有机发光元件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种有机发光元件及其制造方法。本发明的特征在于，所述有机发光元件包括：基板；第一电极，设置在所述基板上；第二电极，被设置为与所述第一电极对置；一层以上的有机层，设置在所述第一电极和所述第二电极之间；所述第一电极的辅助电极；和防短路层，被设置为与所述第一电极的至少一部分接触，并设置在所述辅助电极和所述第一电极之间。

权利要求

1.一种有机发光元件，其包括：

基板；

第一电极，设置在所述基板上；

第二电极，被设置为与所述第一电极对置；

一层以上的有机层，设置在所述第一电极和所述第二电极之间；

所述第一电极的辅助电极；以及

防短路层，所述防短路层被设置为与所述第一电极的至少一部分接触，以使得所述防短路层起到控制由短路缺陷所产生的泄露电流不会无限制地增加的作用，并且所述防短路层被设置在所述辅助电极和所述第一电极之间；

其中，在电流密度为1mA/cm2至5mA/cm2中的任一值时，所述防短路层具有使得下式1的工作电压上升率以及下式2的泄露电流与工作电流的比值同时满足0.03以下的厚度方向电阻值：[式1]

[式2]

所述Vt(V)是采用防短路层且不存在短路缺陷的有机发光元件的工作电压，所述Vo(V)是不采用防短路层且不存在短路缺陷的有机发光元件的工作电压，所述It(mA)是采用防短路层且不存在短路缺陷的具有相同有机物结构的有机发光元件的工作电流，所述Is(mA)是采用防短路层且存在短路缺陷的有机发光元件的缺陷区域的泄露电流。

2.根据权利要求1所述的有机发光元件，其中，所述有机发光元件的电流以所述辅助电极、所述防短路层、所述第一电极、所述有机层、所述第二电极的方向流动或者以所述第二电极、所述有机层、所述第一电极、所述防短路层、所述辅助电极的方 向流动。

3.根据权利要求1所述的有机发光元件，其中，所述防短路层被设置为与所述第一电极的上表面、下表面及侧表面中的至少一个表面接触。

4.根据权利要求3所述的有机发光元件，其中，所述防短路层被设置为与所述第一电极的上表面、下表面及侧表面中的至少一个表面接触，所述辅助电极被设置为与所述防短路层的至少一部分接触，所述辅助电极不与所述第一电极直接接触。

5.根据权利要求3所述的有机发光元件，其中，所述防短路层被设置为与所述第一电极的上表面和侧表面中的至少一个表面接触，所述辅助电极被设置为与所述防短路层的上表面接触；或者所述防短路层被设置为与所述第一电极的侧表面和下表面中的至少一个表面接触，所述辅助电极被设置为与所述防短路层的下表面接触。

6.根据权利要求5所述的有机发光元件，其中，所述防短路层被设置为与所述第一电极的上表面或者所述基板的上表面接触，所述辅助电极被设置为与所述防短路层的上表面接触；或者所述辅助电极被设置为与所述基板的上表面接触，所述防短路层设置在所述辅助电极和所述第一电极之间。

7.根据权利要求1所述的有机发光元件，其中，所述第一电极由一个单元形成，或者由两个以上的单元形成。

8.根据权利要求7所述的有机发光元件，其中，所述单元中的至少一个单元包括发光区域和非发光区域，所述发光区域中的厚度和所述非发光区域中的厚度相同或互不相同。

9.根据权利要求7所述的有机发光元件，其中，所述第一电极为两个以上的单元，各个所述单元以互相间隔开的图案形成。

10.根据权利要求9所述的有机发光元件，其中，所述防短路层被设置为与所述图案的各个单元的至少一部分接触。

11.根据权利要求1所述的有机发光元件，其中，所述防短路层和所述有机层之间以及所述辅助电极与所述有机层之间额外设置绝缘层；或者所述防短路层和所述第二电极之间以及所述辅助电极和所述第二电极之间额外设置绝缘层。

12.根据权利要求1所述的有机发光元件，其中，所述防短路层和所述辅助电极位于所述有机发光元件的非发光区域。

13.根据权利要求1所述的有机发光元件，其中，所述防短路层和所述辅助电极的开口率为30％以上。

14.根据权利要求1所述的有机发光元件，其中，所述防短路层的厚度为1nm以上且10μm以下。

15.根据权利要求1所述的有机发光元件，其中，所述防短路层的体电阻率为0.63Ωcm以上且8.1×1010Ωcm以下。

16.根据权利要求1所述的有机发光元件，其中，所述防短路层包含选自碳粉、碳膜、导电聚合物、有机聚合物、金属、金属氧化物、无机氧化物、金属硫化物、和绝缘物质中的一种或者两种以上。

17.根据权利要求9所述的有机发光元件，其中，在一个单元形成的所述防短路层的厚度方向电阻为70Ω以上且300000Ω以下。

18.根据权利要求9所述的有机发光元件，其中，从一个单元至另一个单元的电阻为140Ω以上且600000Ω以下。

19.根据权利要求1所述的有机发光元件，其中，所述辅助电极的表面电阻为3Ω/□以下。

20.根据权利要求1所述的有机发光元件，其中，所述第一电极为透明电极。

21.根据权利要求1所述的有机发光元件，其中，所述辅助电极为金属辅助电极。

22.根据权利要求1所述的有机发光元件，其中，所述有机层包括至少一层以上的发光层，还包括选自空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电荷生成层、电子阻挡层、电子传输层、 及电子注入层中的一种或者两种以上。

23.根据权利要求1所述的有机发光元件，其中，所述有机发光元件以封装层密封。

24.根据权利要求1所述的有机发光元件，其中，所述有机发光元件发射色温为2000K以上且12000K以下的白光。

25.根据权利要求1所述的有机发光元件，其中，在所述基板和所述第一电极之间还包括光散射层。

26.根据权利要求25所述的有机发光元件，其中，所述光散射层包括平坦层。

27.根据权利要求1所述的有机发光元件，其中，在所述基板的与设置有第一电极的表面相对置的表面还包括光散射层。

28.根据权利要求1所述的有机发光元件，其中，所述有机发光元件为柔性(flexible)有机发光元件。

29.一种显示器装置，其包括权利要求1至28中任一项所述的有机发光元件。

30.一种照明装置，其包括权利要求1至28中任一项所述的有机发光元件。

31.一种有机发光元件的制造方法，其为权利要求1至28中任一项所述的有机发光元件的制造方法，所述制造方法包括：准备基板的步骤；

在所述基板上形成第一电极的步骤；

以与所述第一电极的至少一部分接触的方式形成防短路层的步骤；

以如下方式形成辅助电极层的步骤，即将所述防短路层设置在所述辅助电极层与所述第一电极之间；

在所述第一电极上形成一个以上有机层的步骤；

以及在所述有机层上形成第二电极的步骤。

32.根据权利要求31所述的有机发光元件的制造方法，其中，所述有机发光元件的制造方法包括：在所述基板上形成所述第一电极的步骤；

以与所述第一电极的至少一部分接触的方式形成所述防短路层的步骤；

在所述防短路层上形成所述辅助电极层的步骤；

在所述第一电极上形成一个以上有机层的步骤；以及在所述有机层上形成所述第二电极的步骤。

33.根据权利要求31所述的有机发光元件的制造方法，其中，所述有机发光元件的制造方法包括：在所述基板上形成所述辅助电极层的步骤；

在所述辅助电极上形成所述防短路层的步骤；

以与所述防短路层的至少一部分接触的方式形成所述第一电极的步骤；

在所述第一电极上形成一个以上有机层的步骤；以及在所述有机层上形成所述第二电极的步骤。

34.根据权利要求31所述的有机发光元件的制造方法，其中，所述有机发光元件的制造方法包括：在所述基板上形成所述防短路层的步骤；

在所述防短路层上形成所述辅助电极的步骤；

以与所述防短路层的至少一部分接触的方式形成所述第一电极的步骤；

在所述第一电极上形成一个以上有机层的步骤；以及在所述有机层上形成所述第二电极的步骤。

35.根据权利要求31所述的有机发光元件的制造方法，其中，形成所述第一电极的步骤包括对第一电极进行图案化的步骤。

36.根据权利要求31所述的有机发光元件的制造方法，其中形成所述防短路层的步骤和形成所述辅助电极层的步骤包括：以整个表面层形成所述防短路层的步骤；

以整个表面层形成所述辅助电极层的步骤；以及同时对以所述整个表面层形成的所述防短路层和所述辅助电极层进行图案化的步骤。

37.根据权利要求31所述的有机发光元件的制造方法，所述有机发光元件的制造方法还包括在所述防短路层和所述辅助电极上形成绝缘层的步骤。

38.根据权利要求31所述的有机发光元件的制造方法，其中，还包括在形成所述第二电极之后进行封装的步骤。

说明书

有机发光元件及其制造方法

技术领域

[0001] 本发明涉及一种有机发光元件及其制造方法。本申请主张于2012年11月16日向韩国专利局提交的韩国专利申请第10-2012-0130055号的优先权，该韩国专利申请的内容以引用的方式纳入本文。

