一种显示面板及其制造方法、显示装置

摘要

本发明公开了一种显示面板及其制造方法、显示装置，该显示面板包括相对设置的阵列基板、对盒基板以及位于所述阵列基板和对盒基板之间的液晶层，所述显示面板包括显示区域和非显示区域，在所述阵列基板对应的非显示区域设置有相转移层，所述相转移层用于将经过相转移层的光进行相位转移，用以解决由于侧视角存在串色引起的TFT LCD显示纯色画面时会存在色偏的问题。

权利要求

1.一种显示面板，包括相对设置的阵列基板、对盒基板以及位于所述阵列基板和对盒基板之间的液晶层，其特征在于，所述显示面板包括显示区域和非显示区域，在所述阵列基板对应的非显示区域设置有相转移层，所述相转移层用于将经过相转移层的光进行相位转移，所述相转移层施加偏置电压，用于驱动相转移层覆盖区域的液晶偏转。

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在所述非显示区域设置有黑矩阵，所述相转移层在阵列基板的正投影与所述非显示区域中的黑矩阵在阵列基板的正投影重合。

3.如权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，所述相转移层位于所述阵列基板靠近液晶层一侧的所有层的上方。

4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述对盒基板设置有公共电极，所述阵列基板设置有像素电极，所述相转移层位于所述像素电极所在层的上方。

5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述相转移层与所述像素电极绝缘设置。

6.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板设置有第一透明电极和第二透明电极，所述第一透明电极靠近所述液晶层，所述第二透明电极远离所述液晶层，所述相转移层位于所述第一透明电极的上方。

7.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第一透明电极为像素电极，所述第二透明电极为公共电极；或所述第一透明电极为公共电极，所述第二透明电极为像素电极。

8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～7任一所述的显示面板。

9.一种显示面板的制造方法，其特征在于，包括：在阵列基板的衬底基板上形成相转移层，所述相转移层位于显示面板的非显示区域，所述相转移层用于将经过相转移层的光进行相位转移，所述相转移层施加偏置电压，用于驱动相转移层覆盖区域的液晶偏转；

所述阵列基板与对盒基板对盒形成显示面板。

10.如权利要求9所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述阵列基板包括：衬底基板；

形成位于衬底基板上方的薄膜晶体管；

形成位于薄膜晶体管上方的像素电极层；

形成在像素电极层上方的相转移层；

所述对盒基板包括：

衬底基板：

形成在衬底基板上方的公共电极层。

11.如权利要求9所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述阵列基板包括：衬底基板；

形成位于衬底基板上方的薄膜晶体管；

形成位于薄膜晶体管上方的第一透明电极层；

形成在所述第一透明电极层上方的第二透明电极层；

形成在所述第二透明电极层上方的相转移层。

12.如权利要求11所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述第一透明电极为像素电极，所述第二透明电极为公共电极；或所述第一透明电极为公共电极，所述第二透明电极为像素电极。

13.如权利要求9～12任一所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述相转移层的材料为MoSiON。

说明书

一种显示面板及其制造方法、显示装置

技术领域

[0001] 本发明涉及液晶显示技术领域，尤其是涉及一种显示面板及其制造方法、显示装置。

背景技术

[0002] 近年来，随着数字化电视的普及，传统的阴极射线管(CRT,Cathode Ray Tube)显示技术由于数字化困难以及体积大、重量大、有辐射等缺点，逐渐被新一代显示技术所替代。液晶显示器(LCD，Liquid Crystal Display)具有重量轻、体积小、功耗低、无辐射、显示分辨率高等优点，逐渐成为显示技术领域中的主流产品。

[0003] LCD包括一个分布着多个薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)的显示面板、一个驱动TFT源极的带有数据(Data)线的源极驱动集成电路(Source Driver IC)、一个驱动TFT栅极的带有栅极(Gate)线的栅极驱动集成电路(Gate Driver IC)以及背光模块，显示面板上一个TFT对应一个像素(pixel)，每个TFT连接像素电极，像素电极与公共电极形成电场，控制与该TFT对应的像素的充电和放电。

