附载体金属箔

摘要

本发明的课题在于可提供一种于金属箔与板状载体之间不产生意外的剥离且可进行有意的剥离的附载体金属箔。本发明的附载体金属箔是由树脂制的板状载体、及以可剥离的方式密接于该载体的至少一面的金属箔构成者，该金属箔与该板状载体的剥离强度为10gf/cm以上且200gf/cm以下。

权利要求

1.一种附载体金属箔，是由树脂制的板状载体、及以可剥离的方式密接于该载体的至少一面的金属箔构成，该金属箔与该板状载体的剥离强度为10gf/cm以上且80gf/cm以下，该金属箔的不与该载体接触侧的表面的十点平均粗糙度(Rz jis)为0.4μm以上且10.0μm以下。

2.根据权利要求1所述的附载体金属箔，其中，树脂制的板状载体含有热硬化性树脂。

3.根据权利要求1所述的附载体金属箔，其中，该树脂制的板状载体为预浸体。

4.根据权利要求2所述的附载体金属箔，其中，该树脂制的板状载体为预浸体。

5.根据权利要求2所述的附载体金属箔，其中，该树脂制的板状载体具有120～320℃的玻璃转移温度Tg。

6.根据权利要求3所述的附载体金属箔，其中，该树脂制的板状载体具有120～320℃的玻璃转移温度Tg。

7.根据权利要求4所述的附载体金属箔，其中，该树脂制的板状载体具有120～320℃的玻璃转移温度Tg。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的附载体金属箔，其中，该金属箔与该载体接触的侧表面的十点平均粗糙度(Rz jis)为3.5μm以下。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的附载体金属箔，其中，于220℃进行3小时、6小时或9小时中的至少一种加热后，金属箔与板状载体的剥离强度为10gf/cm以上且200gf/cm以下。

10.根据权利要求8所述的附载体金属箔，其中，于220℃进行3小时、6小时或9小时中的至少一种加热后，金属箔与板状载体的剥离强度为10gf/cm以上且200gf/cm以下。

11.根据权利要求1至7中任一项所述的附载体金属箔，其中，构成附载体金属箔的板状载体与金属箔，是单独地使用或组合多种使用下式表示的硅烷化合物、其水解产物、该水解产物的缩合物贴合而成，式中，R1为烷氧基或卤素原子，R2为选自由烷基、环烷基及芳基组成的群中的烃基、或一个以上的氢原子经卤素原子取代的这些任一烃基，R3及R4分别独立为卤素原子、或烷氧基、或选自由烷基、环烷基及芳基组成的群中的烃基、或一个以上的氢原子经卤素原子取代的这些任一烃基。

12.根据权利要求8所述的附载体金属箔，其中，构成附载体金属箔的板状载体与金属箔，是单独地使用或组合多种使用下式表示的硅烷化合物、其水解产物、该水解产物的缩合物贴合而成，式中，R1为烷氧基或卤素原子，R2为选自由烷基、环烷基及芳基组成的群中的烃基、或一个以上的氢原子经卤素原子取代的这些任一烃基，R3及R4分别独立为卤素原子、或烷氧基、或选自由烷基、环烷基及芳基组成的群中的烃基、或一个以上的氢原子经卤素原子取代的这些任一烃基。

13.根据权利要求9所述的附载体金属箔，其中，构成附载体金属箔的板状载体与金属箔，是单独地使用或组合多种使用下式表示的硅烷化合物、其水解产物、该水解产物的缩合物贴合而成，式中，R1为烷氧基或卤素原子，R2为选自由烷基、环烷基及芳基组成的群中的烃基、或一个以上的氢原子经卤素原子取代的这些任一烃基，R3及R4分别独立为卤素原子、或烷氧基、或选自由烷基、环烷基及芳基组成的群中的烃基、或一个以上的氢原子经卤素原子取代的这些任一烃基。

14.根据权利要求10所述的附载体金属箔，其中，构成附载体金属箔的板状载体与金属箔，是单独地使用或组合多种使用下式表示的硅烷化合物、其水解产物、该水解产物的缩合物贴合而成，式中，R1为烷氧基或卤素原子，R2为选自由烷基、环烷基及芳基组成的群中的烃基、或一个以上的氢原子经卤素原子取代的这些任一烃基，R3及R4分别独立为卤素原子、或烷氧基、或选自由烷基、环烷基及芳基组成的群中的烃基、或一个以上的氢原子经卤素原子取代的这些任一烃基。

15.一 种多层覆金属积层板的制造方法，其包括：对根据权利要求1至14中任一项所述的附载体金属箔的至少一金属箔侧积层树脂，继而重复积层树脂或金属箔一次以上。

16.一种多层覆金属积层板的制造方法，其包括：于根据权利要求1至14中任一项所述的附载体金属箔的至少一金属箔侧积层树脂，继而重复积层树脂、单面或双面覆金属积层板、或根据权利要求1至14中任一项所述的附载体金属箔、或金属箔一次以上。

17.根据权利要求15或16所述的多层覆金属积层板的制造方法，其进而包括将该附载体金属箔的板状载体与金属箔剥离而分离的步骤。

18.根据权利要求17所述的多层覆金属积层板的制造方法，其包括通过蚀刻去除经剥离而分离的金属箔的一部分或全部的步骤。

19.一种多层覆金属积层板，其是通过根据权利要求15至18中任一项所述的制造方法而获得。

20.一种增层基板的制造方法，其包括于根据权利要求1至14中任一项所述的附载体金属箔的至少一金属箔侧形成一层以上增层配线层的步骤。

21.根据权利要求20所述的增层基板的制造方法，其中，增层配线层是使用减成法、全加成法或半加成法中的至少一者而形成。

22.一种增层基板的制造方法，其包括：于根据权利要求1至14中任一项所述的附载体金属箔的至少一金属箔侧积层树脂，继而重复积层树脂、单面或双面配线基板、单面或双面覆金属积层板、根据权利要求1至14中任一项所述的附载体金属箔或金属箔一次以上。