背景技术

[0002] 有机发光现象指的是利用有机物质将电能转换为光能的现象。即，当在阳极和阴极之间配置适当的有机层时，若在两个电极之间施加电压，则空穴从阳极注入至所述有机层，电子从阴极注入至所述有机层。当所注入的空穴和电子相遇时形成激子(exciton)，并且当该激子再度落至基态时即生成光。

[0003] 由于阳极和阴极之间的间隔小，因此有机发光元件容易具有短路缺陷。由于有机发光元件的结构中的针孔、裂痕、段差(step)和涂布粗糙度(roughness)等，阳极和阴极可彼此直接接触。或者，在该缺陷区域中，有机层厚度可能变得较薄。该缺陷区域提供电流容易流过的低阻抗路径，从而在极端情况下，使电流几乎不留过或绝不留过该有机发光元件。据此，该有机发光元件的发光输出降低或消失。在多像素显示设备中，该短路缺陷可产生不发射光或发射光低于平均光强度的死像素，从而可能会降低显示器的品质。在照明或者其他低分辨率的用途中，该区域中的相当一部分可能会因短路缺陷不工作。由于存在对短路缺陷的忧虑，通常在清洁室中制造有机发光元件。但是，即使在非常洁净的环境下，也不能有效地消除短路缺陷。在多数情况下，通过增大两个电极之间的间隔以减少短路缺陷的数量，但与操作有机发光元件所需的厚度相比，可能不必要地增大该有机层的厚度。这种方法增加了有机发光元件的制造成本，此外这种方法也不能完全去除短路缺陷。

[0004] [现有技术文献]

[0005] 大韩民国公开专利公报第10-2006-0130729号(2006.12.19公布)

发明内容

[0006] 发明要解决的课题

[0007] 本发明的目的在于，提供一种即使在存在可能产生短路缺陷的主要原因的情况下，即在产生短路缺陷的情况下，仍可在正常范围内进行工作的有机发光元件及其制造方法。

[0008] 解决课题的方法

[0009] 本说明书的一实施方案提供一种有机发光元件，其包括：基板；第一电极，设置在所述基板上；第二电极，被设置为与所述第一电极对置；一层以上的有机层，设置在所述第一电极和所述第二电极之间；所述第一电极的辅助电极；和防短路层，其被设置为与所述第一电极的至少一部分接触，并设置在所述辅助电极和所述第一电极之间。

[0010] 本说明书的一实施方案提供一种有机发光元件，其中，所述有机发光元件的电流以所述辅助电极、所述防短路层、所述第一电极、所述有机层、所述第二电极的方向流动或者以其反方向流动。

[0011] 本说明书的一实施方案提供一种有机发光元件，其中，所述第一电极由一个单元(cell)形成或由两个以上的单元形成。

[0012] 本说明书的另一实施方案提供一种所述有机发光元件的制造方法。具体而言，所述有机发光元件的制造方法包括：准备基板的步骤；在所述基板上形成第一电极的步骤；以与所述第一电极的至少一部分接触的方式形成防短路层的步骤；以如下方式形成辅助电极层的步骤，即将所述防短路层设置在该辅助电极层与所述第一电极之间；在所述第一电极上形成一个以上的有机层的步骤；以及在所述有机层上形成第二电极的步骤。

[0013] 另外，本说明书的一实施方案提供一种包括所述有机发光元件的显示器装置。

[0014] 此外，本说明书的一实施方案提供一种包括所述有机发光元件的照明装置。

[0015] 发明的效果

[0016] 本发明的有机发光元件具有防止短路缺陷的效果。

[0017] 另外，即使因基板自身的缺陷发生短路，本发明的有机发光元件也可以正常执行该有机发光元件的功能。

[0018] 另外，即使短路发生点的面积尺寸增加，本发明的有机发光元件也可稳定操作而不会增大泄露电流量。

附图说明

[0019] 图1例示了在没有防短路层的有机发光元件中未发生短路的情况的电路图。

[0020] 图2例示了具备根据本发明的一示例性实施方案的防短路层的有机发光元件中未发生短路的情况的电路图。

[0021] 图3例示了在没有防短路层的有机发光元件中发生短路的情况的电路图。

[0022] 图4例示了具备根据本发明的一示例性实施例的防短路层的有机发光元件中发生短路的情况的电路图。

[0023] 图5和图6例示了本发明的一示例性实施方案的有机发光元件。

[0024] 图7例示了根据本发明的一示例性实施方案的有机发光元件中的第一电极的图案(pattern)。

[0025] 图8例示了在本说明书的一实施方案的有机发光元件中，在第一电极上形成防短路层和辅助电极层之后，对其进行图案化后的情况。

[0026] 图9例示了在本说明书的一实施方案的有机发光元件中，形成绝缘层后的情况。

[0027] 图10例示了在本说明书的实施例1的有机发光元件中，基于一个单元中的防短路层的厚度方向电阻(Rcell-spl)的、工作电压上升率((Vt-Vo)/Vo)和泄露电流与工作电流的比值(Is/It)。

[0028] 图11例示了在本说明书的实施例2的有机发光元件中，基于一个单元中的防短路层电阻(Rcell-spl)的、工作电压上升率((Vt-Vo)/Vo)和泄露电流与工作电流的比值(Is/It)。

[0029] 图12例示了本说明书的实施例3的有机发光元件中，基于一个单元中的防短路层的厚度方向电阻(Rcell-spl)的、工作电压上升率((Vt-Vo)/Vo)和泄露电流与工作电流的比值(Is/It)。

[0030] 图13例示了在本说明书的实施例4的有机发光元件中，基于一个单元中的防短路层的厚度方向电阻(Rcell-spl)中的、工作电压上升率((Vt-Vo)/Vo)和泄露电流与工作电流的比值(Is/It)。

[0031] 图14例示了在本说明书的实施例5的有机发光元件中，基于一个单元中的防短路层的厚度方向电阻(Rcell-spl)的、工作电压上升率((Vt-Vo)/Vo)和泄露电流与工作电流的比值(Is/It)。

[0032] 图15例示了在本说明书的实施例6的有机发光元件中，基于一个单元中的防短路层的厚度方向电阻(Rcell-spl)的、工作电压上升率((Vt-Vo)/Vo)和泄露电流与工作电流的比值(Is/It)。

[0033] 图16和17例示了在本说明书的一实施方案的有机发光元件中，在图案化的第一电极的一个单元所设置的防短路层和辅助电极的例子。

[0034] 图18例示了在第一电极上的整个区域形成防短路层的情况下，由短路缺陷面积引起的负面影响。

具体实施方式

[0035] 以下，对本说明书进行更加详细的说明。

[0036] 本说明书的一实施方案提供一种有机发光元件，其包括：基板；第一电极，设置在所述基板上；第二电极，被设置为与所述第一电极对置；一层以上的有机层，设置在所述第一电极和所述第二电极之间；所述第一电极的辅助电极；以及防短路层，被设置为与所述第一电极的至少一部分接触，并设置在所述辅助电极和所述第一电极之间。

[0037] 另外，根据本说明书的一实施例，所述有机发光元件的电流可以以所述辅助电极、所述防短路层、所述第一电极、所述有机层、所述第二电极的方向流动。或者，根据本说明书的一实施例，所述有机发光元件的电流可以以所述第二电极、所述有机层、所述第一电极、所述防短路层、所述辅助电极的方向流动。在该情况下，外部电压施加端子可设置在所述辅助电极和第二电极。

