-磷合金镀敷等合金镀敷，而进行将该铜箔与贴合于铜箔前的ΔB(PI)为50以上65以下的聚酰亚胺进行层压而构成的覆铜箔层压板中的隔着聚酰亚胺的表面的基于JISZ8730的色差ΔE*ab成为50以上的表面处理。

[0129] [表面色差ΔE*ab]

[0130] 对于本发明的表面处理压延铜箔，在将其自表面处理压延铜箔的表面处理面S侧层压于贴合于铜箔前的下述ΔB(PI)为50以上65以下的聚酰亚胺而构成的覆铜箔层压板中，隔着所述聚酰亚胺的表面的基于JIS Z8730的色差ΔE*ab控制在50以上。通过这种构成，与背面的对比度变得鲜明，隔着聚酰亚胺基板对该铜箔进行观察时的视认性提高。其结果为，在将该铜箔用于形成电路的情况等时，经由透过该聚酰亚胺基板所视认的定位图案而进行的IC芯片搭载时的位置对准等变得容易。如果该色差ΔE*ab小于50，则产生与背面的对比度变得不鲜明的可能性。该色差ΔE*ab更优选53以上、55以上，更优选60以上。色差ΔE*ab的上限无需特别限定，例如为90以下、88以下、或者87以下、或者85以下、或者75以下、或者70以下。

[0131] 此处，色差ΔE*ab是利用色差计进行测定，且是加上黑/白/红/绿/黄/蓝，并使用基于JIS Z8730的L*a*b表色系统而进行表示的综合指标，设为ΔL：白黑、Δa：红绿、Δb：黄蓝，并以下述式表示：

[0132]

[0133] 为了提高视认性的效果，而控制用以形成表面处理面S的表面处理前的铜箔的处理侧表面的利用接触式粗糙度计所测得的TD(与压延方向垂直的方向(铜箔的宽度方向))的粗糙度(十点平均粗糙度Rz)及光泽度。具体而言，表面处理前的铜箔的处理侧表面的利用接触式粗糙度计所测得的TD的表面粗糙度(十点平均粗糙度Rz)为0.20～0.55μm、优选0.20～0.42μm。作为这种铜箔，是通过调整压延油的油膜当量并进行压延(高光泽压延)、调整压延辊的表面粗糙度(算术平均粗糙度Ra(JIS B06011994)并进行压延、或者通过化学蚀刻之类的化学研磨或磷酸溶液中的电解研磨而制作。通过如上述般将处理前的铜箔的处理侧表面的利用接触式粗糙度计所测得的TD的表面粗糙度(十点平均粗糙度Rz)与光泽度设为所述范围，而可容易地控制处理后的铜箔的表面处理面S侧的表面粗糙度(十点平均粗糙度Rz)及表面积。

[0134] 另外，关于用以形成表面处理面S的表面处理前的铜箔，其TD的60度光泽度为300～910％，优选500～810％，更优选500～710％。如果表面处理前的铜箔的TD的60度光泽度小于300％，则与所述光泽度为300％以上的情况相比，有所述树脂的透明性变得不良的担忧，如果超过910％，则有产生变得难以制造的问题的担忧。

[0135] 此外，高光泽压延可通过将下述式所规定的油膜当量设为13000～24000以下而进行。

[0136] 油膜当量＝{(压延油粘度[cSt])×(过板速度[mpm]+辊圆周速度[mpm])}/{(辊的咬角[rad])×(材料的屈服应力[kg/mm2])}

[0137] 压延油粘度[cSt]是40℃的动态粘度。

[0138] 为了将油膜当量设为13000～24000，使用如下的公知方法便可，即，使用低粘度的压延油，或者减缓过板速度等。

[0139] 压延辊的表面粗糙度例如以算术平均粗糙度Ra(JIS B06011994)计，可设为0.01～0.25μm。在压延辊的算术平均粗糙度Ra的值较大的情况下，有用以形成表面处理面S的表面处理前的铜箔的表面的TD的粗糙度(Rz)增大，而表面处理前的铜箔的表面的TD的60度光泽度降低的倾向。另外，在压延辊的算术平均粗糙度Ra的值较小的情况下，有表面处理前的铜箔的表面的TD的粗糙度(Rz)减小，而表面处理前的铜箔的表面的TD的60度光泽度增高的倾向。

[0140] 化学研磨是利用硫酸-过氧化氢-水系或氨-过氧化氢-水系等蚀刻液，将浓度设为低于通常，并耗费长时间而进行。

[0141] [亮度曲线]

[0142] 关于本发明的表面处理压延铜箔，将该表面处理铜箔从表面处理面S侧贴合于聚酰亚胺树脂基板的两面后，通过蚀刻将两面的铜箔去除，将印刷有线状标记的印刷物铺设于露出的所述聚酰亚胺基板之下，利用CCD摄像机，隔着所述聚酰亚胺基板对印刷物进行拍摄时，在针对通过拍摄而获得的图像，沿着与所观察的线状标记延伸的方向垂直的方向上对每个观察地点的亮度进行测定而制作的观察地点-亮度曲线中，将自标记的端部至没有绘制标记的部分所产生的亮度曲线的顶部平均值Bt与底部平均值Bb的差设为ΔB(ΔB＝Bt－Bb)，并且在观察地点-亮度曲线中，将表示亮度曲线与Bt的交点中最接近所述线状标记的交点的位置的值设为t1，将表示在以Bt为基准从亮度曲线与Bt的交点至0.1ΔB的深度范围内，亮度曲线与0.1ΔB的交点中最接近所述线状标记的交点的位置的值设为t2时，所述(1)式所定义的Sv为3.0以上。

