铝合金箔

摘要

一种铝合金箔，其化学成分由按质量％计含有Si：0.1％以上0.6％以下、Fe：0.2％以上1.5％以下，并且Si含量与Fe含量合计在0.48％以上，剩余部分为Al以及不可避免的杂质来形成；箔厚度为20μm以下，Si固溶量为700质量ppm以上，Fe固溶量为150质量ppm以上，抗拉强度为220MPa以上，在液氮中测定的比电阻为0.45μΩ·cm以上0.7μΩ·cm以下。

权利要求

1.一种铝合金箔，其特征在于，包括：

其化学成分由按质量％计含有Si：0.1％以上0.6％以下、Fe:0.2％以上1.5％以下，并且Si含量与Fe含量合计在0.48％以上，剩余部分为Al以及不可避免的杂质来形成；

箔厚度为20μm以下；

Si的固溶量为700质量ppm以上，Fe的固溶量在150质量ppm以上；

抗拉强度为220MPa以上；

在液氮中测定的比电阻为0.45μΩ·cm以上0.7μΩ·cm以下。

2.根据权利要求1所述的铝合金箔，其特征在于，所述化学成分按质量％来计进一步含有Cu：0.01％以上0.25％以下。

3.根据权利要求1所述的铝合金箔，其特征在于，所述铝合金箔用于蓄电装置电极的集电体。

说明书

铝合金箔

技术领域

[0001] 本发明涉及一种铝合金箔。

背景技术

[0002] 以往，铝合金箔被使用在各种领域中，近年来，从薄且具有导电性等观点出发，铝合金箔被作为电极的集电体等在例如锂离子电池、双电层电容器、锂离子电容器等蓄电装置中使用。具体来说，例如在专利文献1、2中，公开了通过以下的制造工艺制造的作为蓄电装置中的锂离子电池正极。向作为集电体的铝合金箔的一个面上涂覆包含正极活性物质以及粘合剂的层，使之干燥。之后，进行用于提高正极活性物质密度以及与箔的贴合性的轧制，从而制造正极。

[0003] 作为上述铝合金箔，例如，在专利文献3中公开了一种用于锂离子电池的铝合金箔：其由含有Si：0.01～0.60质量％、Fe：0.2～1.0质量％、Cu：0.05～0.50质量％、Mn：0.5～1.5质量％，剩余部分为Al以及不可避免的杂质来形成，其抗拉强度为240MPa以上，n值为
0.1以上。

[0004] 另外，作为本申请的现有技术文献，还有另外2篇。在专利文献4中，虽然所公开的不是用于锂离子电池的铝合金箔，但是公开了这样一种用于多孔加工的铝合金箔：其由含有Si：0.05～0.30质量％、Fe：0.15～0.60质量％、Cu：0.01～0.20质量％，剩余部分为Al以及不可避免的杂质来形成，其抗拉强度为186～212N/mm2左右，箔厚度为30μm～100μm左右。

[0005] 以及，在专利文献5中，公开了一种用于箔素材的铝合金箔：其由含有Fe：0.1～2.5质量％以及Si：0.01～0.5％质量％，剩余部分为Al以及不可避免的杂质组成，并且其固溶的Fe含量在200pm以上，不通过热轧制而通过冷轧制制成。

[0006] 现有技术文献

[0007] 专利文献

[0008] 专利文献1：日本特开2007-234277号公报

[0009] 专利文献2：日本特开平11-67220号公报

[0010] 专利文献3：日本特开2011-26656号公报

[0011] 专利文献4：日本特开2006-283114号公报

[0012] 专利文献5：日本特开2008-223075号公报

发明内容

[0013] 本发明要解决的问题

[0014] 但是，以往的铝合金箔在以下方面存在问题。即，如上所述，在制造蓄电装置等使用箔的部件时，由于轧制等铝合金箔会受到压缩力。因此，铝合金箔需要具有足够的强度，以便相对于这样的压缩力不会发生不必要的变形或破损。近年来，要求箔进一步薄壁化，为了应对这一要求，也需要箔的高强度化。

[0015] 作为用于实现箔的高强度化的代表性方法，有调整铝合金成分的方法。但是，仅单纯调整合金成分的话，由于添加了Al以外的合金成分，会使箔的比电阻增大，导电性降低。这样一来，以往的铝合金箔存在这样的问题：难以既不较大地损失导电性，又能实现高强度化。

