一种阵列基板及其制作方法、显示面板

摘要

本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板，该阵列基板包括：第一金属层，包括第一图案；第二金属层，包括第二图案；导电层，位于所述阵列基板表面，包括第三图案；第一过孔，连接所述第一图案和所述第三图案；第二过孔，连接所述第二图案和所述第三图案；导电材质屏蔽环，位于所述第三图案的周围，所述导电材质屏蔽环与所述第三图案绝缘。通过在导电层的第三图案的周围设置导电材质屏蔽环，有效预防了第一过孔和第二过孔表面裸露的导电层发生腐蚀，防止了在使用过程中因导电层发生腐蚀而导致不同的导电金属层之间接触不良，提高了产品的使用寿命。

权利要求

1.一种阵列基板，包括：第一金属层，包括第一图案；第二金属层，包括第二图案；导电层，位于所述阵列基板的表面，包括第三图案；第一过孔，连接所述第一图案和所述第三图案；第二过孔，连接所述第二图案和所述第三图案，其特征在于，还包括：导电材质屏蔽环，位于所述第三图案的周围，所述导电材质屏蔽环与所述第三图案绝缘。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述导电层包括导电材质屏蔽环。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述导电层的材质为透明导电金属氧化物或金属。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述透明导电金属氧化物为氧化铟锡。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述导电材质屏蔽环包括第一导电材质部和第二导电材质部，所述导电层包括第一导电材质部，所述第二金属层包括所述第二导电材质部；

其中，所述第二金属层为所述第一金属层和所述导电层之间的金属层。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电材质部与所述第二导电材质部通过第三过孔相连。

7.根据权利要求1-6其中任一项所述的阵列基板，其特征在于，在所述第一金属层和所述第二金属层中，一层为栅金属层，另一层为源漏金属层。

8.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：形成包括第一图案的第一金属层；

形成包括第二图案的第二金属层；

形成包括第三图案且位于阵列基板表面的导电层；

还包括：形成第一过孔和第二过孔，所述第一过孔连接所述第一图案并被所述第三图案覆盖且连接，所述第二过孔连接所述第二图案并被所述第三图案覆盖且连接；

在所述第三图案周围形成导电材质屏蔽环，所述导电材质屏蔽环与所述第三图案绝缘。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在形成所述导电层时形成所述导电材质屏蔽环。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述导电材质屏蔽环包括第一导电材质部和第二导电材质部；

在形成所述导电层时形成第一导电材质部，在形成所述第二金属层时形成第二导电材质部；

其中，所述第二金属层形成于所述第一金属层和所述导电层之间。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，还包括形成第三过孔，所述第三过孔用于将所述第一导电材质部和所述第二导电材质部相连。

12.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-7中任一项所述的阵列基板。

说明书

一种阵列基板及其制作方法、显示面板

技术领域

[0001] 本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板。

背景技术

[0002] 目前TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)的制造过程中，涉及到过孔的设计均采用传统的方式，即采用导电层作为连接截止。

[0003] 通常在实现不同金属层之间导通时，一般在需要连接的两个金属层对应的位置进行过孔工艺，再在过孔的表面上覆盖一层导电层，从而实现了不同金属层之间导通，如图1所示，但是该设计存在一些不足，其中过孔表面裸露的导电层容易受到周围电场的影响发生腐蚀，导致不同金属层之间会出现接触不良等问题。

发明内容

[0004] 针对现有技术中的缺陷，本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板，有效预防了过孔表面裸露的导电层发生腐蚀。

