半导体发光元件及其制作方法

摘要

一种半导体发光元件的制作方法及半导体发光元件。该方法包含：提供第一基板(20)；提供半导体外延叠层(110)；提供第一粘着层(135)连接第一基板(20)及半导体外延叠层(110)；图案化半导体外延叠层(110)为多个外延单元并使彼此自第一基板(20)上分离；提供第二基板(30)，具有一表面；转移上述多个第二外延单元至第二基板(30)的表面上；切割第一基板(20)以形成多个第一半导体发光元件以及切割第二基板(30)以形成多个第二半导体发光元件。多个外延单元包含多个第一外延单元(201)和多个第二外延单元(202)。每一第一外延单元(201)具有第一几何形状及第一面积，每一第二外延单元(202)具有第二几何形状及第二面积。第一几何形状与第二几何形状不相同或第一面积与第二面积不相同。

权利要求

1.一种半导体发光元件的制作方法，包含：

提供第一基板；

提供一半导体外延叠层；

以一第一粘着层粘接该第一基板及该半导体外延叠层；

形成一图案化牺牲层于该第一粘着层与该第一基板之间；

图案化该半导体外延层叠层为多个外延单元，其中该多个外延单元包含：多个第一外延单元，其中每一该第一外延单元具有第一几何形状及第一面积；以及多个第二外延单元，其中每一该第二外延单元具有第二几何形状及第二面积；

提供第二基板，具有一表面；

转移该些第二外延单元至该第二基板的该表面上；以及切割该第一基板以形成多个第一半导体发光元件，其中每一个该第一半导体发光元件包含至少一该第一外延单元；

其中，该第一几何形状与该第二几何形状不相同或该第一面积与该第二面积不相同。

2.如权利要求1所述的制作方法，其中转移该些第二外延单元至该第二基板上的步骤更包含：使该些第二外延单元自该第一基板上分离；以及粘接该些第二外延单元至该第二基板上。

3.如权利要求1所述的制作方法，其中转移该些第二外延单元至该第二基板上的步骤更包含：在该些第二外延单元接着至该第二基板上之后，移除在该些第二外延单元上的该第一粘着层。

4.如权利要求3所述的制作方法，更包含形成一第二粘着层于该第二基板的部分表面上，其中该部分表面对应于该些第二外延单元的位置。

5.如权利要求1所述的制作方法，其中该第一几何形状及/或该第二几何形状为正方形、长方形、或十字形。

6.如权利要求1所述的制作方法，其中每一该第一半导体发光元件包含只有一个该第一外延单元以及第一基板单元用以承载该第一外延单元。

7.如权利要求1所述的制作方法，其中更包含切割该第二基板以形成多个第二半导体发光元件，其中每一个该第二半导体发光元件包含至少一该第二外延单元。

8.如权利要求7所述的制作方法，其中更包含分割每一该些第二外延单元为多个第三外延单元，以及分割该第二基板为多个第二基板单元，其中每一该第二半导体发光元件包含多个该第三外延单元以及一该第二基板单元用以承载该些第三外延单元。

9.如权利要求7所述的制作方法，其中每一该第二半导体发光元件包含至少两个该第二外延单元以及一切割自该第二基板的第二基板单元用以承载该些第二外延单元。

10.如权利要求8所述的制作方法，更包含形成至少一导电连结结构以串联或并联该些第三外延单元。

11.如权利要求1所述的制作方法，其中该些第二外延单元呈U型的排列。

12.如权利要求1所述的制作方法，其中

该图案化牺牲层对应于该第二外延单元的位置。

13.如权利要求1所述的制作方法，更包含移除该些图案化牺牲层。

14.如权利要求8所述的制作方法，更包含形成第一衬垫与第二衬垫于该第二基板上，该第一衬垫及该第二衬垫电性连接该至少一第三外延单元。

15.如权利要求14所述的制作方法，其中该第一衬垫与该第二衬垫形成在该至少一第三外延单元区域以外的该第二基板上。

说明书

半导体发光元件及其制作方法

技术领域

[0001] 本发明涉及一种半导体发光元件的制作方法，尤其涉及一种在单一基板上形成两种不同半导体外延叠层的半导体发光元件的制作方法。

背景技术

[0002] 随着科技日新月异，半导体发光元件在信息的传输以及能量的转换上有极大的贡献。以系统的运用为例，例如光纤通讯、光学储存及军事系统等，半导体发光元件皆能有所发挥。以能量的转换方式进行区分，半导体发光元件一般可分为三类：将电能转换为光的放射，如发光二极管及激光二极管；将光的信号转换为电的信号，如光检测器；将光的辐射能转换为电能，如太阳能电池。

[0003] 在半导体发光元件之中，成长基板扮演着非常重要的角色。形成半导体发光元件所必要的半导体外延结构皆成长于基板之上，并通过基板得到支持。因此，选择一个适合的成长基板，往往成为决定半导体发光元件中元件成长品质的重要因素。

[0004] 然而，有时一个好的元件成长基板并不一定是一个好的元件承载基板。以发光二极管为例，在已知的红光元件工艺中，为了提升元件的成长品质，会选择晶格常数与半导体外延结构较为接近但不透明的砷化镓(GaAs)基板作为成长基板。然而，对于以发光为操作目的的发光二极管元件而言，在操作过程之中，不透明的成长基板会造成元件的发光效率下降。

[0005] 为了满足半导体发光元件对于成长基板与承载基板不同需求条件的要求，基板的转移技术于是因应而生。亦即，半导体外延结构先在成长基板上进行成长，再将成长完成的半导体外延结构转移至承载基板，以方便后续的元件操作进行。在半导体外延结构与承载基板结合之后，原有成长基板的移除则成为转移技术的关键之一。

[0006] 成长基板的移除方式主要包括将原有的成长基板以蚀刻液蚀刻溶解，以物理方式切割磨除，或事先在成长基板与半导体外延结构之间生成牺牲层，再通过蚀刻去除牺牲层的方式将成长基板与半导体分离等。然而，不论是以蚀刻液溶解基板或是以物理性切割方式磨除基板，对原有的成长基板而言，都是一种破坏。成长基板无法再度利用，在强调环保及节能的现代，无疑是一种材料的浪费。然而，若是使用牺牲层结构进行分离，对于半导体发光元件而言，如何进行有效地选择性转移，则是目前研究的方向之一。

发明内容

[0007] 本发明提供一种半导体发光元件的制作方法，包含提供第一基板、提供半导体外延叠层、提供第一粘着层连接第一基板及半导体外延叠层、图案化半导体外延叠层为多个外延单元并使彼此自第一基板上分离，其中上述多个外延单元包含多个第一外延单元，其中每一第一外延单元具有第一几何形状及第一面积、多个第二外延单元，其中每一第二外延单元具有第二几何形状及第二面积、提供一第二基板，具有一表面、转移上述多个第二外延单元至第二基板的表面上、切割第一基板以形成多个第一半导体发光元件，其中每一个第一半导体发光元件包含至少一第一外延单元、以及切割第二基板以形成多个第二半导体发光元件，其中每一个第二半导体发光元件包含至少一第二外延单元、其中，第一几何形状与第二几何形状不相同或第一面积与第二面积不相同。

