电子束光刻对准标记在芯片上的布局

摘要

本发明提供了一种电子束光刻对准标记在芯片上的布局，所述芯片包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域，所述第一区域包括所述芯片的中心，所述布局设置在所述第二区域，其包括，设置在所述第二区域的若干个对准标识符；相邻两个所述对准标识符之间设置有标识线。该布局更方便对准标记掩模板的制造，能更容易地在电子束套刻对准时寻找标记，能应用于任意大小形状的衬底，能够设置多组对准标记以满足多次电子束套刻对准曝光，而且该布局有利于提高芯片的利用率。

权利要求

1.一种电子束光刻对准标记在芯片上的布局，其特征在于，所述芯片包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域，所述第一区域包括所述芯片的中心，所述布局设置在所述第二区域，其包括，设置在所述第二区域的若干个对准标识符；

相邻两个所述对准标识符之间设置有标识线。

2.根据权利要求1所述的布局，其特征在于，在每根所述标识线上设置有至少一条与所述标识线垂直交叉的短线，以形成辅助对准标识符，所述短线的长度至少满足对准扫描的需要。

3.根据权利要求1或2所述的布局，其特征在于，所述标识线的宽度既满足方便套刻对准时查看寻找的要求又满足不超过电子束光刻设备的一个视场。

4.根据权利要求1或2所述的布局，其特征在于，所述芯片为四方形，所述第一区域为所述芯片的中心区域，所述第二区域为所述芯片的边角区域，在所述边角区域的每个角落设置有一个对准标识符；

其中，所述边角区域尽可能地靠近所述芯片的边缘以便使得芯片的可用面积达到最大化。

5.根据权利要求1或2所述的布局，其特征在于，所述对准标识符与所述标识线之间存在间距。

6.根据权利要求2所述的布局，其特征在于，所述短线的宽度与所述标识线的宽度相同。

7.根据权利要求2所述的布局，其特征在于，在每根所述标识线上设置有至少两条所述短线，相邻两条短线之间的间隔在100微米以上。

8.根据权利要求4所述的布局，其特征在于，在所述芯片上建立直角坐标系，所述芯片的中心为所述直角坐标系的原点，所述对准标识符分别位于所述直角坐标系的第一象限、第二象限、第三象限和第四象限；其中，位于不同象限的对准标识符的中心到横向坐标轴的距离均相等，到竖向坐标轴的距离也相等。

9.根据权利要求1或2所述的布局，其特征在于，所述对准标识符为十字形。

10.根据权利要求9所述的布局，其特征在于，所述十字形的横线在水平方向上的长度为100微米、在竖直方向上的高度为10微米，所述十字形的竖线在水平方向上的宽度为10微米，在竖直方向上的高度为100微米。

说明书

电子束光刻对准标记在芯片上的布局

技术领域

[0001] 本发明涉及纳米加工技术领域，尤其涉及一种电子束光刻对准标记在芯片上的布局。

背景技术

[0002] 电子束光刻技术（或称电子束曝光技术）是一种重要的自上而下的纳米加工制造技术。其传统应用是制造光学光刻所需的掩模板，而随着近些年纳米科学技术蓬勃发展，电子束光刻直写技术成为制作和实现纳米尺度结构的重要手段。

[0003] 电子束光刻过程是一个串行的过程，所以效率很低。例如，要完全曝光一个8英寸的晶圆并得到高分辨率高密度结构，在保证结构质量的前提下，即使使用现在速度最快的电子束曝光设备也需要很多天（而光学光刻一般是每小时光刻上百片），这种效率较低的光刻工艺，不但造成成本高，而且电子束曝光设备本身也无法上时间的保持稳定。为了充分利用电子束光刻精度高的优点又弥补其效率低的缺点，可以采用电子束光刻和普通的光学光刻相结合的混合光刻技术。这种混合光刻技术需要一套容易使用且能满足对准需求的套刻对准标记。

[0004] 现有的套刻对准标记在芯片和晶圆上的布局如图1所示。一般在位于晶圆的中间和靠近晶圆边沿104的芯片上设置五个大的十字标记作为晶圆标记102，为了在对准套刻时方便查找这些晶圆标记102，这些晶圆标记102通常设计的非常大，为了实现芯片的对准套刻，还在每个芯片103的角落设置一个小的芯片标记101。