[0016] 本发明鉴于上述背景，提供一种铝合金箔，该铝合金箔既能不较大地损失导电性，又能实现高强度化。

[0017] 解决问题的方法

[0018] 本发明的一个实施方式的铝合金箔，其特征在于，该铝合金箔的化学成分由按质量％来计含有Si：0.1％以上0.6％以下、Fe：0.2％以上1.5％以下，并且Si含量与Fe含量合计为0.48％以上，剩余部分为Al以及不可避免的杂质来形成，箔厚度为20μm以下，Si的固溶量为700质量ppm以上，Fe的固溶量为150质量ppm以上，抗拉强度为220MPa以上，在液氮中测定的比电阻为0.45μΩ·cm以上0.7μΩ·cm以下。

[0019] 发明效果

[0020] 上述的铝合金箔由于具有上述特定的构成，既能不较大地损失导电性，又能实现高强度化。因此，上述的铝合金箔，例如即使在制造蓄电装置的电极等使用箔的部件时通过轧制等来施加压缩力的情况下，也可抑制不必要的塑性变形，还容易实现箔的薄壁化。而且，上述的铝合金箔即使提高强度下也不会较大地损失导电性，能够确保良好的导电性。因此，若将上述铝合金箔例如在锂离子电池等的蓄电装置中作为电极的集电体使用，可有助于蓄电装置的高密度化、高能量化。

附图说明

[0021] 图1是对于实施例中测定Si固溶量、Fe固溶量时的大致步骤进行说明的说明图。

具体实施方式

[0022] 上述铝合金箔中的特定化学成分(单位为质量％、在以下的化学成分说明中仅省略为"％")的意义以及限定理由如下文所述。

[0023] Si：0.1％以上0.6以下

[0024] Si是用于实现提高箔强度的必要元素。在制造箔时，若铝合金的温度超过350℃，则固溶的Si以及Fe易作为Al-Fe-Si系化合物析出，由此会降低冷轧制的加工硬化性，容易降低箔强度。因此，优选地，在制造箔时不进行超过350℃的高温下的均质化处理，而在350℃以下的条件下进行热轧制。为了在该条件下提高箔强度，降低箔的比电阻从而确保其导电性，需要使Si含量在0.1％以上0.6％以下。若Si含量不足0.1％，则箔的比电阻降低，但是箔的强度没有提高。若Si含有量超过0.6％，则难以进一步提高箔强度，容易形成粗大的Si单相粒子，在箔厚度为20μm以下时容易发生针孔、箔开裂的问题。Si含量可优选为0.12％以上。Si含量可优选为0.4％以下。

[0025] Fe：0.2％以上1.5％以下

[0026] Fe是次于Si的用于实现提高箔强度的必要元素，在制造箔时若铝合金的温度超过350℃，则固溶的Si以及Fe易作为Al-Fe-Si系化合物析出，由此会降低冷轧制的加工硬化性，容易降低箔强度。因此，优选地，在制造箔时不进行超过350℃的高温下的均质化处理，而在350℃以下的条件下进行热轧制。为了在该条件下提高箔强度，降低箔的比电阻从而确保其导电性，需要使Fe含量在0.2％以上1.5％以下。若Fe含量低于0.2％，则箔的比电阻降低，但是箔的强度没有提高。若Fe含量高于1.5％，则难以进一步提高箔强度，并在铸造时形成粗大的Al-Fe系结晶物。如上所述，在不对铝合金铸块在超过350℃的高温下进行均质化处理的情况下，铸造时形成的Al-Fe系结晶物以粗大的形态残留在最终的箔厚度中。因此，在箔厚度为20μm以下时容易发生针孔、箔开裂的问题。而且，添加必要以上的Fe，也是制造成本增加的原因。Fe含量可优选为0.30％以上。Fe含量可优选为1.2％以下，更优选为1.0％以下，进一步优选为0.80％以下。

[0027] Si含量与Fe含量合计：0.48％以上

[0028] Si含量与Fe含量的合计(以下使用“Si+Fe量”表示)在确保220MPa以上的抗拉强度方面至关重要。若Si+Fe量不足0.48％，无法得到220MPa以上的抗拉强度，并且难以实现高强度化。从Si+Fe量易于确保220MPa以上的抗拉强度的观点出发，优选为0.49％以上，更优选为0.5％以上，进一步为优选0.52％以上。并且，考虑到上述Si含量、Fe含量的上限等，Si+Fe量可为1.6％以下，优选1.4％以下，更优选为1.2％以下。