[0038] 根据本说明书的一实施例，所述防短路层可以被设置为与所述第一电极的上表面、下表面及侧表面中的至少一个表面接触。

[0039] 所述防短路层可以被形成为与所述第一电极的上表面、下表面或者侧表面中的至少一个区域接触。另外，所述防短路层可以被形成为与所述第一电极的上表面的一部分和所述第一电极的侧表面的一部分接触。而且，所述防短路层可以被形成为与所述第一电极的下表面的一部分和所述第一电极的侧表面的一部分接触。

[0040] 根据本说明书的一实施例，所述防短路层可以被设置为与所述第一电极的上表面、下表面及侧表面中的至少一个表面接触，所述辅助电极可以被设置为与所述防短路层的至少一部分接触，所述辅助电极可以不与所述第一电极直接接触。

[0041] 根据本说明书的一实施例，所述防短路层可以被设置为与所述第一电极的上表面和侧表面中的至少一个表面接触，所述辅助电极可以被设置为与所述防短路层的上表面接触。

[0042] 根据本说明书的一实施例，所述防短路层可以被设置为与所述第一电极的侧表面和下表面中的至少一个表面接触，所述辅助电极可以被设置为与所述防短路层的下表面接触。

[0043] 根据本说明书的一实施例，所述防短路层可以被设置为与所述第一电极的上表面或者所述基板接触，所述辅助电极可以被设置为与所述防短路层的上表面接触。

[0044] 根据本说明书的一实施例，所述辅助电极可以被设置为与所述基板的上表面接触，所述防短路层可以设置在所述辅助电极和所述第一电极之间。

[0045] 本说明书中的发光区域是指从有机层的发光层发射的光被发射经过第一电极和/或第二电极的区域。例如，在本说明书的一实施例的有机发光元件中，所述发光区域可以形成于该第一电极的一个区域的至少一部分上，其中，在该第一电极形成于该基板上的区域中未形成该防短路层和/或辅助电极。另外，本说明书中的非发光区域是指除所述发光区域以外的剩余区域。

[0046] 根据本说明书的一实施例，所述单元中的至少一个可包括发光区域和非发光区域。

[0047] 根据本说明书的一实施例，所述第一电极可以由一个单元形成。

[0048] 根据本说明书的一实施例，所述第一电极可以由一个单元形成，并且可以包括发光区域和非发光区域，所述发光区域和所述非发光区域的厚度可以相同，或者可以互不相同。

[0049] 根据本说明书的一实施例，在所述第一电极由一个单元形成的情况下，所述第一电极的发光区域的厚度和非发光区域的厚度可以相同，与所述辅助电极和/或防短路层相对应的区域可以形成为非发光区域，除此以外的区域可以形成为发光区域。

[0050] 根据本说明书的一实施例，在所述第一电极由一个单元形成的情况下，所述第一电极的发光区域的厚度和非发光区域的厚度可以互不相同，所述发光区域可以为厚度相对较大的部分，所述非发光区域可以为厚度相对较小的部分。

[0051] 根据本说明书的一实施例，在所述第一电极由一个单元形成，并且发光区域的厚度和非发光区域的厚度互不相同的情况下，所述发光区域可以以一预定形状形成。具体而言，可以为多边形，例如三角形、矩形、六边形等，也可以为无规则型形状。

[0052] 根据本说明书的一实施例，包括第一电极的发光区域的部分的厚度可以为不包括发光区域的部分的10倍至1,000倍。

[0053] 本说明书的图案是指，以仅覆盖最终用途所需形状的面积的方式形成，而不是覆盖其中设置有对应层的下部层的整个面积，例如基板或者第一电极的整个面积。

[0054] 根据本说明书的一实施例，所述第一电极可以以图案形成。所述第一电极的图案可包括发光区域。

[0055] 根据本说明书的一实施例，所述第一电极可以包括两个以上单元且被形成为各个单元互相隔开的图案。

[0056] 本说明书的所述单元可以为覆盖在基板上的第一电极的最小单位。具体而言，在所述第一电极由单个单元形成的情况下，所述单元可以是所述第一电极以未间隔开的方式覆盖在所述基板的同一平面上。或者，在所述第一电极由两个以上的单元形成的情况下，所述单元可以为覆盖在基板上的第一电极的最小单位，并且所述第一电极可以以各个所述单元互相间隔开的图案而形成。所述第一电极的最小单位可以为物理性连接的一个单位。另外，所述单元可为具有封闭图形的形状。具体而言，所述单元可以是多边形，例如三角形、矩形、六边形等，也可以为无规则型形状。

[0057] 根据本说明书的一实施例，所述各个单元可表示为上文中的第一电极，上文中或者下文中的第一电极与防短路层、辅助电极的关系均适用于每个单元。

[0058] 根据本说明书的一实施例，所述辅助电极和防短路层可以被配置为在非发光区域形成图案。即，通过在非发光区域的部分形成图案来划分发光区域。例如，图案可以以网眼图案的形状形成，以划分发光区域。所述网眼图案可以为三角形、四边形、六边形等多边形，也可以为无规则型图案。

[0059] 另外，在通过在非发光区域上形成图案来形成防短路层的情况下，防短路层的一部分可位于基板上，其剩余部分可位于第一电极上。

[0060] 根据本说明书的一实施例，所述防短路层和辅助电极的开口率可以为30％以上。具体而言，所述开口率可以为50％以上。更具体而言，所述开口率可以为70％。

[0061] 所述防短路层和辅助电极的开口率是指在有机发光元件的整个面积中未被防短路层和/或辅助电极覆盖的比率。若所述开口率越高则亮度越高，由此变得更亮，从而还可降低电力消耗。

[0062] 根据本说明书的一实施例，在所述第一电极包括互相间隔开的两个以上单元的情况下，所述防短路层可以以与所述图案的各个单元的至少一部分接触的方式而设置。具体而言，根据本说明书的一实施例，所述防短路层可以与所述各个单元的至少一部分接触。

[0063] 在所述防短路层与各个单元的至少一部分接触的情况下，即使一个单元产生短路缺陷，也可以通过防短路层来防止所有的工作电流流向短路缺陷部位。即，起到控制由短路缺陷所产生的泄露电流量不会无限制地增加的作用。从而，无短路缺陷的剩余单元可以正常地工作。

[0064] 所述防短路层起到：在有机发光元件产生短路缺陷的情况下，即使产生短路缺陷也可以使元件工作的作用。另外，所述防短路层也可以起到防止产生短路缺陷的作用。

[0065] 短路缺陷可能在第二电极直接与第一电极接触的情况下产生。或者，也可能在因位于第一电极和第二电极之间的有机层的厚度减小或者该有机层的性质发生改变等而丧失有机层的功能而导致第一电极和第二电极发生接触的情况下产生。在产生短路缺陷的情况下，在有机发光元件中形成低电流路径，从而不能使有机发光元件正常工作。有机发光元件的电流可能会因泄露电流而避免流过无缺陷区域，所述泄露电流是由短路缺陷导致的从第一电极流向第二电极的直流。这会减小有机发光元件的发射功率，在相当多的情况下，有机发光元件可能不会工作。另外，若原先在具有大面积的有机物中分散而流动的电流集中流向短路发生点，则局部地产生高热量，从而存在元件破碎或发生火灾的危险。

[0066] 但是，本说明书的所述防短路层位于辅助电极和第一电极之间，由此在产生短路缺陷之前起到电流移动路径的作用，从而使由所述防短路层导致的元件工作电压的上升幅度最小化。并且，在产生短路缺陷的情况下，在短路发生点只有少量的电流发生泄露，从而可以阻止有机发光元件的效率下降，并且可以使元件正常工作。

[0067] 所述防短路层起到，在产生短路缺陷时额外施加适当的电阻，由此阻止电流经由短路缺陷部位泄漏的作用。为此，所述防短路层可具有适当的厚度和电阻率，以减少由短路缺陷引起的泄露电流和与其相关的发光效率的损失。