[0005] 在现有的这种套刻对准标记布局存在以下问题：

[0006] 第一、晶圆标记102很大并且位于芯片103中心区域，这会占有较大面积的芯片区域，降低了芯片的利用率。

[0007] 第二、由电子束光刻设备的电子显微镜的视场很小，一般为几十微米见方，用这么小的视场在一个几毫米见方的芯片里找套刻对准标记是需要花费很长时间的。

[0008] 第三、如图1所示的现有的电子束光刻对准标记在芯片上的布局，如果使用分步重复投影光刻机将需要做两块掩模板：一块晶圆标记掩模板和一块芯片标记掩模板，光刻时还需要更换掩模板，增加了对准的误差。

发明内容

[0009] 有鉴于此，本发明提供了一种电子束光刻对准标记在芯片上的布局，以解决上述技术问题

[0010] 为了达到上述发明目的，本发明采用了如下技术方案：

[0011] 一种电子束光刻对准标记在芯片上的布局，所述芯片包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域，所述第一区域包括所述芯片的中心，所述布局设置在所述第二区域，其包括，

[0012] 设置在所述第二区域的若干个对准标识符；

[0013] 相邻两个所述对准标识符之间设置有标识线。

[0014] 优选的，在每根所述标识线上设置有至少一条与所述标识线垂直交叉的短线，以形成辅助对准标识符，所述短线的长度至少满足对准扫描的需要。

[0015] 优选的，所述标识线的宽度既满足方便套刻对准时查看寻找的要求又满足不超过电子束光刻设备的一个视场。

[0016] 优选的，所述芯片为四方形，所述第一区域为所述芯片的中心区域，所述第二区域为所述芯片的边角区域，在所述边角区域的每个角落设置有一个对准标识符；

[0017] 其中，所述边角区域尽可能地靠近所述芯片的边缘以便使得芯片的可用面积达到最大化。

[0018] 优选的，所述对准标识符与所述标识线之间存在间距。

[0019] 优选的，所述短线的宽度与所述标识线的宽度相同。

[0020] 优选的，在每根所述标识线上设置有至少两条所述短线，相邻两条短线之间的间隔在100微米以上。

[0021] 优选的，在所述芯片上建立直角坐标系，所述芯片的中心为所述直角坐标系的原点，所述对准标识符分别位于所述直角坐标系的第一象限、第二象限、第三象限和第四象限；其中，位于不同象限的对准标识符的中心到横向坐标轴的距离均相等，到竖向坐标轴的距离也相等。

[0022] 优选的，所述对准标识符为十字形。

[0023] 优选的，所述十字形的横线在水平方向上的长度为100微米、在竖直方向上的高度为10微米，所述十字形的竖线在水平方向上的宽度为10微米，在竖直方向上的高度为100微米。

[0024] 本发明具有以下技术效果：

[0025] 相较于现有技术，本发明提供的电子束光刻对准标记在芯片上的布局设置在围绕芯片第一区域的第二区域，由于第一区域包括芯片的中心，所以第二区域位于芯片中心区域的外围，这样，设置在芯片外围区域的电子束光刻对准标记不会占用芯片的中心区域，能够使用户充分利用芯片的面积，有利于提高芯片的利用率。

[0026] 另外，本发明提供的电子束光刻对准标记在芯片上的布局包括若干个对准标识符以及相邻两个对准标识符之间设置有标识线，每根标识线的长度与相邻两个对准标识符之间的距离相近，因而，本发明在做电子束对准工艺时，只需要沿着一个方向查找，在行程小于芯片的边长时就能找到标识线，再沿着标识线就能找到对准标识符。因而，本发明提供的电子束光刻对准标记在芯片上的布局节省了查找光刻对准标记的时间，提高了查找光刻对准标记的效率。

[0027] 此外，本发明提供的电子束光刻对准标记在芯片上的布局，其对准标识符均位于一个芯片单元上，既可以用作芯片标记，也可以用作晶圆标记，所以，在使用分步重复光刻机制作对准标记时无需两块掩模板，如果使用接触式光刻机制作标记，在制造掩模板时也省去了“插花”工艺；如果使用电子束光刻来制作标记也不用使用两套版图，减少了误差。