[0008] 本发明另外提供一种半导体发光元件，包含基板、半导体外延叠层位于基板上、自垂直基板观之，基板未被半导体外延叠层覆盖的部分大致被半导体外延叠层隔开为多个区域、以及第一电极，与半导体外延叠层电性连接。

附图说明

[0009] 图1A为侧视结构图，显示依据本发明第一实施例中半导体发光元件第一制作步骤的侧视结构图；

[0010] 图1B为侧视结构图，显示依据本发明第一实施例中半导体发光元件第二制作步骤的侧视结构图；

[0011] 图1C为侧视结构图，显示依据本发明第一实施例中半导体发光元件第三制作步骤的侧视结构图；

[0012] 图1D为侧视结构图，显示依据本发明第一实施例中半导体发光元件第四制作步骤的侧视结构图；

[0013] 图1E为侧视结构图，显示依据本发明第一实施例中半导体发光元件第五制作步骤的侧视结构图；

[0014] 图1F为侧视结构图，显示依据本发明第一实施例中半导体发光元件第六制作步骤的侧视结构图；

[0015] 图1G为侧视结构图，显示依据本发明第一实施例中半导体发光元件第七制作步骤的侧视结构图一；

[0016] 图1H为侧视结构图，显示依据本发明第一实施例中半导体发光元件第七制作步骤的侧视结构图二；

[0017] 图2A为侧视结构图，显示依据本发明第二实施例中半导体发光元件第一制作步骤的侧视结构图；

[0018] 图2B为侧视结构图，显示依据本发明第二实施例中半导体发光元件第二制作步骤的侧视结构图；

[0019] 图2C为侧视结构图，显示依据本发明第二实施例中半导体发光元件第三制作步骤的侧视结构图；

[0020] 图2D为侧视结构图，显示依据本发明第二实施例中半导体发光元件第四制作步骤的侧视结构图；

[0021] 图2E为侧视结构图，显示依据本发明第二实施例中半导体发光元件第五制作步骤的侧视结构图；

[0022] 图2F为侧视结构图，显示依据本发明第二实施例中半导体发光元件第六制作步骤的侧视结构图；

[0023] 图2G为侧视结构图，显示依据本发明第二实施例中半导体发光元件第七制作步骤的侧视结构图一；

[0024] 图2H为侧视结构图，显示依据本发明第二实施例中半导体发光元件第七制作步骤的侧视结构图二；

[0025] 图3A为上视结构图，显示对应本发明第一实施例中半导体发光元件第七制作步骤的上视结构图一；

[0026] 图3B为侧视结构图，显示对应本发明第一实施例第八制作步骤中第一半导体发光元件的侧视结构图；

[0027] 图3C为上视结构图，显示对应本发明第一实施例第八制作步骤中第一半导体发光元件的上视结构图；

[0028] 图4A为上视结构图，显示对应本发明第一实施例中半导体发光元件第七制作步骤的上视结构图二；

[0029] 图4B为侧视结构图，显示对应本发明第一实施例第八制作步骤中第二半导体发光元件的侧视结构图；

[0030] 图4C为上视结构图，显示对应本发明第一实施例第八制作步骤中第二半导体发光元件的上视结构图；

[0031] 图5A为上视结构图，显示对应本发明第一实施例高压式单晶片发光二极管元件第二制作步骤的上视结构图；

[0032] 图5B为侧视结构图，显示对应本发明第一实施例高压式单晶片发光二极管元件第二制作步骤的侧视结构图；

[0033] 图6A为侧视结构图，显示对应本发明第三实施例封装形式半导体发光元件第一制作步骤的侧视结构图；

[0034] 图6B为侧视结构图，显示对应本发明第三实施例封装形式半导体发光元件第二制作步骤的侧视结构图；

[0035] 图6C为侧视结构图，显示对应本发明第三实施例封装形式半导体发光元件第三制作步骤的侧视结构图；

[0036] 图6D为侧视结构图，显示对应本发明第三实施例封装形式半导体发光元件第四制作步骤的侧视结构图；

[0037] 图6E为侧视结构图，显示对应本发明第三实施例封装形式半导体发光元件第五制作步骤的侧视结构图；

[0038] 图7为上视结构图，显示对应本发明第一实施例中半导体发光元件第六制作步骤的上视结构图；

[0039] 图8为上视结构图，显示对应本发明第三实施例封装形式半导体发光元件第五制作步骤的上视结构图；

[0040] 图9为上视结构图，显示对应本发明第四实施例中半导体发光元件第一制作步骤的上视结构图；

[0041] 图10A为斜侧视结构图，显示对应本发明第四实施例中半导体发光元件第二制作步骤的斜侧视结构图；

[0042] 图10B为斜侧视结构图，显示对应本发明第四实施例中半导体发光元件第二制作步骤的斜侧视结构图；

[0043] 图11A为侧视结构图，显示对应本发明第五实施例中半导体发光元件第一制作步骤的侧视结构图；

[0044] 图11B为侧视结构图，显示对应本发明第五实施例中半导体发光元件第二制作步骤的侧视结构图；

[0045] 图11C为侧视结构图，显示对应本发明第五实施例中半导体发光元件第三制作步骤的侧视结构图；

[0046] 图11D为侧视结构图，显示对应本发明第五实施例中半导体发光元件第四制作步骤的侧视结构图；

[0047] 图11E为侧视结构图，显示对应本发明第五实施例中半导体发光元件第五制作步骤的侧视结构图；

[0048] 图12A为侧视结构图，显示已知倒装片式发光二极管元件的侧视结构图；

[0049] 图12B为侧视结构图，显示依据本发明第一实施例倒装片式发光二极管元件的侧视结构图；

[0050] 图13为斜侧视结构图，显示对应本发明第四实施例中半导体发光元件第一制作步骤的斜侧视结构图；

[0051] 图14A为上视结构图，显示对应本发明第四实施例制成的一种半导体发光元件的上视结构图；

[0052] 图14B为斜侧视结构图，显示对应本发明第四实施例制成的一种半导体发光元件的斜侧视结构图；

[0053] 图14C为上视结构图，显示对应本发明第四实施例制成的另一种半导体发光元件的上视结构图；

[0054] 图14D为斜侧视结构图，显示对应本发明第四实施例制成的另一种半导体发光元件的斜侧视结构图。

[0055] 附图标记说明

[0056] 基板50；

[0057] 成长基板10，210，510；

[0058] n型半导体层112，2112，5112；

[0059] 有源层114，2114，5114；

[0060] p型半导体层116，2116，5116；

[0061] 半导体外延叠层110，2110，5110；

[0062] p型电极120a，120b，2120a，2120b，5120b；

[0063] 第一承载基板20，220，520，60；

[0064] 第一粘着层135，2135，5130；

[0065] n型电极130a，130b，2130a，2130b，130b’，5120a；

[0066] 金属氧化物透明导电层140，2140；

[0067] 反射层150，2150；

[0068] 第一外延单元201，2201，501；

[0069] 第二外延单元202，2202，502，501’；

[0070] 第二粘着层230，2230，5230；

[0071] 透明金属氧化物导电层5280；

[0072] 第二承载基板30，530；

[0073] 半导体发光元件200，300，400，500，600；

[0074] 图案化牺牲层2123；

[0075] p型延伸电极130a’，5120b’；

[0076] n型延伸电极130a”；

[0077] 导电通孔134；