[0068] 根据本说明书的一实施例，所述防短路层和所述辅助电极可以被形成为互相接触。即，在向所述有机发光元件施加电压的情况下，所述辅助电极和所述防短路层可以电连接。另外，所述辅助电极可以以与所述防短路层的面积相同的面积或比其更小的面积在防短路层上形成。

[0069] 根据本说明书的一实施例，电流经由所述辅助电极流入至所述第一电极。而且，在所述第一电极已图案化的情况下，电流经由所述辅助电极流入至各个发光区域。在该情况下，电流流入至所述辅助电极并经由所述防短路层流向第一电极。

[0070] 通过使电流流入至所述辅助电极并经由所述防短路层流向第一电极，本说明书的有机发光元件可以防止在发生短路时由于第一电极和第二电极发生接触而使过大电流流动。即，通过所述防短路层的电阻，可以防止由短路缺陷引起的过大电流的流动。

[0071] 根据本说明书的一实施例，所述辅助电极的表面电阻可以为3Ω/□以下。具体而言，所述辅助电极的表面电阻可以为1Ω/□以下。

[0072] 在具有大面积的第一电极和第二电极中的任一个表面电阻高于必要程度以上的情况下，电压可能会根据电极的位置而不同。据此，若隔着有机层的第一电极和第二电极的电位差根据位置而不同，则有机发光元件的亮度均匀性可能会降低。因此，为了降低具有高于必要程度以上的表面电阻的第一电极或者第二电极的表面电阻，可以使用辅助电极。本说明书的所述辅助电极的表面电阻可以为3Ω/□以下，具体而言可以为1Ω/□以下，在所述范围内，所述有机发光元件可以保持高的亮度均匀性。

[0073] 通过对所述第一电极进行图案化，或者使发光区域和非发光区域的厚度不同，本说明书的所述有机发光元件可以控制流入至一个发光区域的最大电流量。通过控制流入至一个发光区域的最大电流量，具有可以限制随着短路缺陷面积的增加而变化的泄露电流的量的优点。因此，可以降低由短路缺陷引起的整个有机发光元件不工作的危险，并且可以仅使短路发生点的发光区域不工作。而且，在没有所述防短路层的情况下，即使所述第一电极已被图案化，泄露电流仍有可能会经由所述辅助电极流向短路缺陷点，从而导致整个有机发光元件不会工作。所述工作是指发光。

[0074] 根据本说明书的一实施例，所述防短路层和所述有机层之间以及所述辅助电极与所述有机层之间额外设置绝缘层；或者所述防短路层和所述第二电极之间以及所述辅助电极和所述第二电极之间额外设置绝缘层。

[0075] 所述绝缘层可以具有包覆图案化的所述防短路层和所述辅助电极的形状。所述绝缘层可通过涂布或者光刻工艺形成。所述绝缘层可起到使所述防短路层不与除第一电极和辅助电极以外的其他层相接触的作用。而且，所述绝缘层还可以起到减缓由导电体如位于第一电极和第二电极之间的辅助电极或防短路层所引起的元件不稳定性的作用。即，所述绝缘层可以起到使所述辅助电极和所述防短路层与所述有机层和第二电极电绝缘的作用。

[0076] 通过所述绝缘层，所述辅助电极除与除绝缘层接触以外，仅与所述防短路层或者基材接触。

[0077] 根据本说明书的一实施例，所述防短路层可以不与有机层接触。

[0078] 所述防短路层可以被形成为不与有机发光元件的有机层接触，所述防短路层可通过绝缘层来不与有机层接触。由于所述防短路层不与有机物相接触，因此，具有可以在很大范围内选择所述防短路层的材料的优点。例如，在电荷注入层位于防短路层上的情况下，防短路层需要具有良好的空穴注入功能，但是在本发明中，所述防短路层不与有机层相接触，因此，无需如上所述的限制。另外，由于在不与发光区域相对应的区域设置防短路层，因此，可不考虑光学透明度来选择材料。

[0079] 在防短路层形成于第一电极的整个区域上的情况下，防短路层的构成物质需为透明物质，因此在材料上受到限制。但是，在本发明中，所述防短路层形成在非发光区域，而不是形成在第一电极的整个区域上，因此，透明材料和不透明材料均可用于防短路层的材料。

[0080] 因此，所述防短路层可包括透明材料，也可包括不透明材料。

[0081] 根据本说明书的一实施例，所述防短路层和/或所述辅助电极可位于有机发光元件的非发光区域。

[0082] 根据本说明书的一实施例，所述防短路层可以仅形成在基板上部的一部分面积上，而不是形成在基板上部的整个面积上。在这种情况下，由基板自身的缺陷引起的防止短路功能丧失的概率会降低。

[0083] 若在基板上存在有严重的缺陷并在所述缺陷部位形成有第一电极和防短路层和辅助电极，则防短路层因基板的缺陷而不能发挥其功能，并且电流可能直接从辅助电极流向第一电极。具体而言，在于第一电极的整个区域上形成防短路层的情况下，防短路层因基板表面的缺陷而不能正常形成，由此不能顺利地发挥防止短路功能。更具体而言，在通过沉积工艺形成有机发光元件的情况下，防短路层会受到较多基板表面状态的影响。即，在基板上存在有异物的状态下，若依次沉积第一电极、防短路层、有机层及第二电极，则因异物的存在而产生第一电极和第二电极相接触的区域，导致防短路层不能起到防止短路的作用，使得有机发光元件不能工作。

[0084] 因此，本说明书的一实施例的有机发光元件使基材面积中防短路层所占的面积最小化，由此能够使由基板的缺陷引起的防短路层的功能丧失最小化。而且，即使在只形成有第一电极的点产生由基板的缺陷引起的短路，防短路层也能发挥其功能，从而可以防止整个有机发光元件不发光的情况。

[0085] 在于第一电极的整个区域上形成防短路层，并在防短路层的整个面积上形成有机层的情况下，除防短路层的材料需为透明材料的缺点以外，还存在随着短路缺陷面积的增大，泄露电流的量增加的问题。这种问题在图18的图表中示出。图18表示在于第一电极的整个区域上形成防短路层的情况下，由短路缺陷面积引起的负面影响。

[0086] 具体而言，图18表示，当有机发光元件的工作电压为6V，工作电流密度为2mA/cm2，第一电极的大小为10×10cm2，防短路层的体电阻为300,000Ω，防短路层的厚度为100nm时，基于短路缺陷区域的直径增加的、正常元件的电流与基于短路的泄露电流之间的百分比。由图18可知，在防短路层形成于第一电极的整个面积上的情况下，随着短路缺陷区域的直径的增加，泄露电流的负面影响急剧增加。

[0087] 根据本说明书的一实施例的有机发光元件，所述第一电极可以由图案化的两个以上单元形成，各个单元通过防短路层来电连接，因此，具有如下优点：不论短路的程度如何，与发生短路的单元相接触的防短路层有效地切断泄露电流。

[0088] 而且，在根据本说明书的一实施例的有机发光元件中，所述第一电极可以由两个以上的图案化的单元形成，因此，具有如下优点：即使基板的缺陷引起任一个单元区域发生短路，未发生短路的单元也可正常发光。

[0089] 具体而言，在所述第一电极由两个以上的图案化的单元形成的情况下，各个单元之间的电阻可以为70Ω以上，但在第一电极未进行图案化的情况下，相邻的第一电极的电阻仅仅处于10Ω以下的程度。因此，在未进行图案化的第一电极的一部分区域发生短路的情况下，泄露电流流向短路发生区域，从而不能控制泄露电流。即，本说明书的一实施例的有机发光元件的各个单元通过防短路层来接收电流，因此在产生短路缺陷的情况下，可有效地控制泄露电流。

[0090] 本说明书的一实施方案提供一种有机发光元件，其包括：基板；第一电极，设置在所述基板上；第二电极，被设置为与所述第一电极对置；一层以上的有机层，设置在所述第一电极和所述第二电极之间；防短路层，被设置为与所述第一电极的上表面、下表面及侧表面中的至少一个表面接触；辅助电极，在所述辅助电极和所述第一电极之间设置有所述防短路层，所述有机发光元件的电流以所述辅助电极、所述防短路层、所述第一电极、所述有机层、所述第二电极的方向流动或者以其反方向流动。

