一套用MOCVD尾气制氢的装置

摘要

本发明公开一套用MOCVD尾气制氢的装置，该制氢装置包含：用于将含氢的尾气分解为氢氮混合气的分解炉，用于除去氢氮混合气中杂质同时含有可再生吸附剂的变温吸附设备，用于将除杂后的氢氮混合气中的氢气浓缩提纯同时产生高压逆放气、低压逆放气的变压吸附设备，和用于将未除杂或除杂的氢氮混合气进行加压的氢气压缩机；分解炉、变温吸附设备和变压吸附设备依次连接；氢气压缩机设于分解炉与变温吸附设备之间或设于变温吸附设备与变压吸附设备之间。该套装置既可解决MOCVD尾气排放造成环境污染问题，又可为MOCVD设备提供原料氢气，而且所得到的氢气成本低于常规用电解水制氢的成本，适合LED生产厂家使用。

权利要求

1.一套用MOCVD尾气制氢的装置，其特征在于：所述制氢装置包含：用于将含氢的尾气分解为氢氮混合气的分解炉(1)，用于除去氢氮混合气中杂质、同时含有可再生吸附剂的变温吸附设备(4)，用于将除杂后的氢氮混合气中的氢气浓缩提纯同时产生高压逆放气、低压逆放气的变压吸附设备(5)，和用于将未除杂或除杂的氢氮混合气进行加压的氢气压缩机(3)；

所述分解炉(1)、变温吸附设备(4)和变压吸附设备(5)依次连接；

所述氢气压缩机(3)设于分解炉(1)与变温吸附设备(4)之间或设于变温吸附设备(4)与变压吸附设备(5)之间。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：所述制氢装置还包含：用于将含氢的尾气与氢氮混合气之间进行热交换的热交换器(2)，用于将经过热交换的氢氮混合气进行冷却的第一水冷器(7)，用于将未除杂或除杂的氢氮混合气进行冷却的第二水冷器(8)，和用于将高压逆放气的流量和压强进行缓冲和稳定的逆放气缓冲罐(6)。

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于：所述分解炉(1)至少有1个，所述分解炉的加热方式为电加热，加热温度范围为600℃-900℃。

4.根据权利要求2所述的装置，其特征在于：所述氢气压缩机(3)设有用于通入未除杂或除杂氢氮混合气的进气口和用于输出未除杂或除杂氢氮混合气的出气口。

5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于：所述氢气压缩机(3)的级数为1-3级；所述氢气压缩机的数量至少为一台。

6.根据权利要求2所述的装置，其特征在于：所述变温吸附设备(4)设有用于通入未除杂的氢氮混合气的原料气进口，用于输出除杂后的氢氮混合气的原料气出口，用于通入令吸附剂再生的再生气体的再生进气口，用于输出令吸附剂再生的再生气体的再生出气口；

所述变温吸附设备(4)的再生出气口排出的气体点火燃烧排空或直接排空。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于：所述变温吸附设备(4)包含至少两个吸附塔；所述变温吸附设备(4)可加热或不加热；所述变温吸附设备(4)的加热方式为电加热，或用分解炉(1)余热进行加热，或用氢气压缩机(3)的余热进行加热。

8.根据权利要求2所述的装置，其特征在于：所述变压吸附设备(5)设有用于通入除杂后的氢氮混合气的原料气进口，用于输出浓缩提纯后的高纯氢气的高纯气出口，用于输出高压逆放气至逆放气缓冲罐的高压逆放气出口，和低压逆放气出口。

9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于：所述变压吸附设备(5)还包括真空解析装置，并设有真空解析口；所述变压吸附设备(5)的低压逆放口和真空解析口排出的气体点火燃烧排空或直接排空。

说明书

一套用MOCVD尾气制氢的装置

技术领域

[0001] 本发明设计了一套用MOCVD尾气制氢的装置，该方法可用于用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生产氮化镓发光二极管(GaN-LED)厂家中，属半导体制备技术领域。

背景技术

[0002] 以氮化镓(GaN)为代表的III族氮化物已经成为一种重要的半导体材料，以GaN做成的发光二极管(LED)已经成为半导体照明的主要发展方向。

[0003] MOCVD是目前生产氮化镓发光二极管(GaN-LED)的唯一方法。在MOCVD生产GaN-LED的过程中，一方面MOCVD设备需要大量的高纯氢气作为载气，另一方面MOCVD设备又会排放大量尾气(废气)，尾气中主要有氨气、氢气、氮气以及其它杂质气体。

