一种单芯片具有校准线圈/重置线圈的高强度磁场X轴线性磁电阻传感器转让专利

申请号 : CN201510056576.4

文献号 : CN104698409B

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发明人 : 詹姆斯·G·迪克周志敏

摘要 :

一种单芯片具有校准线圈/重置线圈的高强度磁场X轴线性磁电阻传感器,包括高强度磁场单芯片参考桥式X轴磁电阻传感器及校准线圈和/或重置线圈,所述校准线圈为平面线圈,所述重置线圈为平面或三维线圈,所述平面校准线圈和平面重置线圈可以位于衬底之上磁电阻传感单元之下、磁电阻传感单元和软磁通量引导器之间、软磁通量引导器之上或间隙处,所述三维重置线圈缠绕软磁通量引导器和磁电阻传感单元,所述校准线圈和重置线圈分别在磁电阻单元处产生平行于钉扎层方向的校准磁场和自由层方向的均匀重置磁场。本发明通过控制校准线圈/重置线圈电流可实现单芯片X轴线性磁电阻传感器校准及磁状态重置,具有高效、快速、操作方便优点。