[0091] 另外，本说明书的一实施方案提供一种有机发光元件，其包括：基板；第一电极，其在所述基板上以包括互相间隔开的两个以上单元的图案形成；第二电极，被设置为与所述第一电极对置；一层以上的有机层，设置在所述第一电极和所述第二电极之间；防短路层，被设置为与所述第一电极的图案的各个单元的至少一部分接触；辅助电极，在所述辅助电极和所述第一电极之间设置有所述防短路层，所述有机发光元件的电流以所述辅助电极、所述防短路层、所述第一电极、所述有机层、所述第二电极的方向流动或者以其反方向流动。

[0092] 根据本说明书的一实施例，所述防短路层的厚度可以为1nm以上且10μm以下。在所述范围内，防短路层在有机发光元件未发生短路的情况下可以保持正常的工作电压。另外，还能起到防止短路功能，即使在发生短路的情况下，也能使有机发光元件在正常范围内工作。

[0093] 根据本说明书的一实施例，所述防短路层的厚度方向电阻可以为70Ω以上且300,000Ω以下。

[0094] 所述电阻范围可以为，在所述有机发光元件包括互相间隔开的两个以上单元的情况下，位于各个单元的防短路层的厚度方向电阻范围。

[0095] 另外，根据本说明书的一实施例，从一个单元至另一个单元的电阻可以为140Ω以上且600,000Ω以下。

[0096] 所述防短路层的电阻可以由下文中描述的工作电压上升率((Vt-Vo)/Vo)和泄露电流与工作电流的比值(Is/It)的适当范围算出。

[0097] 根据本说明书的一实施例，所述防短路层可以包括选自碳粉、碳膜、导电聚合物、有机聚合物、金属、金属氧化物、无机氧化物、金属硫化物、和绝缘物质中的一种或者两种以上。具体而言，可以使用选自氧化锆(ZrO2)、镍铬合金(nichrome)、铟锡氧化物(ITO)、硫化锌(ZnS)、和二氧化硅(SiO2)中的两个以上的混合物。

[0098] 根据本说明书的一实施例，可以将平面形状的所述有机发光元件分成多个图案化的单元，并使电流经由防短路层流入至各个单元。

[0099] 在本说明书中，A(cm2)是指有机发光元件中的整个发光面积。另外，在本说明书2
中，Vo(V)是指，在未产生短路缺陷的状态下，工作电流密度为Io(mA/cm)时，没有使用防短路层的有机发光元件的工作电压。另外，在本说明书中，Vt(V)是指，在未产生短路缺陷的状态下，工作电流密度为Io(mA/cm2)时，使用防短路层的有机发光元件的工作电压。

[0100] 本说明书的一实施例的有机发光元件，将整个发光面积A(cm2)分成ncell个，并制备成图案化的各个单元，然后将防短路层串联连接于各个单元，可以将该所有组合分别与电源并联连接。对其的电路图示于图2。

[0101] 图1例示了没有防短路层的有机发光元件中未发生短路的情况的电路图。

[0102] 图2例示了具备本说明书的一实施方案的防短路层的有机发光元件中未发生短路的情况的电路图。

[0103] 在本发明中，在未产生短路缺陷的状态下，有机发光元件的工作电流(It)(mA)可以以下述式表示。

[0104] It＝ncell×Icell

[0105] 所述Icell指在有机发光元件正常工作时一个单元中的工作电流(mA)。

[0106] 在本说明书中，图案化的单元的总数(ncell)可以以下述式表示。

[0107]

[0108] 所述Acell是指图案化的单元的面积。

[0109] 在本说明书中，施加于有机发光元件的整个区域的电阻(Rorg)(Ω)可以以下述式表示。

[0110]

[0111] 在本说明书中，Rcell-org(Ω)是指一个单元的有机电阻(Ω)。

[0112] 若将防短路层添加至每个图案化的单元，则在有机发光元件工作时电压会上升。因此，即使使用防短路层，在有机发光元件中未发生短路的情况下，也可以控制有机发光元件的效率不明显下降。在元件的正常工作状态下，由添加防短路层而发生的有机发光元件的工作电压上升率可以以下述式1表示。

[0113] [式1]

[0114]

[0115] 在所述式1中，所述Vt(V)指采用防短路层且不存在短路缺陷的有机发光元件的工作电压；所述Vo(V)指未采用防短路层且不存在短路缺陷的有机发光元件的工作电压。

[0116] 所述工作电压上升率((Vt-Vo)/Vo)可以根据下述式来计算。此处，Rcell-spl指一个单元中的防短路层的厚度方向的电阻(Ω)。具体而言，可以表示为一个单元中的防短路层的厚度方向电阻。

[0117]

[0118] 所述工作电压上升率((Vt-Vo)/Vo)可通过下述式算出。

[0119]

[0120]

[0121] 在有机发光元件中没有防短路层的情况下，将发生短路时流过正常的有机层的电流(mA)定义为In，将流向短路发生点的电流(mA)定义为Is，将短路发生点的有机物的电阻(Ω)定义为Rorg-s，In和Is可以以下述式表示。即，在没有防短路层的有机发光元件发生短路的情况下，Rorg-s的值降低至接近于0，并且所设定的所有电流通过短路发生点(Is)泄漏。因此，电流不会流向正常的有机层，因此元件不会发光。对此，图3例示了在没有防短路层的有机发光元件中发生短路的情况的电路图。

[0122]

[0123]

[0124] 根据本说明书的一实施例，在防短路层设置于各个单元的有机发光元件的情况下，当In-cell被定义为在发生短路时流经正常发光区域的电流(mA)时，各个并联连接的电路的电压相同，且所有并联电路的电流之和与It(元件的工作电流)相同。这可以通过下述式来确认。

[0125] (Rcell-org+Rcell-spl)×In-cell＝(Rcell-s+Rcell-spl)Is

[0126] It＝In-cell×(ncell-1)+Is

[0127] 另外，泄露电流可以以下述式算出。

[0128]

[0129] 因此，在本说明书的所述有机发光元件中，即使一个发光区域的有机层发生短路(Rcell-s＝0)，由所述式可知，若分母的值充分大，则可以大大地降低泄露电流的量。对此，图4例示了在本说明书的一实施例的具备防短路层的有机发光元件中发生短路的情况的电路图。

[0130] 而且，元件的工作电流(It)与泄露电流(Is)的比值可以以下述式2表示。

[0131] [式2]

[0132]

[0133] 在所述式2中，所述It(mA)指采用防短路层且不存在短路缺陷的具有相同有机物结构的有机发光元件的工作电流；所述Is(mA)指采用防短路层且存在短路缺陷的有机发光元件的缺陷区域中的泄露电流。或者，在所述第一电极由包括互相间隔开的两个以上单元的图案形成的情况下，所述Is(mA)指采用防短路层且其中在任意一个单元中存在短路缺陷的区域中的泄露电流。

[0134] 所述元件的工作电流(It)与泄露电流(Is)的比值可以通过下述式算出。

[0135]

[0136] 根据本说明书的一实施例，所述防短路层可以具有如下的厚度方向电阻值：在该厚度方向电阻值下，所述有机发光元件的工作电压上升率((Vt-Vo)/Vo；式1)以及泄露电流与工作电流的比值(Is/It；式2)同时满足0.03以下。更具体而言，所述防短路层可以具有如下的厚度方向电阻值：在该厚度方向电阻值下，所述工作电压上升率((Vt-Vo)/Vo)以及泄露电流与工作电流的比值(Is/It)同时满足0.01以下。

[0137] 具体而言，根据本说明书的一实施例，在电流密度为1mA/cm2至5mA/cm2范围内的任一值时，所述防短路层可以具有如下的厚度方向电阻值：在该厚度方向电阻值下，所述式1的数值和所述式2的数值同时满足0.03以下或者0.01以下。

[0138] 在所有条件相同的的情况下，随着图案化的单元的总数(ncell)增加，如上所述的两个特性值(工作电压上升率((Vt-Vo)/Vo)和泄露电流与工作电流的比值(Is/It))具有一个较低值，从而可以得到最好的效果。然而，为增加图案化的发光区域的总数，存在需要提高工艺精度的困难，因此在现实中可采用的水平可以决定图案化的发光区域的数量。