[0029] 上述化学成分，按质量％，可进一步含有Cu：0.01％以上0.25％以下。这种情况下的意义以及限定理由如下文所述。

[0030] Cu：0.01％以上0.25％以下

[0031] Cu是有助于提高箔强度的元素。为了得到该效果，优选地使Cu含量为0.01％以上。另外，也可以含有不足0.01％的Cu作为不可避免的杂质。另一方面，若Cu含量过大则箔强度增加。但是比电阻也会增加。因此优选地使Cu含量为0.25％以下。Cu含量可优选为0.02％以上。Cu含量可优选为0.18％以下。

[0032] 在上述化学成分中，作为不可避免的杂质，可含有Mn、Mg、Cr、Zn、Ni、Ga、V、Ti等元素。但是，若过量地含有Mn、Mg，则恐会增加箔的比电阻，并降低导电率。因此，优选地使Mn含量为0.01％以下，Mg含量为0.01％以下。由于Cr、Zn、Ni、Ga、V、Ti等其他元素是比较不利于增大比电阻的元素，优选地使各元素含量均在0.05％以下。另外，全部不可避免的杂质合计含有量若在0.15％以下，因为对导电性、高强度化没有实质性的影响所以是允许的。

[0033] 在上述的铝合金箔中，箔厚度为20μm以下。若箔厚度超过20μm，则不能应对近年来广泛要求的箔的薄壁化(箔厚度标准尺寸降低(gauge down))。上述铝合金箔，由于箔厚度在20μm以下，例如，在对于箔的薄壁化要求较高的蓄电装置电极的集电体用途中特别适用。在上述的铝合金箔中，从薄壁化、可有助于蓄电装置的小型化等观点出发，箔厚度可优选为不足20μm，可更优选为19μm以下，可进一步优选为18μm以下，可更进一步优选为17μm以下。
另一方面，例如，从在制造蓄电装置的电极等的使用箔的部件时的易于操作性等观点出发，箔厚度可优选为8μm以上，可更优选为9μm以上，可进一步优选为10μm以上。

[0034] 在上述的铝合金箔中，Si的固溶量为700质量ppm以上，Fe的固溶量为150质量ppm以上。若Si的固溶量不足700质量ppm，Fe的固溶量不足150质量ppm，则不能实现抗拉强度在220MPa以上的高强度化。从上述保证高强度化的观点出发，Si的固溶量，优选为720质量ppm以上，更优选为740质量ppm以上，进一步优选为760质量ppm。并且，Si的固溶量，优选更高的数值。但是，实际制造中，从铸块时的冷却速度等的观点出发，其上限为1000质量ppm。另一方面，从上述保证高强度化的观点出发，Fe的固溶量，优选为170质量ppm以上，更优选为190质量ppm以上，进一步优选为200质量ppm以上。并且，Fe的固溶量，优选更高的数值。但是，实际制造中，从铸块时的冷却速度等的观点出发，其上限为500质量ppm。

[0035] 上述Si的固溶量、上述Fe的固溶量，基本上，可通过以下方法进行测定。即，使用热苯酚溶解提取法，从铝合金箔中采集的试片中得到其含有的作为残渣的Al-Fe系化合物，Al-Fe-Si系化合物。然后，通过该热苯酚溶解提取法将Si、Fe从上述残渣中溶解出来，并通过电感耦合等离子体发射光谱分析法(ICP)进行定量分析，求出作为上述化合物析出的Si析出量，Fe析出量。并且，使用盐酸溶解提取法，从铝金箔中采集的试片中得到其含有的作为残渣的Si单相粒子。然后，通过该盐酸溶解提取法溶解上述残渣，通过ICP进行定量分析，求出作为Si单相粒子析出的Si析出量。然后，将通过热苯酚溶解提取法得到的Si析出量和通过盐酸溶解提取法得到的Si析出量的和作为Si总析出量。并且，将通过热苯酚溶解提取法得到的Fe析出量作为Fe总析出量。然后，将铝合金箔的Si成分分析值减去Si总析出量得到的值作为Si固溶量。并且，将铝合金箔的Fe成分分析值减去Fe总析出量的值作为Fe固溶量。

[0036] 在上述铝合金箔中，抗拉强度为220MPa以上。若抗拉强度不足220MPa则无法达到本申请所说的高强度。抗拉强度优选为223Mpa以上，更优选为225Mpa以上，进一步优选为230Mpa以上。并且，可考虑与比电阻的平衡决定抗拉强度的上限得到最适范围。例如，抗拉强度可控制在340Mpa以下。并且，抗拉强度是依据JIS(日本工业标准)Z2241测量的数值。