[0078] 绝缘层132，232；

[0079] 第三外延单元202’；

[0080] 金属导电连结结构125；

[0081] p型电极衬垫120b’，1310；

[0082] n型电极衬垫120b”，1320；

[0083] 第一透明结构40；

[0084] 绝缘散射层410；

[0085] 开口411，412；

[0086] 第二承载基板单元530’；

[0087] 十字形外延单元501′；

[0088] 焊锡260，560；

[0089] 次载体50’，20’；

[0090] 发光装置5000，2000；

[0091] 对称面A’，B’；

[0092] 方向D。

具体实施方式

[0093] 以下配合图式说明本发明的实施例。首先，图1A至图1H所示为本发明实施例的半导体发光元件的一种制作方法。

[0094] 首先，参考图1A，以传统的外延成长工艺，在成长基板10上依序形成n型半导体层112，有源层114，以及p型半导体层116等半导体外延叠层110。在本实施例中，成长基板10的材质为砷化镓(GaAs)。当然，除了砷化镓(GaAs)基板之外，成长基板10的材质亦可包含但不限于锗(germanium，Ge)、磷化铟(indium phosphide，InP)、蓝宝石(sapphire，Al2O3)、碳化硅(silicon carbide，SiC)、硅(silicon，Si)、铝酸锂(lithium aluminum oxide，LiAlO2)、氧化锌(zinc oxide，ZnO)、氮化镓(gallium nitride，GaN)、氮化铝(aluminum nitride，AlN)。在本实施例中，n型半导体层112的材质例如为磷化铝镓铟(AlGaInP)，除了磷化铝镓铟之外，n型半导体层112的材质可不限于此；p型半导体层116的材质例如为磷化镓(GaP)，除了磷化镓之外，p型半导体层116的材质可不限于此；有源层114常用的材料为磷化铝镓铟(aluminum gallium indium phosphide，AlGaInP)系列、氮化铝镓铟(aluminum gallium indium nitride，AlGaInN)系列、氧化锌系列(zinc oxide，ZnO)，其结构可为单异质结构(single heterostructure，SH)，双异质结构(double heterostructure，DH)，双侧双异质结(double-side double heterostructure，DDH)，多层量子阱(multi-quantum well，MWQ)。具体来说，有源层114可为中性、p型或n型电性的半导体。施以电流通过半导体外延叠层110时，有源层114会发光。当有源层114以磷化铝铟镓(AlGaInP)为基础的材料时，会发出红、橙、黄光的琥珀色系的光；当以氮化铝镓铟(AlGaInN)为基础的材料时，会发出蓝或绿光。除此之外，半导体外延叠层110中更可以依不同功能再包含其他半导体层。

[0095] 接着，参照图1B，以黄光光刻工艺技术在p型半导体层116上以溅镀(sputtering)、热蒸镀(thermal deposition)、或电镀(electroplating)等方式形成图案化的p型电极120a与120b。其中，p型电极120a与120b的材质较佳例如可以是金属，例如金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铬(Cr)、铝(Al)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)、锡(Sn)等，其合金或其叠层组合。p型电极
120a与120b形成后，准备第一承载基板20，在第一承载基板20上以涂布(spin coating)或沉积(deposition)的方式形成第一粘着层135，通过第一粘着层135将半导体外延叠层110粘着至第一承载基板20上。接着，再通过湿蚀刻或激光举离(laser lift-off)的方式去除成长基板10。第一承载基板20并不限定为单一材料，亦可以是由不同材料组合而成的复合式基板。例如：第一承载基板20可以包含两个相互接合的第一基板与第二基板(图未示)。本实施例中，第一承载基板20的材质为蓝宝石(sapphire，Al2O3)。然而，第一承载基板20的材质亦可以包含但不限于铝酸锂(lithium aluminum oxide，LiAlO2)、氧化锌(zinc oxide，ZnO)、磷化镓(gallium nitride，GaP)、玻璃(Glass)、有机高分子板材、氮化铝(aluminum nitride，AlN)。将半导体外延叠层110转移至第一承载基板20后，形成如图1C所示的转移结构。其中，如图1C中所示，为增加后续通过此半导体外延叠层110制成的半导体发光元件的出光效率，p型半导体层116部分表面依需求可以利用例如干蚀刻或湿蚀刻的方式进行粗化。

[0096] 半导体外延叠层110转移至第一承载基板20后，同样的，可以在裸露的n型半导体层112表面以黄光光刻工艺技术例如溅镀(sputtering)、热蒸镀(thermal deposition)、或电镀(electroplating)等方式形成图案化n型电极130a与130b，如图1D所示。其中，n型电极130a与130b的材质较佳例如可以是金属，例如金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铬(Cr)、铝(Al)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)、锡(Sn)等，其合金或其叠层组合。

[0097] 如图1E所示，为了后续不同半导体发光元件的制作，n型电极130a与130b表面后续的工艺步骤可以相同或是不相同。本实施例中，在半导体外延叠层110表面的位置上，以化学气相沉积方式(CVD)、物理气相沉积方式(PVD)等技术沉积形成金属氧化物透明导电层140。接着，再于金属氧化物透明导电层140部分表面形成反射层150。其中，金属氧化物透明导电层140的材质例如是氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟(InO)、氧化锡(SnO)、氧化锡氟(FTO)、锑锡氧化物(ATO)、镉锡氧化物(CTO)、氧化锌铝(AZO)、掺镉氧化锌(GZO)等材料或其组合；反射层150的材质例如是金属，包含金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铬(Cr)、铝(Al)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)、锡(Sn)、铍(Be)等，其合金或其叠层组合；或者是分布式布拉格反射层(Distributed Bragg Reflector)，包含选自氧化铝(Al2O3)、二氧化硅(SiO2)、二氧化钛(TiO2)、氮化铝(AlN)等化合物的叠层组合。接着，移除多余的金属氧化物透明导电层140，使金属氧化物透明导电层140包覆n型电极130a。

[0098] 为了达到半导体叠层完全电性分离的效果，在本实施例中，在转移半导体外延叠层前，先通过干蚀刻方式将第一外延单元201与第二外延单元202自第一承载基板20以上彼此完全分离，其侧视图如图1F所示。