[0004] 氢虽然在地壳中非常丰富，但氢通常以“水”的形式存在，地壳表面不存在单质氢气。目前电解水制氢是GaN-LED生产企业中普遍采用的方法。然而电解水制氢需要消耗大量电能，成本较高。如果采用水煤气制氢或者甲烷裂解制氢方法，虽然成本较低，但污染很大而且杂质太多，LED厂家一般不采用这种方法。

[0005] 另外，MOCVD生产LED过程中，还会排放大量的尾气，尾气中含有氨气、氢气、氮气等。如果直接将这些废气排放，势必污染环境。目前常用的处理方法是：(i)水(或酸)吸收法。将尾气通入水(或酸溶液)中，尾气中的氨气被水或酸吸收。该方法虽然简单，被大多数GaN-LED生产企业采用，但如何处理氨水(或铵盐)也是一件很麻烦的事情。这只是将一个问题转移到另一个问题，但实质问题并没有最终解决；(ii)高温分解法。将尾气通过600℃～900℃的高温炉中，其中氨气分解成氢气和氮气，然后排放到大气中。该方法最大的缺点就是能耗很高，成本较高，很少被GaN-LED企业采用；(iii)焚烧法。将尾气与空气混合一起，加钯催化剂，在300℃～500℃温度下焚烧，将氨气分解，排放到大气中。该方法有一个致命的缺点，就是在焚烧过程中会产生氮氧化物及二恶英等有害物质，污染环境，很少被GaN-LED企业采用。

[0006] 由于以上原因，近期利用MOCVD尾气制氢引发了人们的关注。中国专利申请号201410062339.4提出了一种用MOCVD尾气制氢的方法。该方法的基本思想为：将MOCVD尾气经过300℃～500℃的反应炉变成氢氮混合气，然后用氢氮混合气通过钯膜纯化器将杂质去除得到高纯度的氢气。该方法有以下严重缺点：(i)反应炉温度较低，氨气分解不充分；(ii)氢氮混合气中氮气含量高达55％以上，钯膜纯化器对如此高浓度的氮气无能为力，而且氢氮混合气中的残余氨气对会钯膜纯化器产生破坏作用。中国专利申请号20141022950.8则提出了另外一种方法：先将MOCVD尾气加压冷冻分离氨(液相)，再将气相通过变压吸附(PSA)装置分离氢。该方法有以下缺点：(i)同时回收氨气和氢气两个产品，需要两套提纯设备，设备投资较大；(ii)这两个产品都无法保证LED厂自给，还需要外购氢气和氨气。

[0007] 本发明提供了一套利用MOCVD尾气制氢装置。本装置既可解决MOCVD尾气排放造成环境污染问题，又可为MOCVD设备提供原料氢气，而且所得到的氢气成本低于常规用电解水制氢的成本。如考虑到常规MOCVD尾气处理成本和电解水成本，用本装置制造的氢气的成本更低，只有常规MOCVD尾气处理成本和电解水成本的三分之一，适合LED生产厂家使用。

发明内容

[0008] 本发明的一个目的在于提供一套用MOCVD尾气制氢的装置。

[0009] 一套用MOCVD尾气制氢的装置，所述制氢装置包含：

[0010] 用于将含氢的尾气分解为氢氮混合气的分解炉，

[0011] 用于除去氢氮混合气中杂质、同时含有可再生吸附剂的变温吸附设备，[0012] 用于将除杂后的氢氮混合气中的氢气浓缩提纯同时产生高压逆放气、低压逆放气的变压吸附设备，和