[0037] 在上述铝合金箔中，比电阻为0.45μΩ·cm以上0.7μΩ·cm以下。并且，上述比电阻是在液氮中测定的数值。在液氮中测定比电阻是为了消除测定环境温度的影响。

[0038] 比电阻与合金成分的Si，Fe的固溶量相关。比电阻在上述范围内的情况下，能够既不较大地损失导电性，又能实现高强度化。若比电阻不足0.45μΩ·cm，则在制造箔时难以加工硬化，并且难以使抗拉强度达到220MPa以上。比电阻可优选为0.50μΩ·cm以上，更优选为0.55μΩ·cm以上。另一方面，若比电阻变高，则在制造箔时易于加工硬化，并且易于实现高强度化。但是，可观察到导电性下降的倾向。因此，可使比电阻为0.7μΩ·cm左右，即被认为是强度比较高的铝合金箔的3003系铝合金箔的比电阻的约60％。比电阻可优选为0.69μΩ·cm以下，可更优选为0.68μΩ·cm以下。并且，可依据JIS H0505，通过双臂电桥法来测量比电阻。

[0039] 上述铝合金箔，可作为蓄电装置电极的集电体使用。在这种情况下，作为集电体的铝合金箔表面上附着有电极活性物质。具体来说，在这种情况下，在铝合金箔的表面上，涂覆有含有电极活性物质的层，在干燥后通过轧制等施加压缩力。即使在这种情况下，上述铝合金箔也难以因压缩力而产生不必要的塑性变形，因此电极活性物质难以剥离，而且，可以确保良好的导电性。并且，由于上述铝合金箔的箔强度优异，因此还易于应对箔的薄壁化要求，因此，在这种情况下，可有利于锂离子电池等的蓄电装置的高密度化、高能量化。

[0040] 上述铝合金箔，例如可按照以下叙述制造。即，可通过对由上述特定的化学成分形成的铝合金铸块进行热轧制后，进行包含箔轧制的冷轧制，从而得到上述铝合金箔。

[0041] 此时，不对铝合金铸块进行超过350℃的高温下的均质化处理而进行热轧制即可。热轧制从加热到350℃以下的温度后开始，使热轧制开始时、热轧制中途以及热轧制结束时温度都为350℃以下。到达热轧制的开始温度后的保持时间，从易于抑制Al-Fe-Si系化合物的析出等的观点出发，可设为12个小时以内。此外，热轧制可进行一次，也可在粗轧制后进行精轧制，分成数次进行。

[0042] 另外，冷轧制不在中途进行退火，并使箔厚度在20μm以下。若进行中途退火，会促进Al-Fe-Si系化合物的析出，降低冷轧制时的加工硬化性并且导致箔强度的降低。此外，根据与中途退火同样的理由，优选地也不进行冷轧制结束后的最终退火。从实现抗拉强度在220MPa以上的高强度化观点出发，在包含箔轧制的冷轧制中最终轧制率可优选为95％以上，更优选为96％以上，进一步优选为97％以上。最终轧制率是由100×(冷轧制前的热轧制板的板厚度－最终冷轧制后的铝合金箔的箔厚度)/(冷轧制前的热轧制板的板厚度)计算出的值。

[0043] 实施例

[0044] 以下对实施例所涉及的铝合金箔进行说明。

[0045] 实施例1

[0046] 通过使用半连续铸造法对表1中所示的化学成分的铝合金进行铸块并切削，从而准备好铝合金铸块。另外，在表1所示的化学成分的铝合金中，合金A～H为适于实施例的化学成分的铝合金，合金I～O是作为比较例的化学成分的铝合金。

[0047] 表1

[0048]

[0049] 对上述准备好的铝合金铸块，不进行均质化处理而进行热轧制，得到厚度为2mm的热轧制板。此时，热轧制为连续进行的粗轧制和精轧制。并且，在上述热轧制中，通过将供粗轧制之前的铝合金铸块，以330℃加热并保持6小时，从而使粗轧制的开始温度(热轧制的开始温度)为330℃。并且，使粗轧制的结束温度(热轧制的中途温度)为310℃，精轧制的结束温度(热轧制的结束温度)为270℃。在这样的本例中，不仅是上述热轧制的开始温度以及结束温度，而且热轧制的中途温度即粗轧制的结束温度，也就是精轧制的开始温度也为330℃以下。

