一种有机/无机杂化锡铅混合钙钛矿材料及其制备方法转让专利

申请号 : CN201510369063.9

文献号 : CN104952711B

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发明人 : 彭淑静唐立丹梅海林王冰齐锦刚王建中

申请人 : 辽宁工业大学

摘要 :

一种有机/无机杂化锡铅混合钙钛矿材料及其制备方法,将固体甲基溴化铵和固体溴化亚铅、固体溴化亚锡进行混合,加入到N,N‑二甲基甲酰胺溶剂中,搅拌均匀,得到反应溶液;将反应溶液进行脉冲电磁场处理后,滴加在导电玻璃基片上,分别进行低速旋涂和高速旋涂,形成一层钙钛矿薄膜,然后真空干燥箱中真空干燥,得到有机无机杂化锡铅钙钛矿薄膜。优点是:该方法制备过程简单,制备稳定性好,周期短、有效降低工艺成本;可降低铅元素含量,以减少对环境污染,产品的光吸收率较高,可以作为太阳能电池光吸收层材料。

权利要求 :

1.一种有机/无机杂化锡铅混合钙钛矿材料的制备方法,所述有机/无机杂化锡铅混合钙钛矿材料化学式为:CH3NH3PbxSn(1-x)Br3,其中,0≤x≤1;

其特征是:

所述有机/无机杂化锡铅混合钙钛矿材料的具体步骤如下:(1)清洗基片

以FTO导电玻璃作为基片,用丙酮和无水乙醇清洗后,再用去离子水冲洗干净,烘干;

(2)配制反应溶液

将固体甲基溴化铵(CH3NH3Br)和固体溴化亚铅(PbBr2)、固体溴化亚锡(SnBr2)进行混合,加入到N,N-二甲基甲酰胺(DMF)溶剂中,所述甲基溴化铵与溴化亚铅、溴化亚锡的摩尔比为1:x:(1-x),所述甲基溴化铵与N,N-二甲基甲酰胺的摩尔体积比为1:1mol/L~1:2mol/L,搅拌均匀,得到反应溶液;将反应溶液进行脉冲电磁场处理,脉冲电压为300V~700V,脉冲频率为1Hz~5Hz,脉冲时间60s~120s;

(3)旋涂成膜

将经脉冲处理的反应溶液滴加在导电玻璃基片上,分别进行低速旋涂和高速旋涂,形成一层厚度为500nm~1000nm的钙钛矿薄膜,其中,低速旋涂的转数为800r/min~1200r/min,旋涂时间为20s~30s;高速旋涂的转数为2500r/min~3500r/min,旋涂时间为30s~

40s;

(4)退火处理

将步骤(3)中的旋涂好的液态膜放入真空干燥箱中,加热至70℃~90℃,保温30min~

50min,关闭真空干燥箱电源,在真空干燥箱内自然冷却到室温,得到有机无机杂化锡铅钙钛矿薄膜。

2.根据权利要求1所述的有机/无机杂化锡铅混合钙钛矿材料的制备方法,其特征是:所述配制反应溶液中的0≤x≤1。

3.根据权利要求1所述的有机/无机杂化锡铅混合钙钛矿材料的制备方法,其特征是:所述配制反应溶液中的0.1≤x≤0.5。

4.根据权利要求1所述的有机/无机杂化锡铅混合钙钛矿材料的制备方法,其特征是:脉冲电磁场处理时,脉冲电压为400V~600V,脉冲频率为2Hz~4Hz,脉冲时间80s~100s。

5.根据权利要求1所述的有机/无机杂化锡铅混合钙钛矿材料的制备方法,其特征是:所述FTO导电玻璃的厚度为2mm~6mm。

6.根据权利要求1所述的有机/无机杂化锡铅混合钙钛矿材料的制备方法,其特征是:清洗FTO导电玻璃基片时,先在丙酮中超声清洗10min~20min,再在无水乙醇中清洗10min~20min。

说明书 :