23.根据权利要求22所述的增层基板的制造方法，其进而包括如下步骤：于单面或双面配线基板、单面或双面覆金属积层板、附载体金属箔的金属箔、附载体金属箔的板状载体、或树脂进行开孔，并对该孔的侧面及底面进行导通镀敷。

24.根据权利要求22或23所述的增层基板的制造方法，其进而包括将如下步骤进行一次以上：于该构成单面或双面配线基板的金属箔、构成单面或双面覆金属积层板的金属箔、及构成附载体金属箔的金属箔中的至少一者形成配线。

25.根据权利要求24所述的增层基板的制造方法，其进而包括如下步骤：使单面密接有金属箔的根据权利要求1至7中任一项所述的附载体金属箔的树脂板侧接触于形成有配线的表面上而积层。

26.根据权利要求24所述的增层基板的制造方法，其进而包括如下步骤：于形成有配线的表面上积层树脂，使双面密接有金属箔的根据权利要求1至7中任一项所述的附载体金属箔的一金属箔与该树脂接触而积层。

27.根据权利要求22或23所述的增层基板的制造方法，其中，该树脂的至少一者为预浸体。

28.一种增层配线板的制造方法，其于根据权利要求20至27中任一项所述的增层基板的制造方法中，进而包括将该附载体金属箔的板状载体与金属箔剥离而分离的步骤。

29.根据权利要求28所述的增层配线板的制造方法，其进而包括通过蚀刻去除与板状载体密接的金属箔的一部分或全部的步骤。

30.一种增层配线板，其是通过根据权利要求28或29所述的制造方法而获得。

31.一种印刷电路板的制造方法，其包括通过根据权利要求20至27中任一项所述的制造方法制造增层基板的步骤。

32.一种印刷电路板的制造方法，其包括通过根据权利要求28或29所述的制造方法制造增层配线板的步骤。

说明书

附载体金属箔

技术领域

[0001] 本发明涉及一种附载体金属箔。更详细而言，涉及一种用于制造用于印刷配线板的单面或两层以上的多层积层板或极薄的空心(coreless)基板的附载体金属箔。

背景技术

[0002] 多层积层体的代表例是印刷电路板。通常，印刷配线板是以使合成树脂含浸于合成树脂板、玻璃板、玻璃不织布、纸等基材而得的称为“预浸体(Prepreg)”的介电材料为基本构成材料。又，于与预浸体相反之侧接合有具有导电性的铜或铜合金箔等片材。通常将如此组装的积层物称为CCL(Copper Clad Laminate，敷铜层板)材料。通常，与预浸体接触的铜箔表面于实施粗化处理以提高接合强度后，会进行用以防止氧化的防锈处理。亦有使用铝、镍、锌等的箔代替铜或铜合金箔的情况。这些的厚度为5～200μm左右。将该通常所使用的CCL(Copper Clad Laminate)材料示于图1。

[0003] 于专利文献1中提出有由合成树脂制的板状载体、及以可机械剥离的方式密接于该载体的至少一面的金属箔所构成的附载体金属箔，记载有该附载体金属箔可供于印刷配线板的组装的内容。并且，揭示出板状载体与金属箔的剥离强度较理想为1gf/cm～1kgf/cm。通过该附载体金属箔，而以合成树脂整面地支持铜箔，故而可防止积层中于铜箔产生皱褶。又，由于该附载体金属箔的金属箔与合成树脂无间隙地密接，故而于对金属箔表面进行镀金或蚀刻时，可将其投入镀金或蚀刻用药液。进而，由于合成树脂的线膨胀系数为与作为基板的构成材料的铜箔及重合后的预浸体同等的级别，因此不会导致电路的位置偏移，故而具有不良品产生变少，可提高良率的优异的效果。

[0004] [专利文献1]日本特开2009－272589号公报。

发明内容

[0005] 专利文献1中所记载的附载体铜箔是通过使印刷电路板的制造步骤简化及提升良率而对削减制造成本做出巨大贡献的划时代的发明，但并未言及考虑到附载体金属箔的特定用途中的板状载体与金属箔的暂时密接及其后的剥离的构成，而尚有改良的余地。

[0006] 例如，于未经过大量加热加工的步骤而加以利用的用途、例如实施网目加工而形成的遮蔽材料等用途中，重要的是密接的金属箔与合成树脂于进行剥离操作前不会意外地剥离，且进行剥离操作时可于金属箔与合成树脂的界面有意地剥离。即，若为了避免意外的剥离而过度地提升两者的剥离强度，则存在接下来将金属箔与合成树脂剥离时，产生树脂部分的破坏，于金属箔的表面残留树脂成分的情况，故而欠佳。

[0007] 因此，本发明的课题在于探求对使板状载体与金属箔以可剥离的方式密接有用的条件，进而提供一种可实现金属箔与板状载体的界面上的有意的剥离的附载体金属箔。

[0008] 本发明人等针对上述课题进行努力研究，结果发现通过将金属箔与板状载体之间的剥离强度设为一定范围内，而于金属箔与板状载体之间不产生意外的剥离且可进行有意的剥离，从而完成本发明。

[0009] 即，本发明是如下所述。

[0010] (1)一种附载体金属箔，是由树脂制的板状载体、及以可剥离的方式密接于该载体的至少一面的金属箔构成，该金属箔与该板状载体的剥离强度为10gf/cm以上且200gf/cm以下。

