一种电流切换式的D触发器及五分频电路转让专利

申请号 : CN201510100786.9

文献号 : CN104660222B

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发明人 : 吴建辉张文通程超陈超黄成李红

申请人 : 东南大学

摘要 :

本发明公开了一种新型电流切换式的D触发器及五分频电路,本发明提供的新型电流切换式的D触发器在数据输入信号D与时钟信号CLK之间加入了一级电流切换控制开关S,与时钟信号CLK一同选择D触发器的采样或保持功能;本发明提供的五分频电路由五个D触发器级联构成,其中控制开关S正确地连接前级D触发器的正向或者反向输出,从而有序控制各级D触发器的切换模式,最后通过电平转换电路将CML电平转换为CMOS电平,得到最终的分频输出。本发明电路结构简单,输出分频信号抖动小,具有较宽的分频范围和50%的输出占空比。

权利要求 :

1.一种电流切换式的D触发器,其特征在于:第一NMOS晶体管M1的源极接地,第一NMOS晶体管M1的栅极接偏置电压VB,第一NMOS晶体管M1的漏极连接第二NMOS晶体管M2的源极和第三NMOS晶体管M3的源极,第二NMOS晶体管M2的栅极接时钟控制信号CLK,第三NMOS晶体管M3的栅极接时钟控制信号CLKN,第二NMOS晶体管M2的漏极连接第四NMOS晶体管M4的源极和第五NMOS晶体管M5的源极,第三NMOS晶体管M3的漏极连接第六NMOS晶体管M6的源极和第七NMOS晶体管M7的源极,第四NMOS晶体管M4的栅极和第七NMOS晶体管M7的栅极接控制开关S,第五NMOS晶体管M5的栅极和第六NMOS晶体管M6的栅极接控制开关SN,第四NMOS晶体管M4的漏极和第六NMOS晶体管M6的漏极连接第八NMOS晶体管M8的源极和第九NMOS晶体管M9的源极,第五NMOS晶体管M5的漏极和第七NMOS晶体管M7的漏极连接第十NMOS晶体管M10的源极和第十一NMOS晶体管M11的源极,第八NMOS晶体管M8的栅极连接输入数据D,第九NMOS晶体管M9的栅极连接输入数据DN,第八NMOS晶体管M8的漏极、第十NMOS晶体管M10的漏极以及第十一NMOS晶体管M11的栅极连接输出端QN,第九NMOS晶体管M9的漏极、第十一NMOS晶体管M11的漏极以及第十NMOS晶体管M10的栅极连接输出端Q,第一电阻R1的一端接QN,第一电阻R1另一端接电源,第二电阻R2的一端接Q,第二电阻R2另一端接电源;

该D触发器的采样与保持功能由时钟信号CLK和控制开关S共同作用:当时钟信号CLK与控制开关S的异或结果为高电平时,D触发器为保持功能;当时钟信号CLK与控制开关S都为高电平或者低电平时,D触发器为采样功能。

2.一种五分频电路,其特征在于:采用五个权利要求1所述的电流切换式的D触发器级联的方式构成,将五个D触发器分别称为第一级D触发器DFF1、第二级D触发器DFF2、第三级D触发器DFF3、第四级D触发器DFF4和第五级D触发器DFF5,具体连接电路为:第一级D触发器DFF1的输入端D和控制开关S连接第五级D触发器DFF5的输出端QN,第一级D触发器DFF1的输入端DN和控制开关SN连接第五级D触发器DFF5的输出端Q;第二级D触发器DFF2的输入端D和控制开关SN连接第一级D触发器DFF1的输出端Q,第二级D触发器DFF2的输入端DN和控制开关S连接第一级D触发器DFF1的输出端QN;第三级D触发器DFF3的输入端D和控制开关S连接第二级D触发器DFF2的输出端Q,第三级D触发器DFF3的输入端DN和控制开关SN连接第二级D触发器DFF2的输出端QN;第四级D触发器DFF4的输入端D和控制开关SN连接第三级D触发器DFF3的输出端Q,第四级D触发器DFF4的输入端DN和控制开关S连接第三级D触发器DFF3的输出端QN;第五级D触发器DFF5的输入端D和控制开关S连接第四级D触发器DFF4的输出端Q,第五级D触发器DFF5的输入端DN和控制开关SN连接第四级D触发器DFF4的输出端QN;第五级D触发器的输出端Q和QN连接电平转换电路,得到最终的分频输出Fdiv_5。