[0005] 第一方面，本发明提供一种阵列基板，包括：

[0006] 第一金属层，包括第一图案；

[0007] 第二金属层，包括第二图案；

[0008] 导电层，位于所述阵列基板的表面，包括第三图案；

[0009] 第一过孔，连接所述第一图案和所述第三图案；

[0010] 第二过孔，连接所述第二图案和所述第三图案；

[0011] 导电材质屏蔽环，位于所述第三图案的周围，所述导电材质屏蔽环与所述第三图案绝缘。

[0012] 可选的，所述导电层包括导电材质屏蔽环。

[0013] 可选的，所述导电层的材质为透明导电金属氧化物或金属。

[0014] 可选的，所述透明导电金属氧化物为氧化铟锡。

[0015] 可选的，所述导电材质屏蔽环包括第一导电材质部和第二导电材质部，所述导电层包括第一导电材质部，所述第二金属层包括所述第二导电材质部；

[0016] 其中，所述第二金属层为所述第一金属层和所述导电层之间的金属层。

[0017] 可选的，所述第一导电材质部与所述第二导电材质部通过第三过孔相连。

[0018] 可选的，在所述第一金属层和所述第二金属层中，一层为栅金属层，另一层为源漏金属层。

[0019] 第二方面，本发明还提供了一种阵列基板的制作方法，包括：

[0020] 形成包括第一图案的第一金属层；

[0021] 形成包括第二图案的第二金属层；

[0022] 形成包括第三图案且位于阵列基板表面的导电层；

[0023] 还包括：形成第一过孔和第二过孔，所述第一过孔连接所述第一图案并被所述第三图案覆盖且连接，所述第二过孔连接所述第二图案并被所述第三图案覆盖且连接；

[0024] 在所述第三图案周围形成导电材质屏蔽环，所述导电材质屏蔽环与所述第三图案绝缘。

[0025] 可选的，在形成所述导电层时形成所述导电材质屏蔽环。

[0026] 可选的，所述导电材质屏蔽环包括第一导电材质部和第二导电材质部；

[0027] 在形成所述导电层时形成第一导电材质部，在形成所述第二金属层时形成第二导电材质部；

[0028] 其中，所述第二金属层形成于所述第一金属层和所述导电层之间。

[0029] 可选的，还包括形成第三过孔，所述第三过孔用于将所述第一导电材质部和所述第二导电材质部相连。

[0030] 第三方面，本发明还提供了一种显示面板，包括上述的阵列基板。

[0031] 由上述技术方案可知，本发明提供的一种阵列基板及其制作方法、显示面板，通过在导电层的第三图案的周围设置导电材质屏蔽环，有效预防了过孔表面裸露的导电层发生腐蚀，防止了在使用过程中因导电层发生腐蚀而导致不同的导电金属层之间接触不良，提高了产品的使用寿命。

附图说明

[0032] 图1为现有技术中阵列基板的结构示意图；

[0033] 图2为本发明一实施例提供的阵列基板的结构示意图；

[0034] 图3为本发明另一实施例提供的阵列基板的结构示意图；

[0035] 其中附图标记说明：

[0036] 1、第一金属层；2、第二金属层；3、导电层；4、第一过孔；5、第二过孔；6、屏蔽环；7、第一导电材质部；8、第二导电材质部。

具体实施方式

[0037] 下面结合附图，对发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。

[0038] 图2示出了本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图，如图2所示，该阵列基板包括：

[0039] 第一金属层1，包括第一图案；

[0040] 第二金属层2，包括第二图案；

[0041] 导电层3，位于该阵列基板表面，包括第三图案；

[0042] 第一过孔4，连接上述第一图案和第三图案；

[0043] 第二过孔5，连接上述第二图案和第三图案；

[0044] 导电材质屏蔽环6，位于第三图案的周围，所述导电材质屏蔽环6与所述第三图案绝缘。

[0045] 上述各图案各位于所在层中，图2中所示的各层的局部实际上主要就是其包括的图案部分，因此为了清楚起见，在图中没有再示出图案的附图标记。同时，上述各层是示意性的，应该理解，第一金属层1和第二金属层2一般处于不同层，第一金属层1、第二金属层2和导电层3之间一般存在一层或多层绝缘层的结构，过孔贯穿绝缘层，为了清楚起见，在图中没有示出绝缘层。

[0046] 在第一金属层和第二金属层中，一层可以为栅金属层，另一层可以为源漏金属层。此外，第一金属层和第二金属层也可以为凄然金属层，本实施例不对上述第一金属层和第二金属层具体是哪一层进行具体限定，仅用作举例说明。

[0047] 举例来说，假设上述阵列基板为底栅结构，第一金属层1为栅金属层，第二金属层2为源漏金属层，在第一金属层1上形成第一绝缘层，在第一绝缘层上形成第二金属层2，在第二金属层2上形成第二绝缘层，在第二绝缘层上形成导电层3，上述导电层3的材质可以为透明导电金属氧化物或金属，具体的，该透明导电金属氧化物的材质为氧化铟锡。该导电层3可以理解为直接在第二绝缘层上形成的第三金属层也可以理解为在第二绝缘层上形成的透明导电层，其中第一过孔4贯穿第一绝缘层和第二绝缘层，第二过孔5贯穿第二绝缘层。

[0048] 同理，假设上述阵列基板为顶栅结构，则第一金属层1为源漏金属层，第二金属层2为栅金属层，在第一金属层1上形成第一绝缘层，在第一绝缘层上形成第二金属层2，在第二金属层2上形成第二绝缘层，在第二绝缘层上形成导电层3，上述导电层3的材质可以为透明导电金属氧化物或金属，具体的，该透明导电金属氧化物的材质为氧化铟锡。该导电层3可以理解为直接在第二绝缘层上形成的第三金属层也可以理解为在第二绝缘层上形成的透明导电层，其中第一过孔4贯穿第一绝缘层和第二绝缘层，第二过孔5贯穿第二绝缘层。