[0004] 如图1所示，为TFT-LCD剖面示意图，TFT-LCD在进行画面显示的过程中，由于光线存在透射和折射，并且不同材质，对不同波长的光透射率以及折射率也不完全相同。而TFT-LCD的阵列基板中像素包含红色像素、绿色像素和蓝色像素，分别通过R、G和B标识)。TFT-LCD在进行画面显示的过程中，若背光源发射的光垂直落在TFT-LCD的阵列基板上时，光线可以直接反射，但是由背光源发出的光斜向投射的时候，由于入射角度的问题，光线会在投入到阵列基板上之后发生反射或透射，此时TFT LCD在侧视角存在串色问题，如图1所示的绿色像素漏光(具体如图1中G像素漏光)，这样TFT LCD显示纯色画面时会存在色偏。

发明内容

[0005] 本发明提供了一种显示面板及其制造方法、显示装置，用以解决由于侧视角存在串色引起的TFT LCD显示纯色画面时会存在色偏的问题。

[0006] 本发明实施例提供一种显示面板，包括相对设置的阵列基板、对盒基板以及位于所述阵列基板和对盒基板之间的液晶层，所述显示面板包括显示区域和非显示区域，在所述阵列基板对应的非显示区域设置有相转移层，所述相转移层用于将经过相转移层的光进行相位转移。

[0007] 较优地，在所述非显示区域设置有黑矩阵，所述相转移层在阵列基板的正投影与所述非显示区域中的黑矩阵在阵列基板的正投影重合。

[0008] 较优地，所述相转移层位于所述阵列基板靠近液晶层一侧的所有层的上方。

[0009] 较优地，所述对盒基板设置有公共电极，所述阵列基板设置有像素电极，所述相转移层位于所述像素电极所在层的上方。

[0010] 较优地，所述相转移层与所述像素电极绝缘设置，所述相转移层施加偏置电压，用于驱动相转移层覆盖区域的液晶偏转。

[0011] 较优地，所述阵列基板设置有第一透明电极和第二透明电极，所述第一透明电极靠近所述液晶层，所述第二透明电极远离所述液晶层，所述相转移层位于所述第一透明电极的上方。

[0012] 较优地，所述第一透明电极为像素电极，所述第二透明电极为公共电极；或所述第一透明电极为公共电极，所述第二透明电极为像素电极。

[0013] 本发明实施例还提供一种显示装置，包括上述任一种显示面板。

[0014] 本发明实施例还提供一种显示面板的制造方法，在阵列基板的衬底基板上形成相转移层，所述相转移层位于显示面板的非显示区域，所述相转移层用于将经过相转移层的光进行相位转移；所述阵列基板与对盒基板形成显示面板。

[0015] 较优地，阵列基板包括：衬底基板；形成位于衬底基板上方的薄膜晶体管；形成位于薄膜晶体管上方的像素电极层；形成在像素电极层上方的相转移层；所述对盒基板包括：衬底基板：形成在衬底基板上方的公共电极层。

[0016] 较优地，所述阵列基板包括：衬底基板；形成位于衬底基板上方的薄膜晶体管；形成位于薄膜晶体管上方的第一透明电极层；形成在所述第一透明电极层上方的第二透明电极层；形成在所述第二透明电极层上方的相转移层。

[0017] 较优地，所述第一透明电极为像素电极，所述第二透明电极为公共电极，或所述第一透明电极为公共电极，所述第二透明电极为像素电极。

[0018] 较优地，所述相转移层的材料为MoSiON。

[0019] 本发明实施例提供的显示面板，在阵列基板对应的非显示区域上设置有相转移层，相转移层用于将投入的光束进行相位转移，光线在投入到显示面板中阵列基板上之后发生反射或透射时，相转移层可以将反射或透射的光进行相位转移，这样，进行相位转移后光束的能量，与未进行相位转移光束的能量，二者可以互相抵消，从而不会出现光线漏光的问题，进而解决了由于侧视角存在串色引起的TFT LCD显示纯色画面时会存在色偏的问题。