附图说明

[0028] 为了清楚地说明本发明或现有技术的技术方案，下面对描述本发明实施例或现有技术的技术方案时需要用到的附图进行简要说明。显而易见地，这些附图所示的实施例仅是本发明的部分实施例，本领域普通技术人员在不付出创造性劳动的前提下，还可以获得其它的附图。

[0029] 图1是现有技术中常用的电子束光刻对准标记在芯片上的布局示意图；

[0030] 图2是本发明实施例一的电子束光刻对准标记在芯片上的布局示意图；

[0031] 图3是本发明实施例二的一种电子束光刻对准标记在芯片上的布局示意图；

[0032] 图4是本发明实施例二的另一种电子束光刻对准标记在芯片上的布局示意图；

[0033] 图5是按照本发明实施例所述的电子束光刻对准标记在芯片上的布局在晶圆上做重复分布后的示意图。

具体实施方式

[0034] 为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

[0035] 在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

[0036] 如图1所示的现有技术中常用的电子束光刻对准标记在芯片上的布局存在以下问题：

[0037] 第一、如果使用分布重复投影光刻机将需要做两块掩模板，一块晶圆标记掩模板和一块芯片标记掩模板，光刻时还需要更换掩模板，增加了套刻对准的误差。如果将大晶圆标记102放入每一个芯片中虽然解决了两块掩模板的问题但是却挤占了芯片区域，如果将晶圆标记102设置得小一些却使得在后续做电子束对准套刻时寻找对准标记变得困难。

[0038] 第二、晶圆标记102设置在芯片的中心区域并且设计的非常大，占用了宝贵的芯片区域，而现在的纳米器件研究由于生长材料的限制或者其他方面限制常常需要用到比较小的衬底，比如长宽1厘米左右、2厘米左右甚至不规则的衬底，采用图1所示的对准套刻标记牺牲了较大面积的芯片区域，降低了芯片的使用率。

[0039] 第三、即便使用接触式光刻设备来制作对准标记，这种对准标记在后续的电子束套刻对准中仍然很难寻找定位，由于晶圆的中心和电子束光刻设备的版架中心不重合，而且常常偏离的很多，所以做电子束光刻对准时一般是先打开电子显微镜功能，利用二次或者背散射电子图像来寻找晶圆上的对准标记，找到对准标记后把坐标设置好才能检测对准定位。然而电子束光刻设备的电子显微镜的视场很小，一般为几十微米见方，用这么小的视场在一个几毫米见方的芯片里找对准标记是件很费时间的事情，如果晶圆的中心和电子束光刻设备的版架中心偏离数值大于一个芯片尺寸的情况下寻找对准标记就变得更加困难，常常要花费很长时间才能找到对准标记，这时候很多芯片区域在寻找对准标记的过程中就已经被电子束曝光而产生了缺陷，而且浪费了宝贵的机时。

[0040] 为了提高芯片区域的利用率和提高查找套刻对准标记的效率，本发明提供了一种电子束光刻对准标记在芯片上的布局。具体参见以下实施例。

[0041] 需要说明的是，本发明实施例采用的芯片形状以本领域常用的四方形为例进行描述。但是，本发明所述的芯片形状并不限于四方形，还可以为圆形、其它多边形或者其它不规则形状。

[0042] 实施例一

[0043] 结合图2对本发明实施例一所述的电子束光刻对准标记在芯片上的布局进行详细描述。图2所示的实线框207即为芯片的外围，该实线框207即为晶圆上的重复单元的大小。该芯片包括第一区域和围绕第一区域的第二区域，其中第一区域包括所述芯片的中心。也就是说，第一区域靠近芯片的中心区域，第二区域靠近芯片的边缘区域。在本发明实施例中，划分第一区域和第二区域的依据是在第一区域制作芯片的元器件，而在第二区域不制作元器件，而是在第二区域设置电子束光刻对准标记。所以第一区域和第二区域的划分并没有严格的界限，用户根据自己的需求来定义芯片的第一区域和第二区域。然而，众所周知，芯片通常很小，所以需要充分利用芯片的面积，因而，本发明实施例中的第二区域的面积在满足设置光刻对准标记的前提下，其面积应尽可能地小，以达到充分利用芯片区域的目的。