[0013] 用于将未除杂或除杂的氢氮混合气进行加压的氢气压缩机；

[0014] 所述分解炉、变温吸附设备和变压吸附设备依次连接；

[0015] 所述氢气压缩机设于分解炉与变温吸附设备之间或

[0016] 设于变温吸附设备与变压吸附设备之间。

[0017] 优选地，所述制氢装置还包含：

[0018] 用于将含氢的尾气与氢氮混合气之间进行热交换的热交换器；

[0019] 用于将经过热交换的氢氮混合气进行冷却的第一水冷器；

[0020] 用于将未除杂或除杂的氢氮混合气进行冷却的第二水冷器；和

[0021] 用于将高压逆放气的流量和压强进行缓冲和稳定的逆放气缓冲罐。

[0022] 优选地，所述分解炉至少有1个，所述分解炉的加热方式为电加热，加热温度范围为600℃-900℃。

[0023] 优选地，所述氢气压缩机设有用于

[0024] 通入未除杂或除杂氢氮混合气的进气口和用于输出未除杂或除杂氢氮混合气的出气口。

[0025] 优选地，所述氢气压缩机的级数为1-3级；所述氢气压缩机的数量至少为一台。

[0026] 优选地，所述变温吸附设备设有

[0027] 用于通入未除杂的氢氮混合气的原料气进口，

[0028] 用于输出除杂后的氢氮混合气的原料气出口，

[0029] 用于通入令吸附剂再生的再生气体的再生进气口，

[0030] 用于输出令吸附剂再生的再生气体的再生出气口；

[0031] 所述变温吸附设备的再生出气口排出的气体点火燃烧排空或直接排空。

[0032] 优选地，所述变温吸附设备包含至少两个吸附塔；所述变温吸附设备可加热或不加热；所述变温吸附设备的加热方式为电加热，或用分解炉余热进行加热，或用氢气压缩机的余热进行加热。

[0033] 优选地，所述变压吸附设备设有

[0034] 用于通入除杂后的氢氮混合气的原料气进口，

[0035] 用于输出浓缩提纯后的高纯氢气的高纯气出口，

[0036] 用于输出高压逆放气至逆放气缓冲罐的高压逆放气出口和低压逆放气出口。

[0037] 优选地，所述变压吸附设备还包括真空解析装置，并设有真空解析口；所述变压吸附设备的低压逆放口和真空解析口排出的气体点火燃烧排空或直接排空。

[0038] 本发明的有益效果如下：

[0039] 本发明能够变废为宝，用MOCVD尾气制造氢气，既解决了MOCVD尾气排放造成环境污染问题，用这套装置生产出来的高纯氢气通过二次提纯以后又可以做MOCVD原料气使用，而且所得到的氢气成本低于常规用电解水制氢的成本，适合LED生产厂家使用。

附图说明

[0040] 下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明。

[0041] 图1为本发明的主体结构图以及实施例1的主体结构示意图；

[0042] 图2为本发明的实施例2的主体结构示意图；

[0043] 图3为含有2个吸附塔的变压吸附设备的结构示意图；

[0044] 图4为含有2个吸附塔的变压吸附设备的结构示意图；

[0045] 图5为含有6个吸附塔的变压吸附设备的结构示意图；

[0046] 图6为含有6个吸附塔的变压吸附设备的结构示意图；

[0047] 图7为2个吸附塔变温吸附设备的结构示意图；

[0048] 图8是变温吸附设备的3种再生加热结构；

[0049] 图9为本发明的实施例3的主体结构示意图。

具体实施方式

[0050] 为了更清楚地说明本发明，下面结合优选实施例和附图对本发明做进一步的说明。附图中相似的部件以相同的附图标记进行表示。本领域技术人员应当理解，下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的，不应以此限制本发明的保护范围。

[0051] 实施例1

[0052] 结合图1、图3、图4、图5、图6、图7，图8。参见图1，本发明的制氢装置包括：分解炉1、热交换器2、氢气压缩机3、变温吸附设备4、变压吸附设备5、逆放气缓冲罐6、第一水冷器7和第二水冷器8。

[0053] 热交换器2与分解炉1的进气口10和出气口11连接，热交换器2与第一水冷器7连接，第一水冷器7与氢气压缩机3的进气口12连接，氢气压缩机3的出气口13与第二水冷器8连接，第二水冷器8与变温吸附设备4的原料进气口14连接，变温吸附设备4的原料出气口15与变压吸附设备5的原料进气口18连接，变压吸附设备5的高纯出气口19输出高纯氢气，输出的高纯氢气为MOCVD设备使用，变压吸附设备5的高压逆放口20与逆放气缓冲罐6的进气口连接，逆放气缓冲罐6的出气口与变温吸附设备4的再生进气口16相连，变温吸附设备4的再生出气口17、变压吸附设备5的低压逆放口21、真空解析口22，这3个出气口排出的气体汇合后点火燃烧排空或直接排空。