附图说明

[0020] 图1为TFT-LCD发生漏光剖面示意图；

[0021] 图2为本发明实施例显示面板剖面结构示意图；

[0022] 图3为相转移层工作原理示意图；

[0023] 图4为本发明实施例的显示面板剖面结构示意图。

具体实施方式

[0024] 下面将结合各个附图对本发明实施例技术方案的主要实现原理、具体实施方式及其对应能够达到的有益效果进行详细地阐述。

[0025] 本发明实施例提供一种显示面板，包括相对设置的阵列基板、对盒基板以及位于阵列基板和对盒基板之间的液晶层，该显示面板包括显示区域和非显示区域，在阵列基板对应的非显示区域设置有相转移层，相转移层用于将经过相转移层的光进行相位转移。

[0026] 在显示面板的非显示区域设置有相转移层，其中相转移层用于将投入的光束进行相位转移。在非显示区域设置了相转移层的显示面板，光线在投入到显示面板中的下基板之后发生反射或透射时，相转移层可以将反射或透射的光进行相位转移，这样，进行相位转移后光束的能量，与未进行相位转移光束的能量，二者可以互相抵消，从而不会出现光线漏光的问题，进而解决了显示纯色画面时会存在色偏的问题。

[0027] 较优地，在非显示区域设置有黑矩阵，相转移层在阵列基板的正投影与非显示区域中的黑矩阵在阵列基板的正投影重合。

[0028] 较优地，相转移层位于所述阵列基板靠近液晶层一侧的所有层的上方。

[0029] 较优地，显示面板的对盒基板设置有公共电极，阵列基板设置有像素电极，相转移层位于像素电极所在层的上方。

[0030] 较优地，相转移层与所述像素电极绝缘设置，相转移层施加偏置电压，用于驱动相转移层覆盖区域的液晶偏转。

[0031] 较优地，阵列基板设置有第一透明电极和第二透明电极，第一透明电极靠近液晶层，第二透明电极远离所述液晶层，相转移层位于第一透明电极的上方。

[0032] 较优地，第一透明电极为像素电极，第二透明电极为公共电极；或第一透明电极为公共电极，第二透明电极为像素电极。

[0033] 实施例一

[0034] 如图2所示，显示面板包括相对设置的阵列基板41、对盒基板42以及位于阵列基板41和对盒基板42之间的液晶层50。显示面板包括显示区域和非显示区域，在阵列基板41对应的非显示区域设置相转移层28，相转移层28用于将经过相转移层的光进行相位转移。

[0035] 在显示面板进行图像显示时，如图2所示，假设光束1和光束2照射到显示面板中的非显示区域上，光线1照射过来时，投入到设置的相转移层上，光束1的相位发生变化，光束2照射过来时，没有经过相转移层，因此光束2的相位没有发生变化，这样，发生相位变化的光束1的能量，与未发生相位变化的光束2的能量，能够相互抵消，图中60为能量抵消区域，从而使得显示面板不会出现光线漏光的问题，进而解决了显示纯色画面时会存在色偏的问题。即使对盒操作过程中存在误差，也能够通过增加的相转移层来解决漏光问题。