[0143] 此处，针对“亮度曲线的顶部平均值Bt”、“亮度曲线的底部平均值Bb”、及下述的“t1”、“t2”、“Sv”，使用图进行说明。

[0144] 图4(a)及图4(b)表示对将标记宽度设为约0.3mm的情况下的Bt及Bb加以定义的示意图。在将标记宽度设为约0.3mm的情况下，有如图4(a)所示般成为V型的亮度曲线的情况、与如图4(b)所示般成为具有底部的亮度曲线的情况。“亮度曲线的顶部平均值Bt”在任一情况下均表示从与标记的两侧的端部位置相距50μm的位置起以30μm为间隔测定5处(两侧合计10处)时的亮度的平均值。另一方面，“亮度曲线的底部平均值Bb”在亮度曲线如图4(a)所示般成为V型的情况下，表示该V字谷的尖端部处的亮度的最低值，在图4(b)的具有底部的情况下，表示约0.3mm的中心部的值。

[0145] 此外，标记的宽度也可设为1.3mm、0.2mm、0.16mm、0.1mm左右。并且，“亮度曲线的顶部平均值Bt”也可设为从与标记的两侧的端部位置相距100μm的位置、300μm的位置、或者500μm的位置起，分别以30μm为间隔测定5处(两侧合计10处)时的亮度的平均值。图5(a)：
“亮度曲线为V型的情况”、及图5(b)：“亮度曲线存在底部的情况”表示分别对将标记的宽度设为约1.3mm的情况的Bt及Bb加以定义的示意图。在图5(a)及图5(b)中，将从与标记的两侧的端部位置相距500μm的位置，分别以30μm为间隔测定5处(两侧合计10处)时的亮度的平均值设为“亮度曲线的顶部平均值Bt”。

[0146] 图6表示对t1及t2及Sv加以定义的示意图。“t1(像素×0.1)”表示亮度曲线与Bt的交点中最接近所述线状标记的交点。“t2(像素×0.1)”表示在以Bt为基准从亮度曲线与Bt的交点至0.1ΔB的深度范围内，亮度曲线与0.1ΔB的交点中最接近所述线状标记的交点。此时，关于将t1及t2连接的线所示的亮度曲线的斜率，是由y轴方向0.1ΔB、x轴方向(t1－t2)所计算的Sv(灰阶/像素×0.1)所定义。此外，横轴的1像素相当于长度10μm。另外，Sv是测定标记的两侧并采用较小值。进而，于亮度曲线的形状不稳定，且所述“亮度曲线与Bt的交点”存在多个的情况下，采用最接近标记的交点。

[0147] 在CCD摄像机所拍摄的所述图像中，没有附标记的部分成为较高的亮度，但一到达标记端部，亮度就降低。如果聚酰亚胺基板的视认性良好，则明确观察到这种亮度的降低状态。另一方面，如果聚酰亚胺基板的视认性不良，则亮度在标记端部附近并非瞬间从“高”迅速降低至“低”，而是降低的状态变得平缓，从而亮度的降低状态变得不明确。

[0148] 本发明是基于这种见解，而控制在观察地点-亮度曲线中所绘制的标记端部附近的亮度曲线的斜率，该观察地点-亮度曲线是从将附标记的印刷物置于将本发明的表面处理铜箔贴合并去除的聚酰亚胺基板之下，利用CCD摄像机，隔着聚酰亚胺基板进行拍摄所得的所述标记部分的图像而获得。更详细而言，将亮度曲线的顶部平均值Bt与底部平均值Bb的差设为ΔB(ΔB＝Bt－Bb)，在观察地点-亮度曲线中，将表示亮度曲线与Bt的交点中最接近所述线状标记的交点的位置的值设为t1，将表示在以Bt为基准从亮度曲线与Bt的交点至0.1ΔB的深度范围内，亮度曲线与0.1ΔB的交点中最接近所述线状标记的交点的位置的值设为t2时，所述(1)式所定义的Sv成为3.0以上。根据这种构成，利用CCD摄像机且隔着聚酰亚胺的标记识别力提高，不受基板树脂的种类或厚度的影响。因此，可制作视认性优异的聚酰亚胺基板，而在电子基板制造步骤等中对聚酰亚胺基板进行特定处理的情况下利用标记时的定位精度提高，由此可获得良率提高等效果。Sv优选3.5以上，优选4.0以上。Sv的上限无需特别限定，例如为15以下、10以下。根据这种构成，标记与并非标记的部分的交界变得更明确，定位精度提高，由标记图像辨识产生的误差减小，而可更准确地进行位置对准。

[0149] 因此，认为在将本发明的实施方式的铜箔用于印刷布线板的情况下，在将一个印刷布线板与另一个印刷布线板连接时，连接不良减少，良率提高。

[0150] 通过控制粒子形成时等表面处理时的电流密度与镀敷时间，从而表面处理后的铜箔的表面处理面S的粒子形态或形成密度、表面的凹凸状态等表面状态固定，而可控制所述Sv、表面粗糙度Rz、隔着聚酰亚胺的表面的基于JIS Z8730的色差ΔE*ab、及光泽度。

[0151] 关于本发明的表面处理铜箔，所述表面处理面S和/或并非所述表面处理面S的铜箔表面的利用激光波长为405nm的激光显微镜所测得的TD的十点平均粗糙度Rz优选0.35μm以上。进而，本发明的表面处理铜箔的并非表面处理表面S的铜箔表面更优选经过表面处理。通过这种构成，可更良好地抑制如下问题：由于使铜箔与保护膜之间的接触面积进一步增大，所以保护膜会贴附在与树脂基板的层压步骤时的铜箔上。本发明的表面处理铜箔的所述表面处理面S和/或并非所述表面处理面S的铜箔表面的利用激光波长为405nm的激光显微镜所测得的TD的十点平均粗糙度Rz更优选0.40μm以上，进而更优选0.50μm以上，进而更优选0.60μm以上，进而更优选0.80μm以上。此外，本发明的表面处理铜箔的所述表面处理面S和/或并非所述表面处理面S的铜箔表面的利用激光波长为405nm的激光显微镜所测得的TD的十点平均粗糙度Rz的上限无需特别限定，典型而言为4.0μm以下，更典型而言为3.0μm以下，更典型而言为2.5μm以下，更典型而言为2.0μm以下。

