密封用树脂组合物、密封用膜、配线基板、TFT元件、OLED元件、LED元件

摘要

本发明的目的在于提供一种密封用树脂组合物、密封用膜、配线基板、TFT元件、OLED元件、LED元件，上述密封用树脂组合物可形成可应用于银配线及包含银配线的层叠体，显示出优异的离子迁移抑制能力，并且表面状态特性也优异的密封用膜。本发明的密封用树脂组合物包覆银配线、或包含银配线的层叠体，其包括氟系树脂(A)与氟含有率为35质量％以上、未满65质量％的抗迁移剂(B)，且氟系树脂(A)与抗迁移剂(B)的质量比((B)/(A))为0.0010以上、未满0.10。

权利要求

1.一种密封用树脂组合物，其包覆银配线、或包含银配线的层叠体，所述密封用树脂组合物包括氟系树脂(A)与氟含有率为35质量％以上、未满65质量％的抗迁移剂(B)，且

所述氟系树脂(A)与所述抗迁移剂(B)的质量比(B)/(A)为0.0010以上、未满0.10。

2.根据权利要求1所述的密封用树脂组合物，其中所述抗迁移剂(B)为选自由由下述通式(1)～通式(5)所表示的化合物、由通式(22)所表示的化合物、由通式(23)所表示的化合物、及具有由通式(24)所表示的基与由通式(25)所表示的基的化合物所组成的群组中的至少一种，P-(CR1＝Y)n-Q   通式(1)

通式(1)中，P及Q分别独立地表示OH、NR2R3或CHR4R5；R2及R3分别独立地表示氢原子或能够在氮原子上取代的基；R4及R5分别独立地表示氢原子或取代基；Y表示CR6或氮原子；R1及R6分别独立地表示氢原子或取代基；

由R1、R2、R3、R4、R5、或R6所表示的基中的至少两个基可相互键结而形成环；n表示0～5的整数；其中，当n为0时，不存在P及Q两者为CHR4R5的情况，且也不存在P及Q两者为OH的情况；

当n表示2以上的数时，由(CR1＝Y)所表示的多个原子群可相同，也可不同；

再者，R1～R6的至少一个基中含有氟原子

R7-C(＝O)-H   通式(2)

通式(2)中，R7表示烷基、烯基、炔基、芳基、杂环基、或将这些基组合而成的基；再者，由R7所表示的基中的一部分或全部的氢原子由氟原子取代；另外，由R7所表示的基中可含有羟基或由-COO-所表示的基通式(3)中，R8、R9及R10分别独立地表示烷基、烯基、炔基、芳基、杂环基、或将这些基组合而成的基；再者，R8～R10的至少一个基中的一部分或全部的氢原子由氟原子取代通式(4)中，R11及R12分别独立地表示烷基、烯基、炔基、芳基、杂环基、或将这些基组合而成的基；再者，R11～R12的至少一个基中的一部分或全部的氢原子由氟原子取代Z-SH   通式(5)通式(5)中，Z表示烷基、烯基、炔基、芳基、杂环基、或将这些基组合而成的基；再者，由Z所表示的基中的一部分或全部的氢原子由氟原子取代；另外，由Z所表示的基中可含有取代基通式(22)中，Rf1表示可具有醚性氧原子的氢原子的至少一个被氟原子取代的碳数为22以下的氟烷基、或氟原子；X1表示氢原子、氟原子、或三氟甲基；L1表示单键或碳数为1～6的亚烷基；L2表示单键、或者可由羟基或氟原子取代的碳数为1～6的亚烷基；L3表示单键或碳数为1～6的亚烷基；Y1及Z1表示单键、-CO2-、-CO-、-OC(＝O)O-、-SO3-、-CONR222-、-NHCOO-、-O-、-S-、-SO2NR222-、或-NR222-；R222表示氢原子或碳数为1～5的亚烷基；R221表示氢原子、碳数为1～8的直链或分支的烷基、或Rf1-CFX1-L1-Y1-L2-Z1-L3-；

其中，当Y1及Z1均为单键以外的键时，L2表示可由氟原子取代的碳数为1～6的亚烷基通式(23)中，R231及R232分别独立地表示氢原子或烷基；R233及R234分别独立地表示氢原子或取代基；Y2表示单键、-CO-、或-COO-；Rf2表示碳数为1～20的直链或分支的全氟亚烷基、或者碳数为1～20的直链或分支的全氟醚基；当Y2为单键或-CO-时，n表示0，m表示0～6的整数；当Y2为-COO-时，n表示1或2，m表示1～6的整数；p表示2～3的整数，l表示0～1的整数，且满足p+l＝3的关系*-CFXRf   通式(25)

通式(24)中，R241、R242、R243、及R244分别独立地表示氢原子或取代基；*表示键结位置；

通式(25)中，X表示氢原子、氟原子、或三氟甲基；Rf表示可具有醚性氧原子的氢原子的至少一个被氟原子取代的碳原子数为20以下的氟烷基、或氟原子；*表示键结位置。

3.根据权利要求2所述的密封用树脂组合物，其中由所述通式(1)所表示的化合物为选自由由通式(6)～通式(21)所表示的化合物所组成的群组中的至少一种，通式(6)中，V6表示取代基；a表示1～4的整数；再者，V6中的至少一个中含有氟原子；

通式(7)中，V7表示取代基；a表示1～4的整数；再者，V7中的至少一个中含有氟原子；

通式(8)中，V8表示取代基；R81及R82分别独立地表示氢原子或能够在氮原子上取代的基；b表示0～4的整数；再者，V8、R81及R82中的至少一个中含有氟原子；

通式(9)中，V9表示取代基；R91及R92分别独立地表示氢原子或能够在氮原子上取代的基；b表示0～4的整数；再者，V9、R91及R92中的至少一个中含有氟原子；

通式(10)中，V10表示取代基；R101及R102分别独立地表示氢原子或取代基；b表示0～4的整数；再者，V10、R101及R102中的至少一个中含有氟原子；

通式(11)中，V11表示取代基；R111及R112分别独立地表示氢原子或取代基；b表示0～4的整数；再者，V11、R111及R112中的至少一个中含有氟原子；

通式(12)中，V12表示取代基；R121、R122、R123及R124分别独立地表示氢原子或能够在氮原子上取代的基；b表示0～4的整数；再者，V12、R121、R122、R123及R124中的至少一个中含有氟原子；

通式(13)中，V13表示取代基；R131、R132、R133及R134分别独立地表示氢原子或能够在氮原子上取代的基；b表示0～4的整数；再者，V13、R131、R132、R133及R134中的至少一个中含有氟原子；

通式(14)中，V14表示取代基；c表示1～2的整数；再者，V14中的至少一个中含有氟原子；

通式(15)中，V15表示取代基；R151及R152分别独立地表示氢原子或能够在氮原子上取代的基；b表示0～4的整数；再者，V15、R151及R152中的至少一个中含有氟原子；

通式(16)中，V16表示取代基；R161及R162分别独立地表示氢原子或能够在氮原子上取代的基；b表示0～4的整数；再者，V16、R161及R162中的至少一个中含有氟原子；

通式(17)中，V17表示取代基；R171、R172及R173分别独立地表示氢原子或能够在氮原子上取代的基；d表示0或1；再者，V17、R171、R172及R173中的至少一个中含有氟原子；

通式(18)中，V18表示取代基；R181表示氢原子或取代基；b表示0～4的整数；再者，V18及R181中的至少一个中含有氟原子；

通式(19)中，V19表示取代基；R191表示氢原子或取代基；b表示0～4的整数；再者，V19及R191中的至少一个中含有氟原子；

通式(20)中，R201、R202、R203及R204分别独立地表示氢原子或能够在氮原子上取代的基；

再者，R201、R202、R203及R204中的至少一个中含有氟原子；

通式(21)中，R211及R212分别独立地表示氢原子或能够在氮原子上取代的基；再者，R211及R212中的至少一个中含有氟原子。

4.根据权利要求3所述的密封用树脂组合物，其中由所述通式(5)所表示的化合物为选自由由通式(51)～通式(54)所表示的化合物所组成的群组中的至少一种，通式(51)中，R511表示含有氟原子的取代基；

通式(52)中，R521及R522分别独立地表示氢原子或取代基；R521及R522可相互键结而形成环；R523表示氢原子或能够在氮原子上取代的基；再者，R521、R522、及R523中的至少一个基中含有氟原子；

通式(53)中，R531表示氢原子或取代基；R532表示氢原子或能够在氮原子上取代的基；再者，R531及R532中的至少一个基中含有氟原子；

通式(54)中，R541表示含有氟原子的能够在氮原子上取代的基。

5.根据权利要求4所述的密封用树脂组合物，其中所述抗迁移剂(B)为选自由由所述通式(6)、所述通式(7)、所述通式(10)、所述通式(11)、所述通式(21)、所述通式(51)、所述通式(53)、及所述通式(54)所表示的化合物所组成的群组中的至少一种。

6.根据权利要求2所述的密封用树脂组合物，其中所述抗迁移剂(B)为选自由由通式(X)所表示的化合物、由通式(Y)所表示的化合物、具有由通式(26)所表示的重复单元及由通式(27)所表示的重复单元的聚合物、由所述通式(22)所表示的化合物、以及由所述通式(23)所表示的化合物所组成的群组中的至少一种，通式(X)中，Rx1及Rx2分别独立地表示碳数为1～12的烷基；A表示碳数为1～2的亚烷基；

X11表示可含有羟基的碳数为1～3的亚烷基；Y11表示碳数为4～12的直链状的全氟烷基通式(Y)中，Ry1及Ry2分别独立地表示氢原子或烷基；n1表示1或2；当n1为2时，多个由CRy1Ry2所表示的单元的结构可相同，也可不同；Ry3及Ry4分别独立地表示氢原子或取代基；m1表示1～6的整数；当m1为2以上时，多个由CRy3Ry4所表示的单元的结构可相同，也可不同；另外，Ry3及Ry4可相互键结而形成环；l1表示1～6的整数；q1表示0或1，p1表示2或3，p1+q1表示

3；Ry5表示碳数为1～14的全氟烷基

通式(26)及通式(27)中，R261及R262分别独立地表示氢原子、或者碳数为1～4的经取代或未经取代的烷基；Z2表示单键、酯基、酰胺基、或醚基；L4表示单键或二价的有机基；L5表示单键、或碳数为1～6的不具有氟的二价的有机基；R241、R242、R243、及R244分别独立地表示氢原子或取代基；X表示氢原子、氟原子、或三氟甲基；Rf表示可具有醚性氧原子的氢原子的至少一个被氟原子取代的碳原子数为20以下的氟烷基、或氟原子。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的密封用树脂组合物，其中所述氟系树脂(A)至少具有由通式(P-1)所表示的重复单元，

8.根据权利要求1至6中任一项所述的密封用树脂组合物，其中所述氟系树脂(A)具有含有硅的基，所述含有硅的基具有键结于硅原子上的羟基或水解性基，且通过形成硅氧烷键而可进行交联。

9.一种密封用膜，其包覆银配线、或包含银配线的层叠体，所述密封用膜包括

氟系树脂(A)与氟含有率为35质量％以上、未满65质量％的抗迁移剂(B)，且

所述氟系树脂(A)与所述抗迁移剂(B)的质量比(B)/(A)为0.0010以上、未满0.10。

10.根据权利要求9所述的密封用膜，其中所述抗迁移剂(B)为选自由由通式(1)～通式(5)所表示的化合物、由通式(22)所表示的化合物、由通式(23)所表示的化合物、及具有由通式(24)所表示的基与由通式(25)所表示的基的化合物所组成的群组中的至少一种，P-(CR1＝Y)n-Q   通式(1)通式(1)中，P及Q分别独立地表示OH、NR2R3或CHR4R5；R2及R3分别独立地表示氢原子或能够在氮原子上取代的基；R4及R5分别独立地表示氢原子或取代基；Y表示CR6或氮原子；R1及R6分别独立地表示氢原子或取代基；

由R1、R2、R3、R4、R5、或R6所表示的基中的至少两个基可相互键结而形成环；n表示0～5的整数；其中，当n为0时，不存在P及Q两者为CHR4R5的情况，且也不存在P及Q两者为OH的情况；

当n表示2以上的数时，由(CR1＝Y)所表示的多个原子群可相同，也可不同；

再者，R1～R6的至少一个基中含有氟原子

R7-C(＝O)-H   通式(2)

通式(2)中，R7表示烷基、烯基、炔基、芳基、杂环基、或将这些基组合而成的基；再者，由R7所表示的基中的一部分或全部的氢原子由氟原子取代；另外，由R7所表示的基中可含有羟基或由-COO-所表示的基通式(3)中，R8、R9及R10分别独立地表示烷基、烯基、炔基、芳基、杂环基、或将这些基组合而成的基；再者，R8～R10的至少一个基中的一部分或全部的氢原子由氟原子取代通式(4)中，R11及R12分别独立地表示烷基、烯基、炔基、芳基、杂环基、或将这些基组合而成的基；再者，R11～R12的至少一个基中的一部分或全部的氢原子由氟原子取代Z-SH   通式(5)通式(5)中，Z表示烷基、烯基、炔基、芳基、杂环基、或将这些基组合而成的基；再者，由Z所表示的基中的一部分或全部的氢原子由氟原子取代；另外，由Z所表示的基中可含有取代基通式(22)中，Rf1表示可具有醚性氧原子的氢原子的至少一个被氟原子取代的碳数为22以下的氟烷基、或氟原子；X1表示氢原子、氟原子、或三氟甲基；L1表示单键或碳数为1～6的亚烷基；L2表示单键、或者可由羟基或氟原子取代的碳数为1～6的亚烷基；L3表示单键或碳数为1～6的亚烷基；Y1及Z1表示单键、-CO2-、-CO-、-OC(＝O)O-、-SO3-、-CONR222-、-NHCOO-、-O-、-S-、-SO2NR222-、或-NR222-；R222表示氢原子或碳数为1～5的亚烷基；R221表示氢原子、碳数为1～8的直链或分支的烷基、或Rf1-CFX1-L1-Y1-L2-Z1-L3-；

其中，当Y1及Z1均为单键以外的键时，L2表示可由氟原子取代的碳数为1～6的亚烷基通式(23)中，R231及R232分别独立地表示氢原子或烷基；R233及R234分别独立地表示氢原子或取代基；Y2表示单键、-CO-、或-COO-；Rf2表示碳数为1～20的直链或分支的全氟亚烷基、或者碳数为1～20的直链或分支的全氟醚基；当Y2为单键或-CO-时，n表示0，m表示0～6的整数；当Y2为-COO-时，n表示1或2，m表示1～6的整数；p表示2～3的整数，l表示0～1的整数，且满足p+l＝3的关系*-CFXRf   通式(25)

通式(24)中，R241、R242、R243、及R244分别独立地表示氢原子或取代基；*表示键结位置；

通式(25)中，X表示氢原子、氟原子、或三氟甲基；Rf表示可具有醚性氧原子的氢原子的至少一个被氟原子取代的碳原子数为20以下的氟烷基、或氟原子；*表示键结位置。

11.根据权利要求10所述的密封用膜，其中由所述通式(1)所表示的化合物为选自由由通式(6)～通式(21)所表示的化合物所组成的群组中的至少一种，通式(6)中，V6表示取代基；a表示1～4的整数；再者，V6中的至少一个中含有氟原子；

通式(7)中，V7表示取代基；a表示1～4的整数；再者，V7中的至少一个中含有氟原子；

通式(8)中，V8表示取代基；R81及R82分别独立地表示氢原子或能够在氮原子上取代的基；b表示0～4的整数；再者，V8、R81及R82中的至少一个中含有氟原子；

通式(9)中，V9表示取代基；R91及R92分别独立地表示氢原子或能够在氮原子上取代的基；b表示0～4的整数；再者，V9、R91及R92中的至少一个中含有氟原子；