说明书 :

一种电流切换式的D触发器及五分频电路

技术领域

[0001] 本发明涉及一种电流切换式的D触发器及由该D触发器级联构成的具有50%占空比的高速宽分频范围的五分频电路,属于集成电路技术。

背景技术

[0002] 采用D触发器实现的分频器,倘若分频比为偶数,那么自然可以得到50%占空比的分频输出,但如果是奇数分频,此时的分频输出并不是50%占空比。对于一个三分频的电路,它的占空比会是33%或者67%,对于一个五分频电路,它的占空比会是40%或者60%。在直接变频无线收发机中,采用相位相消的方法来消除镜像频率,若本振信号(LO)不是
50%占空比,会显著降低收发机系统的镜像抑制性能,而且非50%占空比的本振信号更容易馈通到射频前端,影响LO-RF的隔离度。此外,对应用于模数转换器中的时钟,其占空比也有着严格的要求。因此,在能实现奇数分频的情况下,获得具有50%占空比的输出分频信号具有重要意义。

发明内容

[0003] 发明目的:为了克服现有技术中存在的不足,本发明提供一种电流切换式的D触发器及一种具有50%占空比的高速宽分频范围的五分频电路,解决现有的奇数分频电路中非50%占空比,传统D触发器工作频率低且分频范围窄的问题。
[0004] 技术方案:为实现上述目的,本发明采用的技术方案为:
[0005] 一种电流切换式的D触发器,第一NMOS晶体管M1的源极接地,第一NMOS晶体管M1的栅极接偏置电压VB,第一NMOS晶体管M1的漏极连接第二NMOS晶体管M2的源极和第三NMOS晶体管M3的源极,第二NMOS晶体管M2的栅极接时钟控制信号CLK,第三NMOS晶体管M3的栅极接时钟控制信号CLKN,第二NMOS晶体管M2的漏极连接第四NMOS晶体管M4的源极和第五NMOS晶体管M5的源极,第三NMOS晶体管M3的漏极连接第六NMOS晶体管M6的源极和第七NMOS晶体管M7的源极,第四NMOS晶体管M4的栅极和第七NMOS晶体管M7的栅极接控制开关S,第五NMOS晶体管M5的栅极和第六NMOS晶体管M6的栅极接控制开关SN,第四NMOS晶体管M4的漏极和第六NMOS晶体管M6的漏极连接第八NMOS晶体管M8的源极和第九NMOS晶体管M9的源极,第五NMOS晶体管M5的漏极和第七NMOS晶体管M7的漏极连接第十NMOS晶体管M10的源极和第十一NMOS晶体管M11的源极,第八NMOS晶体管M8的栅极连接输入数据D,第九NMOS晶体管M9的栅极连接输入数据DN,第八NMOS晶体管M8的漏极、第十NMOS晶体管M10的漏极以及第十一NMOS晶体管M11的栅极连接输出端QN,第九NMOS晶体管M9的漏极、第十一NMOS晶体管M11的漏极以及第十NMOS晶体管M10的栅极连接输出端Q,第一电阻R1的一端接QN,第一电阻R1另一端接电源,第二电阻R2的一端接Q,第二电阻R2另一端接电源;
[0006] 该D触发器的采样与保持功能由时钟信号CLK和控制开关S共同作用:当时钟信号CLK与控制开关S的异或(XOR)结果为高电平时,D触发器为保持(Hold,H)功能;当时钟信号CLK与控制开关S都为高电平或者低电平时,D触发器为采样(Sample,S)功能。D触发器采用源耦合逻辑的结构形式,能够工作在较高的时钟频率下,且具有较宽的工作频率范围。
[0007] 一种五分频电路,采用五个上述电流切换式的D触发器级联的方式构成,将五个D触发器分别称为第一级D触发器DFF1、第二级D触发器DFF2、第三级D触发器DFF3、第四级D触发器DFF4和第五级D触发器DFF5,具体连接电路为:第一级D触发器DFF1的输入端D和控制开关S连接第五级D触发器DFF5的输出端QN,第一级D触发器DFF1的输入端DN和控制开关SN连接第五级D触发器DFF5的输出端Q;第二级D触发器DFF2的输入端D和控制开关SN连接第一级D触发器DFF1的输出端Q,第二级D触发器DFF2的输入端DN和控制开关S连接第一级D触发器DFF1的输出端QN;第三级D触发器DFF3的输入端D和控制开关S连接第二级D触发器DFF2的输出端Q,第三级D触发器DFF3的输入端DN和控制开关SN连接第二级D触发器DFF2的输出端QN;第四级D触发器DFF4的输入端D和控制开关SN连接第三级D触发器DFF3的输出端Q,第四级D触发器DFF4的输入端DN和控制开关S连接第三级D触发器DFF3的输出端QN;第五级D触发器DFF5的输入端D和控制开关S连接第四级D触发器DFF4的输出端Q,第五级D触发器DFF5的输入端DN和控制开关SN连接第四级D触发器DFF4的输出端QN;第五级D触发器的输出端Q和QN连接电平转换电路,得到最终的分频输出Fdiv_5。通过对各级D触发器之间控制开关S的有序选择,控制D触发器在时钟信号下采样与保持的时序关系,最后实现50%占空比的分频输出。
[0008] 有益效果:本发明提供的电流切换式的D触发器及五分频电路,具有如下优点:1、本发明的采用的D触发器基于源耦合逻辑的结构增加了一级电流切换控制开关,具有高速、工作频率范围宽的特点;2、本发明的五分频电路在正确的时序控制下,其分频输出具有50%的占空比,且控制开关S的信号来自于前一级的输出,因此整个分频电路具有较快的工作速度。此外,由于是同步时钟下的工作,因此输出的分频信号具有非常小的抖动。