[0099] 具体而言，例如以反应性离子蚀刻(Reactive Ion Etching，RIE)、诱导式耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma，ICP)、等离子体蚀刻(Plasma Etching，PE)等干蚀刻方式，通过图案化光阻层(图未示)以垂直于第一承载基板20表面方向自n型半导体层112将半导体外延叠层110分隔为两个不同的第一外延单元与第二外延单元。本实施例中，第一承载基板20上包含两种不同表面积与几何形状的第一外延单元201与第二外延单元202，其中第一外延单元201如图1G所示具有p型电极120a与n型电极130a，第二外延单元202如图1H所示具有p型电极120b与n型电极130b。

[0100] 此外，自图7所示的上视图观之，第二外延单元202大致围绕第一外延单元201。其中，再如图1F所示，为增加半导体发光元件的出光效率，可以将第一外延单元201及/或第二外延单元202的n型半导体层112部分表面依需求利用例如干蚀刻或湿蚀刻的方式进行粗化；后续，通过光罩图案(例如为图案化光阻，图未示)，在第一承载基板20上相对应于未来要进行二次转移部分，即相对应第二外延单元202的位置的n型半导体层112表面以涂布(spin coating)或沉积(deposition)的方式形成图案化第二粘着层230。

[0101] 再准备第二承载基板30。以加热及/或加压的方式将第二外延单元202通过图案化第二粘着层230粘着于第二承载基板30之上。接着，以激光自第一承载基板20方向照射致能并溶解存在于第一承载基板20与p型半导体层116之间的第一粘着层135后，转移第二外延单元202的部分至第二承载基板30上。将第二外延单元202粘着至第二承载基板30上后，再以干蚀刻或湿蚀刻方式清除残余在第二承载基板30上第二外延单元202表面的第一粘着层135，如图1G与图1H所示，以形成第一承载基板20与第一外延单元201以及第二承载基板30与第二外延单元202(其上视图分别如图3A及图4A所示)。在本实施例中，如图4A的上视图所示，第二外延单元202呈U型的排列。其中，第一承载基板20与第一外延单元201后续将再形成半导体发光元件200，而第二承载基板30与第二外延单元202后续则将再形成半导体发光元件300(其上视图分别如图3C及图4C所示)。

[0102] 在本实施例中，如上所述，分离第二外延单元202与第一承载基板20的方式例如是以激光照射溶解第一粘着层135的方式。除此之外，也可以选择性地使用与第一承载基板20粘着力较低的材质作为第一粘着层135(例如为二氧化硅(SiO2))。后续仅须通过在要进行二次转移的第二外延单元202表面部分位置设置图案化第二粘着层230，并选择性地将第二外延单元202粘着于第二承载基板30表面后，再以物理的机械力即可将第二外延单元202自第一承载基板20上分离。

[0103] 接着，图2A至图2H所示为依本发明另一实施例所示的半导体发光元件的制作方法。

[0104] 首先，参考图2A，以传统的外延成长工艺，在成长基板210上依序形成n型半导体层2112，有源层2114，以及p型半导体层2116等半导体外延叠层2110。在本实施例中，成长基板
210的材质为砷化镓(GaAs)。除了砷化镓(GaAs)基板之外，成长基板210的材质亦可包含但不限于锗(germanium，Ge)、磷化铟(indium phosphide，InP)、蓝宝石(sapphire，Al2O3)、碳化硅(silicon carbide，SiC)、硅(silicon，Si)、铝酸锂(lithium aluminum oxide，LiAlO2)、氧化锌(zinc oxide，ZnO)、氮化镓(gallium nitride，GaN)、氮化铝(aluminum nitride，AlN)。在本实施例中，n型半导体层2112的材质例如为磷化铝镓铟(AlGaInP)，除了磷化铝镓铟之外，n型半导体层2112的材质可不限于此；p型半导体层2116的材质例如为磷化镓(GaP)，除了磷化镓之外，p型半导体层2116的材质可不限于此；有源层2114的材质常用的材料为磷化铝镓铟(aluminum gallium indium phosphide，AlGaInP)系列、氮化铝镓铟(aluminum gallium indium nitride，AlGaInN)系列、氧化锌系列(zinc oxide，ZnO)，其结构可为单异质结构(single  heterostructure，SH)，双异质结构(double 
heterostructure，DH)，双侧双异质结(double-side double heterostructure，DDH)，多层量子阱(multi-quantum well，MWQ)。具体来说，有源层2114可为中性、p型或n型电性的半导体。施以电流通过半导体外延叠层2110时，有源层2114会发光。当有源层2114以磷化铝铟镓(AlGaInP)为基础的材料时，会发出红、橙、黄光的琥珀色系的光；当以氮化铝镓铟(AlGaInN)为基础的材料时，会发出蓝或绿光。除此之外，半导体外延叠层2110中更可以依不同功能包含其他半导体层。

[0105] 接着，参照图2B，以黄光光刻工艺技术在p型半导体层2116上以溅镀(sputtering)、热蒸镀(thermal deposition)、或电镀(electroplating)等方式形成图案化的p型电极2120a与2120b。其中，p型电极2120a与2120b的材质较佳例如可以是金属，例如金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铬(Cr)、铝(Al)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)、锡(Sn)等，其合金或其叠层组合。

[0106] p型电极2120a与2120b形成后，如图2C所示，准备第一承载基板220，在第一承载基板220的表面上以黄光光刻工艺技术形成一图案化牺牲层2123。图案化牺牲层2123配置的位置系对应于未来要再进行二次转移的第二外延单元的位置。接着，再以涂布(spin coating)或沉积(deposition)的方式形成第一粘着层2135。通过第一粘着层2135将半导体外延叠层2110粘着至第一承载基板220上。其中，工艺步骤可以是将第一粘着层2135涂布于第一承载基板220的表面上，并覆盖图案化牺牲层2123的上表面，也可以是将第一粘着层2135涂布在p型半导体层2116的表面上，并覆盖p型电极2120a与2120b的上表面。再以加热及/或加压的方式将半导体外延叠层2110与第一承载基板220相互接合。最后，再通过湿蚀刻或激光举离(laser lift-off)的方式去除成长基板210，便形成如图2C所示的半成品结构。

[0107] 其中，第一承载基板220并不限定为单一材料，亦可以是由不同材料组合而成的复合式基板。例如：第一承载基板220可以包含两个相互接合的第一基板与第二基板(图未示)。本实施例中，第一承载基板220的材质为蓝宝石(sapphire，Al2O3)。然而，第一承载基板220的材质亦可以包含但不限于铝酸锂(lithium aluminum oxide，LiAlO2)、氧化锌(zinc oxide，ZnO)、磷化镓(gallium nitride，GaP)、玻璃(Glass)、有机高分子板材、氮化铝(aluminum nitride，AlN)。如图2C中所示，为增加后续通过此半导体外延叠层2110制成的半导体发光元件的出光效率，p型半导体层2116部分表面依需求可以利用例如干蚀刻或湿蚀刻的方式进行粗化。