一种有机/无机杂化锡铅混合钙钛矿材料及其制备方法

技术领域

[0001] 本发明涉及一种有机/无机杂化钙钛矿材料的制备方法,特别涉及一种基于CH3NH3PbxSn(1-x)Br3锡铅混合钙钛矿结构材料的制备方法。

背景技术

[0002] 钙钛矿型太阳能电池是一种新型太阳能电池,其相对于晶硅电池制备成本低廉,制备过程简单,并具有高效率的特点,成为目前太阳能电池的研究热点。
[0003] 钙钛矿型太阳能电池中起到关键作用的是光吸收层,目前钙钛矿型太阳能电池光吸收层一般采用有机无机杂化材料—CH3NH3PbX3(X=I,Br,Cl),它具有很高的吸光系数,在光催化过程中表现出优异的光电性能。但该有机无机杂化材料以卤化铅为主,材料铅元素含量较大,众所周知铅是重金属元素,对环境、人体均有危害,因此,需要寻找其它的元素代替铅元素,目前已有研究者采用Sn、Ge等铅元素的同族元素来替代铅元素,并获得了相应有机无机杂化钙钛矿材料,但是该种材料光吸收率低、稳定性很差。

发明内容

[0004] 本发明要解决的技术问题是提出一种制备稳定性好,光吸收率较高,可降低铅元素含量,以减少对环境污染的有机/无机杂化锡铅混合钙钛矿材料及其制备方法。
[0005] 一种有机/无机杂化锡铅混合钙钛矿材料,具有以下化学式组成:CH3NH3PbxSn(1-x)Br3,其中,0≤x≤1。
[0006] 所述有机/无机杂化锡铅混合钙钛矿材料的化学式组成中,0.1≤x≤0.5。
[0007] 一种有机/无机杂化锡铅混合钙钛矿材料的制备方法,其具体步骤如下:
[0008] (1)清洗基片
[0009] 以FTO导电玻璃作为基片,用丙酮和无水乙醇清洗后,再用去离子水冲洗干净,烘干;
[0010] (2)配制反应溶液
[0011] 将固体甲基溴化铵(CH3NH3Br)和固体溴化亚铅(PbBr2)、固体溴化亚锡(SnBr2)进行混合,加入到N,N-二甲基甲酰胺(DMF)溶剂中,所述甲基溴化铵与溴化亚铅、溴化亚锡的摩尔比为1:x:(1-x),所述甲基溴化铵与N,N-二甲基甲酰胺的摩尔体积比为1:1mol/L~1:2mol/L,搅拌均匀,得到反应溶液;将反应溶液进行脉冲电磁场处理,脉冲电压为300V~
700V,脉冲频率为1Hz~5Hz,脉冲时间60s~120s;
[0012] (3)旋涂成膜
[0013] 将经脉冲处理的反应溶液滴加在导电玻璃基片上,分别进行低速旋涂和高速旋涂,形成一层厚度为500nm~1000nm的钙钛矿薄膜,其中,低速旋涂的转数为800r/min~1200r/min,旋涂时间为20s~30s;高速旋涂的转数为2500r/min~3500r/min,旋涂时间为
30s~40s;
[0014] (4)退火处理
[0015] 将步骤(3)中的旋涂好的液态膜放入真空干燥箱中,加热至70℃~90℃,保温30min~50min,关闭真空干燥箱电源,在真空干燥箱内自然冷却到室温,得到有机无机杂化锡铅钙钛矿薄膜。
[0016] 所述配制反应溶液中的0≤x≤1。
[0017] 所述配制反应溶液中的0.1≤x≤0.5。
[0018] 脉冲电磁场处理时,脉冲电压为400V~600V,脉冲频率为2Hz~4Hz,脉冲时间80s~100s。
[0019] 所述FTO导电玻璃的厚度为2mm~6mm。
[0020] 清洗FTO导电玻璃基片时,先在丙酮中超声清洗10min~20min,再在无水乙醇中清洗10min~20min。
[0021] 本发明的有益效果:
[0022] (1)、制备的新型锡铅混合钙钛矿材料是一种p型材料,其结晶度高,热稳定性好,光吸收率较高,扩宽光吸收范围;同时极大减少铅元素的使用量,减少了环境污染,可以作为太阳能电池光吸收层材料,具有一定应用价值。
[0023] (2)、采用液相法制备新型锡铅混合钙钛矿材料,并且采用脉冲电磁场加以辅助提高杂化钙钛矿材料的质量,该方法制备过程简单,制备稳定性好,周期短、有效降低工艺成本。