[0044] 为了充分利用芯片区域，使其利用率达到最大值，本发明实施例提供的电子束光刻对准标记在芯片上的布局，包括，设置在第二区域内的若干个对准标识符201至204，设置在相邻两个所述对准标识符之间的标识线。即在对准标识符201和202之间、202和203之间、203和204以及201和204之间分别设置有标识线205-1、205-2、205-3和205-4。

[0045] 其中，标识线205-1至205-4的宽度既不能太大，也不能太小，太小的话不方便后续套刻对准时查找，太大的话，若超过电子束光刻设备的一个视场，也不方便后续套刻对准时的查找。所以，作为本发明的一个优选实施例，标识线205-1至205-4的宽度既满足方便套刻对准时查看寻找的要求又满足不超过电子束光刻设备的一个视场。

[0046] 在本发明实施例中，对准标识符201至204与标识线205-1至205-4之间可以形成封闭图形，即对准标识符和标识线之间是连续的，不是间断的，此时，标识线的长度等于其两端的对准标识符之间的距离；对准标识符201至204和标识线205-1至205-4之间也可以留有间距，即对准标识符和标识线之间是间断的，不是连续的，此时，标识线的长度小于其两端的对准标识符之间的距离。优选地，对准标识符和标识线之间留有间距，间距的存在可以避免后续剥离凸形金属标记工艺中可能出现的问题。这是因为如果标示线连接起来组成了一个连续的框，金属剥离起来会比不连续框困难些，甚至剥离不彻底。如果后续的标记制造工艺是刻蚀凹形标记则对准标识符和标识线之间是否存在间距不受影响。也就是说，在本发明实施例中，标识线的长度不大于其两端的对准标识符之间的距离，并且最好小于其两端的对准标识符的距离。

[0047] 需要说明的是，标识线与对准标识符之间的间距不宜过大，只要能够使标识线和对准标识符不连续即可，优选间距不超过电子束光刻设备的一个视场。

[0048] 作为本发明的一个优选实施例，标识线的中心与其两端的对准标识符的中心所在的直线的中心重合。具体地说，标识线205-1的中心与对准标识符201和202的中心所在直线的中心重合，标识线205-2的中心与对准标识符202和203的中心所在直线的中心重合，标识线205-3的中心与对准标识符203和204的中心所在直线的中心重合，标识线205-4的中心与对准标识符201和204的中心所在直线的中心重合。

[0049] 在本发明实施例中，可以在形状为四方形的芯片的四个角的内部分别设置有一个对准标识符。为了提高芯片的利用率，该对准标识符202设置在尽可能地远离芯片的中心区域，即尽可能地靠近芯片的边角区域，并且该对准标识符的大小也不能太大，在能保证后续套刻对准使用的前提下，该对准标识符尽量地小以便给予芯片最大的可用面积。

[0050] 在本发明实施例中，对准标识符201至204可以为十字形。为了既能方便套刻对准时的查找又能满足占用最小的芯片面积，该十字形的横线在水平方向上的长度为100微米，在竖直方向上的高度为10微米，该十字形的竖线在水平方向上的宽度为10微米，在竖直方向上的高度为100微米。所述的横线和竖线以中心重合的方式交叉形成十字形对准标识符201至204。