[0050] 接着，降回室温后，不在中途进行退火而反复进行包含箔轧制的冷轧制，得到箔厚度为12μm的铝合金箔。并且，在上述冷轧制中的最终轧制率为，100×(冷轧制前的热轧制板的板厚度2000μm－最终的冷轧制后的铝合金箔的箔厚度12μm)/(冷轧制前的热轧制板的板厚度2000μm)＝99.4％。

[0051] 接着，将得到的铝合金箔作为试验材料，测定其抗拉强度、屈服强度以及延伸率、比电阻(电阻率)、Si固溶量及Fe固溶量。具体来说，抗拉强度、屈服强度以及延伸率依据JIS Z2241，从试验材料中选取JIS5号试片在n＝2下进行测定。比电阻依据JIS H0505，采用双臂电桥法进行测定。另外，为了消除环境温度的影响，比电阻的测定在液氮中进行。

[0052] Si固溶量以及Fe固溶量的测定，按照以下步骤进行。参照图1进行说明。在图1中，记载了由通过热苯酚溶解提取法得到的残渣以及通过盐酸溶解提取法得到的残渣，分析出在铝合金箔中Si总析出量、Fe的总析出量的方法。并且，Si析出量、Fe析出量的分析方法可参考学术文献“佐藤，泉：轻金属学会第68届春季大会演讲概要，(1985)，55”、学术文献“村松，松尾，小松等：轻金属学会第76届春季大会演讲概要，(1989)，51.”。

[0053] 首先，进行关于热苯酚溶解提取法的说明。从铝合金箔中选取2g的试片(S10)。并且，试片为从铝合金箔中切出的小片，合计称量2g。接着，将加入50ml苯酚的烧杯放置在加热板上，以170℃～180℃加热苯酚后，投入试片使其溶解(S11)。接着，将加入上述溶液的烧杯从加热板上拿下并冷却(S12)。接着，为了防止固化，在上述冷却的溶液中添加苯甲醇(S13)。接着，将上述添加了苯甲醇的溶液通过聚四氟乙烯制的膜过滤器(孔径0.1μm)过滤(S14)，得到作为残渣的Al-Fe系化合物、Al-Fe-Si系化合物(S15)。接着，用10％-NaOH溶液将Si从该通过热苯酚溶解提取法得到的残渣中溶解后，再用王水(体积比为浓盐酸：浓硝酸＝3:1)将Fe溶解，得到含有溶解的Si、Fe的混合液。接着，通过电感耦合等离子体发射光谱分析法(ICP)进行定量分析(S16)。由此，求出得到作为Al-Fe系化合物、Al-Fe-Si系化合物析出的Si析出量、Fe析出量。

[0054] 接着，进行关于盐酸溶解提取法的说明。从铝合金箔中选取2g的试片(S20)。并且，试片按照与上述同样的方式选取。接着，在加入120mLHCl(体积比为浓盐酸：水＝1：1)的烧杯中投入试片并在室温下溶解，再加入2～3滴过氧化氢H2O2(S21)。接着，将上述溶液通过聚四氟乙烯制的膜过滤器(孔径0.1μm)过滤(S24)，得到作为残渣的Si单相粒子(S25)。接着，将该通过盐酸溶解提取法得到的残渣用10％-NaOH溶液溶解后，与上述王水混合，酸化至pH1～2。接着，通过电感耦合等离子体发射光谱分析法(ICP)对该溶液进行定量分析(S26)。由此，求出作为Si单相粒子析出的Si析出量。

[0055] 接着，将通过上述热苯酚溶解提取法得到的Si析出量和通过盐酸溶解提取法得到的Si析出量之和作为Si总析出量。并且，将通过上述热苯酚溶解提取法得到的Fe析出量作为Fe总析出量。然后，将铝合金箔的Si成分分析值减去Si总析出量得到的值作为Si固溶量。并且，将铝合金箔的Fe成分分析值减去Fe总析出量得到的值作为Fe固溶量。

[0056] 此外，为了调查箔轧制状况，从试验材料的背面进行照明，通过有无漏光对针孔的产生状况也一并进行调查。以上的结果如表2所示。

[0057] 表2

[0058]

[0059] 如这些结果所示，试验材料C1由于使用了Si+Fe含量为0.47％的合金I，抗拉强度低至不足220MPa。

[0060] 试验材料C2使用了Si含量不足0.1％，Fe含量不足0.2％的合金J，且Si固溶量不足700质量ppm，Fe固溶量不足150质量ppm。因此，试验材料C2，抗拉强度低至不足220MPa。