附图说明

[0024] 图1是本发明(对应实施例1)制备的CH3NH3Pb0.1Sn0.9Br3杂化材料的XRD图谱;
[0025] 图2是本发明(对应实施例2)制备的CH3NH3Pb0.3Sn0.7Br3杂化材料的XRD图谱;
[0026] 图3是本发明(对应实施例3)制备的CH3NH3Pb0.5Sn0.5Br3杂化材料的XRD图谱;
[0027] 图4是本发明(对应实施例3)制备的CH3NH3Pb0.5Sn0.5Br3杂化材料热重分析曲线;
[0028] 图5是本发明(对应实施例3)制备的CH3NH3Pb0.5Sn0.5Br3杂化材料的光吸收图谱;
[0029] 图6是本发明(对应对比例1)制备的CH3NH3SnBr3杂化材料的XRD图谱;
[0030] 图7是本发明(对应对比例2)制备的CH3NH3PbBr3杂化材料的XRD图谱。

具体实施方式

[0031] 实施例1
[0032] (1)清洗基片
[0033] 以厚度为3mm的FTO导电玻璃作为基片,先在丙酮中超声清洗12min,再在无水乙醇中清洗12min,最后用去离子水冲洗干净,烘干;
[0034] (2)配制反应溶液
[0035] 取0.01mol的固体甲基溴化铵(CH3NH3Br)和0.001mol固体溴化亚铅(PbBr2)和0.009mol固体溴化亚锡(SnBr2),加入12mL的N,N-二甲基甲酰胺(DMF)溶液,搅拌至固体粉末全部溶解,得到反应溶液,将反应溶液进行脉冲电磁场处理,脉冲电压为400V,脉冲频率为2Hz,脉冲时间为80s;
[0036] (3)旋涂成膜
[0037] 将处理后的反应溶液滴加在导电玻璃基片上,用匀胶机分别进行低速旋涂和高速旋涂,形成一层厚度为500nm~600nm的钙钛矿薄膜,其中,低速旋涂的转数为800r/min,旋涂时间为20s;高速旋涂的转数为3500r/min,旋涂时间为30s;
[0038] (4)退火处理
[0039] 将步骤(3)中的旋涂好的液态膜放入真空干燥箱中,加热至90℃,保温30min,之后随干燥箱自然冷却至室温,得到甲基胺溴化铅锡(CH3NH3Pb0.1Sn0.9Br3)薄膜,其中XRD图谱如图1所示。经过能谱分析可知,该化合物中Pb和Sn元素的摩尔比例约为1:9。
[0040] 实施例2
[0041] (1)清洗基片
[0042] 以厚度为4mm的FTO导电玻璃作为基片,先在丙酮中超声清洗14min,再在无水乙醇中清洗14min,最后用去离子水冲洗干净,烘干;
[0043] (2)配制反应溶液
[0044] 取0.01mol的固体甲基溴化铵(CH3NH3Br)和0.003mol固体溴化亚铅(PbBr2)和0.007mol固体溴化亚锡(SnBr2),加入15mL的N,N-二甲基甲酰胺(DMF)溶液,搅拌至固体粉末全部溶解,得到反应溶液,将反应溶液进行脉冲电磁场处理,脉冲电压为500V,脉冲频率为3Hz,脉冲时间为90s;
[0045] (3)旋涂成膜
[0046] 将处理后的反应溶液滴加在导电玻璃基片上,用匀胶机分别进行低速旋涂和高速旋涂,形成一层厚度为700nm~800nm的钙钛矿薄膜,其中,低速旋涂的转数为900r/min,旋涂时间为24s;高速旋涂的转数为3000r/min,旋涂时间为34s;
[0047] (4)退火处理
[0048] 将步骤(3)中的旋涂好的液态膜放入真空干燥箱中,加热至80℃,保温40min,之后随干燥箱自然冷却至室温,得到甲基胺溴化铅锡(CH3NH3Pb0.3Sn0.7Br3)薄膜,其XRD图谱如图2所示。经过能谱分析可知,该化合物中Pb和Sn元素的摩尔比例约为3:7。
[0049] 实施例3
[0050] (1)清洗基片
[0051] 以厚度为5mm的FTO导电玻璃作为基片,先在丙酮中超声清洗16min,再在无水乙醇中清洗16min,最后用去离子水冲洗干净,烘干;
[0052] (2)配制反应溶液
[0053] 取0.01mol的固体甲基溴化铵(CH3NH3Br)和0.005mol固体溴化亚铅(PbBr2)和0.005mol固体溴化亚锡(SnBr2),加入16mL的N,N-二甲基甲酰胺(DMF)溶液,搅拌至固体粉末全部溶解,得到反应溶液,将反应溶液进行脉冲电磁场处理,脉冲电压为600V,脉冲频率为4Hz,脉冲时间为100s;