[0011] (2)如(1)的附载体金属箔，其中，树脂制的板状载体含有热硬化性树脂。

[0012] (3)如(1)或(2)的附载体金属箔，其中，上述树脂制的板状载体为预浸体。

[0013] (4)如(2)或(3)的附载体金属箔，其中，上述树脂制的板状载体具有120～320℃的玻璃转移温度Tg。

[0014] (5)如(1)至(4)中任一项所述的附载体金属箔，其中，上述金属箔与上述载体接触的侧表面的十点平均粗糙度(Rz jis)为3.5μm以下。

[0015] (6)如(1)至(5)中任一项所述的附载体金属箔，其中，于220℃进行3小时、6小时或9小时中的至少一种加热后，金属箔与板状载体的剥离强度为10gf/cm以上且200gf/cm以下。

[0016] (7)如(1)至(6)中任一项所述的附载体金属箔，其中，构成附载体金属箔的板状载体与金属箔，是单独地使用或组合多种使用下式表示的硅烷化合物、其水解产物、该水解产物的缩合物贴合而成，

[0017]

[0018] (式中，R1为烷氧基或卤素原子，R2为选自由烷基、环烷基及芳基组成的群中的烃基、或一个以上的氢原子经卤素原子取代的这些任一烃基，R3及R4分别独立为卤素原子、或烷氧基、或选自由烷基、环烷基及芳基组成的群中的烃基、或一个以上的氢原子经卤素原子取代的这些任一烃基)。

[0019] (8)一种多层覆金属积层板的制造方法，其包括：对(1)至(7)中任一项所述的附载体金属箔的至少一金属箔侧积层树脂，继而重复积层树脂或金属箔一次以上。

[0020] (9)一种多层覆金属积层板的制造方法，其包括：于(1)至(7)中任一项所述的附载体金属箔的至少一金属箔侧积层树脂，继而重复积层树脂、单面或双面覆金属积层板、或(1)至(7)中任一项所述的附载体金属箔、或金属箔一次以上。

[0021] (10)如(8)或(9)的多层覆金属积层板的制造方法，其进而包括将上述附载体金属箔的板状载体与金属箔剥离而分离的步骤。

[0022] (11)如(10)的多层覆金属积层板的制造方法，其包括通过蚀刻去除经剥离而分 离的金属箔的一部分或全部的步骤。

[0023] (12)一种多层覆金属积层板，其是通过(8)至(11)中任一项所述的制造方法而获得。

[0024] (13)一种增层(build－up)基板的制造方法，其包括于(1)至(7)中任一项所述的附载体金属箔的至少一金属箔侧形成一层以上的增层配线层的步骤。

[0025] (14)如(13)的增层基板的制造方法，其中，增层配线层是使用减成(subtractive)法、全加成(full additive)法或半加成(semi－additive)法中的至少一者而形成。

[0026] (15)一种增层基板的制造方法，其包括：于(1)至(7)中任一项所述的附载体金属箔的至少一金属箔侧积层树脂，继而重复积层树脂、单面或双面配线基板、单面或双面覆金属积层板、(1)至(7)中任一项所述的附载体金属箔或金属箔一次以上。

[0027] (16)如(15)的增层基板的制造方法，其进而包括如下步骤：于单面或双面配线基板、单面或双面覆金属积层板、附载体金属箔的金属箔、附载体金属箔的板状载体、或树脂进行开孔，并对该孔的侧面及底面进行导通镀敷。

[0028] (17)如(15)或(16)的增层基板的制造方法，其进而包括将如下步骤进行一次以上：于上述构成单面或双面配线基板的金属箔、构成单面或双面覆金属积层板的金属箔、及构成附载体金属箔的金属箔中的至少一者形成配线。

[0029] (18)如(15)至(17)中任一项所述的增层基板的制造方法，其进而包括如下步骤：使单面密接有金属箔的(1)至(7)中任一项所述的附载体金属箔的树脂板侧接触于形成有配线的表面上而积层。

[0030] (19)如(15)至(17)中任一项所述的增层基板的制造方法，其进而包括如下步骤：于形成有配线的表面上积层树脂，使双面密接有金属箔的(1)至(7)中任一项所述的附载体金属箔的一金属箔与该树脂接触而积层。

[0031] (20)如(15)至(19)中任一项所述的增层基板的制造方法，其中，上述树脂的至少一者为预浸体。

[0032] (21)一种增层配线板的制造方法，其于(13)至(20)中任一项所述的增层基板的制造方法中，进而包括将上述附载体金属箔的板状载体与金属箔剥离而分离的步骤。

[0033] (22)如(21)的增层配线板的制造方法，其进而包括通过蚀刻去除与板状载体密接的金属箔的一部分或全部的步骤。

[0034] (23)一种增层配线板，其是通过(21)或(22)的制造方法而获得。

[0035] (24)一种印刷电路板的制造方法，其包括通过(13)至(20)中任一项所述的制造方法制造增层基板的步骤。

[0036] (25)一种印刷电路板的制造方法，其包括通过(21)或(22)的制造方法制造增层配线板的步骤。

[0037] 根据本发明，可提供一种于金属箔与板状载体之间不产生意外的剥离且可进行有意的剥离的附载体金属箔。【附图说明】

[0038] 图1是表示CCL的一构成例。

[0039] 图2是表示本发明的附载体金属箔的一构成例。

[0040] 图3是表示利用了本发明的附载体铜箔(于树脂板的双面接合有铜箔的形态)的多层CCL的组装例。

[0041] 【实施方式】

[0042] 于本发明的附载体金属箔的一实施方案中，准备由树脂制的板状载体、及以可剥离的方式密接于该载体的单面或双面(较佳为双面)的金属箔所构成的附载体金属箔。将本发明的附载体金属箔的一构成例示于图2及图3。尤其是图3第一图中表示：金属箔11a以可剥离的方式密接于树脂制的板状载体11c的双面而成的附载体金属箔11。板状载体11c与金属箔11a是使用下述的硅烷化合物11b而贴合。