[0152] 关于本发明的表面处理铜箔，所述表面处理面S和/或并非所述表面处理面S的铜箔表面的利用激光波长为405nm的激光显微镜所测得的TD的算术平均粗糙度Ra优选0.05μm以上。进而，本发明的表面处理铜箔的并非表面处理表面S的铜箔表面更优选经过表面处理。通过这种构成，可更良好地抑制如下问题：由于使铜箔与保护膜之间的接触面积进一步增大，所以保护膜会贴附在与树脂基板的层压步骤时的铜箔上。本发明的表面处理铜箔的所述表面处理面S和/或并非所述表面处理面S的铜箔表面的利用激光波长为405nm的激光显微镜所测得的TD的算术平均粗糙度Ra更优选0.08μm以上，进而更优选0.10μm以上，进而更优选0.20μm以上，进而更优选0.30μm以上。此外，本发明的表面处理铜箔的所述表面处理面S和/或并非所述表面处理面S的铜箔表面的利用激光波长为405nm的激光显微镜所测得的TD的算术平均粗糙度Ra的上限无需特别限定，典型而言为0.80μm以下，更典型而言为0.65μm以下，更典型而言为0.50μm以下，更典型而言为0.40μm以下。

[0153] 关于本发明的表面处理铜箔，所述表面处理面S和/或并非所述表面处理面S的铜箔表面的利用激光波长为405nm的激光显微镜所测得的TD的均方根高度Rq优选0.08μm以上。进而，本发明的表面处理铜箔的并非表面处理表面S的铜箔表面更优选经过表面处理。通过这种构成，可更良好地抑制如下问题：由于使铜箔与保护膜之间的接触面积进一步增大，所以保护膜会贴附在与树脂基板的层压步骤时的铜箔上。本发明的表面处理铜箔的所述表面处理面S和/或并非所述表面处理面S的铜箔表面的利用激光波长为405nm的激光显微镜所测得的TD的均方根高度Rq更优选0.10μm以上，进而更优选0.15μm以上，进而更优选
0.20μm以上，进而更优选0.30μm以上。此外，本发明的表面处理铜箔的所述表面处理面S和/或并非所述表面处理面S的铜箔表面的利用激光波长为405nm的激光显微镜所测得的TD的均方根高度Rq的上限无需特别限定，典型而言为0.80μm以下，更典型而言为0.60μm以下，更典型而言为0.50μm以下，更典型而言为0.40μm以下。

[0154] 所述并非表面处理面S的铜箔表面也可实施通过镀敷(正常镀敷，并非粗化镀敷的镀敷)而设置耐热层或防锈层的处理作为表面处理。另外，所述并非表面处理面S的铜箔表面也可实施粗化处理作为表面处理。

[0155] 关于粗化处理，例如可使用含有硫酸铜与硫酸水溶液的镀敷液而进行粗化处理，另外，也可使用由硫酸铜与硫酸水溶液所组成的镀敷液而进行粗化处理。也可为铜-钴-镍合金镀敷或铜-镍-磷合金镀敷、镍-锌合金镀敷等合金镀敷。另外，优选可通过铜合金镀敷而进行。作为铜合金镀浴，例如优选使用含有铜与1种以上的铜以外的元素的镀浴，更优选含有铜与选自由钴、镍、砷、钨、铬、锌、磷、锰及钼所组成的群中的任一种以上的镀浴。

[0156] 另外，也可对并非表面处理面S的铜箔表面使用所述粗化处理以外的粗化处理，在并非粗化处理的情况下，也可使用所述镀敷处理以外的表面处理。

[0157] 另外，所述并非表面处理面S的铜箔表面也可实施用以在表面形成凹凸的表面处理。

[0158] 作为用以在表面形成凹凸的表面处理，也可进行通过电解研磨所进行的表面处理。例如在由硫酸铜与硫酸水溶液所组成的溶液中，对所述并非表面处理面S的铜箔表面进行电解研磨，由此可在并非表面处理面S的铜箔表面形成凹凸。通常电解研磨是以平滑化为目的，但对于本发明的并非表面处理面S的铜箔表面的表面处理而言，是通过电解研磨而形成凹凸，因此想法与通常相反。通过电解研磨而形成凹凸的方法也可通过公知技术而进行。作为用以形成所述凹凸的电解研磨的公知技术的例子，可列举：日本特开2005-240132、日本特开2010-059547、日本特开2010-047842所记载的方法。作为通过电解研磨形成凹凸的处理的具体条件，例如可列举：

[0159] ·处理溶液：Cu：5～40g/L、H2SO4：50～150g/L、温度：30～70℃

[0160] ·电解研磨电流：10～50A/dm2

[0161] ·电解研磨时间：5～20秒

[0162] 等，更具体而言，例如可列举：

[0163] ·处理溶液：Cu：20g/L、H2SO4：100g/L、温度：50℃

[0164] ·电解研磨电流：15A/dm2

[0165] ·电解研磨时间：15秒

[0166] 等。

[0167] 作为用以在并非表面处理面S的铜箔表面形成凹凸的表面处理，例如也可通过对并非表面处理面S的铜箔表面进行机械研磨而形成凹凸。机械研磨也可通过公知技术而进行。

[0168] 此外，在本发明的表面处理铜箔中的并非表面处理面S的铜箔表面的表面处理后，也可设置耐热层或防锈层或耐候性层。耐热层或防锈层及耐候性层可通过所述记载或实验例记载的方法而形成，也可通过公知技术方法而形成。

[0169] 可将本发明的表面处理压延铜箔从表面处理面S侧贴合在树脂基板上而制造层压板。树脂基板只要为具有可应用于印刷布线板等的特性的树脂基板，则不受特别限制，例如对于刚性PWB用途，可使用纸基材酚树脂、纸基材环氧树脂、合成纤维布基材环氧树脂、玻璃布-纸复合基材环氧树脂、玻璃布-玻璃无纺布复合基材环氧树脂及玻璃布基材环氧树脂等，对于FPC用用途，可使用聚酯膜或聚酰亚胺膜、液晶聚合物(LCP，liquid crystal polymer)膜、特富龙(注册商标)膜等。