[0054] MOCVD尾气经过热交换器2后进入分解炉1进行分解，分解后的MOCVD尾气经分解炉1的出气口11和热交换器2、第一水冷器7后进入氢气压缩机3的进气口12，此时进入氢气压缩机的分解气体为含有杂质的氢氮混合气体，在氢气压缩机3中氢氮混合气被压缩和加压，被压缩的含杂质的氢氮混合气经出气口13及第二水冷器8后从原料进气口14进入变温吸附设备4，变温吸附设备4将氢氮混合气中杂质(水、甲烷等)去除，除去杂质后的氢氮混合气体从变温吸附设备4的原料气出口15排出，再从变压吸附设备5的原料进气口18进入变压吸附设备5，变压吸附设备5将氢氮混合气中氢气和氮气分开，其中氢气从高纯出气口19输出，氮气从高压逆放口20、低压逆放口21、真空解析口22排出，高纯出气口19输出高纯氢气，为MOCVD设备使用，高压逆放气中主要成分为氮气(含少许氢气)，经变压吸附设备5的高压逆放口20进入逆放气缓冲罐6后暂存，然后进入变温吸附设备4的再生进气口16，吹扫变温吸附设备4中所吸附的杂质气体，将杂质气体吹出变温吸附设备，然后从再生出气口17排出，变温吸附设备4的再生出气口17、变压吸附设备5的低压逆放口21和真空解析口22，这3个出气口排出的气体汇合后点火燃烧排空。

[0055] 本装置中，热交换器2的作用是将分解炉1的进气和出气之间进行热交换，利用分解炉1出气的热量将进气进行预热，以降低分解炉1的能耗；

[0056] 第一水冷器7的作用是将分解炉1的出气进行冷却至室温；

[0057] 第二水冷器8的作用是将被压缩的含杂质的氢氮混合气进行冷却至室温；

[0058] 本发明的制氢装置中，变压吸附设备是本发明的关键装置之一，其含有的吸附塔的数量至少为2个，而吸附塔的数量决定回收氢气的数量、回收效率和氢气纯度。如果回收氢气的数量不大而且对回收效率要求不高的情况下，只需要两个吸附塔即可。图3为2个吸附塔的变压吸附设备的结构图。本设备有A、B共2个吸附塔，每个吸附塔需要配5个阀门(编号分别为1-4、6)。其中：1号阀门(A1、B1)为原料进气阀门；2号阀门(A2、B2)为高压逆放阀门；3号阀门(A3、B3)为低压逆放阀门；4号阀门(A4、B4)为真空解析阀门，通过真空机组抽气后连接真空解析口；6号阀门(A6、B6)为高纯出气阀门。本设备有5个气口，分别为：原料进气口、高纯出气口、高压逆放口、低压逆放口、真空解析口。这5个气口中只有原料进气口为输入口，其它为输出口。原料气体从原料进气口输入，经过提纯后的气体从高纯出气口排出。逆放气体分别从高压逆放口和低压逆放口排出，其中高压逆放气体经缓冲罐收集后用做变温吸附设备再生时的反吹气。

[0059] 如果回收氢气的数量不大、对回收效率要求不高而且对氢气纯度要求不高的情况下，可以省去真空解析功能，图4为2个吸附塔的变压吸附设备的另一种结构，其中省去了真空解析部分，包括省去了真空机组、2个4号阀门(A4、B4)、以及真空解析口。

[0060] 如果回收氢气的数量较大而且对回收效率要求较高的情况，就需要增加吸附塔。图5所示为包含6个吸附塔的变压吸附设备的结构图。与图3相比：(i)图5中增加了4个吸附塔(C塔、D塔、E塔、F塔)以及相应的阀门；(ii)图5中增加了6个5号阀门(A5、B5、C5、D5、E5、F5)。这6个5号阀门是为各吸附塔之间均气使用，以提高氢气的回收效率。除此以外，图5中各部件的功能与图3相同，不必赘述。如果将图5中的真空机组及6个真空解析阀门(A4,B4,C4,D4,E4,F4)去掉，就变成了图6所示的结构。该结构就无法进行真空解析了，适合在氢气纯度要求不高的情况下使用。图5和图6所示的结构可以扩展到6个以上吸附塔的情况，只要增加吸附塔数量及相应的阀门即可；也可以减少吸附塔数量直到3个吸附塔情况，只要减少吸附塔个数及相应的阀门即可。