[0043] 本发明的附载体金属箔于结构上而言与图1所示的CCL类似，但最终金属箔与树脂会被分离，且具有可容易地剥离的结构。就此方面而言，由于CCL并非进行剥离者，故而结构与功能完全不同。

[0044] 本发明中所使用的附载体金属箔终须剥离，故而密接性过高则为不良情况，但板状载体与金属箔必须具有于印刷电路板制作过程中所进行的镀敷等药液处理步骤中不剥离的程度的密接性。就此种观点而言，金属箔与板状载体的剥离强度较佳为10gf/cm以上，更佳为30gf/cm以上，进而较佳为50gf/cm以上，另一方面，较佳为200gf/cm以下，更佳为150gf/cm以下，进而较佳为80gf/cm以下。通过将金属箔与板状载体的剥离强度设为此种范围内，而不会于搬送时或加工时剥离，另一方面可利用人工容易地剥离、即机械性地剥离。

[0045] 又，于多层印刷配线板的制造过程中，多数情况下于积层压制步骤或除胶渣(desmear)步骤中会进行加热处理。因此，附载体金属箔所受到的热历程是积层数越多越强烈。因此，尤其是若考虑到应用于多层印刷配线板，则较理想为经过所需的热历程后，金属箔与板状载体的剥离强度亦于上述的范围内。

[0046] 因此，于本发明的进而较佳的一实施方案中，假定多层印刷配线板的制造过程中的加热条件，例如于220℃进行3小时、6小时或9小时中的至少一种加热后，金属箔与板状载体的剥离强度较佳为10gf/cm以上，更佳为30gf/cm以上，进而较佳为50gf/cm以上，另一方面，较佳为200gf/cm以下，更佳为150gf/cm以下，进而较佳为80gf/cm以下。

[0047] 关于220℃时的加热后的剥离强度，就可对应多种积层数的观点而言，较佳为于3小时后及6小时后两者、或6小时及9小时后两者中，剥离强度满足上述的范围，进而较佳为3小时、6小时及9小时后的全部剥离强度满足上述的范围。

[0048] 本发明中，剥离强度是依据JIS C6481中所规定的90度剥离强度测定方法而测定。

[0049] 以下，针对用以实现此种剥离强度的各材料的具体构成要素进行说明。

[0050] 作为成为板状载体的树脂，并无特别限制，可使用酚树脂、聚酰亚胺树脂、环氧树 脂、天然橡胶、松脂等，较佳为热硬化性树脂。又，亦可使用预浸体。与金属箔贴合前的预浸体可为B阶段的状态。若预浸体(C阶段)的线膨胀系数为12～18(×10－6/℃)，则与作为基板的构成材料的铜箔的16.5(×10－6/℃)或SUS压制板的17.3(×10－6/℃)大致相等，故而就不易发生由压制前后的基板尺寸与设计时的尺寸不同的现象(标度改变)所导致的电路的位置偏移的方面而言较为有利。进而，作为这些优点的协同效果，亦可生产多层的极薄空心基板。此处所使用的预浸体可与构成电路基板的预浸体相同，亦可不同。

[0051] 就将加热后的剥离强度维持为最佳的范围内的观点而言，该板状载体较佳为具有较高的玻璃转移温度Tg，例如120～320℃、较佳为170～240℃的玻璃转移温度Tg。再者，玻璃转移温度Tg是通过DSC(Differential Scanning Calorimetry，微差扫描热量测定法)测得的值。

[0052] 又，较理想为树脂的热膨胀率为金属箔的热膨胀率的+10％且－30％以内。由此，可有效地防止由金属箔与树脂的热膨胀差引起的电路的位置偏移，可减少不良品产生，提高良率。

[0053] 板状载体的厚度并无特别限制，刚性或软性均可，但若过厚，则会对热压中的热分布产生不良影响，另一方面，若过薄，则会弯曲而无法进行印刷配线板的制造步骤，就此方面而言，通常为5μm以上且1000μm以下，较佳为50μm以上且900μm以下，更佳为100μm以上且400μm以下。

[0054] 作为金属箔，代表性者为铜或铜合金箔，亦可使用铝、镍、锌等的箔。于铜或铜合金箔的情形时，可使用电解箔或压延箔。金属箔并无限定，若考虑作为印刷电路基板的配线的用途，则通常具有1μm以上、较佳为5μm以上、及400μm以下、较佳为120μm以下的厚度。于对板状载体的双面贴附金属箔的情形时，可使用相同厚度的金属箔，亦可使用不同厚度的金属箔。

[0055] 亦可对所使用的金属箔实施各种表面处理。例如可列举：以赋予耐热性为目的的镀金属(镀Ni、镀Ni－Zn合金、镀Cu－Ni合金、镀Cu－Zn合金、镀Zn、镀Cu－Ni－Zn合金、镀Co－Ni合金等)、用以赋予防锈性或耐变色性的铬酸盐处理(包括铬酸盐处理液中含有1种以上Zn、P、Ni、Mo、Zr、Ti等合金元素的情况)、用以调整表面粗糙度的粗化处理(例如利用铜电沈积粒或镀Cu－Ni－Co合金、镀Cu－Ni－P合金、镀Cu－Co合金、镀Cu－Ni合金、镀Cu－Co合金、镀Cu－As合金、镀Cu－As－W合金等镀铜合金者)。粗化处理当然会对金属箔与板状载体的剥离强度造成影响，铬酸盐处理亦会造成较大的影响。铬酸盐处理虽然就防锈性或耐变色性的观点而言较为重要，但由于可观察到使剥离强度显著地上升的倾向，故而作为剥离强度的调整手段而言亦有意义。