[0170] 关于贴合的方法，在为刚性PWB用途的情况下，准备使树脂含浸于玻璃布等基材中并使树脂硬化至半硬化状态而成的预浸体。可通过将铜箔从被覆层的相反侧的面重叠于预浸体上并进行加热加压而进行。在为FPC的情况下，经由粘接剂，或不使用粘接剂在高温高压下将聚酰亚胺膜等基材层压粘接于铜箔，或者将聚酰亚胺前驱物进行涂布、干燥、硬化等，由此可制造层压板。

[0171] 聚酰亚胺基材树脂的厚度没有特别限制，一般可列举25μm或50μm。

[0172] 本发明的层压板可用于各种印刷布线板(PWB)，没有特别限制，例如就导体图案的层数的观点而言，可应用于单面PWB、两面PWB、多层PWB(3层以上)，就绝缘基板材料的种类的观点而言，可应用于刚性PWB、软性PWB(FPC)、刚性-弹性PWB。

[0173] (层压板及使用其的印刷布线板的定位方法)

[0174] 对本发明的表面处理压延铜箔与树脂基板的层压板的定位方法进行说明。首先，准备表面处理压延铜箔与树脂基板的层压板。作为本发明的表面处理压延铜箔与树脂基板的层压板的具体例，可列举：在由本体基板与附属的电路基板、与用以将这些电连接的在聚酰亚胺等树脂的至少一个表面形成有铜布线的软性印刷基板构成的电子机器中，准确地对软性印刷基板进行定位，并压接于该本体基板及附属的电路基板的布线端部而制作的层压板。即，如果为该情况，则层压板成为通过压接而使软性印刷基板及本体基板的布线端部进行贴合而成的层压板、或通过压接而使软性印刷基板及电路基板的布线端部进行贴合而成的层压板。层压板具有由该铜布线的一部分或其他材料形成的标记。关于标记的位置，只要为利用CCD摄像机等拍摄手段隔着构成该层压板的树脂可进行拍摄的位置，则没有特别限定。

[0175] 在这样准备的层压板中，如果利用拍摄手段，隔着树脂对所述标记进行拍摄，则可良好地检测出所述标记的位置。然后，这样检测出所述标记的位置，而可基于所述被检测出的标记的位置，良好地进行表面处理压延铜箔与树脂基板的层压板的定位。另外，在使用印刷布线板作为层压板的情况下，也同样地通过这种定位方法，拍摄手段可良好地检测出标记的位置，而可更准确地进行印刷布线板的定位。

[0176] 因此，认为在将一个印刷布线板与另一个印刷布线板进行连接时，连接不良减少，良率提高。此外，作为将一个印刷布线板与另一个印刷布线板进行连接的方法，可使用经由焊接或各向异性导电膜(Anisotropic Conductive Film，ACF)的连接、经由各向异性导电膏(Anisotropic Conductive Paste，ACP)的连接、或经由具有导电性的粘接剂的连接等公知连接方法。此外，在本发明中，“印刷布线板”也包括安装有零件的印刷布线板及印刷电路板及印刷基板。另外，可将2个以上本发明的印刷布线板连接，而制造连接有2个以上印刷布线板的印刷布线板，另外，也可将至少1个本发明的印刷布线板、与另一个本发明的印刷布线板或不属于本发明的印刷布线板的印刷布线板进行连接，而可使用这种印刷布线板而制造电子机器。另外，本发明的印刷布线板的制造方法也可至少包括将通过本发明的方法所制作的印刷布线板与零件进行连接的步骤。另外，本发明的印刷布线板的制造方法也可至少包括将本发明的印刷布线板至少1个、与另一个本发明的印刷布线板或不属于本发明的印刷布线板的印刷布线板连接，而制造印刷布线板A的步骤、及将所述印刷布线板A与零件连接的步骤。另外，本发明的印刷布线板的制造方法也可为如下方法，即将选自由本发明的印刷布线板、通过本发明的方法而制作的印刷布线板、及不属于本发明的印刷布线板或通过本发明的方法而制作的印刷布线板中的任一个的印刷布线板所组成的群中的一种以上的印刷布线板、与通过本发明的方法所制造的印刷布线板进行连接，而制造连接有2个以上印刷布线板的印刷布线板。此外，在本发明中，“铜电路”也包括铜布线。

[0177] 此外，本发明的实施方式的定位方法也可包括使层压板(包括铜箔与树脂基板的层压板或印刷布线板)移动的步骤。在移动步骤中，例如可利用带式输送机或链式输送机等输送机使层压板移动，也可利用具备臂机构的移动装置使层压板移动，也可利用通过使用气体使层压板悬浮而使之移动的移动装置或移动手段使层压板移动，也可利用使大致圆筒形等的物体旋转而使层压板移动的移动装置或移动手段(包括辊或轴承等)、以油压为动力源的移动装置或移动手段、以空气压为动力源的移动装置或移动手段、以马达为动力源的移动装置或移动手段、支架移动型线性导轨台、支架移动型空气导轨台、堆叠型线性导轨台、线性马达驱动台等具有载置台的移动装置或移动手段等使层压板移动。另外，也可进行利用公知移动手段所进行的移动步骤。

[0178] 此外，本发明的实施方式的定位方法也可用于表面安装机或贴片机(chip mounter)。

[0179] 另外，在本发明中，所定位的表面处理压延铜箔与树脂基板的层压板也可为具有树脂板及设置在所述树脂板上的电路的印刷布线板。另外，在该情况下，所述标记也可为所述电路。

[0180] 在本发明中，所谓“定位”包括“检测出标记或物体的位置”。另外，在本发明中，所谓“位置对准”包括“在检测到标记或物的位置后，基于所述检测到的位置，使该标记或物向特定位置移动”。

[0181] 此外，在印刷布线板中，可将印刷布线板上的电路作为标记来代替印刷物的标记，利用CCD摄像机，隔着树脂对该电路进行拍摄而测定Sv值。另外，关于覆铜箔层压板，可通过蚀刻而将铜制成线状后，将该制成线状的铜作为标记来代替印刷物的标记，利用CCD摄像机，隔着树脂对该制成线状的铜进行拍摄而测定Sv值。

[0182] [实施例]