[0139] 根据本说明书的一实施例，所述防短路层的体电阻率可以为0.63Ωcm以上且8.1×1010Ωcm以下。

[0140] 根据本说明书的一实施例，所述防短路层的体电阻率(ρslp)(Ωcm)可以由下述式来算出。

[0141]

[0142] 在本说明书和所述式中，Aspl(cm2)是指如下一个面积：其中电流可在厚度方向上从形成于一个单元上的辅助电极经由该防短路层流至一个单元的第一电极。也就是指，在形成于一个第一电极上的防短路层的面积中，与形成在防短路层上部的辅助电极的面积相重叠的面积。

[0143] 所述Rcell-spl指一个单元中的防短路层的电阻(Ω)。

[0144] 所述tslp(μm)是指防短路层的厚度。

[0145] 具体而言，Aspl(cm2)可以是指在防短路层位于第一电极和辅助电极之间的情况下，防短路层的与下部的第一电极和上部的辅助电极同时重叠的面积。作为一个例子，当防短路层的整个下表面形成在与之接触的第一电极上并且辅助电极形成在与之接触的防短路层的整个上表面上时，Aspl(cm2)可以为防短路层的与第一电极重叠的面积。作为另一个例子，当防短路层的整个下表面形成在与之接触的第一电极上并且辅助电极形成防短路层的上表面的一部分上时，Aspl(cm2)可以为防短路层的与第一电极和辅助电极同时重叠的面积。

[0146] 在本说明书和所述式中，tslp(μm)是指防短路层的厚度。即，在防短路层形成于第一电极上的情况下，tslp(μm)是以第一电极的上表面为基准的竖直方向上的厚度。

[0147] 从所述式中可以确认，在一个单元中形成的防短路层的体电阻率(ρslp)可以通过一个单元中的防短路层的厚度方向电阻(Rcell-spl)、电流可在厚度方向上从形成于一个单元上的辅助电极经由该防短路层流至一个单元的第一电极的面积(Aspl)、以及防短路层的厚度(tslp)来确定。

[0148] 根据本说明书的一实施例，所述防短路层的体电阻率可以为0.63Ωcm以上且8.110
×10 Ωcm以下。在所述范围内，防短路层在有机发光元件未发生短路的情况下，可保持正常的工作电压。另外，可以发挥防止短路功能，并且即使在发生短路的情况下，有机发光元件也可以在正常范围内工作。所述体电阻率可通过下述式来算出。需要注意的是，本说明书的一实施例的所述体电阻率的范围是发挥防止短路功能所需的所述防短路层的电阻仅由所述防短路层的体电阻来确定的情况下的范围。因此，根据本说明书的一实施例，在所述防短路层和所述第一电极、或者所述防短路层和所述辅助电极之间的接触电阻达到不能忽略的程度的情况下，所述体电阻率的范围可低于所述数值。

[0149] 根据本说明书的一实施例，在所述防短路层的厚度方向电阻的范围为140Ω以上且300,000Ω以下，所述防短路层的厚度为1nm以上且10μm以下，一个单元的面积为300×300μm2至3×3mm2的情况下，电流在厚度方向上从形成于所述一个单元上的辅助电极经由该防短路层流至一个单元的第一电极的面积(Aspl)可定为在一个单元的面积的1％至30％范围内。因此，电流在厚度方向上从形成于所述一个单元上的辅助电极经由该防短路层流至一个单元的第一电极的面积(Aspl)可以为9×10-6cm2(300μm×300μm×0.01)至2.7×10-2cm2(0.3cm×0.3cm×0.3)。在该情况下，所述防短路层的体电阻率可以由下述式来算出。

[0150]

[0151] 根据本说明书的一实施例，所述辅助电极可以由金属材质构成。即所述辅助电极可以为金属辅助电极。

[0152] 所述辅助电极通常可以采用所有金属。具体而言，可以包括导电性良好的铝，铜和/或银。在为了与透明电极的附着力和光刻工艺中的稳定性所述辅助电极使用铝的情况下，也可以使用一层钼/铝/钼。

[0153] 根据本说明书的一实施例，所述第一电极可以为透明电极。

[0154] 在所述第一电极为透明电极的情况下，所述第一电极可以为如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)等导电氧化物。而且，所述第一电极可以为半透明电极。在所述第一电极为半透明电极的情况下，可以由半透明金属如Ag、Au、Mg、Ca或者这些的合金来制造第一电极。在将半透明金属用作第一电极的情况下，所述有机发光元件可具有微孔结构。

[0155] 根据本说明书的一实施例，所述有机层包括至少一层的发光层。另外，根据本说明书的一实施例，所述有机层可包括至少一层以上的发光层，并且进一步包括选自空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电荷生成层、电子阻挡层、电子传输层、和电子注入层中的一种或者两种以上。

[0156] 所述电荷生成层(Charge Generating layer)是指施加电压后生成空穴和电子的层。

[0157] 所述基板可以使用具有优异的透光性、表面平滑性、易加工性、和防水性的基板。具体而言，可以使用玻璃基板、薄膜玻璃基板、或者透明塑料基板。所述塑料基板可以包括单层或者多层形式的膜，所述膜为PET(polyethylene terephthalate)，PEN(Polyethylene naphthalate)，PEEK(Polyether ether ketone)和PI(Polyimide)等。另外，所述基板自身可包含光散射功能。然而，所述基板并不限于此，可以采用通常用于有机发光元件的基板。

[0158] 根据本说明书的一实施例，所述第一电极可以为阳极，所述第二电极可以为阴极。另外，也可以是所述第一电极为阴极，所述第二电极为阳极。

[0159] 所述阳极优选通常为功函数大的物质，以使得空穴顺利地注入至有机层。可在本发明中使用的阳极物质的具体实例为：金属，如钒、铬、铜、锌、金或者这些的合金；金属氧化物，如锌氧化物、铟氧化物、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)；金属和氧化物的组合，如ZnO:Al或者SnO2:Sb；导电聚合物，如聚(3-甲基噻吩)、聚[3,4-(乙基-1,2-二氧)噻吩](PEDOT)、聚吡咯、和聚苯胺等，但并不限定于这些。

[0160] 所述阳极材料并不仅限于用作阳极材料，也可以用作阴极材料。

[0161] 所述阴极优选地通常为功函数低的物质，以使得电子容易注入至有机层。阴极物质的具体实例为：金属如镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡和铝或者这些合金；以及多层结构物质，如LiF/Al或者LiO2/Al等，但并仅不限于这些。

[0162] 所述阴极材料并不仅限于用作阴极材料，也可以用作阳极材料。

[0163] 本说明书的空穴传输层物质作为从阳极或空穴注入层接收空穴并可将空穴转移至发光层的物质，优选使用对空穴的迁移率好的物质。具体实例为芳胺系有机物、导电聚合物、以及存在共轭部分和非共轭部分的嵌段共聚物等，但并不限于这些。

[0164] 本说明书的发光层物质作为分别从空穴传输层和电子传输层接收空穴和电子并进行结合由此产生可视光区域的光的物质，优选使用对荧光或磷光具有优异量子效率的物质。具体实例为：8-羟基喹啉铝复合物(Alq3)；咔唑系化合物；二聚苯乙烯基(dimerized styryl)化合物；BAlq；10-羟基苯并喹啉-金属化合物；苯并恶唑系、苯并噻唑系及苯并咪唑系化合物；聚(p-亚苯基亚乙烯基)(PPV)系聚合物；螺(spiro)化合物；聚芴；及红荧烯等，但并不限于这些。

[0165] 本说明书的电子传输层物质作为能够从阴极良好地接收电子并可将电子转移至发光层的物质，优选使用对电子具有高迁移率的物质。具体实例为：8-羟基喹啉的Al复合物；包含Alq3的复合物；有机自由基(radical)化合物；和羟基黄酮-金属复合物等，但并不限于这些。

[0166] 根据本说明书的一实施例，所述有机发光元件可由封装层密封。

[0167] 所述封装层可以由透明的树脂层形成。所述封装层起到保护所述有机发光元件免受氧气和污染物质影响的作用，并且可以为透明材质以不阻碍所述有机发光元件的发光。所述透明是指穿透60％以上的光。具体而言，可以是指穿透75％以上的光。