[0056] 先前的CCL中，较理想为树脂与铜箔的剥离强度较高，故而通过以例如电解铜箔的无光泽面(M面)为与树脂的接着面并实施粗化处理等表面处理，而实现由化学及物理投锚效应(anchor effect)所带来的接着力提升。又，树脂侧亦添加有各种粘合剂等以提升其与金属箔的接着力。如上所述，本发明与CCL不同，金属箔与树脂最终必须进 行剥离，故而剥离强度过高则较为不利。

[0057] 因此，于本发明的附载体金属箔的较佳的一实施方案中，为了将金属箔与板状载体的剥离强度调节为上述较佳的范围内，以依据JIS B 0601：2001而测定的金属箔表面的十点平均粗糙度(Rz jis)表示贴合面的表面粗糙度，较佳为设为3.5μm以下，进而较佳为设为3.0μm以下。但无限制地缩小表面粗糙度会花费工夫而成为成本上升的原因，故而较佳为设为0.1μm以上，更佳为设为0.3μm以上。于使用电解铜箔作为金属箔的情形时，若调整为此种表面粗糙度，则可使用光泽面(光面(shiny surface)，S面)及粗面(无光泽面(matt surface)，M面)中的任一者，但使用S面较容易调整为上述表面粗糙度。另一方面，上述金属箔的不与上述载体接触侧的表面的十点平均粗糙度(Rzjis)较佳为0.4μm以上且10.0μm以下。

[0058] 又，于本发明的附载体金属箔的较佳的一实施方案中，不对金属箔的与树脂的贴合面进行粗化处理等用以提高剥离强度的表面处理。又，于本发明的附载体金属箔的较佳的一实施方案中，不于树脂中添加用以提升与金属箔的接着力的粘合剂。

[0059] 剥离强度的调节亦可单独使用下式表示的硅烷化合物、其水解生成物质、或该水解生成物质的缩合物(以下，简称为硅烷化合物)，亦可混合多种使用。其原因在于，通过使用该硅烷化合物将板状载体与金属箔贴合，容易使密接性适度降低而将剥离强度调节为上述范围内。

[0060] 式：

[0061]

[0062] (式中，R1为烷氧基或卤素原子，R2为选自由烷基、环烷基及芳基组成的群中的烃基、或一个以上的氢原子经卤素原子取代的这些任一烃基，R3及R4分别独立为卤素原子、或烷氧基、或选自由烷基、环烷基及芳基组成的群中的烃基、或一个以上的氢原子经卤素原子取代的这些任一烃基)

[0063] 该硅烷化合物必须具有至少一个烷氧基。于不存在烷氧基，而仅由选自由烷基、环烷基及芳基组成的群中的烃基、或一个以上的氢原子经卤素原子取代的这些任一烃基构成取代基的情形时，存在板状载体与金属箔表面的密接性过度降低的倾向。又，该硅烷化合物必须具有至少一个选自由烷基、环烷基及芳基组成的群中的烃基、或一个以上的氢原子经卤素原子取代的这些任一烃基。其原因在于，于不存在该烃基的情形时，存在板状载体与金属箔表面的密接性上升的倾向。再者，本案发明中烷氧基亦包含一个以上的氢原子经卤素原子取代的烷氧基。

[0064] 就将板状载体与金属箔的剥离强度调节为上述范围内而言，该硅烷化合物较佳为具 有三个烷氧基、一个上述烃基(包括一个以上的氢原子经卤素原子取代的烃基)。若以上式对其进行说明，则R3及R4两者为烷氧基。

[0065] 作为烷氧基，并无限定，可列举：甲氧基、乙氧基、正或异丙氧基、正、异或三级丁氧基、正、异或新戊氧基、正己氧基、环己氧基、正庚氧基、及正辛氧基等直链状、分支状、或环状的碳数1～20、较佳为碳数1～10、更佳为碳数1～5的烷氧基。

[0066] 作为卤素原子，可列举氟原子、氯原子、溴原子及碘原子。

[0067] 作为烷基，并无限定，可列举：甲基、乙基、正或异丙基、正、异或三级丁基、正、异或新戊基、正己基、正辛基、正癸基等直链状或分支状的碳数1～20、较佳为碳数1～10、更佳为碳数1～5的烷基。

[0068] 作为环烷基，并无限定，可列举：环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基等碳数3～10、较佳为碳数5～7的环烷基。

[0069] 作为芳基，可列举：苯基、经烷基取代的苯基(例如甲苯基、二甲苯基)、1－或2－萘基、蒽基等碳数6～20、较佳为6～14的芳基。

[0070] 这些烃基的一个以上的氢原子可经卤素原子取代，例如可经氟原子、氯原子、或溴原子取代。

[0071] 作为较佳的硅烷化合物的例，可列举：甲基三甲氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、正或异丙基三甲氧基硅烷、正、异或三级丁基三甲氧基硅烷、正、异或新戊基三甲氧基硅烷、己基三甲氧基硅烷、辛基三甲氧基硅烷、癸基三甲氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷；经烷基取代的苯基三甲氧基硅烷(例如，对(甲基)苯基三甲氧基硅烷)、甲基三乙氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、正或异丙基三乙氧基硅烷、正、异或三级丁基三乙氧基硅烷、戊基三乙氧基硅烷、己基三乙氧基硅烷、辛基三乙氧基硅烷、癸基三乙氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、经烷基取代的苯基三乙氧基硅烷(例如，对(甲基)苯基三乙氧基硅烷)、(3,3,3－三氟丙基)三甲氧基硅烷、及十三氟辛基三乙氧基硅烷、甲基三氯硅烷、二甲基二氯硅烷、三甲基氯硅烷、苯基三氯硅烷、三甲基氟硅烷、二甲基二溴硅烷、二苯基二溴硅烷、这些的水解产物、及这些的水解产物的缩合物等。这些之中，就获取的容易性的观点而言，较佳为丙基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、己基三甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、癸基三甲氧基硅烷。

