间隙填充方法转让专利
申请号 : CN201410858332.3
文献号 : CN104701238B
文献日 : 2019-10-08
发明人 : 朴钟根 , 徐承柏 , P·D·胡斯塔德 , 李明琦
摘要 :
间隙填充方法。提供了间隙填充方法,所述方法包括:(a)提供半导体衬底,所述衬底在衬底的表面上具有起伏图案,起伏图案包括将被填充的多个间隙;(b)在起伏图案上应用间隙填充组合物,其中间隙填充组合物包含可自交联聚合物和溶剂,其中可自交联聚合物包括第一单元,该第一单元包含聚合主链和侧接到主链的可自交联基团;以及(c)在使得聚合物产生自交联的温度下加热间隙填充组分。