[0183] ＜压延铜箔的制造＞

[0184] 以添加有表1所示的组成的元素的韧铜或无氧铜为原料，而铸造厚度100mm的铜锭，在800℃以上进行热轧直至厚度10mm，并将表面的氧化皮去除。其后，重复进行冷轧与退火而获得厚度为0.5mm的压延卷板。在该最后的冷轧后，使该铜条在700℃且在表1所示的张力下穿过连续退火炉而进行最终再结晶退火。此外，张力的值是除以该试样在再结晶退火温度下的耐力而进行标准化({张力(N/mm2)/再结晶退火温度下的耐力(N/mm2)})。另外，再结晶退火中的铜条的加热时间设为100～200秒。最后，在最终冷轧中最终加工为表1所记载的厚度。将在最终冷轧中的压延加工度设为86～99％。

[0185] 此外，在表1中记载有表面处理前的铜箔制作步骤的要点。“高光泽压延”是指以记载的油膜当量的值进行最终的冷轧(最终的再结晶退火后的冷轧)。作为实施例及比较例，准备各铜箔，以表2所记载的条件(镀浴1或2)对一个表面进行镀敷处理作为粗化处理。另外，也以表2所记载的条件(镀浴3)准备不进行粗化处理的铜箔。

[0186] 此外，表1的组成栏的“Ag 190ppm+OFC”是指向JIS-H3510(C1011)(实施例10)或JIS-H3100(C1020)(实施例10以外)的无氧铜OFC添加有190质量ppm的Ag的情况。另外，“Ag 190ppm+TPC”是指向JIS-H3100(C1100)的韧铜(TPC)添加有190质量ppm的Ag的情况。其他添加量的情况也相同。

[0187] 此外，关于实施例1～5、9、19～21、25及26中所获得的表面处理铜箔，也制造对另一个表面进行了表3所记载的表面处理的表面处理铜箔。此处，表3的“实施例No.-数字”是指对实施例中所获得的表面处理铜箔的另一个表面进行了表3所记载的表面处理。例如在表3中，“实施例1-1”是对实施例1的另一个表面进行了表3所记载的表面处理的表面处理铜箔，“实施例2-1”是对实施例2的另一个表面进行了表3所记载的表面处理的表面处理铜箔。

[0188] ＜结晶取向＞

[0189] 针对最终冷轧后的铜箔的表面(压延面)，使用X射线衍射装置(RINT-2500：理学电机制造)，分别进行{200}、{220}、{111}面的正极图测定(X射线反射平均强度)。根据所获得的测定结果，使用StandardODF(Norm Engineering股份有限公司制造)而转换为反极图，并计算出{110}面及{112}面的算出X射线衍射强度。

[0190] 关于X射线衍射的测定条件，设为入射X射线源：Cu；加速电压：30kV；管电流：100mA；发散狭缝(divergence slit)：0.5度；散射狭缝(scattering slit)：4mm；光接收狭缝(receiving slit)：4mm；长度限制发散狭缝(Divergence slit length limit)：1.2mm。
另外，使用在相同条件下对各面进行X射线衍射的纯铜粉末的值(X射线反射平均强度)，将{200}、{220}、{111}面的集合度进行标准化后，转换为反极图。纯铜粉末是使用微粉末铜(325目(mesh))。

[0191] ＜结晶粒径＞

[0192] 依据JIS-H0501的切断法，针对压延面，测定刚进行过最终再结晶退火后(最终冷轧前)的铜箔的结晶粒径。

[0193] ＜I{200}/I0{200}＞

[0194] 将最终冷轧后的铜箔分别在200℃进行0.5小时退火后，及在350℃进行1秒退火后，对其表面测定{200}面的X射线衍射强度(积分强度)。然后，使用在相同条件下进行X射线衍射的纯铜粉末的值(I0{200}：X射线反射平均强度(积分强度)、即纯铜粉末的{200}面的X射线衍射强度(积分强度))而进行标准化。

[0195] 关于X射线衍射的测定条件，设为入射X射线源：Cu；加速电压：25kV；管电流：20mA；发散狭缝：1度；散射狭缝：1度；接收狭缝：0.3mm；长度限制发散狭缝：10mm；单色光接收狭缝
0.8mm。纯铜粉末是使用微粉末铜(325目)。

[0196] ＜弯曲性＞

[0197] 首先，在厚度为12.5μm的热硬化性聚酰亚胺膜上涂布热塑性聚酰亚胺粘接剂并使之干燥。其次，在该膜的两面分别层压最终冷轧后的铜箔后，进行热压接而制作两面CCL(Copper Clad Laminate，覆铜箔层压板)。关于该两面CCL，通过蚀刻而在两面的铜箔形成线宽/线距的宽度分别为100μm/100μm的电路图案后，被覆厚度25μm的覆盖膜而加工为FPC。

[0198] 针对该FPC，进行滑动弯曲试验而评价弯曲性。具体而言，使用滑动试验机(应用技研产业股份有限公司制造，TK-107型)，滑动半径r(mm)在实施例9中设为r＝4mm，在其他实施例及比较例中设为r＝0.72mm，在任一情况下均以滑动速度120次/分钟使FPC弯曲。

[0199] 将与试验前相比，铜箔的电路的电阻增加10％时的弯曲次数小于15万次评价为×，将所述弯曲次数为10万次～小于15万次的铜箔评价为△，将所述弯曲次数为15万次～30万次的铜箔评价为○，将所述弯曲次数超过30万次的铜箔评价为◎。只要弯曲性为◎～△，则可谓弯曲性良好。

[0200] ＜蚀刻性＞

[0201] 将所述的两面CCL浸渍于经搅拌的液温30℃的蚀刻液(艾迪科(ADEKA)公司制造的制品名：TEC CL-8的20质量％溶液)中1分钟而进行蚀刻，利用光学显微镜对蚀刻面进行拍摄。

[0202] 所述图像中，暗部表示蚀刻均匀的区域，因此蚀刻性是将所拍摄的图像与基准图像进行比较而评价。图3中表示基准图像与蚀刻性的评价的对应。暗部的面积率越高，蚀刻性越良好，◎为蚀刻性最良好。只要蚀刻性为◎～△，则可谓蚀刻性良好。