通式(10)中，V10表示取代基；R101及R102分别独立地表示氢原子或取代基；b表示0～4的整数；再者，V10、R101及R102中的至少一个中含有氟原子；

通式(11)中，V11表示取代基；R111及R112分别独立地表示氢原子或取代基；b表示0～4的整数；再者，V11、R111及R112中的至少一个中含有氟原子；

通式(12)中，V12表示取代基；R121、R122、R123及R124分别独立地表示氢原子或能够在氮原子上取代的基；b表示0～4的整数；再者，V12、R121、R122、R123及R124中的至少一个中含有氟原子；

通式(13)中，V13表示取代基；R131、R132、R133及R134分别独立地表示氢原子或能够在氮原子上取代的基；b表示0～4的整数；再者，V13、R131、R132、R133及R134中的至少一个中含有氟原子；

通式(14)中，V14表示取代基；c表示1～2的整数；再者，V14中的至少一个中含有氟原子；

通式(15)中，V15表示取代基；R151及R152分别独立地表示氢原子或能够在氮原子上取代的基；b表示0～4的整数；再者，V15、R151及R152中的至少一个中含有氟原子；

通式(16)中，V16表示取代基；R161及R162分别独立地表示氢原子或能够在氮原子上取代的基；b表示0～4的整数；再者，V16、R161及R162中的至少一个中含有氟原子；

通式(17)中，V17表示取代基；R171、R172及R173分别独立地表示氢原子或能够在氮原子上取代的基；d表示0或1；再者，V17、R171、R172及R173中的至少一个中含有氟原子；

通式(18)中，V18表示取代基；R181表示氢原子或取代基；b表示0～4的整数；再者，V18及R181中的至少一个中含有氟原子；

通式(19)中，V19表示取代基；R191表示氢原子或取代基；b表示0～4的整数；再者，V19及R191中的至少一个中含有氟原子；

通式(20)中，R201、R202、R203及R204分别独立地表示氢原子或能够在氮原子上取代的基；

再者，R201、R202、R203及R204中的至少一个中含有氟原子；

通式(21)中，R211及R212分别独立地表示氢原子或能够在氮原子上取代的基；再者，R211及R212中的至少一个中含有氟原子。

12.根据权利要求11所述的密封用膜，其中由所述通式(5)所表示的化合物为选自由由通式(51)～通式(54)所表示的化合物所组成的群组中的至少一种，通式(51)中，R511表示含有氟原子的取代基；

通式(52)中，R521及R522分别独立地表示氢原子或取代基；R521及R522可相互键结而形成环；R523表示氢原子或能够在氮原子上取代的基；再者，R521、R522、及R523中的至少一个基中含有氟原子；

通式(53)中，R531表示氢原子或取代基；R532表示氢原子或能够在氮原子上取代的基；再者，R531及R532中的至少一个基中含有氟原子；

通式(54)中，R541表示含有氟原子的能够在氮原子上取代的基。

13.根据权利要求12所述的密封用膜，其中所述抗迁移剂(B)为选自由由所述通式(6)、所述通式(7)、所述通式(10)、所述通式(11)、所述通式(21)、所述通式(51)、所述通式(53)、及所述通式(54)所表示的化合物所组成的群组中的至少一种。

14.根据权利要求10所述的密封用膜，其中所述抗迁移剂(B)为选自由由通式(X)所表示的化合物、由通式(Y)所表示的化合物、具有由通式(26)所表示的重复单元及由通式(27)所表示的重复单元的聚合物、由所述通式(22)所表示的化合物、以及由所述通式(23)所表示的化合物所组成的群组中的至少一种，通式(X)中，Rx1及Rx2分别独立地表示碳数为1～12的烷基；A表示碳数为1～2的亚烷基；

X11表示可含有羟基的碳数为1～3的亚烷基；Y11表示碳数为4～12的直链状的全氟烷基通式(Y)中，Ry1及Ry2分别独立地表示氢原子或烷基；n1表示1或2；当n1为2时，多个由CRy1Ry2所表示的单元的结构可相同，也可不同；Ry3及Ry4分别独立地表示氢原子或取代基；m1表示1～6的整数；当m1为2以上时，多个由CRy3Ry4所表示的单元的结构可相同，也可不同；另外，Ry3及Ry4可相互键结而形成环；l1表示1～6的整数；q1表示0或1，p1表示2或3，p1+q1表示

3；Ry5表示碳数为1～14的全氟烷基

通式(26)及通式(27)中，R261及R262分别独立地表示氢原子、或者碳数为1～4的经取代或未经取代的烷基；Z2表示单键、酯基、酰胺基、或醚基；L4表示单键或二价的有机基；L5表示单键、或碳数为1～6的不具有氟的二价的有机基；R241、R242、R243、及R244分别独立地表示氢原子或取代基；X表示氢原子、氟原子、或三氟甲基；Rf表示可具有醚性氧原子的氢原子的至少一个被氟原子取代的碳原子数为20以下的氟烷基、或氟原子。

15.根据权利要求9至14中任一项所述的密封用膜，其中所述氟系树脂(A)至少具有由通式(P-1)所表示的重复单元，

16.根据权利要求9至14中任一项所述的密封用膜，其中所述氟系树脂(A)具有含有硅的基，所述含有硅的基具有键结于硅原子上的羟基或水解性基，且通过形成硅氧烷键而可进行交联。

17.一种配线基板，其包括：基板、配置于所述基板上的银配线、以及配置于所述银配线上的根据权利要求9至16中任一项所述的密封用膜。

18.一种薄膜晶体管元件，其包括根据权利要求9至16中任一项所述的密封用膜。

19.一种有机发光二极管元件，其包括根据权利要求9至16中任一项所述的密封用膜。

20.一种发光二极管元件，其包括根据权利要求9至16中任一项所述的密封用膜。

说明书

密封用树脂组合物、密封用膜、配线基板、TFT元件、OLED元件、

LED元件

技术领域

[0001] 本发明涉及一种密封用树脂组合物及密封用膜，尤其涉及一种以规定量包含氟系树脂与规定的氟含有率的抗迁移剂的密封用树脂组合物及密封用膜。

[0002] 另外，本发明还涉及一种具备上述密封用膜的配线基板、薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)元件、有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)元件、发光二极管(Light Emitting Diode，LED)元件。

背景技术

[0003] 近年来，因电子零件的小型化·高集成化·高性能化，故金属配线的微细化不断发展。伴随于此，在金属配线间产生的电迁移(Electromigration)(以后，也称为离子迁移(Ion Migration))成为使配线可靠性下降的大问题。尤其，在使用银所形成的金属配线的情况下，该问题变得显著。

[0004] 对此，提出有在金属配线上形成包含氟系树脂的绝缘材料层来抑制离子迁移的方法(专利文献1)。

[0005] [现有技术文献]

[0006] [专利文献]

[0007] [专利文献1]日本专利特开昭59-151491号公报

发明内容

[0008] 发明要解决的课题

[0009] 另一方面，近年来，金属配线的微细化进一步发展，伴随于此，与金属配线间的绝缘可靠性相关的要求特性进一步提高。

[0010] 本发明人等人使用专利文献1中所记载的方法对金属配线间的绝缘可靠性进行研究的结果，发现无法满足最近的要求水平，而需要进一步的改良。

[0011] 再者，作为抑制离子迁移的方法，还存在使用所谓的抗迁移剂的方法，但通常产生对于氟系树脂的相容性低、所形成的密封层的表面状态恶化等问题，而难以使用该抗迁移剂。

[0012] 鉴于上述实际情况，本发明的目的在于提供一种密封用树脂组合物，其可形成可应用于银配线及包含银配线的层叠体，显示出优异的离子迁移抑制能力，并且表面状态特性也优异的密封用膜。

[0013] 另外，本发明的目的还在于提供一种密封用膜及包含该密封用膜的配线基板。

[0014] 解决问题的技术手段

[0015] 本发明人等人鉴于上述课题而反复努力研究的结果，发现通过使用氟系树脂与规定的氟含有率的抗迁移剂而可解决上述课题，从而完成了本发明。

[0016] 即，上述课题通过下述的手段来解决。

[0017] (1)一种密封用树脂组合物，其包覆银配线、或包含银配线的层叠体，上述密封用树脂组合物包括氟系树脂(A)与氟含有率为35质量％以上、未满65质量％的抗迁移剂(B)，且氟系树脂(A)与抗迁移剂(B)的质量比((B)/(A))为0.0010以上、未满0.10。

[0018] (2)根据(1)所述的密封用树脂组合物，其中抗迁移剂(B)为选自由由后述的通式(1)～通式(5)所表示的化合物、由通式(22)所表示的化合物、由通式(23)所表示的化合物、及具有由通式(24)所表示的基与由通式(25)所表示的基的化合物所组成的群组中的至少
一种。

[0019] (3)根据(2)所述的密封用树脂组合物，其中由后述的通式(1)所表示的化合物为选自由由后述的通式(6)～通式(21)所表示的化合物所组成的群组中的至少一种。

[0020] (4)根据(2)或(3)所述的密封用树脂组合物，其中由后述的通式(5)所表示的化合物为选自由由后述的通式(51)～通式(54)所表示的化合物所组成的群组中的至少一种。

[0021] (5)根据(4)所述的密封用树脂组合物，其中抗迁移剂(B)为选自由由后述的通式(6)、后述的通式(7)、后述的通式(10)、后述的通式(11)、后述的通式(21)、后述的通式(51)、后述的通式(53)、及后述的通式(54)所表示的化合物所组成的群组中的至少一种。

[0022] (6)根据(1)至(5)中任一项所述的密封用树脂组合物，其中氟系树脂(A)至少具有由后述的通式(P-1)所表示的重复单元。

[0023] (7)根据(1)至(6)中任一项所述的密封用树脂组合物，其中氟系树脂(A)具有含有硅的基，上述含有硅的基具有键结于硅原子上的羟基或水解性基，且通过形成硅氧烷键而可进行交联。

[0024] (8)一种密封用膜，其包覆银配线、或包含银配线的层叠体，上述密封用膜包括氟系树脂(A)与氟含有率为35质量％以上、未满65质量％的抗迁移剂(B)，且氟系树脂(A)与抗迁移剂(B)的质量比(B)/(A)为0.0010以上、未满0.10。

[0025] (9)根据(8)所述的密封用膜，其中抗迁移剂(B)为选自由由后述的通式(1)～通式(5)所表示的化合物、由通式(22)所表示的化合物、由通式(23)所表示的化合物、及具有由通式(24)所表示的基与由通式(25)所表示的基的化合物所组成的群组中的至少一种。

[0026] (10)根据(9)所述的密封用膜，其中由后述的通式(1)所表示的化合物为选自由由后述的通式(6)～通式(21)所表示的化合物所组成的群组中的至少一种。

[0027] (11)根据(9)或(10)所述的密封用膜，其中由后述的通式(5)所表示的化合物为选自由由后述的通式(51)～通式(54)所表示的化合物所组成的群组中的至少一种。

[0028] (12)根据(11)所述的密封用膜，其中抗迁移剂(B)为选自由由后述的通式(6)、后述的通式(7)、后述的通式(10)、后述的通式(11)、后述的通式(21)、后述的通式(51)、后述的通式(53)、及后述的通式(54)所表示的化合物所组成的群组中的至少一种。

[0029] (13)根据(8)至(12)中任一项所述的密封用膜，其中氟系树脂(A)至少具有由后述的通式(P-1)所表示的重复单元。

[0030] (14)根据(8)至(13)中任一项所述的密封用膜，其中氟系树脂(A)具有含有硅的基，上述含有硅的基具有键结于硅原子上的羟基或水解性基，且通过形成硅氧烷键而可进行交联。

[0031] (15)一种配线基板，其包括：基板、配置于基板上的银配线、以及配置于银配线上的根据(8)至(14)中任一项所述的密封用膜。

[0032] (16)一种薄膜晶体管(TFT)元件，其包括根据(8)至(14)中任一项所述的密封用膜。

[0033] (17)一种有机发光二极管(OLED)元件，其包括根据(8)至(14)中任一项所述的密封用膜。

[0034] (18)一种发光二极管(LED)元件，其包括根据(8)至(14)中任一项所述的密封用膜。

[0035] 发明的效果

[0036] 根据本发明，可提供一种密封用树脂组合物，其可形成可应用于银配线及包含银配线的层叠体，显示出优异的离子迁移抑制能力，并且表面状态特性也优异的密封用膜。

[0037] 另外，根据本发明，还可提供一种密封用膜及包含该密封用膜的配线基板。

附图说明

[0038] 图1是本发明的配线基板的适宜的实施形态的示意剖面图。

[0039] 符号的说明

[0040] 10：配线基板

[0041] 12：基板

[0042] 14：银配线

[0043] 16：带有银配线的基板

[0044] 18：密封用膜

具体实施方式

[0045] 以下，对本发明的密封用树脂组合物、密封用膜及配线基板的适宜形态进行说明。

[0046] 首先，对本发明的与现有技术相比的特征点进行详述。

[0047] 在本发明中，发现通过以规定量使用氟系树脂与规定的氟含有率的抗迁移剂，而可获得所期望的效果。通过在抗迁移剂中含有规定量的氟原子，与氟系树脂的相容性(亲和性)提升，来自氟系树脂的渗出得到抑制，且表面状态特性提升。另外，抗迁移剂容易留在氟系树脂中，由此离子迁移抑制能力也进一步提升。

[0048] 以下，首先对密封用树脂组合物进行详述，其后对密封用膜及配线基板进行详述。

[0049] <密封用树脂组合物>

[0050] 在密封用树脂组合物中，以规定量含有氟系树脂(A)与抗迁移剂(B)。

[0051] 首先对氟系树脂(A)及抗迁移剂(B)进行详述，其后对密封用树脂组合物的形态进行详述。

[0052] (氟系树脂(A))

[0053] 所谓氟系树脂，是指含有氟原子的树脂。其种类并无特别限制，只要含有氟原子即可。再者，作为氟系树脂，与水的接触角优选为85°以上，更优选为95°以上。

[0054] 作为氟系树脂，例如可列举：聚偏二氟乙烯(Poly(vinylidene difluoride)，PVDF)、聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethylene，PTFE)、四氟乙烯·乙烯共聚物(Ethylene Tetrafluoroethylene，ETFE)、四氟乙烯·全氟烷氧基乙烯共聚物(Perfluoroalkoxy，
PFA)、全氟(丁烯基乙烯基醚)的环化聚合物等。

[0055] 另外，作为氟系树脂，也可为使含有氟的(甲基)丙烯酸系单体进行聚合而获得的树脂。作为含有氟的(甲基)丙烯酸系单体，例如可列举：甲基丙烯酸1H，1H，2H，2H-十七氟癸酯、甲基丙烯酸1H，1H，5H-八氟戊酯、甲基丙烯酸2，2，3，3-四氟丙酯、甲基丙烯酸2，2，2-三氟乙酯、丙烯酸1H，1H，2H，2H-十七氟癸酯、丙烯酸1H，1H，5H-八氟戊酯、丙烯酸2，2，3，3-四氟丙酯、丙烯酸2，2，2-三氟乙酯、甲基丙烯酸全氟辛基乙酯、丙烯酸全氟辛基乙酯等。

[0056] 作为氟系树脂，也可使用市售品(赛拓普(Cytop)(注册商标)(旭硝子制造)、铁氟龙(Teflon)(注册商标)AF(杜邦制造)、聚偏二氟乙烯、鲁米氟龙(Lumiflon)(旭硝子制造)、奥普斯达(Opstar)(JSR制造))。

[0057] 氟系树脂的重量平均分子量并无特别限制，但就离子迁移抑制能力及成膜性的观点而言，优选为5000～1000000，更优选为20000～500000。

[0058] 作为氟系树脂的适宜形态之一，优选为氟含有率为65质量％以上，更优选为氟含有率为67.5质量％以上。若氟含有率为上述范围内，则所形成的密封层的离子迁移抑制能力更优异。再者，上限并无特别限制，但因合成方面的问题，故多为77.5质量％以下。

[0059] 氟含有率是表示氟原子在氟系树脂的所有分子量中所占的质量的比例(含有率)。

[0060] 作为氟系树脂的其他的适宜形态，优选为至少具有由通式(P-1)所表示的重复单元。当含有该重复单元时，对于溶剂的溶解优异、涂布性优异，并且与抗迁移剂的相容性优异。