[0036] 一种较佳地实现方式，本发明实施例一提出的技术方案中，显示面板的非显示区域中设置的相转移层28，可以使得投入到相转移层的光束发生180°偏转，这样可以保证发生相位变化的光束的能量和未发生相位变化的光束的能量完全抵消，不会出现漏光，进一步提升显示面板的显示效果。具体如图3所示的进行相位转移前后的对比示意图，光束入射到阵列基板中时，如果未设置相转移层，则如图3左边所示，光束直接透过，相位不发生任何偏转。如果设置相转移层，如图3右边所示，光束在投入到相转移层28时发生相位转移，转移180°，为便于区域，将发生相位偏移的光束标识为501所示，这样，通过相转移层的设置，可以实现将光束502的能量将与未经过相转移层的光束的能量进行能量抵消的目的。

[0037] 其中，相转移层使光线发生相转移变化原理可以参照如图3所示，具体地，按照下述公式：

[0038] ΔΦ＝2π(n-1)d/λ

[0039] 其中ΔΦ为相位，λ是光的波长，n是折射系数，d是相转移层厚度。

[0040] 较佳地，在本发明实施例一上述提出的显示面板中，所述非显示区域设置有黑矩阵30，黑矩阵30在阵列基板41的正投影覆盖相转移层28在阵列基板41的正投影。

[0041] 具体地，在本发明实施例一上述提出的显示面板中，阵列基板41包括衬底基板20，相转移层28在衬底基板20的正投影与黑矩阵30在衬底基板20的正投影区域重合。

[0042] 相转移层28在衬底基板20的正投影与黑矩阵30在衬底基板的正投影重合，相当于相转移层的正投影区域恰好覆盖黑矩阵在衬底基板上的正投影，这样，在显示面板显示图像时，光束投射到衬底基板时，可以较好地避免像素漏光，也不会增加遮光，形成阴影，从而解决显示纯色画面时会存在色偏的问题。

[0043] 较佳地，在本发明实施例一上述提出的显示面板中，相转移层28位于阵列基板41上靠近液晶层50一侧的所有层的上方。这样，在显示面板显示图像时，光束投射到衬底基板时，可以较好地避免像素漏光，也不会增加遮光，形成阴影，从而解决显示纯色画面时会存在色偏的问题。

[0044] 具体地，上述显示面板既可以适用于扭曲向列型(Twisted Nematic，TN)模式的显示面板，也可以适用于高级超维场开关(Advanced super bimension switch，ADS)模式。

[0045] 其中，当上述显示面板适用于TN模式时，相转移层28与上基板上的公共电极形成电场控制液晶偏转，其中对盒基板42设置有公共电极(图2中未示出)，阵列基板设置有像素电极24，相转移层28位于像素电极所在层的上方。

[0046] 通过在像素电极层上方形成相转移层，光束入射到阵列基板中时，在经过相转移层时发生相位转移，转移180°，与未经过相转移层的光束的能量进行能量抵消，从而不会出现光线漏光的问题，进而解决了显示纯色画面时会存在色偏的问题。

[0047] 较佳地，针对TN模式的显示面板，相转移层28与像素电极24绝缘设置，相转移层28施加偏置电压，用于与对盒基板42上的公共电极驱动相转移层覆盖区域的液晶偏转，保持垂直，从而控制非显示区域的液晶取向，使非显示区域的液晶通电时处于常黑的状态，从而更好地阻止漏光现象的产生，提高液晶显示面板的对比度。

[0048] 当上述显示面板适用于ADS模式时，阵列基板设置有第一透明电极和第二透明电极，第一透明电极靠近液晶层，第二透明电极远离液晶层，相转移层位于第一透明电极的上方。

[0049] 具体地，当适用于ADS模式时，第一透明电极为像素电极，第二透明电极为公共电极；当适用于HADS模式时,第一透明电极为公共电极，第二透明电极为像素电极。

[0050] 为了更好地阐述本发明实施例提出的技术方案，为了阐述相转移层的位置，图2显示面板中的阵列基板包括依次设置在衬底基板20上的栅电极21、栅绝缘层22、有源层23、源极和漏极25，第一钝化层26，像素电极24，第二钝化层27和位于第二钝化层27上方的相转移层28。需要说明的是，也可以直接将相转移层28设置在像素电极所在层的上方，无需设置第二钝化层。上述本发明实施一提出的技术方案中，相转移层的材料可以是能够将光束进行相位转移的材料，例如硅钼合金，在此不做具体限定。