附图说明

[0009] 图1(a)为本发明中D触发器的电路示意图;
[0010] 图1(b)为本发明中D触发器工作的详细真值表;
[0011] 图2为本发明的五分频器的结构示意图;
[0012] 图3为本发明的五分频器的工作时序分析;
[0013] 图4为本发明的五分频器的正确分频范围;
[0014] 图5(a)为本发明的五分频器在500MHz输入时钟下瞬态仿真的时域波形;
[0015] 图5(b)为本发明的五分频器在1GHz输入时钟下瞬态仿真的时域波形;
[0016] 图5(c)为本发明的五分频器在2GHz输入时钟下瞬态仿真的时域波形。

具体实施方式

[0017] 下面结合附图对本发明作更进一步的说明。
[0018] 如图1(a)所示为一种电流切换式的D触发器,在源耦合逻辑的结构基础上增加了一级电流切换控制开关,与时钟信号CLK一起用于控制D触发器的采样和保持功能,具体电路结构为:第一NMOS晶体管M1的源极接地,第一NMOS晶体管M1的栅极接偏置电压VB,第一NMOS晶体管M1的漏极连接第二NMOS晶体管M2的源极和第三NMOS晶体管M3的源极,第二NMOS晶体管M2的栅极接时钟控制信号CLK,第三NMOS晶体管M3的栅极接时钟控制信号CLKN,第二NMOS晶体管M2的漏极连接第四NMOS晶体管M4的源极和第五NMOS晶体管M5的源极,第三NMOS晶体管M3的漏极连接第六NMOS晶体管M6的源极和第七NMOS晶体管M7的源极,第四NMOS晶体管M4的栅极和第七NMOS晶体管M7的栅极接控制开关S,第五NMOS晶体管M5的栅极和第六NMOS晶体管M6的栅极接控制开关SN,第四NMOS晶体管M4的漏极和第六NMOS晶体管M6的漏极连接第八NMOS晶体管M8的源极和第九NMOS晶体管M9的源极,第五NMOS晶体管M5的漏极和第七NMOS晶体管M7的漏极连接第十NMOS晶体管M10的源极和第十一NMOS晶体管M11的源极,第八NMOS晶体管M8的栅极连接输入数据D,第九NMOS晶体管M9的栅极连接输入数据DN,第八NMOS晶体管M8的漏极、第十NMOS晶体管M10的漏极以及第十一NMOS晶体管M11的栅极连接输出端QN,第九NMOS晶体管M9的漏极、第十一NMOS晶体管M11的漏极以及第十NMOS晶体管M10的栅极连接输出端Q,第一电阻R1的一端接QN,第一电阻R1另一端接电源,第二电阻R2的一端接Q,第二电阻R2另一端接电源。
[0019] 该D触发器的采样与保持功能由时钟信号CLK和控制开关S共同作用:当时钟信号CLK与控制开关S的异或(XOR)结果为高电平时,D触发器为保持(Hold,H)功能;当时钟信号CLK与控制开关S都为高电平或者低电平时,D触发器为采样(Sample,S)功能;在图1(b)中给出了该D触发器结构工作的详细真值表。D触发器采用源耦合逻辑的结构形式,能够工作在较高的时钟频率下,且具有较宽的工作频率范围。