[0054] (3)旋涂成膜
[0055] 将经脉冲处理的反应溶液滴加在导电玻璃基片上,用匀胶机分别进行低速旋涂和高速旋涂,形成一层厚度为900nm~1000nm的钙钛矿薄膜,其中,低速旋涂的转数为800r/min,旋涂时间为30s;高速旋涂的转数为2500r/min,旋涂时间为40s;
[0056] (4)退火处理
[0057] 将步骤(3)中的旋涂好的液态膜放入真空干燥箱中,加热至70℃,保温50min,之后随干燥箱自然冷却至室温,得到甲基胺溴化铅锡(CH3NH3Pb0.5Sn0.5Br3)薄膜,其XRD图谱如图3所示。经过能谱分析可知,该化合物中Pb和Sn元素的摩尔比例约为1:1。热重分析曲线如图
4所示,可以得出该钙钛矿的分解温度为256.1℃,分解产物为HBr;光吸收图谱如图5所示,波长在450nm-650nm之间具有稳定的光吸收能力,该波长范围是可见光范围;经过霍尔测试,该CH3NH3Pb0.5Sn0.5Br3材料的载流子迁移率为63.1cm2/(Vs),载流子浓度为6.217×109/cm3,是一种P型半导体材料。
[0058] 对比例1
[0059] (1)清洗基片
[0060] 以厚度为2mm的FTO导电玻璃作为基片,先在丙酮中超声清洗10min,再在无水乙醇中清洗10min,最后用去离子水冲洗干净,烘干;
[0061] (2)配制反应溶液
[0062] 取0.01mol的固体甲基溴化铵(CH3NH3Br)和0.01mol固体溴化亚锡(SnBr2),加入10mL的N,N-二甲基甲酰胺(DMF)溶液,搅拌至固体粉末全部溶解,得到反应溶液,将反应溶液进行脉冲电磁场处理,脉冲电压为300V,脉冲频率为1Hz,脉冲时间为60s;
[0063] (3)旋涂成膜
[0064] 将处理后的反应溶液滴加在导电玻璃基片上,用匀胶机分别进行低速旋涂和高速旋涂,形成一层厚度为500nm~600nm的钙钛矿薄膜,其中,低速旋涂的转数为1200r/min,旋涂时间为20s;高速旋涂的转数为3500r/min,旋涂时间为30s;
[0065] (4)退火处理
[0066] 将步骤(3)中的旋涂好的液态膜放入真空干燥箱中,加热至90℃,保温30min,之后随干燥箱自然冷却至室温,得到甲基胺溴化铅锡(CH3NH3SnBr3)薄膜,其中XRD图谱如图6所示。其中从XRD图谱中看出衍射峰所对应的晶面为(001)、(011)、(111)、(002)。
[0067] 对比例2
[0068] (1)清洗基片
[0069] 以厚度为6mm的FTO导电玻璃作为基片,先在丙酮中超声清洗20min,再在无水乙醇中清洗20min,最后用去离子水冲洗干净,烘干;
[0070] (2)配制反应溶液
[0071] 取0.01mol的固体甲基溴化铵(CH3NH3Br)和0.01mol固体溴化亚铅(PbBr2),加入20mL的N,N-二甲基甲酰胺(DMF)溶液,搅拌至固体粉末全部溶解,得到反应溶液,将反应溶液进行脉冲电磁场处理,脉冲电压为700V,脉冲频率为5Hz,脉冲时间为120s;
[0072] (3)旋涂成膜
[0073] 将处理后的反应溶液滴加在导电玻璃基片上,用匀胶机分别进行低速旋涂和高速旋涂,形成一层厚度为900nm~1000nm的钙钛矿薄膜,其中,低速旋涂的转数为800r/min,旋涂时间为30s;高速旋涂的转数为2500r/min,旋涂时间为40s;
[0074] (4)退火处理
[0075] 将步骤(3)中的旋涂好的液态膜放入真空干燥箱中,加热至70℃,保温50min,之后随干燥箱自然冷却至室温,得到甲基胺溴化铅锡(CH3NH3PbBr3)薄膜,其中XRD图谱如图7所示。从XRD图谱中可以看出该峰所对应的晶面为(001)(011)(002)(012)(112)(022)(122)(013)(222)。
[0076] 从图1~图3的图谱中可以看出,图1~图3的图谱出现的峰所对应的晶面是基本上由图6和图7所叠加的,另外还有些多余的峰,这些峰可归因于混合锡铅钙钛矿的峰。
[0077] 以上仅为本发明的具体实施例而已,并不用于限制本发明,对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。