[0051] 在本发明实施例一上述提出的阵列基板中，相转移层通过磁控溅射形成相转移层薄膜，并基于光刻工艺在相转移层薄膜上形成相转移层图形。

[0052] 相应地，本发明实施例一还提出一种显示装置，包括上述实施例一提出的显示面板。显示装置具体可以包括液晶显示装置，例如该显示装置可以为液晶显示器、液晶电视、数码相框、手机或平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件。

[0053] 实施例二

[0054] 本发明实施例二提出一种显示面板的制造方法，包括：

[0055] 步骤一：在阵列基板的衬底基板上形成相转移层。

[0056] 其中相转移层位于显示面板的非显示区域，相转移层用于将经过相转移层的光进行相位转移。

[0057] 步骤二：阵列基板与对盒基板对盒形成显示面板。

[0058] 具体实施过程中，针对TN模式的显示面板，阵列基板包括：

[0059] 衬底基板；

[0060] 形成位于衬底基板上方的薄膜晶体管，该薄膜晶体管形成包括栅电极层、栅绝缘层、有源层和源漏电极层；

[0061] 形成位于薄膜晶体管上方的像素电极层；

[0062] 形成在像素电极层上方的相转移层；

[0063] 对盒基板包括：

[0064] 衬底基板：

[0065] 形成在衬底基板上方的公共电极层。

[0066] 针对ADS模式的显示面板，该阵列基板包括：

[0067] 衬底基板；

[0068] 形成位于衬底基板上方的薄膜晶体管；

[0069] 形成位于薄膜晶体管上方的第一透明电极层；

[0070] 形成在所述第一透明电极层上方的第二透明电极层；

[0071] 形成在第二透明电极层上方的相转移层。

[0072] 如图4所示，阵列基板包括形成在衬底基板20上的栅绝缘层22(薄膜晶体管结构未示全)，第一透明电极层32、钝化层34和位于钝化层34上方的第二透明电极层33，以及位于第二透明电极层33上方的相转移层28，数据线31位于相转移层28覆盖区域，数据线与薄膜晶体管源极连接。

[0073] 具体地，对于ADS模式，第一透明电极为像素电极，第二透明电极为公共电极；或[0074] 对于HADS模式，所述第一透明电极为公共电极，所述第二透明电极为像素电极。

[0075] 以TN模式的面板为例，其具体制造流程如下述：

[0076] 在衬底基板上形成薄膜晶体管，衬底基板可以是透明玻璃基板或者是石英，薄膜晶体管包括栅极层、栅绝缘层、有源层、源漏电极层，栅极层通过曝光，显影，刻蚀，剥离形成栅极，源漏电极层通过曝光，显影，刻蚀，剥离形成源极和漏极。

[0077] 在薄膜晶体管上形成像素电极层，像素电极层通过构图工艺形成像素电极，像素电极与薄膜晶体管的漏极连接。

[0078] 在像素电极层上方上形成相转移层。

[0079] 相转移层通过磁控溅射形成，然后进行曝光，显影，刻蚀，剥离，在阵列基板的非显示区域形成相转移层。

[0080] 其中，相转移层的材料可以是MoSiON。

[0081] 在形成对盒基板，进行对盒操作，形成显示面板。

[0082] 本发明实施例二制造形成的显示面板，在显示面板的非显示区域设置有相转移层，用于将投入的光束进行相位转移。增加了相转移层的显示面板，可以解决显示面板在进行对盒操作的时候，正常操作过程中存在误差，使得由背光源发出的光斜向投射的时候，光线会在投入到阵列基板上之后发生透射及折射，存在漏光的问题。

[0083] 尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。

[0084] 显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。