[0061] 氟系树脂中的由通式(P-1)所表示的重复单元的含有率并无特别限制，但就本发明的效果更优异的观点而言，相对于所有重复单元，优选为60摩尔％以上，且优选为98摩尔％以下。

[0062] [化1]

[0063]

[0064] 作为氟系树脂的其他的适宜形态，优选为具有含有硅的基，该含有硅的基具有键结于硅原子上的羟基或水解性基，且通过形成硅氧烷键而可进行交联(以后，也简称为含有硅的基)。通过包含含有硅的基，对于与由密封用树脂组合物所形成的密封层(密封膜)邻接的各种基板·层的密接性进一步提升。氟系树脂的含有硅的基的键结位置并无特别限制，可为末端，也可为侧链。

[0065] 再者，作为含有硅的基，更具体而言，优选为由以下的通式(P-2)所表示的基。

[0066] 通式(P-2)-Si(Ra)x(Rb)y

[0067] Ra表示羟基或水解性基。Rb表示非水解性基。x表示1～3的整数，y表示0～2的整数，且满足x+y＝3的关系。

[0068] 水解性基表示可生成硅醇基的基、或可形成硅氧烷缩合物的基，具体而言，可列举：卤基、烷氧基、酰氧基、异氰酸酯基等。其中，可优选地列举烷氧基(优选为碳数为1～2)。

[0069] 作为非水解性基，例如可列举：氢原子，烷基、烯基、炔基等脂肪族烃基，或芳基等芳香族烃基，或将这些组合而成的基等。

[0070] (抗迁移剂(B))

[0071] 抗迁移剂(迁移抑制剂)是捕捉银离子等来抑制离子迁移的化合物。

[0072] 本发明中所使用的抗迁移剂的氟含有率为35质量％以上、未满65质量％。其中，就由密封用树脂组合物所形成的密封层(密封用膜)的离子迁移抑制能力更优异，并且表面状态特性也更优异的观点而言，优选为40质量％～60质量％，更优选为42质量％～55质量％。

[0073] 当氟含有率未满35质量％时，与上述氟系树脂的相容性欠佳，且密封层的离子迁移抑制能力及表面状态特性欠佳。当氟含有率为65质量％以上时，分子内的防止迁移的部位的比例减少，实质上必须添加许多抗迁移剂，在溶解性、相容性等方面会产生问题。

[0074] 再者，所谓氟含有率，表示氟原子在抗迁移剂的总分子量中所占的质量的比例(含有率)(％)。即，氟含有率为由{(化合物中的氟原子的数量)×(氟的原子量)/(化合物的总分子量)}×100(％)所表示的值。例如，当抗迁移剂的总分子量为100，且含有3个氟原子时，氟原子所占的质量比例(％)以{(19×3)/100}×100来计算，结果为57质量％。

[0075] 抗迁移剂的种类并无特别限制，只要表示上述氟含有率、且具有离子迁移抑制能力即可。例如可列举：酚系化合物，具有巯基、自由基的化合物，抗氧化剂等。

[0076] 其中，就由密封用树脂组合物所形成的密封层(密封用膜)的离子迁移抑制能力更优异的观点而言，优选为由后述的通式(1)～通式(5)所表示的化合物、由通式(22)所表示的化合物、由通式(23)所表示的化合物、具有由通式(24)所表示的基与由通式(25)所表示的基的化合物。

[0077] (由通式(1)所表示的化合物)

[0078] 首先，对由通式(1)所表示的化合物进行说明。

[0079] P-(CR1＝Y)n-Q  通式(1)

[0080] 通式(1)中，P及Q分别独立地表示OH、NR2R3或CHR4R5。其中，当n为0时，不存在P及Q两者为CHR4R5的情况，且也不存在P及Q两者为OH的情况。Y表示CR6或氮原子。

[0081] 通式(1)中，R2及R3分别独立地表示氢原子或能够在氮原子上取代的基。

[0082] 作为能够在氮原子上取代的基，只要是可在氮原子上取代的基，则并无特别限制，例如可列举：烷基(包含环烷基)、烯基(包含环烯基、双环烯基)、炔基、芳基、杂环基、烷基亚磺酰基及芳基亚磺酰基、烷基磺酰基及芳基磺酰基、酰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、氨甲酰基、膦基、氧膦基、或这些基的组合等。

[0083] 更详细而言，可列举如下的基作为优选例：烷基[表示直链、分支、环状的经取代或未经取代的烷基。这些为包含烷基(优选为碳数为1～50的烷基，例如甲基、乙基、正丙基、异丙基、第三丁基、正辛基、二十基、2-氯乙基、2-氰基乙基、2-乙基己基)、环烷基(优选为碳数为3～30的经取代或未经取代的环烷基，例如环己基、环戊基、4-正十二基环己基)、双环烷基(优选为碳数为5～30的经取代或未经取代的双环烷基，即，自碳数为5～30的双环烷烃中去除一个氢原子而成的一价的基。例如双环[1.2.2]庚烷-2-基、双环[2.2.2]辛烷-3-基)，进而还包含环结构多的三环结构等。以下所说明的取代基中的烷基(例如烷硫基的烷基)也表示此种概念的烷基]、烯基[表示直链、分支、环状的经取代或未经取代的烯基。这些为包含烯基(优选为碳数为2～50的经取代或未经取代的烯基，例如乙烯基、烯丙基、异戊二烯基、香叶基、油烯基)、环烯基(优选为碳数为3～30的经取代或未经取代的环烯基，即，去除一个碳数为3～30的环烯烃的氢原子而成的一价的基。例如2-环戊烯-1-基、2-环己烯-1-基)、双环烯基(经取代或未经取代的双环烯基，优选为碳数为5～30的经取代或未经取代的双环烯基，即，将具有一个双键的双环烯烃的氢原子去除一个而成的一价的基。例如双环[2.2.1]庚-2-烯-1-基、双环[2.2.2]辛-2-烯-4-基)]、炔基(优选为碳数为2～30的经取代或未经取代的炔基，例如乙炔基、炔丙基、三甲基硅烷基乙炔基)、芳基(优选为碳数为6～50的经取代或未经取代的芳基，例如苯基、对甲苯基、萘基、间氯苯基、邻十六酰基氨基苯基)、杂环基(优选为5元或6元的经取代或未经取代的自芳香族或非芳香族的杂环化合物中去除一个氢原子而成的一价的基，更优选为碳数为3～30的5元或6元的芳香族的杂环基。例如2-呋喃基、2-噻吩基、2-嘧啶基、2-苯并噻唑啉基)、烷基亚磺酰基及芳基亚磺酰基(优选为碳数为1～30的经取代或未经取代的烷基亚磺酰基、碳数为6～30的经取代或未经取代的芳基亚磺酰基，例如甲基亚磺酰基、乙基亚磺酰基、苯基亚磺酰基、对甲基苯基亚磺酰基)、烷基磺酰基及芳基磺酰基(优选为碳数为1～30的经取代或未经取代的烷基磺酰基、碳数为6～30的经取代或未经取代的芳基磺酰基，例如甲基磺酰基、乙基磺酰基、苯基磺酰基、对甲基苯基磺酰基)、酰基(优选为甲酰基、碳数为2～30的经取代或未经取代的烷基羰基、碳数为7～30的经取代或未经取代的芳基羰基、碳数为4～30的经取代或未经取代的利用碳原子与羰基键结的杂环羰基，例如乙酰基、三甲基乙酰基、2-氯乙酰基、硬脂酰基、苯甲酰基、对正辛氧基苯基羰基、2-吡啶基羰基、2-呋喃基羰基)、芳氧基羰基(优选为碳数为7～30的经取代或未经取代的芳氧基羰基，例如苯氧基羰基、邻氯苯氧基羰基、间硝基苯氧基羰基、对第三丁基苯氧基羰基)、烷氧基羰基(优选为碳数为2～30的经取代或未经取代的烷氧基羰基，例如甲氧基羰基、乙氧基羰基、第三丁氧基羰基、正十八烷氧基羰基)、氨甲酰基(优选为碳数为1～30的经取代或未经取代的氨甲酰基，例如氨甲酰基、N-甲基氨甲酰基、N，N-二甲基氨甲酰基、N，N-二-正辛基氨甲酰基、N-(甲基磺酰基)氨甲酰基)、膦基(优选为碳数为2～30的经取代或未经取代的膦基，例如二甲基膦基、二苯基膦基、甲基苯氧基膦基)、氧膦基(优选为碳数为2～30的经取代或未经取代的氧膦基，例如氧膦基、二辛氧基氧膦基、二乙氧基氧膦基)。

[0084] 上述官能基之中，具有氢原子的可将氢原子去除而进一步被取代。

[0085] 由通式(1)中的R2及R3所表示的烷基表示直链、分支、环状的经取代或未经取代的烷基，优选为碳数为1～50，更优选为碳数为1～30，特别优选为碳数为1～20。

[0086] 作为优选例，可列举：甲基、乙基、正丙基、异丙基、环丙基、丁基、异丁基、第三丁基、第二丁基、戊基、异戊基、新戊基、第三戊基、己基、环己基、庚基、环戊基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、十二基、十四基、十六基、十八基、二十基、二十二基、三十基等。更优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、丁基、异丁基、第三丁基、第二丁基、戊基、异戊基、新戊基、己基、环己基、辛基、2-乙基己基、十二基、十六基、十八基，特别优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、丁基、第三丁基、戊基、异戊基、己基、环己基、辛基、2-乙基己基、十二基、十六基、十八基。

[0087] 再者，在烷基中可含有-CO-、-NH-、-O-、-S-、或将这些组合而成的基等连结基。再者，当在烷基中含有上述连结基时，其位置并无特别限制，可为末端。例如可为-S-Rx(Rx：烷基)。

[0088] 由R2及R3所表示的烷基可进而具有取代基。

[0089] 作为取代基，可列举：卤素原子、烷基(包含环烷基)、烯基(包含环烯基、双环烯基)、炔基、芳基、杂环基、氰基、羟基、硝基、羧基、烷氧基、芳氧基、硅烷氧基、杂环氧基、酰氧基、氨甲酰氧基、烷氧基羰氧基、芳氧基羰氧基、氨基(包含苯胺基)、酰基氨基、氨基羰基氨基、烷氧基羰基氨基、芳氧基羰基氨基、氨磺酰基氨基、烷基磺酰基氨基及芳基磺酰基氨基、巯基、烷硫基、芳硫基、杂环硫基、氨磺酰基、磺基、烷基亚磺酰基及芳基亚磺酰基、烷基磺酰基及芳基磺酰基、酰基、芳氧基羰基、烷氧基羰基、氨甲酰基、芳基偶氮基及杂环偶氮基、酰亚胺基、膦基、氧膦基、氧膦基氧基、氧膦基氨基、硅烷基、或这些基的组合。

[0090] 更详细而言，作为取代基，表示卤素原子(例如氯原子、溴原子、碘原子)、烷基[表示直链、分支、环状的经取代或未经取代的烷基。这些为包含烷基(优选为碳数为1～30的烷基，例如甲基、乙基、正丙基、异丙基、第三丁基、正辛基、二十基、2-氯乙基、2-氰基乙基、2-乙基己基)、环烷基(优选为碳数为3～30的经取代或未经取代的环烷基，例如环己基、环戊基、4-正十二基环己基)、双环烷基(优选为碳数为5～30的经取代或未经取代的双环烷基，即，自碳数为5～30的双环烷烃中去除一个氢原子而成的一价的基。例如双环[1.2.2]庚烷-2-基、双环[2.2.2]辛烷-3-基)，进而还包含环结构多的三环结构等。以下所说明的取代基中的烷基(例如烷硫基的烷基)也表示此种概念的烷基]、

[0091] 烯基[表示直链、分支、环状的经取代或未经取代的烯基。这些为包含烯基(优选为碳数为2～30的经取代或未经取代的烯基，例如乙烯基、烯丙基、异戊二烯基、香叶基、油烯基)、环烯基(优选为碳数为3～30的经取代或未经取代的环烯基，即，去除一个碳数为3～30的环烯烃的氢原子而成的一价的基。例如2-环戊烯-1-基、2-环己烯-1-基)、双环烯基(经取代或未经取代的双环烯基，优选为碳数为5～30的经取代或未经取代的双环烯基，即，将具有一个双键的双环烯烃的氢原子去除一个而成的一价的基。例如双环[2.2.1]庚-2-烯-1-基、双环[2.2.2]辛-2-烯-4-基)]、炔基(优选为碳数为2～50的经取代或未经取代的炔基，例如乙炔基、炔丙基、三甲基硅烷基乙炔基)、

[0092] 芳基(优选为碳数为6～30的经取代或未经取代的芳基，例如苯基、对甲苯基、萘基、间氯苯基、邻十六酰基氨基苯基)、杂环基(优选为5元或6元的经取代或未经取代的自芳香族或非芳香族的杂环化合物中去除一个氢原子而成的一价的基，更优选为碳数为3～30的5元或6元的芳香族的杂环基。例如2-呋喃基、2-噻吩基、2-嘧啶基、2-苯并噻唑啉基)、[0093] 氰基、羟基、硝基、羧基、烷氧基(优选为碳数为1～30的经取代或未经取代的烷氧基，例如甲氧基、乙氧基、异丙氧基、第三丁氧基、正辛氧基、2-甲氧基乙氧基)、芳氧基(优选为碳数为6～30的经取代或未经取代的芳氧基，例如苯氧基、2-甲基苯氧基、4-第三丁基苯氧基、3-硝基苯氧基、2-十四酰基氨基苯氧基)、硅烷氧基(优选为碳数为3～20的硅烷氧基，例如三甲基硅烷氧基、第三丁基二甲基硅烷氧基)、杂环氧基(优选为碳数为2～30的经取代或未经取代的杂环氧基、1-苯基四唑-5-氧基、2-四氢吡喃氧基)、酰氧基(优选为甲酰氧基、碳数为2～30的经取代或未经取代的烷基羰氧基、碳数为6～30的经取代或未经取代的芳基羰氧基，例如甲酰氧基、乙酰氧基、三甲基乙酰氧基、硬脂酰氧基、苯甲酰氧基、对甲氧基苯基羰氧基)、氨甲酰氧基(优选为碳数为1～30的经取代或未经取代的氨甲酰氧基，例如N，N-二甲基氨甲酰氧基、N，N-二乙基氨甲酰氧基、吗啉基羰氧基、N，N-二-正辛氨基羰氧基、N-正辛基氨甲酰氧基)、烷氧基羰氧基(优选为碳数为2～30的经取代或未经取代的烷氧基羰氧基，例如甲氧基羰氧基、乙氧基羰氧基、第三丁氧基羰氧基、正辛基羰氧基)、芳氧基羰氧基(优选为碳数为7～30的经取代或未经取代的芳氧基羰氧基，例如苯氧基羰氧基、对甲氧基苯氧基羰氧基、对正十六烷氧基苯氧基羰氧基)、

[0094] 氨基(优选为氨基、碳数为1～30的经取代或未经取代的烷基氨基、碳数为6～30的经取代或未经取代的苯胺基，例如氨基、甲氨基、二甲氨基、苯胺基、N-甲基-苯胺基、二苯基氨基)、酰基氨基(优选为甲酰基氨基、碳数为1～30的经取代或未经取代的烷基羰基氨基、碳数为6～30的经取代或未经取代的芳基羰基氨基，例如甲酰基氨基、乙酰基氨基、三甲基乙酰基氨基、月桂酰基氨基、苯甲酰基氨基、3，4，5-三-正辛氧基苯基羰基氨基)、氨基羰基氨基(优选为碳数为1～30的经取代或未经取代的氨基羰基氨基，例如氨甲酰基氨基、N，N-二甲氨基羰基氨基、N，N-二乙氨基羰基氨基、吗啉基羰基氨基)、烷氧基羰基氨基(优选为碳数为2～30的经取代或未经取代的烷氧基羰基氨基，例如甲氧基羰基氨基、乙氧基羰基氨基、第三丁氧基羰基氨基、正十八烷氧基羰基氨基、N-甲基-甲氧基羰基氨基)、芳氧基羰基氨基(优选为碳数为7～30的经取代或未经取代的芳氧基羰基氨基，例如苯氧基羰基氨基、对氯苯氧基羰基氨基、间正辛氧基苯氧基羰基氨基)、氨磺酰基氨基(优选为碳数为0～30的经取代或未经取代的氨磺酰基氨基，例如氨磺酰基氨基、N，N-二甲氨基磺酰基氨基、N-正辛氨基磺酰基氨基)、烷基磺酰基氨基及芳基磺酰基氨基(优选为碳数为1～30的经取代或未经取代的烷基磺酰基氨基、碳数为6～30的经取代或未经取代的芳基磺酰基氨基，例如甲基磺酰基氨基、丁基磺酰基氨基、苯基磺酰基氨基、2，3，5-三氯苯基磺酰基氨基、对甲基苯基磺酰基氨基)、