[0203] ＜隔着聚酰亚胺的色差ΔE*ab＞

[0204] 对将表面处理压延铜箔与贴合于铜箔前的ΔB(PI)为50以上65以下的聚酰亚胺膜(日本钟渊(Kaneka)制造，厚度25μm或50μm)进行层压而构成的覆铜箔层压板中隔着聚酰亚胺膜的表面的基于JIS Z8730的色差ΔE*ab进行测定。色差ΔE*ab的测定是使用亨特立(HunterLab)公司制造的色差计MiniScan XE Plus，并依据JIS Z8730而进行。此外，在所述的色差计中，将白色板的测定值设为ΔE*ab＝0，将在以黑色袋子包裹的暗处进行测定时的测定值设为ΔE*ab＝90，而对色差进行校正。ΔE*ab是使用L*a*b表色系统，设为ΔL：白黑、Δa：红绿、Δb：黄蓝，并基于下述式进行测定。此处，色差ΔE*ab是将白色定义为0，将黑色定义为90，

[0205]

[0206] 此外，铜电路表面的基于JIS Z8730的色差ΔE*ab例如可使用日本电色工业股份有限公司制造的微小面分光色差计(型号：VSS400等)或Suga试验机(Suga Test Instruments)股份有限公司制造的微小面分光测色计(型号：SC-50μ等)等公知测定装置进行测定。

[0207] ＜亮度曲线＞

[0208] 将经过表面处理的铜箔贴合于聚酰亚胺膜(日本钟渊(Kaneka)制造，PIXEO(聚酰亚胺型：FRS)，附带覆铜箔层压板用粘接层的聚酰亚胺膜，厚度50μm，PMDA(均苯四甲酸酐)系的聚酰亚胺膜(PMDA-ODA(4,4'-二氨基二苯醚)系的聚酰亚胺膜))的两面，通过蚀刻(三氯化铁水溶液)去除铜箔而制作样品膜。其次，将印刷有线状的黑色标记的印刷物铺设在样品膜之下，利用CCD摄像机(8192像素的线阵CCD摄像机)，隔着样品膜对印刷物进行拍摄，在针对通过拍摄而获得的图像，沿着与所观察的线状标记延伸的方向垂直的方向，对每个观察地点的亮度进行测定而制作的观察地点-亮度曲线中，根据从标记的端部至没有绘制标记的部分所产生的亮度曲线测定ΔB及t1、t2、Sv。将表示此时使用的摄影装置的构成及亮度曲线的测定方法的示意图示于图7。此外，Sv是测定标记的两侧，并采用较小的值。

[0209] 另外，ΔB及t1、t2、Sv是如图7所示般利用下述摄影装置进行测定。此外，横轴的1像素相当于长度10μm。并且，作为求出亮度曲线的斜率Sv的另一方法，也可在将亮度曲线的图中的1像素与1灰阶的长度的比率设为3.5：6(亮度曲线的图中的1像素的长度：亮度曲线的图中的1灰阶的长度＝3.5(mm)：6(mm))的亮度曲线的图中算出t1、t2、Sv的值。

[0210] 此外，亮度曲线的测定所使用的聚酰亚胺膜只要贴合于铜箔前的ΔB(PI)的值为50以上65以下，则可使用任何聚酰亚胺膜。

[0211] 所述“印刷有线状的黑色标记的印刷物”是使用在光泽度43.0±2的白色光泽纸上载有JIS P8208(1998)(图1夹杂物计测图表的复印件)及JIS P8145(2011)(附件JA(规定)目视法异物比较图图JA.1-目视法异物比较图的复印件)均采用的在图8所示的透明膜上印刷有各种线等的夹杂物(impurities)(朝阳会股份有限公司制造品名：“夹杂物测定图表-整幅纸”品号：JQA160-20151-1(独立行政法人国立印刷局制造))的印刷物。

[0212] 所述光泽纸的光泽度是使用依据JIS Z8741的日本电色工业股份有限公司制造的光泽度计Handy gloss meter PG-1，以入射角60度进行测定。

[0213] 摄影装置具备：CCD摄像机、放置下方放置有附标记的纸(载有夹杂物的白色的光泽纸)的聚酰亚胺基板的台(白色)、对聚酰亚胺基板的拍摄部照射光的照明用电源、将下方设置有附拍摄对象的标记的纸的评价用聚酰亚胺基板在台上进行搬送的搬送机(未图示)。将该摄影装置的主要规格示于以下：

[0214] ·摄影装置：尼利可(Nireco)股份有限公司制造的片材检测装置Mujiken[0215] ·CCD摄像机：8192像素(160MHz)、1024灰阶数(10bit)

[0216] ·照明用电源：高频照明电源(电源组件×2)

[0217] ·照明：荧光灯(30W，型号：FPL27EX-D，双管荧光灯)

[0218] Sv测定用的线是使用0.7mm2的图8的对夹杂物所绘制的箭头所示的线。该线的宽度为0.3mm。另外，线阵CCD摄像机视野设为图8的虚线的布局。

[0219] 在利用线阵CCD摄像机所进行的拍摄中，利用满刻度256灰阶确认讯号，在未放置测定对象的聚酰亚胺膜(聚酰亚胺基板)的状态下，以印刷物的不存在黑色标记的部位(将所述透明膜置于所述白色的光泽纸上，利用CCD摄像机，自透明膜侧对印刷于夹杂物的标记外的部位进行测定的情况)的波峰灰阶讯号收敛于230±5的方式调整镜头光圈(lens aperture)。摄像机扫描时间(摄像机的快门打开的时间，擷取光的时间)固定为250μs，且以收敛于所述灰阶以内的方式调整镜头光圈。