[0108] 半导体外延叠层2110转移至第一承载基板220后，同样的，可以在裸露的n型半导体层2112表面以黄光光刻工艺技术例如溅镀(sputtering)、热蒸镀(thermal deposition)、或电镀(electroplating)等方式形成图案化n型电极2130a与2130b，如图2D所示。其中，n型电极2130a与2130b的材质较佳例如可以是金属，例如金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铬(Cr)、铝(Al)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)、锡(Sn)等，其合金或其叠层组合。

[0109] 如图2E所示，为了后续不同半导体发光元件的制作，n型电极2130a与2130b表面后续的工艺步骤可以相同或是不相同。本实施例中，在半导体外延叠层2110表面的位置上，以化学气相沉积方式(CVD)、物理气相沉积方式(PVD)等技术于n型半导体层2112部分表面再沉积形成金属氧化物透明导电层2140或/及反射层2150。其中，金属氧化物透明导电层2140的材质例如是氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟(InO)、氧化锡(SnO)、氧化锡氟(FTO)、锑锡氧化物(ATO)、镉锡氧化物(CTO)、氧化锌铝(AZO)、掺镉氧化锌(GZO)等材料或其组合；反射层2150的材质例如包含金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铬(Cr)、铝(Al)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)、锡(Sn)、铍(Be)等，其合金或其层叠组合。

[0110] 为了进行后续半导体叠层的选择性分离，在本实施例中，在转移半导体外延叠层前，先通过干蚀刻方式将要相互分离的第一外延单元2201与第二外延单元2202自第一承载基板220以上彼此完全分离，包含分隔第一粘着层2135与图案化牺牲层2123，其侧视图如图2F所示。

[0111] 具体而言，可以反应性离子蚀刻(Reactive Ion Etching，RIE)、诱导式耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma，ICP)、等离子体蚀刻(Plasma Etching，PE)等干蚀刻方式，通过图案化光阻层(图未示)以垂直于第一承载基板220表面方向自n型半导体层2112将半导体外延叠层2110分隔为两个不同的第一外延单元2201与第二外延单元2202。本实施例中，第一承载基板220上包含两种不同表面积与几何形状的第一外延单元2201与第二外延单元2202，其中第一外延单元2201具有p型电极2120a与n型电极2130a，第二外延单元2202具有p型电极2120b与n型电极2130b。

[0112] 其中，如图2F所示，为增加半导体发光元件的出光效率，可以将第一外延单元2201及/或第二外延单元2202的n型半导体层2112部分表面依需求利用例如干蚀刻或湿蚀刻的方式进行粗化；后续，再通过光罩图案(例如为图案化光阻，图未示)，在第一承载基板220上半导体外延叠层于未来要进行二次转移的部分，即对应于具有图案化牺牲层2123的第二外延单元2202的n型半导体层2112表面位置设置图案化第二粘着层2230；当然，也可以是将图案化第二粘着层2230以涂布(spin coating)或沉积(deposition)的方式图案化地形成在后续要承载第二外延单元2202的第二承载基板230的部分表面上。

[0113] 在本实施例中，图案化第二粘着层2230的材质可以是有机材料，例如丙烯酸(Acrylic acid)、不饱和聚酯环氧树脂(Unsaturated polyester)、环氧树脂(Epoxy)、氧杂环丁烷(Oxetane)、乙烯醚(Vinyl ether)、尼龙(Nylon)、聚丙烯(PP)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚苯醚(PPO)、聚碳酸酯(PC)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS)、聚氯乙烯(PVC)等；可以是金属，例如钛(Ti)、金(Au)、铍(Be)、钨(W)、铝(Al)、锗(Ge)、铜(Cu)等或其组合；可以是金属氧化物，例如铟锡氧化物(ITO)、镉锡氧化物(CTO)、锑氧化锡、氧化铟锌、氧化锌铝、锌锡氧化物、氧化锌(ZnO)、氧化硅(SiOx)等；也可以是氮化物，例如氮化硅(SiNx)等。

[0114] 接着，准备第二承载基板230，如同与上述相似的方式，以加热及/或加压的方式将第二外延单元2202通过图案化第二粘着层2230设置于第二承载基板230之上。接着，再以干蚀刻、湿蚀刻、机械力分离、UV光照射、加热等方式移除图案化牺牲层2123或减少图案化牺牲层2123的粘着力后，将第二外延单元2202转移至第二承载基板230之上。

[0115] 最后，再以干蚀刻或湿蚀刻方式清除残余在第二承载基板230上第二外延单元2202表面的第一粘着层2135及/或图案化牺牲层2123后，如图2G与图2H所示，形成第一承载基板220与第一外延单元2201以及第二承载基板230与第二外延单元2202(其上视图分别如图3A及图4A所示)。其中，第一承载基板220与第一外延单元2201后续将再形成半导体发光元件200，而第二承载基板230与第二外延单元2202后续则将再形成半导体发光元件300(其上视图分别如图3C及图4C所示)。

[0116] 在本实施例中，图案化牺牲层2123的材质可以是金属，例如钛(Ti)、金(Au)、银(Ag)、钨(W)、铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、铂(Pt)等或其组合；可以是UV解离胶；也可以是介电材料，例如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)等。如上所述，后续可通过干蚀刻、湿蚀刻、UV光照射等方式移除图案化牺牲层2123或利用加热减少图案化牺牲层2123与第一承载基板220之间的粘着力，再利用机械力分离的方式将第二外延单元2202与第一承载基板220分离。

[0117] 在上述的实施例之中，半导体发光元件200例如为倒装片(Flip Chip)式发光二极管元件，其侧视图与上视图如图3B与图3C所示。如图3B所示，为了形成倒装片式发光二极管元件200的两个延伸电极130a’与130a”，以反应性离子蚀刻(Reactive Ion Etching，RIE)、诱导式耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma，ICP)、等离子体蚀刻(Plasma Etching，PE)等干蚀刻方式，通过光罩图案(例如为图案化光阻，图未示)，以垂直于第一承载基板20表面方向自n型半导体层112(2112)将半导体外延叠层110(2110)蚀刻出一导电通孔134贯通至p型电极120a(2120a)，在导电通孔134的侧壁以化学气相沉积方式(CVD)、物理气相沉积方式(PVD)等技术沉积形成绝缘层132以与半导体层形成电性绝缘后，在导电通孔134中形成金属导电结构，以形成延伸至n型半导体层112表面的p型延伸电极130a’，可与n型电极130a(2130a)上方同一步骤形成的n型延伸电极130a”组合构成倒装片式发光二极管元件200的两个延伸电极。当倒装片式发光二极管元件200以倒装片方式电性连结于外部电子元件(例如为印刷电路板)时，为了使整体结构间的连结具有较佳的信赖性与稳定性，较佳的情况下，可以通过结构设计，使位于第一外延单元201同一侧的n型延伸电极130a”的外表面a与p型延伸电极130a’的外表面b位于同一水平面高度上。