[0095] 巯基、烷硫基(优选为碳数为1～30的经取代或未经取代的烷硫基，例如甲硫基、乙硫基、正十六烷硫基)、芳硫基(优选为碳数为6～30的经取代或未经取代的芳硫基，例如苯硫基、对氯苯硫基、间甲氧基苯硫基)、杂环硫基(优选为碳数为2～30的经取代或未经取代的杂环硫基，例如2-苯并噻唑硫基、1-苯基四唑-5-基硫基)、氨磺酰基(优选为碳数为0～30的经取代或未经取代的氨磺酰基，例如N-乙基氨磺酰基、N-(3-十二烷氧基丙基)氨磺酰基、N，N-二甲基氨磺酰基、N-乙酰基氨磺酰基、N-苯甲酰基氨磺酰基、N-(N′-苯基氨甲酰基)氨磺酰基)、磺基、烷基亚磺酰基及芳基亚磺酰基(优选为碳数为1～30的经取代或未经取代的烷基亚磺酰基、碳数为6～30的经取代或未经取代的芳基亚磺酰基，例如甲基亚磺酰基、乙基亚磺酰基、苯基亚磺酰基、对甲基苯基亚磺酰基)、

[0096] 烷基磺酰基及芳基磺酰基(优选为碳数为1～30的经取代或未经取代的烷基磺酰基、碳数为6～30的经取代或未经取代的芳基磺酰基，例如甲基磺酰基、乙基磺酰基、苯基磺酰基、对甲基苯基磺酰基)、酰基(优选为甲酰基、碳数为2～30的经取代或未经取代的烷基羰基、碳数为7～30的经取代或未经取代的芳基羰基、碳数为4～30的经取代或未经取代的利用碳原子与羰基键结的杂环羰基，例如乙酰基、三甲基乙酰基、2-氯乙酰基、硬脂酰基、苯甲酰基、对正辛氧基苯基羰基、2-吡啶基羰基、2-呋喃基羰基)、芳氧基羰基(优选为碳数为7～30的经取代或未经取代的芳氧基羰基，例如苯氧基羰基、邻氯苯氧基羰基、间硝基苯氧基羰基、对第三丁基苯氧基羰基)、烷氧基羰基(优选为碳数为2～30的经取代或未经取代的烷氧基羰基，例如甲氧基羰基、乙氧基羰基、第三丁氧基羰基、正十八烷氧基羰基)、

[0097] 氨甲酰基(优选为碳数为1～30的经取代或未经取代的氨甲酰基，例如氨甲酰基、N-甲基氨甲酰基、N，N-二甲基氨甲酰基、N，N-二-正辛基氨甲酰基、N-(甲基磺酰基)氨甲酰基)、芳基偶氮基及杂环偶氮基(优选为碳数为6～30的经取代或未经取代的芳基偶氮基、碳数为3～30的经取代或未经取代的杂环偶氮基，例如苯基偶氮、对氯苯基偶氮、5-乙硫基-1，3，4-噻二唑-2-基偶氮)、酰亚胺基(优选为N-琥珀酰亚胺、N-邻苯二甲酰亚胺)、膦基(优选为碳数为2～30的经取代或未经取代的膦基，例如二甲基膦基、二苯基膦基、甲基苯氧基膦基)、氧膦基(优选为碳数为2～30的经取代或未经取代的氧膦基，例如氧膦基、二辛氧基氧膦基、二乙氧基氧膦基)、氧膦基氧基(优选为碳数为2～30的经取代或未经取代的氧膦基氧基，例如二苯氧基氧膦基氧基、二辛氧基氧膦基氧基)、氧膦基氨基(优选为碳数为2～30的经取代或未经取代的氧膦基氨基，例如二甲氧基氧膦基氨基、二甲氨基氧膦基氨基)、硅烷基(优选为碳数为3～30的经取代或未经取代的硅烷基，例如三甲基硅烷基、第三丁基二甲基硅烷基、苯基二甲基硅烷基)。

[0098] 上述官能基之中，具有氢原子可将氢原子去除而由上述基进一步被取代。作为此种官能基的例子，可列举：烷基羰基氨基磺酰基、芳基羰基氨基磺酰基、烷基磺酰基氨基羰基、芳基磺酰基氨基羰基等。作为其例，可列举：甲基磺酰基氨基羰基、对甲基苯基磺酰基氨基羰基、乙酰基氨基磺酰基、苯甲酰基氨基磺酰基等。

[0099] 由R2及R3所表示的烯基表示直链、分支、环状的经取代或未经取代的烯基，优选为碳数为2～50，更优选为碳数为2～30，特别优选为碳数为2～20。作为优选例，可列举：乙烯基、烯丙基、异戊二烯基、香叶基、油烯基、2-环戊烯-1-基、2-环己烯-1-基、双环[2.2.1]庚-2-烯-1-基、双环[2.2.2]辛-2-烯-4-基等。更优选为乙烯基、烯丙基、异戊二烯基、香叶基、油烯基、2-环戊烯-1-基、2-环己烯-1-基，特别优选为乙烯基、烯丙基、异戊二烯基、香叶基、油烯基、2-环戊烯-1-基、2-环己烯-1-基。

[0100] 由R2及R3所表示的烯基可进而具有取代基。作为取代基的例子，可列举由上述R2及R3所表示的烷基的取代基。

[0101] 再者，与上述烷基同样地，在烯基中可含有-CO-、-NH-、-O-、-S-、或将这些组合而成的基等连结基。

[0102] 由R2及R3所表示的炔基表示直链、分支、环状的经取代或未经取代的炔基，优选为碳数为2～50，更优选为碳数为2～30，特别优选为碳数为2～20。作为优选例，可列举乙炔基、炔丙基等。

[0103] 由R2及R3所表示的炔基可进而具有取代基。作为取代基的例子，可列举由上述R2及R3所表示的烷基的取代基。

[0104] 再者，与上述烷基同样地，在炔基中可含有-CO-、-NH-、-O-、-S-、或将这些组合而成的基等连结基。

[0105] 由R2及R3所表示的芳基表示经取代或未经取代的芳基，优选为碳数为6～50，更优选为碳数为6～30，特别优选为碳数为6～20。作为优选例，可列举：苯基、2-甲基苯基、3-甲基苯基、4-甲基苯基、2-乙基苯基、4-乙基苯基、2，4-二甲基苯基、2，6-二甲基苯基、2，4，6-三甲基苯基、1-萘基、2-萘基、2-氯苯基、3-氯苯基、4-氯苯基、2-甲氧基苯基、3-甲氧基苯基、4-甲氧基苯基、2-苄基苯基、4-苄基苯基、2-甲基羰基苯基、4-甲基羰基苯基等。

[0106] 更优选为可列举苯基、2-甲基苯基、4-甲基苯基、2-乙基苯基、4-乙基苯基、2，4-二甲基苯基、2，6-二甲基苯基、2，4，6-三甲基苯基、1-萘基、2-萘基、2-氯苯基、4-氯苯基、2-甲氧基苯基、3-甲氧基苯基、4-甲氧基苯基、2-苄基苯基、4-苄基苯基等，特别优选为可列举苯基、2-甲基苯基、4-甲基苯基、2，4-二甲基苯基、2，6-二甲基苯基、2，4，6-三甲基苯基、1-萘基、2-萘基、2-氯苯基、4-氯苯基、2-甲氧基苯基、4-甲氧基苯基、2-苄基苯基、4-苄基苯基等。

[0107] 由R2及R3所表示的芳基可进而具有取代基。作为取代基的例子，可列举由上述R2及R3所表示的烷基的取代基。

[0108] R4及R5分别独立地表示氢原子或取代基。

[0109] 作为由R4及R5所表示的取代基，可列举由上述R2及R3所表示的烷基的取代基(烷基可具有的取代基)，优选为烷基、烯基、炔基、芳基、或将这些基组合而成的基，作为各个基的优选例，可列举上述R2及R3的例子。

[0110] 由R4及R5所表示的基可进而具有取代基。作为取代基的例子，可列举由上述R2及R3所表示的烷基的取代基。

[0111] R1及R6分别独立地表示氢原子或取代基。

[0112] 作为由R1及R6所表示的取代基，可列举由上述R2及R3所表示的烷基的取代基，优选为烷基、烯基、炔基、芳基、或将这些基组合而成的基，作为各个基的优选例，可列举上述R2及R3的例子。

[0113] 由R1及R6所表示的基可进而具有取代基。作为取代基的例子，可列举由上述R2及R3所表示的烷基的取代基。

[0114] n表示0～5的整数。其中，当n为0时，不存在P及Q两者为OH的情况，也不存在P及Q两者为CHR4R5的情况。当n表示2以上的数时，由(CR1＝Y)所表示的多个原子群组可相同，也可不同。

[0115] 由通式(1)所表示的化合物可为链状，也可为环状，当其为环状时，由R1、R2、R3、R4、R5、或R6所表示的基中的至少两个基可相互键结而形成环。

[0116] 再者，当两个基进行键结时，可包含单键、双键及三键的任一种键结形式。

[0117] 再者，R1～R6的至少一个基中含有氟原子。再者，以氟含有率变成上述范围的方式含有氟原子。氟原子可取代于由通式(1)所表示的化合物的任意的碳原子上。

[0118] 再者，R1～R6的至少一个基中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子上的一部分或全部的氢原子)优选为由氟原子取代。其中，优选为作为氟烷基(以下，也称为Rf基)或经Rf基取代的基来含有氟原子。即，优选为R1～R6的至少一个基中含有氟烷基。

[0119] Rf基优选为碳原子数为1～14的直链或分支的全氟烷基、或者经碳原子数为1～14的直链或分支的全氟烷基取代的碳原子数为2～20的取代基。

[0120] 作为碳原子数为1～14的直链全氟烷基或支链全氟烷基的例子，可列举：CF3-、C2F5-、C3F7-、C4F9-、C5F11-、(CF3)2-CF-(CF2)2-、C6F13-、C7F15-、(CF3)2-CF-(CF2)4-、C8F17-、C9F19-、C10F21-、C12F25-及C14F29-。

[0121] 作为经碳原子数为1～14的全氟烷基取代的碳原子数为2～20的取代基的例子，可列举(CF3)2CF(CF2)4(CH2)2-、C9F19CH2-、C8F17CH2CH(OH)CH2-、C8F17CH2CH(OH)CH2OC＝OCH2-、(CF3)2CF(CF2)4(CH2)2OC＝OCH2-、C8F17CH2CH(OH)CH2OC＝O(CH2)2-、(CF3)2CF(CF2)4(CH2)2OC＝O(CH2)2-、(CF3)2CFOC2F4-、CF3CF2CF2O[CF(CF3)CF2O]4-CF(CF3)-等，但并不限定于这些例子。

[0122] 优选为在分子中含有1个～4个Rf基。

[0123] 再者，由上述通式(1)所表示的化合物可使用2种以上。

[0124] 由通式(1)所表示的化合物优选为选自由由通式(6)～通式(21)所表示的化合物所组成的群组中的至少一种。

[0125] 再者，在由通式(6)～通式(21)所表示的化合物中含有满足上述氟含有率的氟原子。

[0126] [化2]

[0127]

[0128] 由上述通式(6)所表示的化合物是在通式(1)中，P、Q分别为OH，Y为CR6，n为2，邻接于P的碳原子上的R1及邻接于Q的碳原子上的R6相互键结而形成双键来形成环时的化合物。

[0129] 通式(6)中，V6表示取代基。a表示1～4的整数(优选为表示1～2的整数，更优选为1)。再者，V6中的至少一个中含有氟原子。即，当V6为1个时，该取代基中含有氟原子，当V6为2个以上时，只要至少一个V6中含有氟原子即可。氟原子优选为取代在至少一个由V6所表示的基中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子上的一部分或全部的氢原子)上来导
入。其中，优选为V6中含有上述Rf基。

[0130] 作为由V6所表示的取代基，可列举上述通式(1)中由R2及R3所表示的烷基的取代基。当在通式(6)中存在多个V6时，各个基可相同，也可不同，且可相互键结而形成环。

[0131] 以下，表示由通式(6)所表示的化合物的具体例。但是，本发明并不限定于这些具体例。再者，以下，一并记载于化合物的结构式中的百分率的表达是表示氟原子的质量含率(氟含有率)。

[0132] [化3]

[0133]

[0134] 由上述通式(7)所表示的化合物是在通式(1)中，P、Q分别为OH，Y为CR6，n为1，邻接于P的碳原子上的R1及邻接于Q的碳原子上的R6相互键结而形成环时的一例。

[0135] 通式(7)中，V7表示取代基。a表示1～4的整数(优选为表示1～2的整数，更优选为1)。再者，V7中的至少一个中含有氟原子。即，当V7为1个时，该取代基中含有氟原子，当V7为2个以上时，只要至少一个V7中含有氟原子即可。氟原子优选为取代在至少一个由V7所表示的基中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子上的一部分或全部的氢原子)上来导
入。其中，优选为V7中含有上述Rf基。

[0136] 作为由V7所表示的取代基，可列举上述通式(1)中由R2及R3所表示的烷基的取代基。当在通式(7)中存在多个V7时，各个基可相同，也可不同，且可相互键结而形成环。

[0137] 以下，表示由通式(7)所表示的化合物的具体例。但是，本发明并不限定于这些具体例。

[0138] [化4]

[0139]

[0140] 由上述通式(8)所表示的化合物是在通式(1)中，P为OH，Q为NR2R3，Y为CR6，n为2，邻接于P的碳原子上的R1及邻接于Q的碳原子上的R6相互键结而形成双键来形成环时的一例。

[0141] 通式(8)中，V8表示取代基。b表示0～4的整数(优选为表示1～2的整数，更优选为1)。作为由V8所表示的取代基，可列举上述通式(1)中由R2及R3所表示的烷基的取代基。当在通式(8)中存在多个V8时，各个基可相同，也可不同，且可相互键结而形成环。

[0142] R81及R82分别独立地表示氢原子或能够在氮原子上取代的基。作为能够在氮原子上取代的基，可优选地列举上述通式(1)的R2及R3中所例示的基。

[0143] V8、R81及R82中的至少一个中含有氟原子。其中，V8、R81及R82的至少一个基中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子上的一部分或全部的氢原子)优选为由氟原子取代。另外，更优选为V8、R81及R82中的至少一个中含有上述Rf基。

[0144] 再者，当存在多个V8时，多个V8、R81及R82中的至少一个基中含有氟原子。

[0145] 以下，表示由通式(8)所表示的化合物的具体例。但是，本发明并不限定于这些具体例。

[0146] [化5]

[0147]

[0148] 由通式(9)所表示的化合物是在通式(1)中，P为OH，Q为NR2R3，Y为CR6，n为1，邻接于P的碳原子上的R1及邻接于Q的碳原子上的R6相互键结而形成环时的一例。

[0149] 通式(9)中，V9表示取代基。b表示0～4的整数(优选为表示1～2的整数，更优选为1)。作为由V9所表示的取代基，可列举上述通式(1)中由R2及R3所表示的烷基的取代基。当在通式(9)中存在多个V9时，各个基可相同，也可不同，且可相互键结而形成环。