[0020] 如图2所示为本发明所提出的一种具有50%占空比的高速宽分频范围的五分频电路,通过将D触发器进行有序级联而构成的五分频电路,包括5级D触发器和电平转换电路;将五个D触发器分别称为第一级D触发器DFF1、第二级D触发器DFF2、第三级D触发器DFF3、第四级D触发器DFF4和第五级D触发器DFF5,具体连接电路为:第一级D触发器DFF1的输入端D和控制开关S连接第五级D触发器DFF5的输出端QN,第一级D触发器DFF1的输入端DN和控制开关SN连接第五级D触发器DFF5的输出端Q;第二级D触发器DFF2的输入端D和控制开关SN连接第一级D触发器DFF1的输出端Q,第二级D触发器DFF2的输入端DN和控制开关S连接第一级D触发器DFF1的输出端QN;第三级D触发器DFF3的输入端D和控制开关S连接第二级D触发器DFF2的输出端Q,第三级D触发器DFF3的输入端DN和控制开关SN连接第二级D触发器DFF2的输出端QN;第四级D触发器DFF4的输入端D和控制开关SN连接第三级D触发器DFF3的输出端Q,第四级D触发器DFF4的输入端DN和控制开关S连接第三级D触发器DFF3的输出端QN;第五级D触发器DFF5的输入端D和控制开关S连接第四级D触发器DFF4的输出端Q,第五级D触发器DFF5的输入端DN和控制开关SN连接第四级D触发器DFF4的输出端QN;第五级D触发器的输出端Q和QN连接电平转换电路,得到最终的分频输出Fdiv_5。通过对各级D触发器之间控制开关S的有序选择,控制D触发器在时钟信号下采样与保持的时序关系,最后实现50%占空比的分频输出。
[0021] 图3所示为本发明中五分频电路的工作时序图,其中每一级D触发器的输出由CLK与控制开关S共同决定,每个D触发器的输出在每两个半的时钟周期中其工作时序为“采样、保持、采样、保持、保持(SHSHH)”的形式,并且每个D触发器的输出在CLK与S的控制下每两个半的时钟周期后完成电平翻转,从而实现50%占空比的分频输出。
[0022] 本发明提出的一种具有50%占空比的高速宽分频范围的五分频电路,可以通过现有的CMOS工艺实现。具体的,图4是本发明的五分频电路采用0.18μm CMOS工艺实现,在输入时钟频率范围为500MHz到2GHz之间的分频情况,其中Fin表示输入频率,Y0表示五分频输出频率。从图4中可以看到,本发明所提出的结构能够工作在较高的输入时钟频率下,且具有较宽的分频范围。图5(a)~(c)是本发明的五分频电路分别在500MHz、1GHz与2GHz的输入时钟下瞬态仿真的时域波形,其中time表示时间,Fin表示输入频率,Fout_buffer表示五分频输出波形。从图中可以看到,分频输出具有50%的占空比。
[0023] 以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出:对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。