[0051] 此时，标识线的长度为1800微米，宽度与十字形对准标识符的横线在竖直方向上的高度相同，为10微米。

[0052] 为了方便查找对准标识符，该对准标识符均匀分布在芯片的第二区域内。更优选地，设定以芯片所在的平面建立直角坐标系，以芯片的中心作为直角坐标系的原点，则设置在芯片第二区域内的四个对准标识符201至204分别位于该直角坐标系的四个象限。具体地说，位于芯片右上角的对准标识符202位于第一象限，位于芯片左上角的对准标识符201位于第二象限，位于芯片左下角的对准标识符204位于第三象限，位于芯片右下角的对准标识符203位于第四象限。为了方便计算X方向和Y方向的位置误差，该四个对准标识符201至204的中心到横向坐标轴的距离均相等，到竖向坐标轴的距离也均相等。即位于第二象限的对准标识符201的中心与位于第一象限的对准标识符202的中心的X坐标互为相反数，Y坐标相同，位于第二象限的对准标识符201的中心与位于第三象限的对准标识符204的中心的X坐标相同，Y坐标互为相反数，位于第三象限的对准标识符204的中心与位于第四象限的对准标识符203的中心的X坐标互为相反数，Y坐标相同，位于第四象限的对准标识符203的中心与位于第一象限的对准标识符202的中心的X坐标相同，Y坐标互为相反数。

[0053] 下面结合具体场景对上述所述对准标识符和标识线在芯片上的布局进行说明。设定芯片为边长为2100微米的正方形芯片，在该芯片所在的平面上建立直角坐标系，该正方形芯片的中心为直角坐标系的原点，则位于第一象限的对准标识符202的中心坐标为（1000,1000），位于第二象限的对准标识符201的中心坐标为（-1000,1000），位于第三象限的对准标识符204的中心坐标为（-1000，-1000），位于第四象限的对准标识符203的中心坐标为（1000，-1000）。则标识线205-1的中心处的坐标为（0,1000），标识线205-2的中心处的坐标为（1000,0），标识线205-3的中心处的坐标为（0，-1000），标识线205-4的中心处的坐标为（-1000，0）。这种设置方法，能够保证各个对准标识符的中心到X轴方向的距离均相等，到Y轴方向的距离也均相等。并且，能够保证标识线的中心坐标与其两端的对准标识符的中心所在的直线的中心重合。需要说明的是，实际使用中X坐标和Y坐标可以不是一样的值，例如当芯片形状不是正方形而是长方形时，则X坐标值和Y坐标值有可能不是同一数值。

[0054] 在本发明实施例提供的电子束光刻对准标记在芯片上的布局中，标识线的设置在做后续的电子束光刻对准时为寻找对准标记提供了很大的方便。当晶圆中心与电子束光刻设备的版架中心不重合，偏离较多的情况下，由于标识线的设置，并且该标识线的长度与芯片的一条边的长度几乎相等，所以，在电子束对准工艺时，只需要沿着一个方向找对准标记，这样在行程小于芯片的一条边长时就能找到标识线，然后再沿着连接线查找对准标记。因此，标识线的设置在做电子束对准工艺时，能够达到“顺藤摸瓜”的效果，提高套刻对准的效率。

[0055] 而且，本发明实施例一提供的电子束光刻对准标记在芯片上的布局中，其布局仅设置在同一个芯片单元上，因而该布局既可以用作芯片标记也可以用作晶圆标记，因而，不管选择接触式还是分步重复投影式光刻都非常方便制作掩模板。而且在使用分步重复光刻机制作对准标记时，无需两块掩模板；如果采用接触式光刻机制作标记，在制造掩模板时也省去了“插花”工艺；如果使用电子束光刻来制作对准标记也不用使用两套版图，减少了误差。而且，由于晶圆标记和芯片标记均在一个芯片单元内，所以可以对任意大小任意形状的衬底进行电子束套刻对准曝光，甚至一个小尺寸衬底只有一个芯片也可以套刻对准曝光。

[0056] 此外，本发明实施例中的对准标记均设置在芯片的边角处，不占用芯片的中心区域，因此也有利于提高芯片的利用率。

[0057] 上述实施例一所述的电子束光刻对准标记在芯片上的布局，仅在芯片的角落上设置有对准标识符。然而现在的器件工艺越来越复杂，一般都需要多次电子束套刻对准曝光，电子束光刻过程中进行的对准是通过扫描检测标记处发射的电子来确定标记位置的，对标记的扫描检测过程也是一个曝光过程，一旦使用过一次对准标记则该对准标记就有可能被毁坏。在后续的再一次套刻工艺中使用已用过的对准标记就可能会降低精度，甚至根本无法使用。为了满足后续工艺的多次电子束套刻对准曝光，本发明还提供了另外一种电子束光刻对准标记在芯片上的布局，详细参见实施例二。