[0150] R91及R92分别独立地表示氢原子或能够在氮原子上取代的基。作为能够在氮原子上取代的基，可优选地列举上述通式(1)的R2及R3中所例示的基。

[0151] V9、R91及R92中的至少一个中含有氟原子。其中，V9、R91及R92的至少一个基中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子上的一部分或全部的氢原子)优选为由氟原子取代。另外，更优选为V9、R91及R92中的至少一个中含有上述Rf基。

[0152] 再者，当存在多个V9时，多个V9、R91及R92中的至少一个基中含有氟原子。

[0153] 以下，表示由通式(9)所表示的化合物的具体例。但是，本发明并不限定于这些具体例。

[0154] [化6]

[0155]

[0156] 由通式(10)所表示的化合物是在通式(1)中，P为OH，Q为CHR4R5，Y为CR6，n为2，邻接于P的碳原子上的R1及邻接于Q的碳原子上的R6相互键结而形成双键来形成环时的一例。

[0157] 通式(10)中，V10表示取代基。b表示0～4的整数(优选为表示1～2的整数，更优选为1)。作为由V10所表示的取代基，可列举上述通式(1)中由R2及R3所表示的烷基的取代基。当在通式(10)中存在多个V10时，各个基可相同，也可不同，且可相互键结而形成环。

[0158] R101及R102分别独立地表示氢原子或取代基。

[0159] 作为由R101及R102所表示的取代基，可列举由上述R2及R3所表示的烷基的取代基，优选为烷基、烯基、炔基、或芳基，作为各个基的优选例，可列举上述R2及R3的例子。

[0160] 当R101及R102表示取代基时，这些基可进而具有取代基。作为取代基的例子，可列举由上述通式(1)的R2及R3所表示的烷基的取代基。

[0161] V10、R101及R102中的至少一个中含有氟原子。其中，V10、R101及R102的至少一个基中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子上的一部分或全部的氢原子)优选为由氟原子取代。其中，优选为V10、R101及R102中的至少一个中含有上述Rf基。

[0162] 再者，当存在多个V10时，多个V10、R101及R102中的至少一个基中含有氟原子。

[0163] 以下，表示由通式(10)所表示的化合物的具体例。但是，本发明并不限定于这些具体例。

[0164] [化7]

[0165]

[0166] 由通式(11)所表示的化合物是在通式(1)中，P为OH，Q为CHR4R5，Y为CR6，n为1，邻接于P的碳原子上的R1及邻接于Q的碳原子上的R6相互键结而形成环时的一例。

[0167] 通式(11)中，V11表示取代基。b表示0～4的整数(优选为表示1～2的整数，更优选为1)。作为由V11所表示的取代基，可列举上述通式(1)中由R2及R3所表示的烷基的取代基。当在通式(11)中存在多个V11时，各个基可相同，也可不同，且可相互键结而形成环。

[0168] R111及R112分别独立地表示氢原子或取代基。

[0169] 作为由R111及R112所表示的取代基，可列举由上述R2及R3所表示的烷基的取代基，优选为烷基、烯基、炔基、或芳基，作为各个基的优选例，可列举上述R2及R3的例子。

[0170] 当R111或R112表示取代基时，这些基可进而具有取代基。作为取代基的例子，可列举由上述通式(1)的R2及R3所表示的烷基的取代基。

[0171] V11、R111及R112中的至少一个中含有氟原子。其中，V11、R111及R112的至少一个基中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子上的一部分或全部的氢原子)优选为由氟原子取代。另外，更优选为V11、R111及R112中的至少一个中含有上述Rf基。

[0172] 再者，当存在多个V11时，多个V11、R111及R112中的至少一个基中含有氟原子。

[0173] 以下，表示由通式(11)所表示的化合物的具体例。但是，本发明并不限定于这些具体例。

[0174] [化8]

[0175]

[0176] 由通式(12)所表示的化合物是在通式(1)中，P、Q分别为NR2R3，Y为CR6，n为2，邻接于P的碳原子上的R1及邻接于Q的碳原子上的R6相互键结而形成双键来形成环时的一例。

[0177] 通式(12)中，V12表示取代基。b表示0～4的整数(优选为表示1～2的整数，更优选为1)。作为由V12所表示的取代基，可列举上述通式(1)中由R2及R3所表示的烷基的取代基。当在通式(12)中存在多个V12时，各个基可相同，也可不同，且可相互键结而形成环。

[0178] R121、R122、R123及R124分别独立地表示氢原子或能够在氮原子上取代的基。作为能够在氮原子上取代的基，可优选地列举上述通式(1)的R2及R3中所例示的基。

[0179] V12、R121、R122、R123及R124中的至少一个中含有氟原子。其中，V12、R121、R122、R123及R124的至少一个基中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子上的一部分或全部的氢原子)优选为由氟原子取代。另外，更优选为V12、R121、R122、R123及R124中的至少一个中含有上述Rf基。

[0180] 再者，当存在多个V12时，多个V12、R121、R122、R123及R124中的至少一个基中含有氟原子。

[0181] 以下，表示由通式(12)所表示的化合物的具体例。但是，本发明并不限定于这些具体例。

[0182] [化9]

[0183]

[0184] 由通式(13)所表示的化合物是在通式(1)中，P、Q分别为NR2R3，Y为CR6，n为1，邻接于P的碳原子上的R1及邻接于Q的碳原子上的R6相互键结而形成环时的一例。

[0185] 通式(13)中，V13表示取代基。b表示0～4的整数(优选为表示1～2的整数，更优选为1)。作为由V13所表示的取代基，可列举上述通式(1)中由R2及R3所表示的烷基的取代基。当在通式(13)中存在多个V13时，各个基可相同，也可不同，且可相互键结而形成环。

[0186] R131、R132、R133及R134分别独立地表示氢原子或能够在氮原子上取代的基。作为能够在氮原子上取代的基，可优选地列举上述通式(1)的R2及R3中所例示的基。

[0187] V13、R131、R132、R133及R134中的至少一个中含有氟原子。其中，V13、R131、R132、R133及R134的至少一个基中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子上的一部分或全部的氢原子)优选为由氟原子取代。另外，更优选为V13、R131、R132、R133及R134中的至少一个中含有上述Rf基。

[0188] 再者，当存在多个V13时，多个V13、R131、R132、R133及R134中的至少一个基中含有氟原子。

[0189] 以下，表示由通式(13)所表示的化合物的具体例。但是，本发明并不限定于这些具体例。

[0190] [化10]

[0191]

[0192] 由通式(14)所表示的化合物是在通式(1)中，P、Q分别为OH，Y为CR6，n为1，邻接于P的碳原子上的R1及邻接于Q的碳原子上的R6相互键结而形成环时的一例。

[0193] 通式(14)中，V14表示取代基。c表示1～2的整数(优选为1)。再者，V14中的至少一个中含有氟原子。即，当V14为1个时，该取代基中含有氟原子，当V14为2个以上时，只要至少一个V14中含有氟原子即可。氟原子优选为取代在至少一个由V14所表示的基中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子上的一部分或全部的氢原子)上来导入。其中，更优选为V14中含有上述Rf基。

[0194] 作为由V14所表示的取代基，可列举上述通式(1)中由R2及R3所表示的烷基的取代基。当在通式(14)中存在多个V14时，各个基可相同，也可不同，且可相互键结而形成环。

[0195] 以下，表示由通式(14)所表示的化合物的具体例。但是，本发明并不限定于这些具体例。

[0196] [化11]

[0197]

[0198] 由通式(15)所表示的化合物是在通式(1)中，P为OH，Q为NR2R3，Y为CR6，n为1，邻接于P的碳原子上的R1及邻接于Q的碳原子上的R6相互键结而形成环时的一例。

[0199] 通式(15)中，V15表示取代基。b表示0～4的整数(优选为表示1～2的整数，更优选为1)。作为由V15所表示的取代基，可列举上述通式(1)中由R2及R3所表示的烷基的取代基。当在通式(15)中存在多个V15时，各个基可相同，也可不同，且可相互键结而形成环。

[0200] R151及R152分别独立地表示氢原子或能够在氮原子上取代的基。作为能够在氮原子上取代的基，可优选地列举上述通式(1)的R2及R3中所例示的基。

[0201] V15、R151及R152中的至少一个中含有氟原子。其中，V15、R151及R152的至少一个基中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子上的一部分或全部的氢原子)优选为由氟原子取代。另外，更优选为V15、R151及R152中的至少一个中含有上述Rf基。

[0202] 再者，当存在多个V15时，多个V15、R151及R152中的至少一个基中含有氟原子。

[0203] 以下，表示由通式(15)所表示的化合物的具体例。但是，本发明并不限定于这些具体例。

[0204] [化12]

[0205]

[0206] 由通式(16)所表示的化合物是在通式(1)中，P、Q分别为NR2R3，n为0，R2及R3相互键结而形成环时的一例。

[0207] 通式(16)中，V16表示取代基。b表示0～4的整数(优选为表示1～2的整数，更优选为1)。作为由V16所表示的取代基，可列举上述通式(1)中由R2及R3所表示的烷基的取代基。当在通式(16)中存在多个V16时，各个基可相同，也可不同，且可相互键结而形成环。

[0208] R161及R162分别独立地表示氢原子或能够在氮原子上取代的基。作为能够在氮原子上取代的基，可优选地列举上述通式(1)的R2及R3中所例示的基。

[0209] V16、R161及R162中的至少一个中含有氟原子。其中，V16、R161及R162的至少一个基中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子上的一部分或全部的氢原子)优选为由氟原子取代。另外，更优选为V16、R161及R162中的至少一个中含有上述Rf基。

[0210] 再者，当存在多个V16时，多个V16、R161及R162中的至少一个基中含有氟原子。

[0211] 以下，表示由通式(16)所表示的化合物的具体例。但是，本发明并不限定于这些具体例。

[0212] [化13]

[0213]

[0214] 由通式(17)所表示的化合物是在通式(1)中，P、Q分别为NR2R3，n为0，R2及R3相互键结而形成环时的一例。

[0215] 通式(17)中，V17表示取代基。d表示0或1。作为由V17所表示的取代基，可列举上述通式(1)中由R2及R3所表示的烷基的取代基。当在通式(17)中存在多个V17时，各个基可相同，也可不同，且可相互键结而形成环。

[0216] R171、R172及R173分别独立地表示氢原子或能够在氮原子上取代的基。作为能够在氮原子上取代的基，可优选地列举上述通式(1)的R2及R3中所例示的基。

[0217] V17、R171、R172及R173中的至少一个中含有氟原子。其中，V17、R171、R172及R173的至少一个基中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子上的一部分或全部的氢原子)优选为由氟原子取代。另外，更优选为V17、R171、R172及R173中的至少一个中含有上述Rf基。

[0218] 再者，当存在多个V17时，多个V17、R171、R172及R173中的至少一个基中含有氟原子。

[0219] 以下，表示由通式(17)所表示的化合物的具体例。但是，本发明并不限定于这些具体例。

[0220] [化14]

[0221]

[0222] 由通式(18)所表示的化合物是在通式(1)中，P、Q分别为OH，Y为CR6及氮原子，n为3，R1及R6相互键结而形成环时的一例。

[0223] 通式(18)中，V18表示取代基。b表示0～4的整数(优选为表示1～2的整数，更优选为1)。作为由V18所表示的取代基，可列举上述通式(1)中由R2及R3所表示的烷基的取代基。当在通式(18)中存在多个V18时，各个基可相同，也可不同，且可相互键结而形成环。

[0224] R181表示氢原子或取代基。作为由R181所表示的取代基，可列举由上述R2及R3所表示的烷基的取代基，优选为烷基、烯基、炔基、或芳基，作为各个基的优选例，可列举上述R2及R3的例子。

[0225] 当R181表示取代基时，可进而具有取代基。作为取代基的例子，可列举由上述通式(1)的R2及R3所表示的烷基的取代基。

[0226] V18及R181中的至少一个中含有氟原子。其中，V18及R181的至少一个基中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子上的一部分或全部的氢原子)优选为由氟原子取代。另外，更优选为V18及R181中的至少一个中含有上述Rf基。

[0227] 再者，当存在多个V18时，多个V18及R181中的至少一个基中含有氟原子。

[0228] 以下，表示由通式(18)所表示的化合物的具体例。但是，本发明并不限定于这些具体例。

[0229] [化15]

[0230]

[0231] 由通式(19)所表示的化合物是在通式(1)中，P、Q分别为OH，Y为CR6及氮原子，n为2，R1及R6相互键结而形成环时的一例。

[0232] 通式(19)中，V19表示取代基。b表示0～4的整数(优选为表示1～2的整数，更优选为1)。作为由V19所表示的取代基，可列举上述通式(1)中由R2及R3所表示的烷基的取代基。当在通式(19)中存在多个V19时，各个基可相同，也可不同，且可相互键结而形成环。

[0233] R191表示氢原子或取代基。作为由R191所表示的取代基，可列举由上述R2及R3所表示的烷基的取代基，优选为烷基、烯基、炔基、或芳基，作为各个基的优选例，可列举上述R2及R3的例子。

[0234] 当R191表示取代基时，可进而具有取代基。作为取代基的例子，可列举由上述通式(1)的R2及R3所表示的烷基的取代基。

[0235] V19及R191中的至少一个中含有氟原子。其中，V19及R191的至少一个基中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子上的一部分或全部的氢原子)优选为由氟原子取代。另外，更优选为V19及R191中的至少一个中含有上述Rf基。

[0236] 再者，当存在多个V19时，多个V19及R191中的至少一个基中含有氟原子。

[0237] 以下，表示由通式(19)所表示的化合物的具体例。但是，本发明并不限定于这些具体例。

[0238] [化16]

[0239]

[0240] 由通式(20)所表示的化合物是在通式(1)中，P、Q分别为NR2R3，n为0时的一例。

[0241] 通式(20)中，R201、R202、R203及R204分别独立地表示氢原子、或能够在氮原子上取代的基。作为能够在氮原子上取代的基，可优选地列举上述通式(1)的R2及R3中所例示的基。

[0242] R201、R202、R203及R204中的至少一个中含有氟原子。其中，R201、R202、R203及R204的至少一个基中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子上的一部分或全部的氢原子)优选为由氟原子取代。另外，更优选为R201、R202、R203及R204中的至少一个中含有上述Rf基。

[0243] 以下，表示由通式(20)所表示的化合物的具体例。但是，本发明并不限定于这些具体例。

[0244] [化17]

[0245]

[0246] 由通式(21)所表示的化合物是在通式(1)中，P分别为NR2R3，Q为OH，n为0时的一例。

[0247] 通式(21)中，R211及R212分别独立地表示氢原子、或能够在氮原子上取代的基。作为能够在氮原子上取代的基，可优选地列举上述通式(1)的R2及R3中所例示的基。

[0248] R211及R212中的至少一个中含有氟原子。其中，R211及R212的至少一个基中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子上的一部分或全部的氢原子)优选为由氟原子取代。另外，更优选为R211及R212中的至少一个中含有上述Rf基。

[0249] 以下，表示由通式(21)所表示的化合物的具体例。但是，本发明并不限定于这些具体例。

[0250] [化18]

[0251]

[0252] 另外，作为由通式(1)所表示的化合物的最适宜形态，可列举由以下的通式(X)所表示的化合物。

[0253] [化19]

[0254]

[0255] Rx1及Rx2分别独立地表示碳数为1～12的烷基。就与氟系树脂的相容性更优异、由密封用树脂组合物所形成的密封层(密封用膜)的离子迁移抑制能力更优异的观点而言，烷基中的碳数优选为1～8，更优选为1～6，特别优选为1～5。作为烷基的适宜的具体例，例如可列举：甲基、乙基、正丙基、异丙基、第三丁基、异丁基、2，2-二甲基丙基、己基、环己基等。