[0118] 在上述的实施例中，转移至第二承载基板30上形成的半导体发光元件300例如为高压(high voltage)式单晶片发光二极管元件，其侧视图与上视图如图4B与图4C所示。为了清楚表达高压(high voltage)式单晶片发光二极管元件300的制作过程，以下再分别以图4A、图5A、图5B、图4B及图4C描述其依序的工艺步骤及结构。

[0119] 首先，请先参照图4A，当第二外延单元202(2202)转移至第二承载基板30(230)后，由于p型电极120b(2120b)在形成半导体外延叠层110(2110)于成长基板10(210)后即直接制作于p型半导体层116(2116)上；而n型电极130b(2130b)在第一次基板转移后即直接制作于n型半导体层112(2112)上；因此，当第二外延单元202(2202)转移至第二承载基板30(230)，n型电极130b(2130b)会埋在n型半导体层112(2112)下面(此处以虚线表示)。此时，第二外延单元202(2202)表面具有p型电极120b(2120b)，而图案化第二粘着层230(2230)则覆盖第二外延单元202(2202)及p型电极120b(2120b)的表面。

[0120] 接着，如图5A所示，除去第二外延单元202(2202)及p型电极表面的图案化第二粘着层230(2230)后，再以反应性离子蚀刻(Reactive Ion Etching，RIE)、诱导式耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma，ICP)、等离子体蚀刻(Plasma Etching，PE)等干蚀刻方式将第二外延单元202(2202)分割为多个第三外延单元202’。此时，会裸露出部分第三外延单元202’下方的n型电极130b’(此处以斜线表示)。接着，再以图案化工艺在第三外延单元202’部分表面及相邻第三外延单元202’间的侧壁以化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)等技术沉积形成绝缘层232以与第三外延单元202’中其他电性半导体层形成电性绝缘。在本工艺步骤中，两个相邻第三外延单元202’间的侧视结构如图5B所示。在本实施例中，绝缘层232的材质为二氧化硅(SiO2)，除了二氧化硅之外，绝缘层232的材质可包含氮化硅(SiNx)、氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlNx)或其组合。

[0121] 接着，以黄光光刻蚀刻技术在相邻的第三外延单元202’间形成金属导电连结结构125，连结第三外延单元202’的n型电极130b’与相邻第三外延单元202’的p型电极120b，以形成电性串联的结构，便构成如第4B与图4C所示的高压(high voltage)式单晶片发光二极管元件300。在此元件结构中，p型电极120b(2120b)与n型电极130b’分别位于第三外延单元
202’的相反侧，而元件末端的两个第三外延单元202’的p型电极120b(2120b)与n型电极
130b’则分别外接形成p型p型电极衬垫102b’与n型电极衬垫120b”。其中，p型电极120b(2120b)、n型电极130b’、p型电极衬垫120b’与n型电极衬垫120b”可以是和导电连结结构
125在同一个步骤下一并形成。如图4C所示，为了增加发光二极管元件300的出光效率，本实施例中，p型电极衬垫120b’与n型电极衬垫120b”分别形成于第三外延单元202’之外的第二承载基板30(230)表面上，而不与第三外延单元202′表面相互重叠。

[0122] 在本领域具有通常知识者应当理解，除了电性串联的结构之外，相邻的第三外延单元202’间亦可形成电性并联的结构。而外延单元间电性连结的方式，除了通过形成于第三外延单元202’上的导电连结结构125之外，亦可事先在第二承载基板30(230)的表面上图案化形成导电连结结构，再以倒装片方式将各个第三外延单元202’接着于第二承载基板30(230)上，并与第二承载基板表面的图案化导电连结结构进行电性连结，亦可形成由多个第三外延单元202’间电性串联或并联所构成的发光二极管发光元件。

[0123] 在另外一个实施例之中，半导体发光元件200可以通过后续的再工艺形成另一种包含封装形式的半导体发光元件400，其完成的侧视图与上视图如图6C与图6D所示。为了清楚表达封装形式的半导体发光元件400，以下再分别以图6A至图6C描述其依序的工艺步骤及结构。

[0124] 在本实施例中，以半导体发光元件200为例，首先，如图6A所示，以涂布(spin coating)或沉积(deposition)的方式将第一透明结构40覆盖并包围第二半导体发光元件200，包含包围了构成半导体发光元件200中外延单元的侧壁。其中，第一透明结构40相对应于第二半导体发光元件200所发出的光而言是透明的，用以封装并增加第二半导体发光元件200的机械强度，其材质可以例如是环氧树脂(Epoxy)、聚亚酰胺(Polyimide)、苯并环丁烯(Benzocyclobutene)、过氟环丁烷(Perfluorocyclobutane)、SU8光阻、丙烯酸树酯(Acrylic Resin)、聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethylmethacrylate)、聚对苯二甲酸乙二酯(Poly(ethylene terephthalate))、聚碳酸酯(Polycarbonate)、聚醚酰亚胺(Polyetherimide)、氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)、玻璃(Glass)、氧化铝(Al2O3)、SINR、旋涂玻璃(SOG)、铁氟龙或上述的组合等。

[0125] 接着，移除部分第一透明结构40，使p型延伸电极130a’与n型延伸电极130a”的部分裸露出来，如图6B所示。接着，在第一透明结构40的表面与p型延伸电极130a’及n型延伸电极130a”的部分表面及侧面以涂布(spin coating)、沉积(deposition)、钢板印刷或网版印刷的方式覆盖一层绝缘散射层410，绝缘散射层410同时可提供散射与反射光线以及电绝缘的功能，可减少散射材料、反射材料与绝缘材料的使用，也避免材料之间因为材料特性所造成的损耗，例如热膨胀系数或机械强度的差异，而可提高良率并降低成本，另外更可防止水气进入第二半导体发光元件200，增加可靠度。其中，绝缘散射层410的材料可为环氧树脂(Epoxy)、氧化硅(SiOx)、氧化铝(Al2O3)、二氧化钛(TiO2)、硅胶(Silicone)、树脂(Resin)或上述材料的组合，如图6C所示。

[0126] 接着，以黄光光刻工艺技术将相对应于p型延伸电极130a’与n型延伸电极130a”位置的绝缘散射层410部分移除，以形成相对应于p型延伸电极130a’与n型延伸电极130a”的开口411与412。在这边，值得一提的是，为了增加半导体发光元件200绝缘的效果，散射绝缘层410较佳地实施方式应包含覆盖p型延伸电极130a’与n型延伸电极130a”的侧壁与部分表面，如图6D所示。

[0127] 最后，通过化学镀、电镀或以光罩部分溅镀的方式在开口411与412的地方分别形成外接的p型电极衬垫1310与n型电极衬垫1320于透明结构40及绝缘散射层410之上，便完成如图6E所示，具有封装形式的半导体发光元件400。由于半导体外延叠层外围具有封装的结构，元件整体已具有较佳的抗热性、抗湿性、及抗氧性。可通过打线或倒装片方式直接电性连接于发光装置的电路载板上，制成后续的发光装置，例如灯泡、背光模组、或车灯装置等。