[0168] 图5示出本说明书的一实施例中的一个有机发光元件。如图5所示，本说明书的有机发光元件可与通常的有机发光元件相同，在第一电极和第二电极之间设置有机层。另外，辅助电极和防短路层不与有机层接触。

[0169] 图5示出作为本说明书的一实施例中的一个有机发光元件。如图5所示，本说明书的有机发光元件与通常的有机发光元件相同，有机层可以位于第一电极和第二电极之间。另外，辅助电极和防短路层不与有机层直接接触。

[0170] 图6示出作为本说明书的一个实施例的有机发光元件的截面图。

[0171] 根据本说明书的一实施例，所述有机发光元件可以发射色温为2,000K以上且12,000K以下的白光。

[0172] 根据本说明书的一实施例，所述有机发光元件可包括光散射层。

[0173] 具体而言，根据本说明书的一实施例，在设置在第一电极的与设有有机层的表面相对置的表面上的基板与所述第一电极之间可进一步包括光散射层。根据本说明书的一实施例，所述光散射层可包括平坦层。根据本说明书的一实施方案，所述平坦层可设置在所述第一电极和所述光散射层之间。

[0174] 或者，根据本说明书的一实施例，还可以在在所述基板的与设置有第一电极的表面相对置的表面包括光散射层。

[0175] 根据本说明书的一实施例，所述光散射层只要是可诱导光散射而提高所述有机发光元件的光散射效率的结构，就不对其进行特别限定。具体而言，根据本说明书的一实施例，所述光散射层可以为：具有分散在粘合剂内的散射颗粒的结构、凹凸的膜、和/或具有浊度(hazeness)的膜。

[0176] 根据本说明书的一实施例，所述光散射层，可以在基板上通过旋转涂布，棒式涂布，狭缝涂布等方法来直接形成，或者也可以以薄膜形状制备并进行附着的方式来形成。

[0177] 根据本说明书的一实施例，所述有机发光元件可以为柔性(flexible)有机发光元件。在该情况下，所述基板可以包含柔性材料。具体而言，所述基板可为可弯曲的薄膜形状的玻璃、塑料基板或者膜形状的基板。

[0178] 对所述塑料基板的材料没有特别限定，通常可以以单层或者多层的形式包括PET(polyethylene terephthalate)、PEN(Polyethylene naphthalate)、PEEK(Polyether ether ketone)、及PI(Polyimide)等的膜。

[0179] 本说明书提供一种包括所述有机发光元件的显示器装置。在所述显示器装置中，所述有机发光元件可以起到像素或者背光的作用。除此之外，显示器装置的结构要素可以使用本领域公知的构件。

[0180] 本说明书提供一种包括所述有机发光元件的照明装置。在所述照明装置中，所述有机发光元件起到发光部的作用。除此之外，照明装置所需的结构要素可以使用本领域公知的构件。

[0181] 本说明书的一实施方案提供一种所述有机发光元件的制造方法。具体而言，所述有机发光元件的制造方法包括：准备基板的步骤；在所述基板上形成第一电极的步骤；以与所述第一电极的至少一部分接触的方式形成防短路层的步骤；以如下方式形成一个辅助电极层的步骤，即，将所述防短路层设置在该辅助电极层与所述第一电极之间；在所述第一电极上形成一个以上的有机层的步骤；以及在所述有机层上形成第二电极的步骤。

[0182] 另外，根据本说明书的一实施例，所述有机发光元件的制造方法包括：在所述基板上形成第一电极的步骤；以与所述第一电极的至少一部分接触的方式形成防短路层的步骤；在所述防短路层上形成辅助电极层的步骤；在所述第一电极上形成一个以上的有机层的步骤；以及在所述有机层上形成第二电极的步骤。

[0183] 另外，根据本说明书的一实施例，所述有机发光元件的制造方法包括：在所述基板上形成辅助电极的步骤；在所述辅助电极上形成防短路层的步骤；以与所述防短路层的至少一部分接触的方式形成第一电极的步骤；在所述第一电极上形成一个以上的有机层的步骤；以及在所述有机层上形成第二电极的步骤。

[0184] 另外，根据本说明书的一实施例，所述有机发光元件的制造方法包括：在所述基板上形成防短路层的步骤；在所述防短路层上形成辅助电极的步骤；以与所述防短路层的至少一部分接触而设置的方式形成第一电极的步骤；在所述第一电极上形成一个以上的有机层的步骤；以及在所述有机层上形成第二电极的步骤。

[0185] 根据本说明书的一实施例，形成所述防短路层的步骤可以是，在基板上形成所述防短路层的步骤。或者，可以是在第一电极上形成所述防短路层的步骤。或者，可以是，所述防短路层的一部分形成在所述基板上，其余部分形成在所述第一电极上的步骤。

[0186] 根据本说明书的一实施例，可以在将所述防短路层形成在所述基板上之后形成所述第一电极。

[0187] 根据本说明书的一实施例，可以在将所述第一电极形成在所述基板上之后形成所述防短路层。

[0188] 根据本说明书的一实施例，所述有机层可以形成在所述基板上。或者，所述有机层可以在形成所述基板、所述第一电极、所述防短路层及所述辅助电极之后，以覆盖这些基板、第一电极、防短路层及辅助电极的形状形成。

[0189] 根据本说明书的一实施例，形成所述所述第一电极的步骤可以包括对第一电极进行图案化的步骤。图7示出经过所述图案化步骤后的第一电极。

[0190] 根据本说明书的一实施例，在所述有机发光元件的制造方法中，形成所述防短路层的步骤和形成所述辅助电极层的步骤可以包括：以整个表面层形成所述防短路层的步骤；以整个表面层形成所述辅助电极层的步骤；以及同时对以所述整个表面层形成的防短路层和所述辅助电极层进行图案化的步骤。图8示出在第一电极上形成防短路层和金属电极层之后，对该防短路层和金属电极层进行图案化之后的情况。

[0191] 本说明书中的图案化的所述防短路层和所述辅助电极可以以各种设计(design)形成。具体而言，在一个单元中，在防短路层上形成有辅助电极的图案可以与第一电极的一个以上的边接触。或者，在防短路层上形成有辅助电极的图案也可以贯通一个单元并与第一电极接触。对此，具体实例示于图16中。而且，图17示出在基板上设置的图案化的第一电极的任一个单元所具备的防短路层和辅助电极的截面。

[0192] 根据本说明书的一实施例，可进一步包括在所述防短路层和辅助电极上形成绝缘层的步骤。图9示出在形成所述绝缘层之后的情况。

[0193] 根据本说明书的一实施例，在形成所述第二电极之后，可进一步包括进行封装的步骤。

[0194] 发明的实施方式

[0195] 通过以下的实施例，对所述有机发光元件的防短路层的厚度方向电阻范围进行详细说明。需要注意的是，以下的实施例仅仅用于例示本说明书的内容，并不是通过这些限定本说明书的范围。

[0196] [实施例1]防短路层的厚度方向电阻的范围

[0197] 制备了有机发光元件，其中有机发光元件的发光区域(A)为100cm2，单元的一个边长(Lcell)为900μm，使得ncell约为1.2E+04个。此时，元件的工作电压(Vo)为6V，元件的工作电流密度(Io)为3mA/cm2。在该情况下，在一个单元中基于防短路层的厚度方向电阻(Rcell-spl)的工作电压上升率((Vt-Vo)/Vo)和泄露电流与工作电流的比值(Is/It)如表1所示。另外，其图表示于图10中。

[0198] 在本说明书中，在将电压上升率((Vt-Vo)/Vo)和泄露电流与工作电流的比值(Is/It)以％表示的情况下，是指电压上升率((Vt-Vo)/Vo)和泄露电流与工作电流的比值(Is/It)乘以100的值。

[0199] 表1

[0200]Rcell-spl Is/It (Vt-Vo)/Vo
100 16.7％ 0.0％
134 13.0％ 0.1％
181 10.0％ 0.1％
243 7.6％ 0.1％
327 5.8％ 0.1％
439 4.4％ 0.2％
590 3.3％ 0.2％
794 2.5％ 0.3％
1,067 1.8％ 0.4％
1,435 1.4％ 0.6％
1,929 1.0％ 0.8％
2,593 0.8％ 1.1％
3,486 0.6％ 1.4％
4,686 0.4％ 1.9％
6,300 0.3％ 2.6％
8,469 0.2％ 3.4％
11,386 0.2％ 4.6％
15,307 0.1％ 6.2％
20,578 0.1％ 8.3％
27,665 0.1％ 11.2％