[0061] 试验材料C3由于使用了Si含量超过0.6％的合金K，形成了粗大的Si单相粒子，由此产生了针孔。

[0062] 试验材料C4使用了Fe含量不足0.2％的合金L，且Fe固溶量不足150质量ppm。因此，试验材料C3，抗拉强度低至不足220MPa。

[0063] 试验材料C5由于使用了Fe含量超过1.5％的合金M，形成了粗大的Al-Fe系粒子，由此产生了针孔。

[0064] 与此相对地，试验材料E1～E8，均由含有上述特定化学成分的合金A～H形成，箔厚度为20μm以下，Si的固溶量为700质量ppm以上，Fe的固溶量为150质量ppm以上，抗拉强度为220MPa以上。而且，试验材料E1～E8，在液氮中测定的比电阻均为0.45μΩ·cm以上0.7μΩ·cm以下。从结果可知，试验材料E1～E8不仅实现了抗拉强度在220MPa以上的高强度化，导电性也没有很大下降。

[0065] 由此，根据本例，可提供一种铝合金箔，该铝合金箔既没有较大地损失导电性，又能实现高强度化。并且，上述的铝合金箔，由于即使实现薄壁化后也具有高强度，从而可以避免针孔、箔开裂等问题。

[0066] 实施例2

[0067] 通过使用半连续铸造法对表1所示的化学成分的铝合金A进行铸块并切削，从而准备好铝合金铸块。并且，通过使用半连续铸造法对表1所示的以往的合金之1050合金(合金N)，3003合金(合金O)进行铸块并切削，从而一并准备好作为比较的铝合金铸块。

[0068] 使用上述准备好的铝合金铸块，以表3所示的制造条件制造出箔厚度为12μm的铝合金箔。并且，在表3中的冷轧制，自降至室温后开始。对得到的铝合金箔，与实施例1同样地，测定其抗拉强度、屈服强度以及延伸率、比电阻(电阻率)、Si固溶量以及Fe固溶量，并调查箔轧制状况(有无产生发生针孔)。其结果如表4所示中。

[0069] 表3

[0070]

[0071] 表4

[0072]

[0073] 如表4所示，由于试验材料C6～C8，在热轧制时热轧制的开始温度超过350℃，促进了Al-Fe-Si系化合物的形成，使Si固溶量不足700质量ppm，Fe固溶量不足150质量ppm，抗拉强度低至不足220MPa。

[0074] 试验材料C9是在热轧制开始前以520℃进行均质化处理制成的。因此，试验材料C9促进了Al-Fe-Si系化合物的形成，使Si固溶量不足700质量ppm，Fe固溶量不足150质量ppm，抗拉强度低至不足220MPa。

[0075] 试验材料C10，其热轧制的开始温度为340℃。但是，在冷轧制的途中，在板厚度为1mm时以380℃进行中途退火而制成。因此，试验材料C10促进了Al-Fe-Si系化合物的形成，使Si固溶量不足700质量ppm，Fe固溶量不足150质量ppm，抗拉强度低至不足220MPa。

[0076] 试验材料C11、C12是使用以往合金之1050合金(合金N)，3003合金(合金O)，并进一步在热轧制开始前以超过350℃的520℃的高温下进行均质化处理制成的。由于试验材料C11的化学成分与以往合金之1050合金(合金N)相同，其抗拉强度低至不足220MPa。由于试验材料C12的化学成分与以往合金之3003合金(合金O)相同，其比电阻高达1.2μΩ·cm以上，导电性较差。

[0077] 与此相对地，试验材料E9，E10，均由含有上述特定的化学成分的合金A形成，箔厚度为20μm以下，Si的固溶量为700质量ppm以上，Fe的固溶量为150ppm质量以上，抗拉强度为220MPa以上。并且，试验材料E9，E10，在液氮中测定的比电阻均为0.45μΩ·cm以上0.7μΩ·cm以下。从结果可知，试验材料E9，E10不仅实现了抗拉强度在220MPa以上的高强度化，导电性也没有很大下降。

[0078] 因此，根据本例，可提供一种铝合金箔，该铝合金箔既没有较大地损失导电性，又能实现高强度化。

[0079] 虽然以上对实施例进行了说明，但是本发明并不限定于上述实施例，在不损害本发明的主旨的范围内可进行各种变形。