[0061] 本发明制氢装置中，变温吸附设备也是本发明一个关键装置。图7所示为包含2个吸附塔的变温吸附设备结构图。它有X、Y两个吸附塔，每个吸附塔有4个阀门，其中：1号阀门(X1、Y1)为原料进气阀门；2号阀门(X2、Y2)为再生出气阀门；3号阀门(X3、Y3)为原料出气阀门；4号阀门(X4、Y4)为再生进气阀门。本设备有4个气口，分别为：原料进气口、原料出气口、再生进气口、再生出气口。本设备有X、Y两个吸附塔，两塔之间交替吸附和再生，即X塔吸附时Y塔再生，或者Y塔吸附时X塔再生。所谓“吸附”，就是将原料气体中的杂质气体吸附在设备中，使原料气体提纯；所谓“再生”，就是用再生气体将设备中所吸附的杂质吹出来，为下一次吸附提供条件。当某个塔处于吸附状态时，从原料进气口输入，经过提纯后的气体从原料出气口排出。当某个塔处于再生状态时，再生气体从再生进气口输入，然后从再生出气口排出。X塔和Y塔轮换吸附和再生。

[0062] 图7所示的变温吸附设备包含的吸附塔可以扩展到2个以上，只要增加吸附塔数量及相应的阀门即可。变温吸附设备再生时，可以是加热再生，也可以不加热再生。而加热方式可以是电加热，也可以用分解炉出气口的余热进行加热，也可以用压缩机出口的余热进行加热。

[0063] 图8是变温吸附设备的3种再生加热结构：外置式电加热结构、内置式电加热结构及利用分解炉出气口热气/或者用压缩机出口的热气的余热加热结构。外置式电加热结构就是在吸附塔外侧增加一个圆桶形状的外置式电加热器31，用外置式电加热器31产生的热量给吸附塔加热；内置式电加热结构就是在吸附塔内部安装至少一根内置电加热棒32，用内置电加热棒32产生的热量给吸附塔加热；利用分解炉出气口热气/或者用压缩机出口的热气的余热加热结构为在吸附塔内部安装至少一根热管33，用分解炉出气口热气或者压缩机出口的热气通过热管33后给吸附塔加热；也可以利用一台热交换器，将分解炉出气口热气(或者压缩机出口的热气)中热量交换给再生气体，将再生气体加热然后在加热变温吸附设备中的分子筛。这3种加热结构都是可以的，依当时的条件而定。

[0064] 本实施例中含有一台热交换器，在进出分解炉的气体之间进行热交换，利用分解炉出气的热量将进气进行预热，以降低能耗。热交换器需要有较好的热交换能力，这对降低制氢成本具有较大的贡献。

[0065] 图1中的逆放气缓冲罐6的作用是缓冲和稳定高压逆放气的压强和流量。如果对高压逆放气的压强和流量的稳定性要求不高，可以省去逆放气缓冲罐，此时变压吸附设备的高压逆放口与变温吸附设备的再生进气口直接相连。

[0066] 在MOCVD尾气中，主要成分为氮气、氢气、氨气，另外含有少量的水、氧气、甲烷、硅烷等杂质，这些杂质含量一般小于1％。本套装置可以利用MOCVD尾气做原料制造高纯氢气，所制造出的高纯氢气为MOCVD设备使用。其工作原理如下：参见图1，分解炉的工作温度为500℃-1000℃，将MOCVD尾气通过分解炉后，尾气中的氨气就分解成为氢气和氮气了，因此经过分解后气体中的主要成分为氢气和氮气。经测算，此时氢气和氮气的比例大致为42:
58，另外还含有总量不到1％的杂质气体。将分解后的气体经过第一次水冷后用氢气压缩机加压，加压到5Bar-30Bar的高压气体，再经第二次水冷后进入变温吸附设备。变温吸附设备将高压气体中的残余氨气、水汽、甲烷等杂质气体去除，得到高纯的氢氮混合气。然后再将高纯氢氮混合气通过变压吸附设备，将氢气浓缩提纯，得到浓度高达99％以上的氢气(氮气含量小于1％)，纯氢气从高纯出气口排出。变压吸附设备排出的高压逆放气体，经逆放气缓冲罐后接变温吸附设备的再生进气口，为变温吸附设备再生时提供反吹气。变温吸附设备的再生出气口、变压吸附设备的低压逆放口、真空解析口，这3个出气口排出的气体汇合后点火燃烧排空或者直接排空。