[0220] 此外，关于图7所示的亮度，0是指“黑”，亮度255是指“白”，将自“黑”至“白”的灰色的程度(白黑的浓淡、灰度)分割成256灰阶而表示。

[0221] ＜视认性(树脂透明性)＞

[0222] 将铜箔贴合于聚酰亚胺膜(日本钟渊(Kaneka)制造，PIXEO(聚酰亚胺型：FRS)，附带覆铜箔层压板用粘接层的聚酰亚胺膜，厚度50μm，PMDA(均苯四甲酸酐)系的聚酰亚胺膜(PMDA-ODA(4,4'-二氨基二苯醚)系的聚酰亚胺膜))的两面，通过蚀刻(三氯化铁水溶液)去除铜箔而制作样品膜。在所获得的树脂层的一面贴附印刷物(直径6cm的黑色圆)，从相反面隔着树脂层判定印刷物的视认性。将印刷物的黑色圆的轮廓在圆周的90％以上的长度上清晰者评价为“◎”，将黑色圆的轮廓在圆周的80％以上且小于90％的长度上清晰者评价为“○”(以上为合格)，将黑色圆的轮廓在圆周的0～小于80％的长度上清晰者及轮廓变形者评价为“×”(不合格)。

[0223] ＜良率＞

[0224] 将铜箔贴合于聚酰亚胺膜(日本钟渊(Kaneka)制造，PIXEO(聚酰亚胺型：FRS)，附带覆铜箔层压板用粘接层的聚酰亚胺膜，厚度50μm，PMDA(均苯四甲酸酐)系的聚酰亚胺膜(PMDA-ODA(4,4'-二氨基二苯醚)系的聚酰亚胺膜))的两面，对铜箔进行蚀刻(三氯化铁水溶液)而制作L/S为30μm/30μm的电路宽度的FPC。其后，尝试利用CCD摄像机，隔着聚酰亚胺对20μm×20μm见方的标记进行检测。将10次中有9次以上可检测到的情况设为“◎”，将10次中有7～8次可检测到的情况设为“○”，将10次中有6次可检测到的情况设为“△”，将10次中有5次以下可检测到的情况设为“×”。

[0225] ＜剥离强度(粘接强度)＞

[0226] 依据IPC-TM-650，利用拉伸试验机Autograph 100对常态剥离强度进行测定，将所述常态剥离强度为0.7N/mm以上的铜箔设为可用于层压基板用途的铜箔。此外，关于剥离强度的测定，是将铜箔厚度设为18μm而进行测定。针对厚度小于18μm的铜箔，进行镀铜而使铜箔厚度成为18μm。另外，在厚度大于18μm的情况下，进行蚀刻而使铜箔厚度成为18μm。此外，在本剥离强度的测定中，是使用将日本钟渊(Kaneka)制造的厚度50μm的聚酰亚胺膜(PIXEO(聚酰亚胺型FRS)：附带覆铜箔层压板用粘接层的聚酰亚胺膜，PMDA(均苯四甲酸酐)系的聚酰亚胺膜(PMDA-ODA(4,4'-二氨基二苯醚)系的聚酰亚胺膜))与本申请的实施例及比较例的表面处理压延铜箔的表面处理面贴合而成的样品。另外，在测定时，通过利用双面胶带将聚酰亚胺膜贴附于硬质基材(不锈钢板或合成树脂板(只要在剥离强度测定中不变形便可))上而进行固定。

[0227] 此外，对于印刷布线板或覆铜箔层压板，通过将树脂溶解并将其去除，而可对铜电路或铜箔表面测定所述的评价项目。

[0228] ＜另一个表面(并非表面处理表面S的铜箔表面)的表面处理后的表面粗糙度的测定＞

[0229] 针对各实施例、比较例的另一个表面，优选使用非接触式的方法对表面的粗糙度进行测定。具体而言，根据利用激光显微镜所测得的粗糙度的值，对各实施例、比较例的表面处理后的另一个表面的状态进行评价。其原因在于可更详细地对表面状态进行评价。

[0230] ·表面粗糙度(Rz)的测定：

[0231] 针对各实施例、比较例的表面处理铜箔的另一个表面(对另一个表面进行了表面处理的情况下，为表面处理后的另一个表面)，利用奥林巴斯(Olympus)公司制造的激光显微镜LEXT OLS4000，并依据JIS B06011994而测定表面粗糙度(十点平均粗糙度)Rz。使用物镜50倍，观察铜箔表面，在评价长度258μm、截止值为零的条件下，针对压延铜箔，进行与压延方向垂直的方向(TD)的测定，或者针对电解铜箔，进行与电解铜箔的制造装置中的电解铜箔的前进方向垂直的方向(TD)的测定，并求出各自的值。此外，利用激光显微镜所进行的表面粗糙度Rz测定的环境温度设为23～25℃。在任意10处测定Rz，将10处Rz的平均值设为表面粗糙度(十点平均粗糙度)Rz的值。另外，测定所使用的激光显微镜的激光的波长设为405nm。此外，针对表面处理面S也进行同样的测定。

[0232] ·表面的均方根高度Rq的测定：

[0233] 针对各实施例、比较例的表面处理铜箔的另一个表面(对另一个表面进行了表面处理的情况下，为表面处理后的另一个表面)，利用奥林巴斯(Olympus)公司制造的激光显微镜LEXT OLS4000，并依据JIS B06012001而对铜箔表面的均方根高度Rq进行测定。使用物镜50倍，观察铜箔表面，在评价长度258μm、截止值为零的条件下，针对压延铜箔，进行与压延方向垂直的方向(TD)的测定，或者针对电解铜箔，进行与电解铜箔的制造装置中的电解铜箔的前进方向垂直的方向(TD)的测定，并求出各自的值。此外，利用激光显微镜所进行的表面的均方根高度Rq测定的环境温度设为23～25℃。在任意10处测定Rq，将10处Rq的平均值设为均方根高度Rq的值。另外，测定所使用的激光显微镜的激光的波长设为405nm。此外，针对表面处理面S也进行同样的测定。