[0049] 上述阵列基板通过在导电层3的第三图案的周围设置导电材质屏蔽环6，减少了周围电磁场对第三图案的影响，有效预防了第一过孔和第二过孔表面裸露的导电层发生腐蚀，从而防止了在使用过程中因导电层3发生腐蚀而导致不同的导电金属层之间接触不良，提高了产品的使用寿命。

[0050] 上述屏蔽环6在第三图案的周围可以理解为该屏蔽环6可以与导电层3位于同一层，也可以与导电层3位于不同层，只是在该导电层3的周围形成保护该导电层3的屏蔽环6，使其不被周围的电磁场影响。

[0051] 也就是说，上述屏蔽环包括第一导电材质部7和第二导电材质部8，具体的，导电层包括第一导电材质部7，第二金属层2包括第二导电材质部8；其中，第二金属层2为所述第一金属层1和所述导电层3之间的金属层。第一导电材质部7与所述第二导电材质部8通过第三过孔相连。

[0052] 下面对上述阵列基板的结构进行详细说明，具体可以包括以下三种结构，该三种结构形成的屏蔽环6均可以预防第一过孔4和第二过孔5表面裸露的导电层3发生腐蚀，本发明并不限定以下四种结构，以下四种结构只是用于举例说明。

[0053] 第一种结构如图2所示，导电层3的材质为透明导电金属氧化物，具体是由氧化铟锡形成的透明导电层，该透明导电层包括导电材质屏蔽环6，也可以理解为导电材质屏蔽环6与透明导电层位于同一层上，也即在形成透明导电层的同时通过构图工艺形成导电材质屏蔽环。该种结构，在制作该阵列基板的时候，可以不需要单独制作导电材质屏蔽环6的图案化工艺，同时，该结构的导电材质屏蔽环6有效预防了第一过孔4和第二过孔5表面裸露的透明导电层发生腐蚀，在具体的结构中，该导电材质屏蔽环与透明导电层是绝缘的。

[0054] 第二种结构与第一种结构类似，不同的是上述导电层为金属材质的第三金属层，具体的，在形成该第三金属层的同时形成屏蔽环6，屏蔽环6的材质与第三金属层的材质相同，且屏蔽环与第三金属层是绝缘的。该种结构在制作该阵列基板的时候，可以不需要单独制作导电材质屏蔽环6的图案化工艺，同时，该结构的导电材质屏蔽环6有效预防了第一过孔4和第二过孔5表面裸露的导电层发生腐蚀。

[0055] 第三种结构中，可以将导电材质屏蔽环3分成第一导电材质部7和第二导电材质部8，导电层3包括第一导电材质部7，第二金属层2包括第二导电材质部8；其中，第二金属层2为所述第一金属层1和导电层3之间的金属层。即在第一金属层1上形成第一绝缘层，在第一绝缘层上形成第二金属层2同时在第二金属层2的周围形成第二导电材质部8，在第二金属层上形成第二绝缘层，在第二绝缘层上形成导电层3同时在导电层周围形成第一导电材质部7。具体可以理解为第一导电材质部7和导电层3位于同一层上，且通过同一次构图工艺形成，第二导电材质部8和第二金属层2位于同一层上，且通过同一次构图工艺形成。

[0056] 需要说明的是，上述第一导电材质部7和第二导电材质部8被包括在阵列基板不同的导电层中，第一导电材质部77和第二导电材质部8可以分别是连续的结构，也可以各包括几个不连续的部分。该第一导电材质部7和第二导电材质部8可以为圆形、半环形或者其他任意形状，其限定条件是需要将上述第一导电材质部7和第二导电材质部8设置在导电层3的周围区域，为了形成封闭的屏蔽环6，故第一导电材质部与第二导电材质部可以通过第三过孔(为清楚起见，图中未示出，但应该理解，第三过孔处于第一导电材质部7与第二导电材质部8垂直方向叠合之处，例如可以是首尾相接之处)相连。该第三过孔可以设置在第二金属层2与导电层3之间，用于连接第一导电材质部7和第二导电材质部8，使第一导电材质部7和第二导电材质部8首尾相接，形成屏蔽环6。当然，上述第一导电材质部7和第二导电材质部8的首尾也可以不通过第三过孔相连，或通过其他连接方式，本实施例不对其进行详细举例说明。

