本发明所述的一种可控硅测试仪，包括隔离降压变压器、静态测试电路和动态测试电路，所述动态测试电路包括整流电路、触发电路、双掷开关和显示电路，所述静态测试电路包括整流滤波电路和稳压电路；所述隔离降压变压器的输入端经保险与电源相连，其输出端分别与显示电路和整流滤波电路的输入端相连，所述显示电路的输出端依次经整流电路、触发电路与双掷开关一侧的不动端相连；所述整流滤波电路的输出端依次经稳压电路、指示灯和触发开关与双掷开关另一侧的不动端相连，所述静态测试电路和动态电路的连接端为可控硅的阴极测试端，所述双掷开关的动端分别为可控硅的阳极测试端和控制极测试端。本发明体积小、重量轻，通过静态和动态相结合的方式对可控硅进行测试，其测试简单可靠，不仅提高了可控硅的检修质量和工作效率，同时可有效保证检修人员的安全。
1.一种可控硅测试仪，其特征在于：包括隔离降压变压器（T）、静态测试电路和动态测试电路，所述动态测试电路包括整流电路（1）、触发电路（2）、双掷开关（3）、及用于显示该电路通断的显示电路，所述静态测试电路包括整流滤波电路（4）和稳压电路（5）；所述隔离降压变压器（T）的输入端经保险（FU）与电源相连，其输出端分别与显示电路和整流滤波电路（4）的输入端相连，所述显示电路的输出端经整流电路（1）与触发电路（2）的输入端相连，所述触发电路（2）的输出端与双掷开关（3）一侧的不动端相连；所述整流滤波电路（4）的输出端与稳压电路（5）的输入端相连，所述稳压电路（5）的输出端依次经指示灯（HL）和触发开关（SB）与双掷开关（3）另一侧的不动端相连，所述静态测试电路和动态测试电路的连接端为可控硅的阴极测试端（K），所述双掷开关（3）的动端分别为可控硅的阳极测试端（A）和控制极测试端（G）。
2.根据权利要求1所述的可控硅测试仪，其特征在于：所述显示电路由负载灯泡（EL）及并联在负载灯泡（EL）两端的电压表（V）组成。
3.根据权利要求1所述的可控硅测试仪，其特征在于：所述整流电路（1）包括整流二极管（V1；V2；V3；V4），所述触发电路（2）包括单结管（V9）、电阻（R1； R3；R4）、电容（C4）和电位器（RP2）；第一、第二整流二极管（V1；V2）的阳极分别与第三、第四整流二极管（V3；V4）的阴极相连，第一、第二整流二极管（V1；V2）的阴极与双掷开关（3）阳极测试端（A）对应的不动端K2相连，所述第三、第四整流二极管（V3 ；V4）的阳极与可控硅的阴极测试端（K）相连；第一电阻（R1）的一端连接在第二整流二极管（V2）和双掷开关（3）之间，其另一端经电位器（RP2）与第四电容（C4）的一端相连，第四电容（C4）的另一端与可控硅的阴极测试端（K）相连；所述单结管（V9）的一基极端经第二电阻（R3）连接在双掷开关（3）和第一电阻（R1）之间，单结管（V9）的另一基极端连接在电位器（RP2）与第四电容（C4）之间的节点处，所述单结管（V9）的发射极经第三电阻（R4）与可控硅的阴极测试端（K）相连，所述双掷开关（3）控制极测试端（G）对应的不动端K1与单结管（V9）的发射极相连。
4.根据权利要求1或3所述的可控硅测试仪，其特征在于：所述整流滤波电路（4）包括整流二极管（V5；V6；V7；V8）、电容（C1、C2），所述稳压电路（5）由三端稳压管（V11）和第三电容（C3）组成；第五、第六整流二极管（V5；V6）的阳极与可控硅的阴极测试端（K）相连，其阴极分别与第七、第八整流二极管（V7；V8）的阳极相连，所述第七、第八整流二极管（V7；V8）的阴极与三端稳压管（V11）的输入端相连，所述三端稳压管（V11）的控制端与可控硅的阴极测试端（K）相连，三端稳压管（V11）的输出端经指示灯（HL）与触发开关（SB）的一端相连，所述触发开关（SB）的另一端与双掷开关（3）控制极测试端（G）对应的的不动端K5相连，所述指示灯（HL）的输出端与双掷开关（3）阳极测试端（A）对应的不动端K6相连，第一电容（C1）和第二电容（C2）的一端与可控硅的阴极测试端（K）相连，其另一端连接在第八整流二极管（V8）和三端稳压管（V11）之间的节点处，所述第三电容（C3）的一端与可控硅的阴极测试端（K）相连，其另一端与三端稳压管（V11）的输出端相连。