[0072] 附载体金属箔可利用热压使板状载体与金属箔密接而制造。例如，可视需要将上述硅烷化合物涂敷于金属箔及/或板状载体的贴合面，并且对金属箔的贴合面热压积层B阶段的树脂制的板状载体而制造。

[0073] 硅烷化合物可以水溶液的形态使用。为了提高对水的溶解性，亦可添加甲醇或乙醇等醇。醇的添加尤其是于使用疏水性较高的硅烷化合物时较为有效。硅烷化合物的水溶液是通过进行搅拌而促进烷氧基的水解，若搅拌时间较长，则可促进水解产物的缩合。通常，存在使用经过充分的搅拌时间进行了水解及缩合的硅烷化合物则会使金属箔与板状载体的剥离强度降低的倾向。因此，可通过调整搅拌时间而调整剥离强度。作为使硅烷化合物溶解于水中后的搅拌时间并无限定，例如可设为1～100小时，典型而言可设为1～30小时。当然，亦有不进行搅拌而使用的方法。

[0074] 存在硅烷化合物的水溶液中的硅烷化合物的浓度较高则会使金属箔与板状载体的剥离强度降低的倾向，可通过调整硅烷化合物的浓度而调整剥离强度。硅烷化合物于水溶液中的浓度并无限定，可设为0.01～10.0体积％，典型而言可设为0.1～5.0体积％。

[0075] 硅烷化合物的水溶液的pH值并无特别限制，偏酸性或偏碱性均可利用。例如可以3.0～10.0的范围的pH值使用。就无需特别的pH值调整的观点而言，较佳为设为中性附近的
5.0～9.0的范围的pH值，更佳为设为7.0～9.0的范围的pH值。

[0076] 作为用以制造附载体金属箔的热压的条件，于使用预浸体作为板状载体的情形时，较佳为以压力30～40kg/cm2、于高于预浸体的玻璃转移温度的温度进行热压。

[0077] 再者，利用具备XPS(X射线光电子分光装置)、EPMA(电子束微量分析器)、及EDX(能量分散型X射线分析)的扫描电子显微镜等机器测定金属箔或树脂的表面，若检测出Si，则可推测于金属箔或树脂的表面存在硅烷化合物。

[0078] 进而，就另一方面而言，本发明提供一种上述的附载体金属箔的用途。

[0079] 第一，提供一种多层覆金属积层板的制造方法，其包括：对上述的附载体金属箔的至少一金属箔侧积层树脂，继而重复积层树脂或金属箔一次以上、例如1～10次。

[0080] 第二，提供一种多层覆金属积层板的制造方法，其包括：于上述的附载体金属箔的金属箔侧积层树脂，继而重复积层树脂、单面或双面覆金属积层板、或本发明的附载体金属箔、或金属箔一次以上、例如1～10次。

[0081] 于上述多层覆金属积层板的制造方法中，可进而包括将上述附载体金属箔的板状载体与金属箔剥离而分离的步骤。

[0082] 进而，可进而包括将上述板状载体与金属箔剥离而分离后，通过蚀刻而去除金属箔的一部分或全部的步骤。

[0083] 第三，提供一种增层基板的制造方法，其包括：于上述的附载体金属箔的金属箔侧积层树脂，继而重复积层树脂、单面或双面配线基板、单面或双面覆金属积层板、或本发明的附载体金属箔、或金属箔一次以上、例如1～10次。

[0084] 第四，提供一种增层基板的制造方法，其包括于上述的附载体金属箔的金属箔侧积层一层以上增层配线层的步骤。此时，增层配线层可使用减成法、全加成法或半加成法中的至少一者而形成。

[0085] 所谓减成法，是指通过蚀刻等选择性地去除覆金属积层板或配线基板(包含印刷配线板、印刷电路板)上的金属箔的不需要的部分而形成导体图案的方法。所谓全加成法，是不使用金属箔作为导体层，而通过无电电镀或/及电镀形成导体图案的方法，半加成法是于例如由金属箔构成的种晶(seed)层上进行无电金属析出、及电镀、蚀刻、或并用其两者而形成导体图案后，对不需要的种晶层进行蚀刻而去除，由此获得导体图案的方法。

[0086] 于上述增层基板的制造方法中，可进而包括如下步骤：于单面或双面配线基板、单面或双面覆金属积层板、附载体金属箔的金属箔、附载体金属箔的板状载体、或树脂进行开孔，并于该孔的侧面及底面进行导通镀敷。又，亦可进而包括将如下步骤进行一次以上：于上述构成单面或双面配线基板的金属箔、构成单面或双面覆金属积层板的金属 箔、及构成附载体金属箔的金属箔中的至少一者形成配线。

[0087] 于上述增层基板的制造方法中，亦可进而包括如下步骤：使单面密接有金属箔、进而为本发明的附载体金属箔的载体侧积层于形成有配线的表面上。又，亦可进而包括如下步骤：于形成有配线的表面上积层树脂，使双面密接有金属箔的本发明的附载体金属箔积层于该树脂。