[0057] 该结构通过在形成导电层3时形成第一导电材质部7，形成第二金属层2时形成第二导电材质部8，可以减少单独制作形成第一导电材质部7和第二导电材质部8的工艺，同时，该结构的导电材质屏蔽环6有效预防了第一过孔4和第二过孔5表面裸露的导电层3发生腐蚀，在具体的结构中，该第一导电材质部7与导电层3的其他部分之间一般是绝缘的，第二导电材质部8与第二金属层2的其他部分之间一般是绝缘的。

[0058] 本发明还提供了一种阵列基板的制作方法，以制作上述实施例的阵列基板为例，该阵列基板的制作方法包括如下步骤：

[0059] 步骤S1、形成包括第一图案的第一金属层1；

[0060] 步骤S2、形成包括第二图案的第二金属层2；

[0061] 步骤S3、形成包括第三图案且位于阵列基板表面的导电层3；

[0062] 还包括：

[0063] 步骤S4、形成第一过孔4，第一过孔4连接第一图案并被所述第三图案覆盖且连接；

[0064] 步骤S5、形成第二过孔5，第二过孔5连接第二图案并被所述第三图案覆盖且连接；

[0065] 步骤S6、在第三图案周围形成导电材质屏蔽环6，导电材质屏蔽环与第三图案绝缘。

[0066] 上述步骤S1中可以通过真空沉积或磁控溅射的方式形成第一金属层，通过例如为刻蚀的构图工艺形成第一图案。其他步骤中形成包括第二图案的第二金属层以及形成包括第三图案的导电层与步骤S1中形成包括第一图案的第一金属层的工艺相同，本实施例不再进行详细说明。

[0067] 应该理解，第一金属层1和第二金属层2一般处于不同层，第一金属层1、第二金属层2和导电层3之间一般存在一层或多层绝缘层的结构，过孔贯穿绝缘层，为了清楚起见，在图中没有示出绝缘层。也即在上述步骤S1和S2之间，以及S2和S3之间会形成一层或多层绝缘层，例如在第一金属层1上形成第一绝缘层，在第一绝缘层上形成第二金属层2，在第二金属层2上形成第二绝缘层，在第二绝缘层上形成导电层3，其中第一过孔4贯穿第一绝缘层和第二绝缘层，第二过孔5贯穿第二绝缘层。

[0068] 应该理解，上述描述的先后顺序并不意味着执行的先后顺序，例如形成第一过孔4和第二过孔5的图案一般在形成导电层3前形成，然后形成第三图案时也将第一过孔4和第二过孔5的图案填充导电物质。

[0069] 具体的，在形成上述屏蔽环6时具体可以在以下步骤时形成，本实施例形成屏蔽环6的步骤仅用于举例说明，并不限定其具体的形成过程。

[0070] 第一种可实现的方式如图2所示，在上述步骤S3在形成导电层3时形成导电材质屏蔽环6，也就是说导电层3和屏蔽环6是通过同一次构图工艺形成的，这样就可以一次形成具有防护功能的屏蔽环6以及具有连接第一金属层1和第二金属层2的导电层3，避免了导电层被周围电场腐蚀。

[0071] 上述导电层3的材质可以为透明导电金属氧化物或金属，即在上述第二绝缘层上形成由透明导电金属氧化物形成的透明导电层，同时形成屏蔽环，透明导电层与屏蔽环通过同一次构图工艺形成且材质相同；或者在上述第二绝缘层上形成第三金属层，同时形成屏蔽环，第三金属层与屏蔽环通过同一次构图工艺形成且材质相同。该金属层的材质为金属，本实施例不对其进行举例说明。

[0072] 具体的上述屏蔽环也可以在不同的导电金属层形成，具体的，导电材质屏蔽环6包括第一导电材质部7和第二导电材质部8。

[0073] 如图3所示，假如第二金属层2为形成于第一金属层1和所述导电层3之间的金属层，则在上述步骤S2形成第二金属层2时形成第二导电材质部8，在上述步骤S3形成导电层3时形成第一导电材质部7，具体的，可以通过第三过孔将第一导电材质部7和第二导电材质部8首尾相连，形成具有防护功能的屏蔽环6，避免了导电层3受周围电场的影响发生劣化。

[0074] 本发明还提供了一种显示装置，包括如上述所述的阵列基板。

[0075] 本实施例中的显示装置可以为：电子书、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

[0076] 本发明的说明书中，说明了大量具体细节。然而，能够理解，本发明的实施例可以在没有这些具体细节的情况下实践。在一些实例中，并未详细示出公知的方法、结构和技术，以便不模糊对本说明书的理解。

[0077] 最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围，其均应涵盖在本发明的权利要求和说明书的范围当中。