[0128] 如图8所示，为半导体发光元件400的上视图。自垂直于第一承载基板20的方向观之(图6E中箭头D方向)，由第一外延单元201所构成的半导体发光元件200被透明结构40所包围，而透明结构40上方覆盖有绝缘散射层(图未示)，将部分绝缘散射层410移除后，形成的开口411与412分别位于第一外延单元201的上方。其中，开口411与412的上方再分别重叠有与第一外延单元201电性连结的p型电极衬垫1310与n型电极衬垫1320。从图中我们可以发现，p型电极衬垫1310与n型电极衬垫1320的范围超出第一外延单元201的区域。即，自垂直于第一承载基板20的方向观之，p型电极衬垫1310与n型电极衬垫1320各有部分并未与第一外延单元201重叠。

[0129] 上述设计可以增加金属电极衬垫的面积。当发光二极管元件400与外部电子元件基板(例如为印刷电路板)电性连结时，可以使整体结构间的连结具有较佳的信赖性与稳定性。较佳的情况下，可以通过结构设计，使位于第一半导体外延叠层201同一侧的n型电极衬垫1320的外表面与p型电极衬垫1310的外表面位于同一水平面高度上。

[0130] 此外，n型电极衬垫1320与p型电极衬垫1310用以接受外部电压，其材料可为金属材料，包含但不限于铜(Cu)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、钛(Ti)、铅(Pb)、铜-锡(Cu-Sn)、铜-锌(Cu-Zn)、铜-镉(Cu-Cd)、锡-铅-锑(Sn-Pb-Sb)、锡-铅-锌(Sn-Pb-Zn)、镍-锡(Ni-Sn)、镍-钴(Ni-Co)、金合金(Au alloy)、金-铜-镍-金(Au-Cu-Ni-Au)或上述材料的组合等。n型电极衬垫1320与p型电极衬垫1310亦可包含多个附属层(未显示)，具有较大面积的金属衬垫结构对于来自发光二极管元件400的光具有70％以上的反射率，可以有效的提升发光二极管元件400的出光效率。

[0131] 依据不同的元件需求，自垂直基板的方向观之，外延单元可以具有不同的几何形状，在本实施例中，如图9所示，后续可再切割形成例如为正方形或十字形的半导体发光元件。成长基板510上的半导体外延叠层5110依据形状被分隔为第一外延单元501与第二外延单元502，再分别通过前述的基板转移方式转移至第一承载基板520与第二承载基板530之上，如图10A与图10B所示。

[0132] 值得注意的是，由于第一承载基板520与第二承载基板530的材质例如可以是蓝宝石(sapphire，Al2O3)等绝缘材质，为了使后续外延单元接触承载基板侧的半导体层可以与裸露于外延单元上方侧的半导体层电性连接，在承载基板的表面上(与外延单元之间)可以全面性地或图案化地部分形成一层导电层，例如是一相对于半导体外延叠层发光波长为透明的金属氧化物导电层(图未示)。其中，形成透明金属氧化物导电层的方式例如可以是化学气相沉积方式(CVD)、物理气相沉积方式(PVD)等技术，而透明金属氧化物导电层的材质例如是氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟(InO)、氧化锡(SnO)、氧化锡氟(FTO)、锑锡氧化物(ATO)、镉锡氧化物(CTO)、氧化锌铝(AZO)、掺镉氧化锌(GZO)等材料或其组合。参照本发明前述的实施方式，透明金属氧化物导电层亦可以做为接着层的材料，在基板转移工艺时一并制作。

[0133] 以下，依据图11A至图11E显示依本发明以透明金属氧化物导电层作为接着层材质的另一实施例所示的半导体发光元件的制作方法。首先，如图11A所示，以前述实施例或已知的方式将半导体外延叠层自成长基板510转移至具有第一粘着层5130的第一承载基板520之上，并且图案化分隔半导体外延叠层为第一外延单元501与第二外延单元502。其中，第一粘着层5130的材质可以是有机材料，例如丙烯酸(Acrylic acid)、不饱和聚酯环氧树脂(Unsaturated polyester)、环氧树脂(Epoxy)、氧杂环丁烷(Oxetane)、乙烯醚(Vinyl ether)、尼龙(Nylon)、聚丙烯(PP)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚苯醚(PPO)、聚碳酸酯(PC)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS)、聚氯乙烯(PVC)等；可以是金属，例如钛(Ti)、金(Au)、铍(Be)、钨(W)、铝(Al)、锗(Ge)、铜(Cu)等或其组合；可以是金属氧化物，例如铟锡氧化物(ITO)、镉锡氧化物(CTO)、锑氧化锡、氧化铟锌、氧化锌铝、锌锡氧化物、氧化锌(ZnO)、氧化硅(SiOx)等；也可以是氮化物，例如氮化硅(SiNx)等。

[0134] 如图11A与图11B所示，半导体外延叠层由n型半导体层5112，有源层5114，以及p型半导体层5116所构成。在如同前述的制作方式中，图案化分隔半导体外延叠层为一个第一外延单元501与多个第二外延单元502。接着，在第二外延单元502表面及第二承载基板530表面涂布透明金属氧化物导电层作为图案化第二粘着层5230，并将其通过加热或加压的方式互相接着。其中，图案化第二粘着层5230可以是全面性地或图案化地部分形成于第二承载基板530表面上。接着，再如图11C与图11D所示，以激光或UV光自第一承载基板520的方向照射致能并溶解存在于第一承载基板520与外延单元502之间的第一粘着层5130后转移第二外延单元502的部分至第二承载基板530上。将第二外延单元502接着至第二承载基板530上后，再以干蚀刻或湿蚀刻方式清除残余在第二承载基板530上第二外延单元502表面的第一粘着层5130后，如图10A与图10B所示，以形成第一承载基板520与第一外延单元501以及第二承载基板530与第二外延单元502。

[0135] 在本实施例中，如上所述，分离第二外延单元502与第一承载基板520的方式例如是以激光照射溶解第一粘着层5130的方式。除此之外，也可以选择性地使用与第一承载基板520粘着力较低的材质作为第一粘着层5130(例如为二氧化硅(SiO2))。后续仅须通过于要进行二次转移的第二外延单元502表面部分位置设置图案化第二粘着层5230，并选择性地将第二外延单元502粘着于第二承载基板530表面后，再以物理的机械力即可将第二外延单元502自第一承载基板520上分离。

[0136] 将上述第二外延单元502自第一承载基板分离520后，第二承载基板530上便含有多个第二外延单元502。接着，可依据后续要制成半导体发光元件的需求，再将第二承载基板530进行图案化切割为多个第二承载基板单元(图未示)。每个承载基板单元上可承载一个第二外延单元502或多个第二外延单元502。