[0256] A表示碳数为1～2的亚烷基。作为A，优选为-CH2-、-CH2CH2-，更优选为-CH2CH2-。

[0257] X11表示可含有羟基的碳数为1～3的亚烷基。作为X11，优选为-CH2-、-CH2CH2-、-CH2CH(CH3)-、-CH2CH2CH2-、-CH2CH(OH)CH2-、-CH2CH(CH2OH)-，更优选为-CH2-、-CH2CH2-、-CH2CH(OH)CH2-、-CH2CH2CH2-，特别优选为-CH2-、-CH2CH2-。

[0258] Y11表示碳数为4～12的直链状的全氟烷基。作为优选的全氟烷基的例子，可列举：C4F9-、C5F11-、C6F13-、C7F15-、C8F17-、C9F19-、C10F21-、C12F25-。若碳数为上述范围内，则与氟系树脂的相容性更优异、由密封用树脂组合物所形成的密封层(密封用膜)的离子迁移抑制能力更优异。

[0259] 上述Rx1、Rx2、A、及X11可进而具有上述取代基。

[0260] (由通式(2)所表示的化合物)

[0261] 其次，对由通式(2)所表示的化合物进行说明。

[0262] R7-C(＝O)-H  通式(2)

[0263] 在本发明中，由通式(2)所表示的化合物中还含有通过在醛体与半缩醛体之间存在平衡而显示出还原性的化合物(醛醣(aldose)等)、或利用由洛布雷·德·布律-埃肯施
泰因转变(Lobry-de Bruyn-van Ekenstein transformation)反应所引起的醛醣-酮醣间
的异构化而可形成醛体的化合物(果糖等)。

[0264] 通式(2)中，R7表示烷基、烯基、炔基、芳基、杂环基、或将这些基组合而成的基。

[0265] 当R7表示烷基、烯基、炔基、或芳基时，作为各个基的优选例，可列举上述R2及R3的例子。

[0266] 当R7表示杂环基时，优选为5元或6元的经取代或未经取代的自芳香族或非芳香族的杂环化合物中去除一个氢原子而成的一价的基，更优选为碳数为3～30的5元或6元的芳香族或非芳香族的杂环基。作为优选例，可列举：2-呋喃基、2-噻吩基、2-嘧啶基、2-苯并噻唑基、2-苯并噁唑基、2-咪唑基、4-咪唑基、三唑基、苯并三唑基、噻二唑基、吡咯烷基、哌啶基、咪唑烷基、吡唑烷基、吗啉基、四氢呋喃基、四氢噻吩基等。

[0267] 作为R7，更优选为烷基、烯基、炔基、芳基，特别优选为烷基、芳基。

[0268] 由R7所表示的烷基、烯基、炔基、芳基、或杂环基可进而具有取代基。作为取代基的例子，可列举上述通式(1)中由R2及R3所表示的烷基的取代基。

[0269] 由R7所表示的基中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子上的一部分或全部的氢原子)由氟原子取代。其中，优选为R7中含有上述Rf基。再者，在由通式(2)所表示的化合物中含有满足上述氟含有率的氟原子。

[0270] 另外，由R7所表示的基中可含有羟基、或由-COO-所表示的基。

[0271] 以下，表示由通式(2)所表示的化合物的具体例。但是，本发明并不限定于这些具体例。

[0272] [化20]

[0273]

[0274] (由通式(3)所表示的化合物)

[0275] 其次，对由通式(3)所表示的化合物进行说明。

[0276] [化21]

[0277]

[0278] 通式(3)中，由R8、R9及R10所表示的基分别独立地表示烷基、烯基、炔基、芳基、杂环基、或将这些基组合而成的基。作为烷基、烯基、炔基、芳基及杂环基的优选例，可列举上述通式(1)的R2及R3的例子。

[0279] 由R8、R9及R10所表示的基可进而具有取代基。作为取代基的例子，可列举由上述通式(1)的R2及R3所表示的烷基的取代基。

[0280] R8～R10的至少一个基中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子上的一部分或全部的氢原子)由氟原子取代。其中，优选为R8～R10的至少一个基中含有上述Rf基。再者，由通式(3)所表示的化合物中含有满足上述氟含有率的氟原子。

[0281] 以下，表示由通式(3)所表示的化合物的具体例。但是，本发明并不限定于这些具体例。

[0282] [化22]

[0283]

[0284] (由通式(4)所表示的化合物)

[0285] 其次，对由通式(4)所表示的化合物进行说明。

[0286] [化23]

[0287]

[0288] 通式(4)中，R11及R12分别独立地表示烷基、烯基、炔基、芳基、杂环基、或将这些基组合而成的基。作为烷基、烯基、炔基、芳基及杂环基的优选例，可列举上述通式(1)的R2及R3的例子。

[0289] 由R11及R12所表示的基可进而具有取代基。作为取代基的例子，可列举由上述通式(1)的R2及R3所表示的烷基的取代基。

[0290] R11～R12的至少一个基中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子上的一部分或全部的氢原子)由氟原子取代。其中，优选为R11～R12的至少一个基中含有上述Rf基。
再者，由通式(4)所表示的化合物中含有满足上述氟含有率的氟原子。

[0291] 以下，表示由通式(4)所表示的化合物的具体例。但是，本发明并不限定于这些具体例。

[0292] [化24]

[0293]

[0294] (由通式(5)所表示的化合物)

[0295] 其次，对由通式(5)所表示的化合物进行说明。

[0296] Z-SH    通式(5)

[0297] 通式(5)中，Z表示烷基、烯基、炔基、芳基、杂环基、或将这些基组合而成的基。作为烷基、烯基、炔基、芳基及杂环基的优选例，可列举上述通式(1)的R2及R3的例子。

[0298] 由Z所表示的基可进而具有取代基。作为取代基的例子，可列举由上述通式(1)的R2及R3所表示的烷基的取代基。

[0299] 由Z所表示的基中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子上的一部分或全部的氢原子)由氟原子取代。其中，优选为Z中含有上述Rf基。再者，由通式(5)所表示的化合物中含有满足上述氟含有率的氟原子。

[0300] 由通式(5)所表示的化合物优选为由通式(51)～通式(54)所表示的化合物。

[0301] [化25]

[0302]

[0303] 通式(51)中，R511表示含有氟原子的取代基。

[0304] 作为取代基，可列举上述通式(1)中由R2及R3所表示的烷基的取代基。由R511所表示的基可进而具有取代基。作为取代基的例子，可列举由上述通式(1)的R2及R3所表示的烷基的取代基。

[0305] 再者，R511中含有氟原子。其中，R511中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子上的一部分或全部的氢原子)优选为由氟原子取代。另外，更优选为R511中含有上述Rf基。

[0306] 以下，表示由通式(51)所表示的化合物的具体例。但是，本发明并不限定于这些具体例。

[0307] [化26]

[0308]

[0309] 通式(52)中，R521及R522分别独立地表示氢原子或取代基。R523表示氢原子或能够在氮原子上取代的基。作为能够在氮原子上取代的基，可优选地列举上述通式(1)的R2及R3中所例示的基。另外，作为取代基，可列举上述通式(1)中由R2及R3所表示的烷基的取代基。R521、R522及R523可相同，也可不同，且可相互键结而形成环。

[0310] R521、R522、及R523中的至少一个基中含有氟原子。其中，R521、R522、及R523中的至少一个基中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子上的一部分或全部的氢原子)优选为由氟原子取代。另外，更优选为R521、R522、及R523中的至少一个基中含有上述Rf基。

[0311] 以下，表示由通式(52)所表示的化合物的具体例。但是，本发明并不限定于这些具体例。

[0312] [化27]

[0313]

[0314] 通式(53)中，R531表示氢原子或取代基。R532表示氢原子或能够在氮原子上取代的基。作为能够在氮原子上取代的基，可优选地列举上述通式(1)的R2及R3中所例示的基。另外，作为取代基，可列举上述通式(1)中由R2及R3所表示的烷基的取代基。R531及R532可相同，也可不同，且可相互键结而形成环。

[0315] R531及R532中的至少一个基中含有氟原子。其中，R531及R532中的至少一个基中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子上的一部分或全部的氢原子)优选为由氟原子取代。另外，更优选为R531及R532中的至少一个基中含有上述Rf基。

[0316] 以下，表示由通式(53)所表示的化合物的具体例。但是，本发明并不限定于这些具体例。

[0317] [化28]

[0318]

[0319] 通式(54)中，R541表示含有氟原子的能够在氮原子上取代的基。作为能够在氮原子上取代的基，可优选地列举上述通式(1)的R2及R3中所例示的基。

[0320] R541中含有氟原子。其中，R541中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子上的一部分或全部的氢原子)优选为由氟原子取代。另外，更优选为R541中含有上述Rf基。

[0321] 以下，表示由通式(54)所表示的化合物的具体例。但是，本发明并不限定于这些具体例。

[0322] [化29]

[0323]

[0324] 另外，作为由通式(5)所表示的化合物的最适宜形态，可列举由以下的通式(Y)所表示的化合物。

[0325] [化30]

[0326]

[0327] 通式(Y)中，Ry1及Ry2分别独立地表示氢原子或烷基。n1表示1或2，优选为表示2。当n为2时，多个由CRy1Ry2所表示的单元的结构可相同，也可不同。

[0328] 当Ry1及Ry2表示烷基时，优选为碳数为1～30，更优选为碳数为1～15，特别优选为碳数为1～6，例如可优选地列举：甲基、乙基、正丙基、异丙基、第三丁基、正辛基、二十基、氯甲基、羟甲基、氨基乙基、N，N-二甲氨基甲基、2-氯乙基、2-氰基乙基、2-羟乙基、2-(N，N-二甲氨基)乙基、2-乙基己基等。

[0329] 作为由(CRy1Ry2)n1所表示的结构，优选为-CH2-、-CH2CH2-、-CH2CH(CH3)-，更优选为-CH2CH2-、-CH2CH(CH3)-，特别优选为-CH2CH2-。

[0330] Ry3及Ry4分别独立地表示氢原子或取代基。m1表示1～6的整数。当m1为2以上时，多个由CRy3Ry4所表示的单元的结构可相同，也可不同。另外，Ry3及Ry4可相互键结而形成环。再者，取代基的定义如上所述。

[0331] 作为由(CRy3Ry4)m1所表示的结构，优选为-CH2-、-CH2CH2-、-CH2CH(CH3)-、-CH2CH2CH2-、-CH2CH(OH)CH2-、-CH2CH(CH2OH)-，更优选为-CH2-、-CH2CH2-、-CH2CH(OH)CH2-、-CH2CH2CH2-，特别优选为-CH2-、-CH2CH2-。

[0332] l1表示1～6的整数。其中，就与氟系树脂的相容性更优异的观点而言，优选为2～5，更优选为3～4。

[0333] q1表示0或1，p1表示2或3，p1+q1表示3。其中，就与氟系树脂的相容性更优异的观点而言，优选为q1为1、p1为2。

[0334] Ry5表示碳数为1～14的全氟烷基。全氟烷基可为直链状，也可为支链状。

[0335] 作为碳原子数为1～14的直链状或支链状的全氟烷基的例子，可列举：CF3-、C2F5-、C3F7-、C4F9-、C5F11-、C6F13-、C7F15-、C8F17-、C9F19-、C10F21-、C12F25-、C14F29-等。

[0336] (由通式(22)所表示的化合物)

[0337] 其次，对由通式(22)所表示的化合物进行说明。再者，由通式(22)所表示的化合物中含有满足上述氟含有率的氟原子。

[0338] [化31]

[0339]

[0340] 通式(22)中，Rf1表示可具有醚性氧原子的氢原子的至少一个被氟原子取代的碳数为22以下的氟烷基、或氟原子。

[0341] 上述氟烷基中的氢原子也可被氟原子以外的其他卤素原子取代。作为其他卤素原子，优选为氯原子。另外，醚性氧原子(-O-)可存在于氟烷基的碳-碳键结环上，也可存在于氟烷基的末端。另外，氟烷基的结构可列举直链结构、分支结构、环结构、或部分地具有环的结构，优选为直链结构。

[0342] 作为Rf1，优选为全氟烷基或含有1个氢原子的聚氟烷基，特别优选为全氟烷基(其中，包含具有醚性氧原子的)。

[0343] 作为Rf1，优选为碳原子数为4～6的全氟烷基、或具有醚性氧原子的碳原子数为4～9的全氟烷基。

[0344] 作为Rf1的具体例，可列举以下基团。

[0345] -CF3、-CF2CF3、-CF2CHF2、-(CF2)2CF3、-(CF2)3CF3、-(CF2)4CF3、-(CF2)5CF3、-(CF2)6CF3、-(CF2)7CF3、-(CF2)8CF3、-(CF2)9CF3、-(CF2)11CF3、-(CF2)15CF3、-CF(CF3)O(CF2)5CF3、-CF2O(CF2CF2O)pCF3(p为1～8的整数)，-CF(CF3)O(CF2CF(CF3)O)qC6F13(q为1～4的整数)，-CF(CF3)O(CF2CF(CF3)O)rC3F7(r为1～5的整数)。

[0346] 作为Rf1，特别优选为-(CF2)CF3或-(CF2)5CF3。

[0347] X1表示氢原子、氟原子、或三氟甲基。

[0348] 其中，优选为氟原子、三氟甲基。

[0349] L1表示单键或碳数为1～6的亚烷基。其中，优选为碳数为1～2的亚烷基。

[0350] L2表示单键、或者可由羟基或氟原子取代的碳数为1～6的亚烷基。其中，优选为碳数为1～2的亚烷基。

[0351] L3表示单键或碳数为1～6的亚烷基。其中，优选为单键或碳数为1～2的亚烷基。

[0352] Y1及Z1表示单键、-CO2-、-CO-、-OC(＝O)O-、-SO3-、-CONR222-、-NHCOO-、-O-、-S-、-SO2NR222-、或-NR222-。R222表示氢原子或碳数为1～5的烷基。

[0353] 其中，优选为-CO2-、-O-、-S-、-SO2NR222-、或-CONR222-。

[0354] R221表示氢原子、碳数为1～8的直链或分支的烷基、或Rf1-CFX1-L1-Y1-L2-Z1-L3-。

[0355] 其中，当Y1及Z1均为单键以外的键时，L2表示可由氟原子取代的碳数为1～6的亚烷基。

[0356] 以下，表示由通式(22)所表示的化合物的具体例。但是，本发明并不限定于这些具体例。

[0357] [化32]

[0358]

[0359] (由通式(23)所表示的化合物)

[0360] 其次，对由通式(23)所表示的化合物进行说明。再者，由通式(23)所表示的化合物中含有满足上述氟含有率的氟原子。

[0361] [化33]

[0362]

[0363] 通式(23)中，R231及R232分别独立地表示氢原子或烷基。当R231及R232表示烷基时，优选为碳数为1～30，更优选为碳数为1～15，特别优选为碳数为1～6，例如可优选地列举：甲基、乙基、正丙基、异丙基、第三丁基、正辛基、二十基、氯甲基、羟甲基、氨基乙基、N，N-二甲氨基甲基、2-氯乙基、2-氰基乙基、2-羟乙基、2-(N，N-二甲氨基)乙基、2-乙基己基等。

[0364] 作为由(CR231R232)n所表示的结构，优选为-CH2-、-CH2CH2-、-CH2CH(CH3)-，更优选为-CH2CH2-、-CH2CH(CH3)-，特别优选为-CH2CH2-。

[0365] R233及R234分别独立地表示氢原子或取代基。作为取代基的例子，可列举由上述R2及R3所表示的烷基的取代基。

[0366] 作为由(CR233R234)m所表示的结构，优选为-CH2-、-CH2CH2-、-CH2CH(CH3)-、-CH2CH2CH2-、-CH2CH(OH)CH2-、-CH2CH(CH2OH)-，更优选为-CH2-、-CH2CH2-、-CH2CH(OH)CH2-、-CH2CH2CH2-，特别优选为-CH2-、-CH2CH2-。