[0088] 再者，所谓「形成有配线的表面」，意指于进行增层的过程中于每次显现的表面形成有配线的部分，作为增层基板，最终制品及其中途物均包含在内。

[0089] 于上述增层基板的制造方法中，亦可进而包括将上述附载体金属箔的板状载体与金属箔剥离而分离的步骤。

[0090] 进而，亦可进而包括如下步骤：于将上述板状载体与金属箔剥离而分离后，通过蚀刻而去除金属箔的一部分或整面。

[0091] 再者，上述多层覆金属积层板的制造方法及增层基板的制造方法中，各层彼此可通过进行热压接而积层。该热压接可于积层每一层时进行，可积层至某种程度后统一进行，亦可于最后一次性地统一进行。

[0092] 以下，作为上述的用途的具体例，例示性地说明利用了本发明的树脂板的板状载体11c的双面密接有铜箔的附载体铜箔11的空心增层基板的制造方法。该方法中，于附载体铜箔11的两侧积层所需数量的增层16后，自附载体铜箔11剥离双面的铜箔(参照图3)。

[0093] 例如，于本发明的附载体金属箔的金属箔侧，依序重迭作为绝缘层的树脂、两层电路基板、及作为绝缘层的树脂，于其上以金属箔侧与树脂板接触的方式进而依序重迭本发明的附载体金属箔的金属箔，由此可制造增层基板。

[0094] 又，作为另一方法，对于在树脂制的板状载体11c的双面或单面密接有金属箔的附载体金属箔的至少一金属箔侧，依序积层作为绝缘层的树脂、及作为导体层的金属箔。继而，亦可包括视需要将金属箔的整面半蚀刻而调整厚度的步骤。继而，对已积层的金属箔的特定位置实施雷射加工而形成贯通金属箔与树脂的通孔，实施去除通孔中的胶渣的除胶渣处理后，对通孔底部、侧面及金属箔的整面或一部分实施无电电镀而形成层间连接，视需要进而进行电镀。亦可对金属箔上的无须进行无电电镀或电镀的部分于进行各镀敷前预先形成镀敷阻剂。又，于无电电镀、电镀、镀敷阻剂与金属箔的密接性不充分的情形时，亦可预先对金属箔的表面进行化学粗化。于使用镀敷阻剂的情形时，于镀敷后去除镀敷阻剂。继而，通过蚀刻而去除金属箔、及无电电镀部、电镀部的不需要的部分，由此形成电路。由此获得增层基板。亦可重复进行多次自树脂、铜箔的积层至电路形成的步骤，制成更多层的增层基板。

[0095] 进而，可使该增层基板的最表面与本发明的单面密接有金属箔的附载体金属箔的金属箔的树脂侧接触而积层，亦可于暂且积层树脂板后，再与本发明的双面密接有金属箔的附载体金属箔的一金属箔接触而积层。

[0096] 此处，作为用于制作增层基板的树脂板，可较佳地使用含有热硬化性树脂的预浸体。

[0097] 又，作为另一方法，于在本发明的板状载体的单面或双面贴合金属箔例如铜箔而获 得的积层体的金属箔的露出表面，积层作为绝缘层的树脂例如预浸体或感光性树脂。其后，于树脂的特定位置形成通孔。于使用例如预浸体作为树脂的情形时，通孔可通过雷射加工而形成。可于雷射加工之后，实施去除该通孔中的胶渣的除胶渣处理。又，于使用感光性树脂作为树脂的情形时，可通过光刻法去除形成通孔的部分的树脂。继而，对通孔底部、侧面及树脂的整面或一部分实施无电电镀而形成层间连接，视需要进而进行电镀。亦可对树脂上的无须进行无电电镀或电镀的部分于进行各镀敷前预先形成镀敷阻剂。又，于无电电镀、电镀、镀敷阻剂与树脂的密接性不充分的情形时，亦可预先对树脂的表面进行化学粗化。于使用镀敷阻剂的情形时，于镀敷后去除镀敷阻剂。继而，通过蚀刻而去除无电电镀部或电镀部的不需要的部分，由此形成电路。由此获得增层基板。亦可重复进行多次自树脂的积层至电路形成的步骤，制成更多层的增层基板。

[0098] 进而，可使该增层基板的最表面与本发明的单面密接有金属箔的积层体的树脂侧、或单面密接有金属箔的附载体金属箔的树脂侧接触而积层，亦可于暂且积层树脂后，再与本发明的双面密接有金属箔的积层体之一金属箔、或双面密接有金属箔的附载体金属箔之一金属箔接触而积层。

[0099] 对如此制作的空心增层基板，经过镀敷步骤及/或蚀刻步骤于表面形成配线，进而使载体树脂与铜箔之间剥离分离，由此完成增层配线板。可于剥离分离后对金属箔的剥离面形成配线，亦可通过蚀刻去除金属箔整面而制成增层配线板。进而，通过于增层配线板上搭载电子零件类而完成印刷电路板。又，于树脂剥离前的空心增层基板上直接搭载电子零件亦可获得印刷电路板。[实施例]

[0100] 以下，示出实验例作为本发明的实施例及比较例，但这些实验例是为了更良好地理解本发明及其优点而提供，并非意欲限定发明。

[0101] ＜实验例1＞

[0102] 准备多个电解铜箔(厚度12μm)，对各电解铜箔的光(S)面实施利用下述条件进行的镀镍－锌(Ni－Zn)合金处理及铬酸盐(Cr－Zn铬酸盐)处理，将贴合面(此处为S面)的十点平均粗糙度(Rz jis，依据JIS B 0601：2001而测定)设为1.5μm后，将作为树脂的三菱瓦斯化学股份有限公司制造的预浸体(BT树脂)与该电解铜箔的S面贴合，于190℃进行100分钟热压加工，制作附载体铜箔。