[0137] 以图11E为例，切割后的单一第二承载基板单元530’上承载有一个第二外延单元502。由于是以透明金属氧化物导电层作为图案化第二粘着层5230，图案化第二粘着层5230可以直接电性连结n型半导体层5112并延伸至第二外延单元502外第二承载基板单元530’的表面之上。接着，在延伸于第二外延单元502外的图案化第二粘着层5230表面上以及p型半导体层5116表面上以黄光光刻工艺技术例如溅镀(sputtering)、热蒸镀(thermal deposition)、或电镀(electroplating)等方式分别形成图案化的n型电极5120a与p型电极
5120b。通过此方式制作的n型电极5120a不位在第二外延单元502的表面上，减少不透光金属遮光的效果，可使元件达到更佳的光萃取量。

[0138] 当我们将图10B中的第二外延单元502依所需图案化移除制成不同的半导体发光元件后，余留于第一承载基板520上的第一外延单元501可再通过自第一承载基板520切割分离的方式以后续不同的工艺制作成不同的半导体发光元件。

[0139] 参照图13，可依据图中的虚线所示，将剩余的第一外延单元501以例如本实施例中的方式切割制作成多个具有十字形外延单元501′的半导体发光元件。如后续图14A至图14D所示，此工艺方式可有效利用基板上所有半导体外延叠层。

[0140] 以下，再以图示描述上述实施例不同实施样态的上视图及斜侧视图结构。如图14A及14B图所示，显示自上视图观之，由十字形外延单元501’组成的半导体发光元件500，图14B则显示其斜侧视图。如上述的实施例，参照图14A所示，在本实施例中，透明金属氧化物导电层5280全面性地形成于第二承载基板单元530’表面上，而在延伸于第二外延单元502外的透明金属氧化物导电层5280表面上以及p型半导体层5116表面上，设置图案化的n型电极5120a与p型电极5120b分别与n型半导体层5112及p型半导体层5116电性连接。

[0141] 接着，参照图14C与图14D所示，显示依本发明实施方式的第二种实施样态，即由十字形外延单元501’所组成的半导体发光元件600的上视图及斜侧视图。在本实施例中，第二承载基板单元530’表面设置有作为接着层的部分图案化的透明金属氧化物导电层5280。其中，第二承载基板530为绝缘基板，例如蓝宝石(sapphire，Al2O3)。因此，在未设置有透明金属氧化物导电层5280的第二承载基板单元530’表面设置p型电极5120b后，再通过自p型电极5120b延伸的p型延伸电极5120b’与p型半导体层5116电性连接。而n型电极5120a则一样配置在延伸于第二外延单元502外的图案化第二粘着层5230表面上。通过图案化第二粘着层5230与n型半导体层5112电性连接。此方式制作的n型电极5120a与p型电极5120b皆不位在第二外延单元502的表面上，可更加减少不透光金属遮光的效果，亦可达到更佳的元件光萃取量。

[0142] 由上述两种实施样态的上视图观之(图14A与图14C)。半导体发光元件500及600中，由于第二外延单元为一个十字形外延单元501’(为一对称的形状，具有与基板面垂直的两个不同的对称面A’及B’)，且十字形外延单元501’的末端与第二承载基板单元530’侧边的位置相近。因此，第二承载基板单元530’未被十字形外延单元501’覆盖的部分大致可被十字形外延单元501’隔开为四个区域。当然，在本领域中具有通常知识的人应可理解，十字形外延单元501’的形状可以不同，例如为L形，不规则多边形等，第二承载基板单元530’亦可能依据形状的不同大致被分隔为不同数目的区域。

[0143] 在本实施例中，第二承载基板530为绝缘基板，例如蓝宝石(sapphire，Al2O3)。然而，依据元件需求不同。第二承载基板530的材质亦可以包含但不限于铝酸锂(lithium aluminum oxide，LiAlO2)、氧化锌(zinc oxide，ZnO)、磷化镓(gallium nitride，GaP)、玻璃(Glass)、有机高分子板材、氮化铝(aluminum nitride，AlN)。可以是绝缘基板，也可以是导电基板；可以是透明基板，也可以是反射基板。此外，为了增加元件的散热效率，基板也可以也可以是具有高散热性的散热基板，材料的热导系数至少为24W/m·K，例如为铜(Cu)、钨(Wu)、氮化铝(AlN)、金属基复合材料(Metal Matrix Composite；MMC)、陶瓷基复合材料(Ceramic Matrix Composite；CMC)、碳化硅(SiC)、铝(Al)、硅(Si)、金刚石(Diamond)或此等材料的组合。

[0144] 此外，以前述形成的半导体发光元件200与300为例，相对应于半导体外延叠层110中有源层114的表面积，下方透明的承载基板(20，30)相对而言具有较大的表面积。当光线进入折射率较低的透明的承载基板(20，30)时，由于透明的承载基板(20，30)的表面积较大，有较高比例的光线可以自透明的承载基板(20，30)中被萃取出来。以传统倒装片式发光二极管元件为例，如图12A与图12B所示，传统倒装片式发光二极管元件具有与基板50表面积一样大的有源层114，与本发明实施例中的倒装片式发光二极管元件200(如图3C所示)相较，其第一承载基板20具有较有源层114大一倍以上的表面积。当发光二极管元件以焊锡560，260粘着于次载体50’，20’表面相对应的电路结构上后，分别形成发光装置5000与
2000。此时，有较多光线L自有源层发出后可以通过大透明承载基板20被萃取出来，而不会因为被有源层114再吸收而损失。即，发光装置2000较发光装置5000具有较佳的出光效率。
同样地，将大透明承载基板20结构应用在高压式单晶片发光二极管元件300中、封装形式的半导体发光元件400、及由单一外延单元502构成的单晶片发光二极管元件500及600皆应具有相似的效果。

[0145] 在不同实施例中，单一承载基板上的半导体外延叠层并不以一个为限。为简化工艺步骤，在一个较大的第一承载基板20(例如：一片晶圆片)上形成半导体外延叠层后，通过黄光光刻蚀刻技术及基板转移技术，可以形成多个如上述图7所示相同且重复的第一外延单元201与第二外延单元202。接着，将形成于第一承载基板20上的多个第二外延单元202一次转移到另一个较大的第二承载基板30(例如：另一片晶圆片)上，并在第一承载基板20上留下多个第一外延单元201。接着，在第一承载基板20与第二承载基板30上分别进行例如前面所述的元件工艺后，以如图3C所示的基板表面积为一个元件大小，切割第一承载基板20，可获得多个包含第一外延单元201的第一半导体发光元件200；相似地，以如图4C所示的基板表面积为一个元件大小，切割第二承载基板30，即可相对应地获得多个包含第三外延单元202’的第二半导体发光元件300。

[0146] 由于切割后构成的半导体发光元件200与300分别是由一组原本形成在单一基板上的单一半导体外延叠层110所构成，因此所形成的半导体发光元件200与300应具有大致相同的元件尺寸，即大致相同的元件基板表面积，如图3C与图4C所示。

[0147] 本发明所列举的各实施例仅用以说明本发明，并非用以限制本发明的范围。任何人对本发明所作的任何显而易知的修饰或变更皆不脱离本发明的精神与范围。