[0367] Y2表示单键、-CO-、或-COO-。

[0368] 当Y2为单键或-CO-时，n表示0，m表示0～6的整数。其中，m优选为0～4，更优选为1～2。

[0369] 当Y2为-COO-时，n表示1或2，优选为表示2。m表示1～6的整数，优选为1～4，更优选为1～2。

[0370] Rf2表示碳数为1～20的直链或分支的全氟亚烷基、或者碳数为1～20的直链或分支的全氟醚基。

[0371] 全氟亚烷基的碳数为1～20，优选为2～15，更优选为3～12。作为全氟亚烷基的具体例，例如可列举：-C4F8-、-C5F10-、-C6F12-、-C7F14-、-C8F16-、-C9F18-、-C10F20-、-C12F24-等。

[0372] 所谓全氟醚基，是指在上述全氟亚烷基中的1个部位以上的碳-碳原子间、或全氟亚烷基的键结末端插入醚性氧原子(-O-)而成的基。全氟亚烷基的碳数为1～20，优选为2～15，更优选为3～12。作为全氟醚基的具体例，可列举由-(CgF2gO)h-(式中，g分别独立地为1～20的整数，h为1以上的整数，且满足g×h≤20以下的关系)所表示的全氟醚基。

[0373] p表示2～3的整数，1表示0～1的整数，且满足p+1＝3的关系。其中，优选为p为3、1为0。

[0374] 以下，表示由通式(23)所表示的化合物的具体例。但是，本发明并不限定于这些具体例。

[0375] [化34]

[0376]

[0377] (具有由通式(24)所表示的基与由通式(25)所表示的基的化合物)

[0378] 其次，对具有由通式(24)所表示的基与由通式(25)所表示的基的化合物(以后，也称为化合物X)进行说明。再者，化合物X中含有满足上述氟含有率的氟原子。

[0379] [化35]

[0380]

[0381] *——CFXRf    通式(25)

[0382] 通式(24)中，R241、R242、R243、及R244分别独立地表示氢原子或取代基。作为取代基的例子，可列举由上述R2及R3所表示的烷基的取代基。其中，作为取代基，优选为烷基，特别优选为R242及R243为烷基(特别是第三丁基)。优选为R241及R244为氢原子。

[0383] *表示键结位置。

[0384] 通式(25)中，X表示氢原子、氟原子、或三氟甲基。其中，优选为氟原子、或三氟甲基。

[0385] Rf表示可具有醚性氧原子的氢原子的至少一个被氟原子取代的碳原子数为20以下的氟烷基、或氟原子。Rf的定义除碳原子数不同这一点以外，与上述Rf1相同，适宜形态也相同。

[0386] *表示键结位置。

[0387] 作为化合物X的适宜形态，可列举具有由以下的通式(26)所表示的重复单元及由通式(27)所表示的重复单元的聚合物。

[0388] [化36]

[0389]

[0390] 通式(26)及通式(27)中，R261及R262分别独立地表示氢原子、或者碳数为1～4的经取代或未经取代的烷基。

[0391] Z2表示单键、酯基、酰胺基、或醚基。

[0392] L4表示单键或二价的有机基。作为由L4所表示的有机基，优选的形态之一为直链、分支、或环状的亚烷基，芳香族基，或将这些基组合而成的基。将该亚烷基与芳香族基组合而成的基可进而经由醚基、酯基、酰胺基、氨基甲酸酯基、脲基来组合。其中，L4中的总碳数优选为1～15。再者，此处所谓总碳数，是指例如由L4所表示的经取代或未经取代的二价的有机基中所含有的总碳原子数。具体而言，可列举：亚甲基，亚乙基，亚丙基，亚丁基，亚苯基，及这些基经甲氧基、羟基、氯原子、溴原子、氟原子等取代的基，以及将这些组合而成的基。

[0393] L5表示单键、或碳数为1～6的不具有氟的二价的有机基。其中，优选为碳数为2～4的亚烷基。

[0394] 再者，通式(26)及通式(27)中的R241～R244、X及Rf的定义如上所述。

[0395] 聚合物中的由通式(26)所表示的重复单元的含量并无特别限制，但就本发明的效果更优异的观点而言，相对于聚合物中的所有重复单元，优选为5摩尔％～90摩尔％，更优选为10摩尔％～70摩尔％。

[0396] 聚合物中的由通式(27)所表示的重复单元的含量并无特别限制，但就本发明的效果更优异的观点而言，相对于聚合物中的所有重复单元，优选为10摩尔％～95摩尔％，更优选为30摩尔％～90摩尔％。

[0397] 聚合物的重量平均分子量并无特别限制，但就离子迁移抑制能力更优异的观点而言，优选为3,000～500,000，更优选为5,000～100,000。

[0398] 以下，表示化合物X的具体例。但是，本发明并不限定于这些具体例。

[0399] [化37]

[0400]

[0401] 抗迁移剂(B)优选为由通式(6)、通式(7)、通式(10)、通式(11)、通式(21)、通式(51)、通式(53)、及通式(54)的任一者所表示的化合物，更优选为由通式(10)、通式(11)、通式(51)、通式(53)、及通式(54)的任一者所表示的化合物，特别优选为由通式(10)、通式(11)、及通式(51)的任一者所表示的化合物。

[0402] 虽然未充分地弄清抗迁移剂(B)显现本发明的效果的详细的机制，但由通式(1)所表示的化合物是显示出作为坎达尔-佩欧(Kendal-Pel)法则而为人所知的还原性的有机化合物、或作为各种照相感光材料的显影主剂而公知的还原性有机化合物，其一般的结构式例如在T.H.詹姆士(T.H.James)著《照相过程理论(The Theory of the Photographic Process)》，第4版.，麦克米兰出版有限公司(Macmillan Publishing Co.，Inc.)的299页、及美国专利第4845019号公报的第12列22行～34行等中有例示，具有代表性的化合物为
T.H.James著《照相过程理论(The Theory of the Photographic Process)》，第4版.，麦克米兰出版有限公司(Macmillan Publishing Co.，Inc.)的298页-327页、日本专利特登
2788831号公报的6页、日本专利特登2890055号公报的1页-4页、日本专利特登4727637号公报的12页-15页等中所例示。另外，由通式(2)、通式(3)、通式(4)所表示的化合物，及化合物X也为显示出还原性的化合物。推断若这些还原性化合物在金属配线的附近存在固定量以上，则与由金属配线的离子迁移所产生的金属离子进行反应而导致自身得到氧化，由此将金属离子还原，而抑制金属配线的迁移。

[0403] 另外，由通式(5)、通式(22)及通式(23)所表示的化合物作为能够吸附在金属上的化合物、或能够配位在金属离子上的化合物而为人所知，推断该化合物吸附在金属表面、或形成络合物来形成被膜，由此而发挥防腐蚀或防锈的效果，或者与所产生的金属离子形成络合物来抑制其扩散，由此而抑制金属配线的迁移。

[0404] 再者，作为由上述通式(1)所表示的化合物的其他的适宜形态，可列举由以下的通式(60)所表示的化合物。再者，由通式(60)所表示的化合物是包含由通式(6)～通式(13)所表示的化合物的化合物。

[0405] [化38]

[0406]

[0407] 通式(60)中，Wa分别独立地表示OH、NR2R3或CHR4R5。另外，Wb分别独立地表示氢原子或取代基。e表示2，f表示4。再者，Wa中的至少一个表示OH或NR2R3，当一个Wa为NR2R3时，另一个Wa表示OH或NR2R3。R2～R5的定义如上所述。

[0408] Wa及Wb中的至少一个基中含有氟原子。其中，Wa及Wb中的至少一个基中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子上的一部分或全部的氢原子)优选为由氟原子取代。另外，更优选为作为上述Rf基而包含在Wa及Wb中的至少一个基中。

[0409] (密封用树脂组合物)

[0410] 在密封用树脂组合物中含有上述氟系树脂(A)与抗迁移剂(B)。

[0411] 氟系树脂(A)与抗迁移剂(B)的质量比((B)/(A))为0.0010以上、未满0.10。其中，就由密封用树脂组合物所形成的密封层(密封用膜)的离子迁移抑制能力更优异，并且表面状态特性也更优异的观点而言，优选为0.0025～0.06，更优选为0.010～0.05。

[0412] 当质量比((B)/(A))未满0.0010时，离子迁移抑制能力欠佳。当质量比((B)/(A))为0.10以上时，表面状态特性或绝缘性能下降。

[0413] 在密封用树脂组合物中，视需要可含有上述氟系树脂(A)及抗迁移剂(B)以外的化合物。

[0414] 例如，在密封用树脂组合物中可含有溶剂。通过含有溶剂，密封用树脂组合物的处理性提升，且容易形成所期望的膜厚的密封层。

[0415] 所使用的溶剂的种类并无特别限制，可列举水或有机溶剂。

[0416] 再者，作为所使用的有机溶剂，例如可列举：醇系溶剂(例如甲醇、乙醇、异丙醇、第二丁醇、卡必醇、二乙二醇单乙醚)、酮系溶剂(例如丙酮、甲基乙基酮、环己酮)、芳香族烃溶剂(例如甲苯、二甲苯)、酰胺系溶剂(例如甲酰胺、二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲基丙烯脲)、腈系溶剂(例如乙腈、丙腈)、酯系溶剂(例如乙酸甲酯、乙酸乙酯)、碳酸酯系溶剂(例如碳酸二甲酯、碳酸二乙酯)、醚系溶剂、卤素系溶剂等。可将2种以上的这些溶剂混合使用。

[0417] 作为密封用树脂组合物的用途，其用于包覆银配线、或包含银配线的层叠体。更具体而言，密封用树脂组合物用于在银配线上形成密封层(密封膜)，并进行包覆。另外，密封用树脂组合物用于在包含银配线的层叠体上形成密封层(密封膜)，并进行包覆。再者，作为包含银配线的层叠体，只要包含银配线，则并无特别限制，通常使用包含基板、配置于基板上的银配线、以及配置于银配线上的绝缘层的层叠体。在该层叠体中的绝缘层上涂布密封用树脂组合物而形成密封层(密封膜)。

[0418] 密封用树脂组合物的使用方法并无特别限制，通常应用如下的方法：涂布于具备银配线的带有银配线的基板上或包含银配线的层叠体上，而形成密封层(密封膜)。

[0419] 涂布的方法并无特别限制，应用公知的方法(棒涂法、旋涂法、刀涂法、刮刀法)。

[0420] 另外，视需要，为了去除溶剂，还可在涂布后实施干燥处理。干燥处理时的加热条件并无特别限制，但就生产性的观点而言，优选为在50℃～250℃(优选为80℃～180℃)下加热5分钟～2小时(优选为10分钟～1小时)左右。

[0421] <密封用膜>

[0422] 其次，对本发明的密封用膜进行详述。

[0423] 在密封用膜中含有上述氟系树脂(A)与上述抗迁移剂(B)。氟系树脂(A)与抗迁移剂(B)的质量比也与上述密封用树脂组合物中的质量比相同，适宜形态也相同。密封用膜用于包覆银配线、或包含银配线的层叠体。

[0424] 再者，密封用膜可为不具有基材的类型(无基材的密封用膜)，也可为在基材的至少一个主面上配置有密封用膜的具有基材的类型(带有基材的密封用膜。例如在基材的两面具有密封用膜的带有基材的两面密封用膜，仅在基材的单面具有密封用膜的带有基材的单面密封用膜)。

[0425] 当密封用膜为带有基材的密封用膜时，所使用的基材的种类并无特别限制，但优选为使用透明基材。作为透明基材，例如可列举：聚对苯二甲酸乙二酯膜、聚对苯二甲酸丁二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、玻璃纸(cellophane)、二乙酰纤维素膜、三乙酰纤维素膜、乙酰纤维素丁酸酯膜、聚氯乙烯膜、聚偏二氯乙烯膜、聚乙烯醇膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、聚苯乙烯膜、聚碳酸酯膜、聚甲基戊烯膜、聚砜膜、聚醚醚酮膜、聚醚砜膜、聚醚酰亚胺膜、聚酰亚胺膜、氟树脂膜、尼龙膜、丙烯酸树脂膜等。

[0426] 密封用膜的厚度并无特别限制，就应用于精密电子器件的观点而言，优选为0.3μm～30μm，更优选为0.5μm～20μm。

[0427] 上述密封用膜可利用公知的方法来制造。例如当密封用膜为无基材的密封用膜时，可通过如下方式来制作：以干燥后的厚度变成规定的厚度的方式，将上述密封用树脂组合物涂布于间隔片(剥离衬垫(liner))上而设置密封用树脂组合物的涂布层后，对该涂布层进行干燥，视需要进行硬化，其后剥离间隔片。

[0428] 另外，当密封用膜为带有基材的密封用膜时，可通过将密封用树脂组合物直接涂布于基材表面，并进行干燥来制作(直印法)，也可通过与上述同样地在间隔片上形成密封用树脂组合物的涂布膜后，与基材进行转印(贴合)来制作(转印法)。

[0429] 就可进一步抑制金属配线间的离子迁移的观点而言，密封用膜广泛应用于例如触摸屏、显示器用电极、电磁波屏蔽、有机电致发光(Electroluminescence，EL)显示器用电极或无机EL显示器用电极、电子纸、挠性显示器用电极、集成型太阳电池、显示元件(OLED元件、LED元件)、其他各种器件(TFT元件)等。

[0430] <配线基板>

[0431] 其次，参照图式对本发明的配线基板的适宜形态进行详述。

[0432] 图1表示配线基板的一实施形态的示意剖面图，配线基板10具备基板12、配置于基板12上的银配线14、以及覆盖银配线14的密封用膜18。再者，基板12与银配线14构成带有银配线的基板16。

[0433] 以下，对各构件(基板12、银配线14、密封用膜18)进行详述。

[0434] (基板)

[0435] 基板只要是可支撑银配线的，则其种类并无特别限制，但优选为绝缘性的绝缘基板。例如可使用有机基板、陶瓷基板、玻璃基板等。

[0436] 另外，基板也可为将选自由有机基板、陶瓷基板、及玻璃基板所组成的群组中的至少2个基板层叠而成的构造。

[0437] 作为有机基板的材料，可列举树脂，例如优选为使用热硬化性树脂、热塑性树脂、或将这些混合而成的树脂。作为热硬化性树脂，例如可列举：酚树脂、脲树脂、三聚氰胺树脂、醇酸树脂、丙烯酸树脂、不饱和聚酯树脂、邻苯二甲酸二烯丙酯树脂、环氧树脂、硅酮树脂、呋喃树脂、酮树脂、二甲苯树脂、苯并环丁烯树脂等。作为热塑性树脂，例如可列举：聚酰亚胺树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂、聚芳酰胺树脂、液晶聚合物等。

[0438] 再者，作为有机基板的材料，也可使用玻璃织布、玻璃不织布、聚芳酰胺织布、聚芳酰胺不织布、芳香族聚酰胺织布、或使上述树脂含浸在这些中而成的材料等。

[0439] (银配线)

[0440] 银配线主要包含银。也可以银合金的形态包含银，当银配线包含银合金时，作为银以外的所含有的金属，例如可列举：锡、钯、金、镍、铬等。再者，在无损本发明的效果的范围内，也可在银配线中包含粘合剂等树脂成分或感光性化合物等，进而，视需要也可包含其他成分。

[0441] 银配线的宽度并无特别限制，但就确保配线基板的高集成化部及引出配线部(导线(lead wire)部)中的电气可靠性的观点而言，优选为0.1μm～10000μm，更优选为0.1μm～
300μm，进而更优选为0.1μm～100μm，特别优选为0.2μm～50μm。

[0442] 银配线间的间隔并无特别限制，但就配线基板的高集成化的观点而言，优选为0.1μm～1000μm，更优选为0.1μm～300μm，进而更优选为0.1μm～100μm，特别优选为0.2μm～50μm。

[0443] 另外，银配线的形状并无特别限制，可为任意的形状。例如可列举：直线状、曲线状、矩形状、圆形状等。另外，银配线的配置(图案)并无特别限制，例如可列举条纹状。

[0444] 进而，在图1中设置有2根银配线14，但其数量并无特别限制。通常设置有多根银配线。

[0445] 银配线的厚度并无特别限制，但就配线基板的高集成化的观点而言，优选为0.001μm～100μm，更优选为0.01μm～30μm，进而更优选为0.01μm～20μm。