[0067] 实施例2

[0068] 结合图2、图3、图4、图5、图6、图7，图8。图2与图1相比，氢气压缩机3和变温吸附设备4的顺序互换了。参见图2，在本实施例中，MOCVD尾气经过热交换器2后从分解炉1的进气口10进入分解炉1，经分解后变成含杂质的氢氮混合气，从分解炉的出气口11排出，然后依次经过热交换器2和第一水冷器7，从变温吸附设备4的原料进气口14进入变温吸附设备4，此时，进入变温吸附设备4的为含有杂质的氢氮混合气，在变温吸附设备4中，氢氮混合气的杂质被去除，除杂后的氢氮混合气从变温吸附设备4原料出气口15排出，然后由氢气压缩机3的进气口12进入氢气压缩机3，在氢气压缩机中，除去杂质的氢氮混合气被加压到5Bar-
30Bar，加压后的氢氮混合气从氢气压缩机3的出气口13排出，再经过第二水冷器8后由变压吸附设备5的原料进气口18进入变压吸附设备5，在变压吸附设备5中，氢氮混合气中的氢气和氮气被分开，氢气经变压吸附设备5的高纯出气口19输出，输出的高纯氢气为MOCVD设备使用，氮气从变压吸附设备5的高压逆放口20、低压逆放口21、真空解析口22排出，变压吸附设备5的高压逆放口20放出的高压逆放气体(主要是氮气但有少许氢气)经过逆放气缓冲罐
6后从变温吸附设备4的再生进气口16进入变温吸附设备4，变温吸附设备4的再生出气口
17、变压吸附设备5的低压逆放口21、真空解析口22，这3个出气口排出的气体汇合后点火燃烧排空或直接排空。

[0069] 在本实施例中，除了氢气压缩机3和变温吸附设备4的顺序与实施例1不同，其它都与实施例1相同，各部件的结构和功能都也与实施例1相同，不必赘述。

[0070] 在本实施例中，变温吸附设备在氢气压缩机的前面，气体进入氢气压缩机之前已经没有残余的氨气了。本实施例有望降低氢气压缩机对氨气的腐蚀性要求，但是变温吸附设备在较低的压强(～1Bar)下工作，这样低的压强下对变温吸附设备的吸附性能提出了更高的要求。

[0071] 实施例3

[0072] 图9为本发明的实施例3的主体结构图。与图1相比，图9中含有两台分解炉,分别为第一分解炉1和第二分解炉1’、两台氢气压缩机，分别是第一氢气压缩机3和第二氢气压缩机3’、以及相对应的第一热交换器2和第二热交换器2’、水冷器等。在本实施例中两台分解炉并列连接共同分解尾气，每台分解炉各承担一部分尾气中的氨气分解量，另外两台氢气压缩机并列连接共同压缩氢气，每台氢气压缩机各承担一部分氢气的压缩量。

[0073] 在本实施例中，除了氢气压缩机和分解炉的数量与实施例1不同，其它都与实施例1相同，各部件的结构和功能都也与实施例1相同，不必赘述。

[0074] 在本实施例中，分解炉和氢气压缩机的数量可以任意增加。本实施例适合尾气气量很大的情况。

[0075] 本发明的制氢装置非常适合在GaN-LED生产厂家使用。在MOCVD生产GaN-LED的过程中，一方面MOCVD设备需要大量的高纯氢气原料，另一方面MOCVD又会排放大量尾气(混有氢气、氮气、氨气以及一些杂质气体)。通过以上实施例方案，既可解决MOCVD尾气排放造成环境污染问题，又可为MOCVD设备提供原料氢气，而且所得到的氢气成本低于常规用电解水制氢的成本。如考虑到常规MOCVD尾气处理成本和电解水成本的总和，用本装置制造的氢气的成本更低，只有常规MOCVD尾气处理成本和电解水成本的三分之一，完全可以保证LED厂家的氢气供应，不需外购氢气，综合效益非常可观。除此以外，变压吸附设备逆放气排出的气体，氢气含量可以达到20％左右，可以点火燃烧或者用此气体烧锅炉，为工厂生活区提供生活热水。

[0076] 显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定，对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动，这里无法对所有的实施方式予以穷举，凡是属于本发明的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之列。