[0201]37,192 0.1％ 15.1％
50,000 0.0％ 20.3％

[0202] [实施例2]防短路层的厚度方向电阻的范围

[0203] 制备了有机发光元件，其中有机发光元件的发光区域(A)为900cm2，单元的一个边长(Lcell)为900μm，使得ncell约为1.1E+05个。此时，元件的工作电压(Vo)为6V，元件的工作电流密度(Io)为3mA/cm2。在该情况下，在一个单元中基于防短路层的厚度方向电阻(Rcell-spl)的工作电压上升率((Vt-Vo)/Vo)和泄露电流与工作电流的比值(Is/It)如表2所示。另外，其图表示于图11中。

[0204] 表2

[0205]Rcell-spl Is/It (Vt-Vo)/Vo
10 18.2％ 0.0％
15 12.9％ 0.0％
23 9.0％ 0.0％
34 6.2％ 0.0％
51 4.2％ 0.0％
76 2.8％ 0.0％
114 1.9％ 0.0％
171 1.3％ 0.1％
257 0.9％ 0.1％
385 0.6％ 0.2％
577 0.4％ 0.2％
866 0.3％ 0.4％
1,299 0.2％ 0.5％
1,949 0.1％ 0.8％
2,924 0.1％ 1.2％
4,387 0.1％ 1.8％
6,581 0.0％ 2.7％
9,872 0.0％ 4.0％
14,810 0.0％ 6.0％

[0206]22,217 0.0％ 9.0％
33,329 0.0％ 13.5％
50,000 0.0％ 20.3％

[0207] [实施例3]防短路层的厚度方向电阻的范围

[0208] 制备了有机发光元件，其中有机发光元件的发光区域(A)为100cm2，单元的一个边长(Lcell)为900μm，使得ncell约为1.2E+04个。此时，元件的工作电压(Vo)为6V，元件的工作电2
流密度(Io)为6mA/cm。在该情况下，在一个单元中基于防短路层的厚度方向电阻(Rcell-spl)的工作电压上升率((Vt-Vo)/Vo)和泄露电流与工作电流的比值(Is/It)如表3所示。另外，其图表示于图12中。

[0209] 表3

[0210]Rcell-spl Is/It (Vt-Vo)/Vo
50 16.7％ 0.0％
67 13.0％ 0.1％
90 10.0％ 0.1％
121 7.6％ 0.1％
163 5.8％ 0.1％
220 4.4％ 0.2％
295 3.3％ 0.2％
397 2.5％ 0.3％
534 1.8％ 0.4％
717 1.4％ 0.6％
964 1.0％ 0.8％
1,296 0.8％ 1.1％
1,743 0.6％ 1.4％
2,343 0.4％ 1.9％
3,150 0.3％ 2.6％
4,235 0.2％ 3.4％
5,693 0.2％ 4.6％
7,653 0.1％ 6.2％

[0211]10,289 0.1％ 8.3％
13,832 0.1％ 11.2％
18,596 0.1％ 15.1％
25,000 0.0％ 20.3％

[0212] [实施例4]防短路层的厚度方向电阻的范围

[0213] 制备了有机发光元件，其中有机发光元件的发光区域(A)为100cm2，单元的一个边长(Lcell)为450μm，使得ncell约为4.9E+04个。此时，元件的工作电压(Vo)为6V，元件的工作电流密度(Io)为3mA/cm2。在该情况下，在一个单元中基于防短路层的厚度方向电阻(Rcell-spl)的工作电压上升率((Vt-Vo)/Vo)和泄露电流与工作电流的比值(Is/It)如表4所示。另外，其图表示于图13中。

[0214] 表4

[0215]Rcell-spl Is/It (Vt-Vo)/Vo
100 16.7％ 0.0％
144 12.2％ 0.0％
206 8.8％ 0.0％
296 6.3％ 0.0％
425 4.5％ 0.0％
611 3.2％ 0.1％
877 2.2％ 0.1％
1,260 1.6％ 0.1％
1,809 1.1％ 0.2％
2,599 0.8％ 0.3％
3,732 0.5％ 0.4％
5,359 0.4％ 0.5％
7,697 0.3％ 0.8％
11,053 0.2％ 1.1％
15,874 0.1％ 1.6％
22,797 0.1％ 2.3％
32,739 0.1％ 3.3％

[0216]47,018 0.0％ 4.8％
67,523 0.0％ 6.8％
96,972 0.0％ 9.8％
139,264 0.0％ 14.1％
200,000 0.0％ 20.3％

[0217] [实施例5]防短路层的厚度方向电阻的范围

[0218] 制备了有机发光元件，其中有机发光元件的发光区域(A)为100cm2，单元的一个边长(Lcell)为900μm，使得ncell约为1.2E+04个。此时，元件的工作电压(Vo)为9V，元件的工作电流密度(Io)为3mA/cm2。在该情况下，在一个单元中基于防短路层的厚度方向电阻(Rcell-spl)的工作电压上升率((Vt-Vo)/Vo)和泄露电流与工作电流的比值(Is/It)如表5所示。另外，其图表示于图14中。

[0219] 表5

[0220]Rcell-spl Is/It (Vt-Vo)/Vo
100 23.1％ 0.0％
137 17.9％ 0.0％
189 13.7％ 0.1％
260 10.4％ 0.1％
357 7.8％ 0.1％
491 5.8％ 0.1％
675 4.3％ 0.2％
928 3.1％ 0.3％
1,276 2.3％ 0.3％
1,755 1.7％ 0.5％
2,412 1.2％ 0.7％
3,316 0.9％ 0.9％
4,559 0.7％ 1.2％
6,268 0.5％ 1.7％
8,618 0.4％ 2.3％
11,848 0.3％ 3.2％

[0221]16,288 0.2％ 4.4％
22,393 0.1％ 6.0％
30,787 0.1％ 8.3％
42,326 0.1％ 11.4％
58,190 0.1％ 15.7％
80,000 0.0％ 21.6％

[0222] [实施例6]防短路层的厚度方向电阻的范围

[0223] 制备了有机发光元件，其中有机发光元件的发光区域(A)为900cm2，单元的一个边长(Lcell)为300μm，使得ncell约为1.0E+06个。此时，元件的工作电压(Vo)为9V，元件的工作电流密度(Io)为1mA/cm2。在该情况下，在一个单元中基于防短路层的厚度方向电阻(Rcell-spl)的工作电压上升率((Vt-Vo)/Vo)和泄露电流与工作电流的比值(Is/It)如表6所示。另外，其图表示于图15中。

[0224] 表6

[0225]Rcell-spl Is/It (Vt-Vo)/Vo
40 20.0％ 0.0％
67 13.0％ 0.0％
112 8.2％ 0.0％
188 5.1％ 0.0％
314 3.1％ 0.0％
526 1.9％ 0.0％
880 1.1％ 0.0％
1,474 0.7％ 0.0％
2,467 0.4％ 0.0％
4,130 0.2％ 0.0％
6,913 0.1％ 0.1％
11,572 0.1％ 0.1％
19,373 0.1％ 0.2％
32,430 0.0％ 0.3％
54,288 0.0％ 0.5％

[0226]90,880 0.0％ 0.9％
152,134 0.0 1.5％
254,676 0.0％ 2.5％
426,333 0.0％ 4.3％
713,689 0.0％ 7.1％
1,194,729 0.0％ 11.9％
2,000,000 0.0％ 20.0％

[0227] 综上可以确认，在有机发光元件使用的水平上所需的防短路层的厚度方向电阻的范围——正如在所述实施例1至6中预期的一样——为70Ω以上且300,000Ω以下的水平。

[0228] 附图标记说明

[0229] 1:基板

[0230] 2:第一电极

[0231] 3:防短路层

[0232] 4:辅助电极

[0233] 5:绝缘层

[0234] 6:有机层

[0235] 7:第二电极

[0236] 8:封装