[0103] (镀镍－锌合金)

[0104]

[0105] (铬酸盐处理)

[0106]

[0107]

[0108] 对若干电解铜箔使用喷涂机将硅烷化合物的水溶液涂布于该S面后，于100℃的空气中使铜箔表面干燥，然后进行与预浸体的贴合。关于硅烷化合物的使用条件，将硅烷化合物的种类、自使硅烷化合物溶解于水中直至进行涂布前的搅拌时间、水溶液中的硅烷化合物的浓度、水溶液中的醇浓度、及水溶液的pH值示于表1。

[0109] 又，假定于对附载体铜箔中的若干个进行对该附载体铜箔形成电路等进一步的加热处理时施加热历程，进行表1中所记载的条件(此处为于220℃3小时)的热处理。

[0110] 测定通过热压而获得的附载体铜箔、及进而进行热处理后的附载体铜箔中的铜箔与板状载体(加热后的树脂)的剥离强度。将各结果示于表1。

[0111] 又，为了评价剥离作业性，分别对每单位个数所需的人工作业时间(时间/个)进行评价。将结果示于表2。

[0112] ＜实验例2～18＞

[0113] 使用表1所表示的铜箔、树脂(预浸体)及一部分使用硅烷化合物，以与实验例1相同的顺序制作附载体铜箔。若干实验例中进而进行表1所表示的条件的热处理。分别进行与实验例1相同的评价。将结果示于表1、2。

[0114] 再者，铜箔的贴合面的类别、表面处理的条件及表面粗糙度Rz jis、硅烷化合物的使用条件、预浸体的种类、以及铜箔与预浸体的积层条件是如表1所示。

[0115] 铜箔的处理面的表面处理条件中，环氧硅烷(处理)及粗化处理的具体条件是如下所述。

[0116] (环氧硅烷处理)

[0117] 处理液：3－环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷0.9体积％水溶液

[0118] pH值5.0～9.0

[0119] 于常温下搅拌12小时者

[0120] 处理方法：使用喷涂机涂布处理液后，于100℃的空气中使处理面干燥5分钟。

[0121] (粗化处理)

[0122]

[0123] ＜实验例19～20＞

[0124] 使用表3所表示的铜箔、树脂(预浸体)及一部分使用硅烷化合物，以与实验例1相同的顺序制作附载体铜箔。进而进行表3所表示的条件的热处理。针对如此获得的附载体铜箔进行与实验例1相同的评价。将结果示于表3、4。

[0125] 再者，使用S面作为铜箔的贴合面，利用上述的条件对其表面进行铬酸盐处理。此外，铜箔的表面粗糙度Rz jis、预浸体的种类、用于预浸体的表面处理的硅烷化合物的使用条件、以及铜箔与预浸体的积层条件是如表3所示。

[0126] 根据表，可知硅烷化合物无论对铜箔的表面进行处理、或对预浸体的表面进行处理，均可于其后的积层体的剥离强度、加热后的剥离强度、剥离作业性上获得同等的结果。

[0127]

[0128]

[0129]

[0130]

[0131]

[0132]

[0133]

[0134]

[0135]

[0136]

[0137] (增层配线板)

[0138] 于如此制作的附载体铜箔的两侧依序重迭FR－4预浸体(南亚塑胶公司制造)、铜箔(JX日矿日石金属股份有限公司制造，JTC12μm(制品名))，以3MPa的压力于各表所示的加热条件下进行热压，制作四层覆铜积层板。

[0139] 继而，使用雷射加工机开出贯通上述四层覆铜积层板表面的铜箔与其下的绝缘层(硬化的预浸体)的直径100μm的孔。继而，通过无电镀铜、电镀铜而对露出于上述孔的底部的附载体铜箔上的铜箔表面、上述孔的侧面、及上述四层覆铜积层板表面的铜箔上进行镀铜，于附载体铜箔上的铜箔与四层覆铜积层板表面的铜箔之间形成电性连接。继而，使用氯化铁(III)系蚀刻液对四层覆铜积层板表面的铜箔的一部分进行蚀刻，形成电路。如此获得四层增层基板。

[0140] 继而，上述四层增层基板中，通过将上述附载体铜箔的板状载体与铜箔剥离而分离，获得两组两层增层配线板。

[0141] 继而，对上述两组两层增层配线板上的曾与板状载体密接的铜箔进行蚀刻而形成配线，获得两组两层增层配线板。

[0142] 各实验例均制作多个四层增层基板，分别以目视确认增层基板制作步骤中的构成附载体铜箔的预浸体与铜箔的密接情况，结果，使用了表1、表3中剥离强度及加热后的剥离强度评价为“S”及“G”的条件下制作的附载体铜箔的增层配线板，于增层时，附载体铜箔的树脂(板状载体)未破坏且可剥离。但是，关于评价为“G”的条件，如表1、3中所记载般，亦存在增层时铜箔无剥离操作而自板状载体剥离者。

[0143] 又，关于评价为“N”的条件，于增层时，树脂于附载体铜箔中的铜箔的剥离操作时被破坏、或未剥离而于铜箔表面残留树脂。

[0144] 又，关于评价为“－”的条件，于增层时，树脂于附载体铜箔中的铜箔的剥离操作时未破坏而剥离，但其中存在无剥离操作而铜箔剥离的情况。

[0145] 符号说明

[0146] 11：附载体金属箔

[0147] 11a：金属箔

[0148] 11b：硅烷化合物

[0149] 11c：板状载体

[0150] 16：增层。