[0234] ·表面的算术平均粗糙度Ra的测定：

[0235] 针对各实施例、比较例的表面处理铜箔的另一个表面(对另一个表面进行了表面处理的情况下，为表面处理后的另一个表面)，利用奥林巴斯(Olympus)公司制造的激光显微镜LEXT OLS4000，并依据JIS B0601-1994而对表面粗糙度Ra进行测定。使用物镜50倍，观察铜箔表面，在评价长度258μm、截止值为零的条件下，针对压延铜箔，进行与压延方向垂直的方向(TD)的测定，或者针对电解铜箔，进行与电解铜箔的制造装置中的电解铜箔的前进方向垂直的方向(TD)的测定，并求出各自的值。此外，利用激光显微镜所进行的表面的算术平均粗糙度Ra测定的环境温度设为23～25℃。在任意10处测定Ra，将10处Ra的平均值设为算术平均粗糙度Ra的值。另外，测定所使用的激光显微镜的激光的波长设为405nm。此外，针对表面处理面S也进行同样的测定。

[0236] ＜由层压加工引起的铜箔皱褶等的评价＞

[0237] 在分别将实施例、比较例的表面处理铜箔从一个表面(表面处理表面S)侧层压于厚度25μm的聚酰亚胺树脂的两个表面，进而向各表面处理铜箔的另一个表面(与表面处理表面S相反侧的表面)侧层压厚度125μm的保护膜(聚酰亚胺制)的状态下，即设为保护膜/表面处理铜箔/聚酰亚胺树脂/表面处理铜箔/保护膜的5层的状态下，使用层压辊，一边从两保护膜的外侧施加热与压力一边进行贴合加工(层压加工)，而在聚酰亚胺树脂的两面贴合表面处理铜箔。接着，将两个表面的保护膜剥离后，肉眼观察表面处理铜箔的另一个表面，确认有无皱褶或条纹，将完全未产生皱褶或条纹时评价为◎，将铜箔长度每5m仅观察到1处皱褶或条纹时评价为○，将铜箔每5m观察到2处以上的褶皱或条纹时评价为×。

[0238] 将所获得的结果示于表1～3。

[0239]

[0240]

[0241] [表3]

[0242]

[0243] 由表1～3明确，在满足2.5≦I{110}/I{112}≦6.0的各实施例的情况下，成为压延铜箔的蚀刻性与弯曲性均优异的压延铜箔。

[0244] 此外，得知如果将厚度及最终再结晶退火条件相同的实施例1、2进行比较，则Ag的添加量较多的实施例1的(110)取向增多，I{110}/I{112}的值也增高。另外，在13.0>I{200}/I0{200}的实施例20～23的情况下，与其他实施例相比，弯曲性略微降低，但实用上没有问题。

[0245] 另一方面，在为与铜箔的组成相同的实施例6相比降低最终再结晶退火时的张力的比较例1、4的情况下，(112)取向减少，I{110}/I{112}的值超过6.0，而蚀刻性变差。

[0246] 在为与铜箔的组成相同的实施例5相比提高最终再结晶退火时的张力的比较例2的情况下，及于为与铜箔的组成相同的实施例7相比提高最终再结晶退火时的张力的比较例3的情况下，(110)取向均减少，I{110}/I{112}的值变得小于2.5，而弯曲性变差。

[0247] 在为制造方法相同的实施例1、6的情况下，铜箔的氧浓度较低的实施例1在弯曲性方面优异。

[0248] 此外，图2(a)、(b)分别为实施例5、比较例1的蚀刻面的光学显微镜图像。得知在为蚀刻性优异的实施例5的情况下，暗部的比例较高。

[0249] 另外，关于实施例1～26，隔着聚酰亚胺的色差ΔE*ab均为50以上，且Sv均为3.0以上，而视认性良好。

[0250] 关于比较例1～4，隔着聚酰亚胺的色差ΔE*ab小于50，或者Sv小于3.0，而视认性不良。

[0251] 另外，在所述实施例1～26中，将标记的宽度从0.3mm变更为0.16mm(从接近夹杂物的片体的面积0.5mm2的0.5的记载起第3个标记(图9的箭头所指的标记))而进行相同的Sv的测定，但Sv均成为与将标记的宽度设为0.3mm的情况相同的值。

[0252] 另外，在所述实施例1～26中，将标记的宽度从0.3mm变更为1.3mm(从接近夹杂物的片体的面积3.0mm2的3.0的记载起第6个标记(图10的箭头所指的标记))而进行相同的Sv的测定，但Sv均成为与将标记的宽度设为0.3mm的情况相同的值。

[0253] 进而，在所述实施例1～26中，关于“亮度曲线的顶部平均值Bt”，变更为将与标记的两侧的端部位置相距50μm的位置设为相距100μm的位置、相距300μm的位置、相距500μm的位置，从所述位置分别以30μm间隔测定5处(两侧合计10处)时的亮度的平均值，进行相同的Sv的测定，但Sv均成为与将从与标记的两侧的端部位置相距50μm的位置起以30μm间隔测定5处(两侧合计10处)时的亮度的平均值设为“亮度曲线的顶部平均值Bt”的情况的Sv值相同的值。

[0254] 此外，使用与所述各实施例、比较例相同的铜箔，在相同条件下对铜箔的两面进行表面处理而制造表面处理铜箔，并进行评价，结果为两面均获得与所述各实施例、比较例相同的评价结果。

[0255] 在对铜箔的两面进行粗化处理等表面处理的情况下，可同时对两面进行表面处理，也可对一面与另一面分开进行表面处理。此外，在同时对两面进行表面处理的情况下，可使用在铜箔的两面侧设置有阳极的表面处理装置(镀敷装置)来进行表面处理。此外，在本实施例中，同时对两面进行表面处理。

[0256] 另外，实施例1～26的经过表面处理的铜箔表面(表面处理表面S)的利用激光波长为405nm的激光显微镜所测得的TD的十点平均粗糙度Rz均为0.35μm以上。另外，实施例1～26的经过表面处理的铜箔表面(表面处理表面S)的利用激光波长为405nm的激光显微镜所测得的TD的算术平均粗糙度Ra均为0.05μm以上。另外，实施例1～26的经过表面处理的铜箔表面(表面处理表面S)的利用激光波长为405nm的激光显微镜所测得的TD的均方根高度Rq均为0.08μm以上。