[0058] 实施例二

[0059] 实施例二提供的电子束光刻对准标记在芯片上的布局与实施例一提供的电子束光刻对准标记有诸多相似之处，为了简要起见，本发明实施例仅对其不同之处进行详细说明。其相似之处请参见实施例一的描述。

[0060] 参见图3所示的电子束光刻对准标记在芯片上的布局示意图，在每根标识线上设置有一条与所述标识线垂直交叉的短线，以形成辅助对准标识符。具体地说，在标识线205-1上设置有短线206-1，在标识线205-2上设置有短线206-2，在标识线205-3上设置有短线
206-3，在标识线205-4上设置有短线206-4。优选地，当仅在标识线上设置一条短线时，该与标识线垂直交叉的短线206设置在每根标识线的中心位置。以上述实施例一所述的直角坐标系为例，设置在四根标识线上的短线206的中心的坐标分别为（1000,0）、（0,1000）、（-
1000,0）和（0，-1000）。

[0061] 该短线206-1至206-4的长度与十字形对准标识符201至204的横线在水平方向的的长度基本相同，其宽度与十字形对准标识符的横线在竖直方向上的高度基本相同。当十字形对准标识符的大小为实施例一所述的大小时，则该短线的长度在100微米，宽度为10微米。

[0062] 进一步优选地，上述所述的短线206的宽度还可以与标识线的宽度相同。

[0063] 实际上，本发明提供的布局不限定短线的数量，其短线的数量用于可以根据电子束套刻对准曝光的次数来确定。即电子束套刻对准曝光多少次，就设置多少条短线，以形成多少组辅助对准标识符。实际上，可以在标识线上设置一条以上的短线，例如，2条、5条、10条等等。

[0064] 具体地参见图4，如图4所示。在每根标识线上设置5条短线，以在芯片上形成5组辅助对准标记。这样在每个芯片上一共有20个对准标识符，这些对准标识符既可以当晶圆标记使用也可以当芯片标记使用。

[0065] 需要说明的是，当每根标识线上设置有两条以上的短线时，相邻两条短线之间的间隔优选在100微米以上，这样能够避免短线之间的相互影响。

[0066] 优选地，为了设置多组辅助对准标识符，设定将每根标识线n等分，在每个等分点处设置短线，那么，在每根标识线上就可形成（n-1）个辅助标识符，在该芯片上就可形成4×(n-1)个辅助标识符。将处于不同标识线上的相同等分点处的辅助标识符归为一组，则在该标识线上能够形成（n-1）组辅助标识符，因此，本发明提供的电子束光刻对准标记在芯片上的布局能够满足多次电子束套刻对准标记的需求。

[0067] 实施例二提供的电子束光刻对准标记在芯片上的布局，除了具有实施例一所述的有益效果以外，还具有以下有益效果；

[0068] 通过在标识线上设置短线，从而形成辅助对准标识符。因而，在电子束套刻对准过程中，除了利用位于芯片角落处的对准标识符以外，还可以利用位于标识线上的辅助对准标识符。因而，避免了现有技术中多次电子束套刻对准曝光重复使用同一对准标识符的情形。本发明实施例通过在标识线上形成辅助对准标识符，由于标识线是连续的，可以在标识线的任意位置形成辅助对准标识符，因而可以根据电子束套刻对准曝光的次数来设置辅助对准标识符的组数，因而本发明实施例二提供的电子束光刻对准标记在芯片上的布局很容易实现对准标记的扩展。进而能够解决现有技术中对准标记毁坏就无法再做套刻对准的问题，也能够满足多次电子束套刻对准标记的需求。

[0069] 图5是按照本发明实施例提供的电子束光刻对准标记在芯片上的布局在芯片上进行重复布局后的晶圆示意图。在图5所示的晶圆上按照2200微米的长宽进行分布重复，已把划片道包含在内。可以看出晶圆上的所有芯片都是一样的，晶圆标记和芯片标记在一个芯片单元内，不管选择接触式还是分布重复投影式光刻都非常方便制作掩模板。

[0070] 以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制。

[0071] 虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。