[0446] 银配线的形成方法并无特别限制，可列举：蒸镀法、溅镀法等物理成膜法，或化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)法等化学气相法，涂布含有银纳米粒子或银纳米线的银浆(silver paste)来形成银配线的方法，日本专利特开2009-188360号中所揭示的利用银盐的方法等。

[0447] 在图1中，银配线14仅设置在基板12的单面上，但也可设置在两面上。即，带有银配线的基板16可为单面基板，也可为两面基板。当在基板12的两面上存在银配线14时，密封用膜18也可设置在两面上。

[0448] 另外，在图1中，以一层的配线构造为例来列举银配线14，当然并不限定于此。例如，也可使用将多根银配线与基板交替地层叠而成的带有银配线的基板(多层配线基板)，由此制成多层配线构造的配线基板。

[0449] (密封用膜)

[0450] 密封用膜是配置于带有银配线的基板的银配线侧的表面，用以覆盖银配线表面来抑制银配线间的银的离子迁移的层。换言之，密封用膜相当于银离子扩散抑制层。

[0451] 密封用膜的定义如上所述。

[0452] 密封用膜的制造方法并无特别限制，例如有如下的方法：将上述密封用树脂组合物涂布于带有银配线的基板上，视需要去除溶剂，而形成密封用膜。另外，也可列举将密封用膜直接层叠(贴附)于带有银配线的基板上的方法。

[0453] 就可进一步抑制金属配线间的离子迁移的观点而言，配线基板广泛应用于例如触摸屏、显示器用电极、电磁波屏蔽、有机EL显示器用电极或无机EL显示器用电极、电子纸、挠性显示器用电极、集成型太阳电池、显示元件(OLED元件、LED元件)、其他各种器件(TFT元件)等。

[0454] [实施例]

[0455] 以下，通过实施例来更详细地说明本发明，但本发明并不限定于这些实施例。

[0456] (合成例1：化合物A-1)

[0457] 向反应容器中依次添加3-(3，5-二-第三丁基-4-羟苯基)丙酸(3.5g、12.6mmol)、二氯甲烷(20ml)、2，2，3，3，4，4，5，5，6，6，7，7，8，8，9，9，10，10，10-十九氟癸烷-1-醇(6.3g、12.6mmol)、四氢呋喃(10ml)、1-乙基-3-(3-二甲氨基丙基)碳二酰亚胺(carbodiimide)盐酸盐(2.4g、12.6mmol)、4-二甲氨基吡啶(0.05g、0.4mmol)。

[0458] 在室温下将反应溶液搅拌3小时后，向反应溶液中添加1N盐酸(50ml)，并利用乙酸乙酯100ml进行提取。利用饱和食盐水对有机层进行清洗，然后利用硫酸镁对有机层进行干燥。滤取固体成分后，进行减压浓缩，而获得白色的粗结晶。利用甲醇进行再结晶，而获得化合物A-1 6.0g(产率为63％)。

[0459] 所获得的化合物A-1的1H-NMR光谱如下所示。

[0460] 1H-NMR(溶剂：氘代氯仿，基准：四甲基硅烷)

[0461] 6.98(2H，s)，5.09(1H，s)，4.59(2H，t)，2.90(2H，t)，2.71(2H，t)，1.43(9H，s)[0462] 在1H-NMR的数据中，在具有特征性的位置观察到各质子的峰值，因此鉴定其为化合物A-1。

[0463] 再者，化合物A-1的氟含有率为47.5质量％。

[0464] [化39]

[0465]

[0466] (合成例2：化合物A-2)

[0467] 向反应容器中添加1，3，4-噻二唑-2，5-二硫醇(和光纯药制造)(4.0g、26.6mmol)、四氢呋喃(80ml)并使这些完全溶解。其后，自滴加漏斗历时0.5小时将丙烯酸3，3，4，4，5，5，6，6，7，8，8，8-十二氟-7-(三氟甲基)辛酯(12.5g、26.6mmol)滴加至反应溶液中。在65℃下将反应溶液搅拌6小时后，冷却至室温为止，然后对反应溶液进行减压浓缩。向反应溶液中添加己烷200mL，利用冰浴进行冷却，而获得粗结晶16g。利用硅胶管柱色谱法(流动相
(mobile phase)：己烷/乙酸乙酯＝2/1～1/1)对粗结晶中的8g进行精制，而获得本发明的化合物A-2 6g(产率为72％)。

[0468] 所获得的化合物A-2的1H-NMR光谱如下所示。

[0469] 1H-NMR(溶剂：氘代氯仿，基准：四甲基硅烷)

[0470] 11.1(1H，br)，4.44(2H，t)，3.40(2H，t)，2.85(2H，t)，2.49(2H，t)，2.49(2H，m)[0471] 在1H-NMR的数据中，在具有特征性的位置观察到各质子的峰值，因此鉴定其为化合物A-2。

[0472] 再者，化合物A-2的氟含有率为47.2质量％。

[0473] [化40]

[0474]

[0475] (合成例3：化合物A-3)

[0476] 除使用2，2，2-三氟乙醇来代替2，2，3，3，4，4，5，5，6，6，7，7，8，8，9，9，10，10，10-十九氟癸烷-1-醇以外，根据与合成例1相同的程序合成化合物A-3。

[0477] 再者，化合物A-3的氟含有率为15.8质量％。

[0478] [化41]

[0479]

[0480] (合成例4：化合物A-4)

[0481] 根据《有机化学期刊(Joumal of Organic Chemistry)》，2005年，第70卷，第1328-1339页的化合物3c的合成例，合成化合物A-4。

[0482] 再者，化合物A-4的氟含有率为0质量％。

[0483] [化42]

[0484]

[0485] (合成例5：化合物A-5)

[0486] 向反应容器中依次添加1H-苯并三唑-5-羧酸(1.5g、9.19mmol)、四氢呋喃(27ml)、二甲基甲酰胺(3ml)、3，3，4，4，5，5，6，6，7，7，8，8，8-十三氟-1-辛醇(3.35g、9.19mmol)、1-乙基-3-(3-二甲氨基丙基)碳二酰亚胺盐酸盐(1.76g、9.19mmol)、4-二甲氨基吡啶(0.11g、0.91mmol)。在70℃下搅拌24小时后，添加水50ml，然后利用乙酸乙酯100ml进行提取。利用饱和食盐水对有机层进行清洗，然后利用硫酸镁对有机层进行干燥。滤取固体成分后，对溶液进行减压浓缩。利用硅胶管柱色谱法(流动相：己烷/乙酸乙酯＝2/1)进行精制，而获得化合物A-5 3.1g(产率为66％)。

[0487] 再者，化合物A-5的氟含有率为48.5质量％。

[0488] [化43]

[0489]

[0490] (合成例6：化合物A-6)

[0491] 根据下述流程，合成化合物A-6A。

[0492] [化44]

[0493]

[0494] 向反应容器中添加1，3，4-噻二唑-2，5-二硫醇(和光纯药制造)(4.0g、26.6mmol)、四氢呋喃(80ml)并使这些完全溶解。自滴加漏斗历时0.5小时滴加丙烯酸3，3，4，4，5，5，6，6，7，7，8，8，8-十三氟辛酯(11.13g、26.6mmol)。在65℃下搅拌6小时后，冷却至室温为止，然后对溶液进行减压浓缩。向反应混合物中添加己烷200mL，利用冰浴进行冷却，而获得粗结晶15g。利用硅胶管柱色谱法(流动相：己烷/乙酸乙酯＝2/1～1/1)对粗结晶中的7.5g进行精制，而获得化合物A-6A 6g(产率为79％)。

[0495] 继而，使用所获得的化合物A-6A，根据下述流程合成化合物A-6。

[0496] [化45]

[0497]

[0498] 向反应容器中添加化合物A-6A(3.0g、5.28mmol)、乙酸乙酯(20ml)并使这些完全溶解。依次添加碘化钠(79.1mg、0.528mmol)与30％过氧化氢(22.11mmol、2.39g)，并在室温下搅拌1小时。利用100ml的水对所析出的结晶进行清洗，然后利用硅胶管柱色谱法(流动相：己烷/乙酸乙酯＝2/1～1/1)对所获得的粗结晶2.7g进行精制，而获得化合物A-6 2.4g(产率为80％)。

[0499] 所获得的本发明的化合物A-6的NMR光谱如下所示。

[0500] 1H-NMR(溶剂：氘代氯仿，基准：四甲基硅烷)：4.43(2H，t)，3.60(2H，t)，2.95(2H，t)，2.49(2H，m)

[0501] 在1H-NMR的数据中，在具有特征性的位置观察到各质子的峰值，因此鉴定其为化合物A-6。

[0502] 再者，化合物A-6的氟含有率为43.5质量％。

[0503] [化46]

[0504]

[0505] (合成例7：化合物A-7)

[0506] 向300mL的三口烧瓶中添加4-甲基-2-戊酮(和光纯药工业(股份)制造)27.3g，并在氮气气流下加热至80℃为止。历时4小时向其中滴加丙烯酸3，3，4，4，5，5，6，6，7，7，8，8，
8-十三氟-辛酯37.6g、甲基丙烯酸缩水甘油酯(东京化成工业(股份)制造)1.42g、V-601(和光纯药工业(股份)制造)0.92g、4-甲基-2-戊酮(和光纯药工业(股份)制造)63.8g溶液。滴加结束后，搅拌2小时，然后升温至90℃，进而搅拌2小时。向上述反应溶液中添加3-(3，5-二-第三丁基-4-羟苯基)丙酸3.34g、二甲基十二基胺(和光纯药工业(股份)制造)0.21g，加热至120℃并反应24小时。反应结束后，添加己烷500ml、乙酸乙酯500ml，利用5％柠檬酸水溶液300ml对有机层进行清洗后，利用5％氨水溶液300ml进行清洗。进而利用5％柠檬酸水溶液300ml进行清洗后，利用水300ml进行清洗。对有机层进行减压浓缩后，利用己烷进行再沉淀，然后在减压下进行干燥，而获得化合物A-7(Mw＝7,000)30g。再者，重量平均分子量是利用凝胶渗透色谱(Gel Permeation Chromatography，GPC)法所测定的聚苯乙烯换算值。
重量平均分子量的利用GPC法的测定是使聚合物溶解于四氢呋喃中，使用东曹(Tosoh)(股份)制造的高速凝胶渗透色谱仪(GelPermeation Chromatograph，GPC)(HLC-8220GPC)，使用TSK凝胶超级(TSK gel Super)HZ4000(东曹制造，4.6mmI.D.×15cm)作为管柱，并使用四氢呋喃(Tetrahydrofuran，THF)作为洗脱液来进行。

[0507] 再者，化合物A-7的氟含有率为53.1质量％。

[0508] 化合物A-7相当于具有由通式(24)所表示的基与由通式(25)所表示的基的化合物。

[0509] <实施例及比较例>

[0510] (密封用树脂组合物的制造)

[0511] 相对于后述的氟系树脂(B-1或B-2)，根据下表1的质量比添加上述化合物A-1～化合物A-7的各抗迁移剂，而制造密封用树脂组合物。再者，当添加抗迁移剂时，使抗迁移剂溶解于六氟异丙醇中来添加。

[0512] (氟系树脂)

[0513] B-1：赛拓普(Cytop)CTL-809M(旭硝子(AGC)公司制造)

[0514] B-2：赛拓普(Cytop)CTX-809AP2(AGC公司制造)

[0515]

[0516] (带有银配线的基板的制作)

[0517] 在对环氧玻璃多层材料MCL-E-67(日立化成公司制造)的铜部分进行蚀刻所获得的环氧玻璃基板上，以硬化后的膜厚变成0.2μm的方式旋涂纳诺浆(NanoPaste)NPS-JL(哈利玛化成(Harima Chemicals)公司制造)，并在180℃下进行1小时硬化处理。继而，在该银膜上真空层叠弗泰克(Photec)RY-3310(日立化成公司制造)，隔着L/S＝30μm/30μm梳形配线形状的光掩模进行曝光、显影后，使用艾古利普(Agrip)940(美录德(Meltex)公司制造)来去除RY-3310非包覆部的银，其后剥离RY-3310而制作试验用带有银配线的基板。

[0518] (试验方法)

[0519] (表面状态评价方法)

[0520] 作为评价方法，首先在所制作的试验用带有银配线的基板上，以密封层(密封用膜)的膜厚变成1.5μm的方式进行上述密封用树脂组合物的旋涂，然后以200℃、1小时的条件实施硬化处理，而制作试验用配线基板。对所制作的试验用配线基板的密封层部分进行光学显微镜观察，并根据以下的基准进行评价。将结果汇总并示于表1。再者，在实用方面，B以上为能够使用，优选为A。将结果汇总并示于表2。

[0521] “A”：密封层透明，未确认到雾度或表面凹凸的情况

[0522] “B”：在密封层上略微观测到雾度，但确保可见光穿透率为70％以上的情况

[0523] “C”：在密封层上产生大的雾度或凹凸，可见光穿透率未满70％的情况

[0524] (密接性评价方法)

[0525] 使用表面状态评价方法中所制作的试验用配线基板，根据JIS K5600-5-6((ISO 2409)百格试验法(cross cut method)，使用易高(Elcometer)公司的ISO附着胶带/标准
(STANDARD))测定密封层的密接性，并根据以下的基准进行评价。再者，在实用方面，需要为B以上。将结果汇总并示于表2。

[0526] “A”：在JIS K5600-5-6中分类为0

[0527] “B”：分类为1～2

[0528] “C”：分类为3～5

[0529] (绝缘可靠性评价方法)

[0530] 使用表面状态评价方法中所制作的试验用配线基板，在湿度85％、温度85℃、压力1.0atm、电压30V的条件下进行寿命测定(使用装置：爱斯佩克(Espec)(股份)公司制造，EHS-221MD)。

[0531] 作为评价方法，使用试验用配线基板在上述条件下进行寿命测定，并测定使银配线间的电阻值变成1×105Ω为止的时间T1。

[0532] 继而，使用利用不含抗迁移剂的密封用树脂组合物所制作的比较用配线基板，以相同的方法进行寿命测定，并测定使银配线间的电阻值变成1×105Ω为止的时间T2。

[0533] 使用所获得的时间T1及时间T2来计算寿命的改善效果(T1/T2)。根据以下的基准进行评价。将结果汇总并示于表1。再者，在实用方面，C以上为能够使用，优选为B以上。将结果汇总并示于表2。

[0534] “A”：T1/T2≥5的情况

[0535] “B”：5＞T1/T2≥2的情况

[0536] “C”：2＞T1/T2＞1的情况

[0537] “D”：1≥T1/T2的情况

[0538] 再者，在使用B-1作为氟系树脂的实施例1～实施例6、实施例9～实施例11及比较例1～比较例3中，使用仅利用B-1来制作密封层的比较用配线基板进行上述评价。

[0539] 另外，在使用B-2作为氟系树脂的实施例7～实施例8中，使用仅利用B-2来制作密封层的比较用配线基板进行上述评价。

[0540]

[0541] 如上述表2所示，当使用本发明的密封用树脂组合物时，密封层的表面状态特性优异，并且银配线间的绝缘特性也优异。尤其，如根据实施例1～实施例4的比较而可知般，确认到当氟系树脂(A)与抗迁移剂(B)的质量比((B)/(A))为0.005以上时，绝缘特性更优异，尤其当氟系树脂(A)与抗迁移剂(B)的质量比((B)/(A))为0.03以上时，绝缘特性进而更优异。

[0542] 另外，如根据实施例1～实施例6与实施例7～实施例8的比较而可知般，确认到当氟系树脂包含上述含有硅的基时，密接性更优异。

[0543] 如根据实施例2、实施例9、实施例10的比较而可知般，确认到当使用化合物A-5(由通式(22)所表示的化合物)、化合物A-6(由通式(23)所表示的化合物)时，绝缘特性更优异。

[0544] 另一方面，确认到在抗迁移剂的量过多的比较例1中，表面状态特性欠佳，在使用了不满足规定的氟含有率的抗迁移剂的比较例2及比较例3中，绝缘特性及表面状态特性欠佳。