一种可控硅测试仪
技术领域
[0001] 本发明涉及可控硅测试技术领域，具体涉及一种可控硅测试仪。
背景技术
[0002] 可控硅又叫晶闸管，是一种大功率开关型半导体器件，有单向、双向、可关断和光控等几种类型，具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、控制方便等优点，被广泛用于可控整流、调压、逆变以及无触点开关等各种自动控制和大功率的电能转换的场合。可控硅的主要参数：触发电压、触发电流、导通电流、导通电压等一般通过可控硅的测试仪器来测量。
[0003] 目前，市面上使用的可控硅的测试仪器，存在体积大、笨重、难操作等问题。而且大部分可控硅的测试仪器都是将可控硅直接从市电取电，为可控硅提供触发电压和触发电流，这种取电方式不仅对于非专业测试人员来说存在较大的安全隐患，而且其测试过程繁琐费时。
发明内容
[0004] 本发明要解决的技术问题是提供一种测试简单、使用安全的可控硅测试仪。
[0005] 为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：包括隔离降压变压器、静态测试电路和动态测试电路，所述动态测试电路包括整流电路、触发电路、双掷开关、及用于显示该电路通断的显示电路，所述静态测试电路包括整流滤波电路和稳压电路；所述隔离降压变压器的输入端经保险与电源相连，其输出端分别与显示电路和整流滤波电路的输入端相连，所述显示电路的输出端经整流电路与触发电路的输入端相连，所述触发电路的输出端与双掷开关一侧的不动端相连；所述整流滤波电路的输出端与稳压电路的输入端相连，所述稳压电路的输出端依次经指示灯和触发开关与双掷开关另一侧的不动端相连，所述静态测试电路和动态测试电路的连接端为可控硅的阴极测试端，所述双掷开关的动端分别为可控硅的阳极测试端和控制极测试端。
[0006] 进一步的，所述显示电路由负载灯泡及并联在负载灯泡两端的电压表组成。
[0007] 进一步的，所述整流电路包括整流二极管，所述触发电路包括单结管、电阻、电容和电位器；第一、第二整流二极管的阳极分别与第三、第四整流二极管的阴极相连，第一、第二整流二极管的阴极与双掷开关的不动端相连，所述第三、第四整流二极管的阳极与可控硅的阴极测试端相连；第一电阻的一端连接在第二整流二极管和双掷开关之间，其另一端经电位器与第四电容的一端相连，第四电容的另一端与可控硅的阴极测试端相连；所述单结管的一基极端经第二电阻连接在双掷开关和第一电阻之间，单结管的另一基极端连接在电位器与第四电容之间的节点处，所述单结管的发射极经第三电阻与可控硅的阴极测试端相连，所述双掷开关的不动端与单结管的发射极相连。
[0008] 进一步的，所述整流滤波电路包括整流二极管、电容，所述稳压电路由三端稳压管和第三电容组成；第五、第六整流二极管的阳极与可控硅的阴极测试端相连，其阴极分别与第七、第八整流二极管的阳极相连，所述第七、第八整流二极管的阴极与三端稳压管的输入端相连，所述三端稳压管的控制端与可控硅的阴极测试端相连，三端稳压管的输出端经指示灯与触发开关的一端相连，所述触发开关的另一端与双掷开关的不动端相连，所述指示灯的输出端与双掷开关的不动端相连，第一电容和第二电容的一端与可控硅的阴极测试端相连，其另一端连接在第八整流二极管和三端稳压管之间的节点处，所述第三电容的一端与可控硅的阴极测试端相连，其另一端与三端稳压管的输出端相连。
[0009] 本发明的有益效果是：本发明所述可控硅测试仪体积小、重量轻，由动态测试电路和静态测试电路组成，通过静态和动态相结合的方式对可控硅进行测试，其测试简单可靠，不仅提高了可控硅的检修质量和工作效率，同时可有效保证检修人员的安全。
附图说明
[0010] 图1为本发明的电路框图；
[0011] 图2为本发明的电路原理图。
具体实施方式
[0012] 下面结合附图对本发明作进一步的描述。
[0013] 如图1所示，本实施例的可控硅测试仪，包括隔离降压变压器T、静态测试电路和动态测试电路，动态测试电路包括整流电路1、触发电路2、双掷开关3、及用于显示该电路通断的显示电路，静态测试电路包括整流滤波电路4和稳压电路5；隔离降压变压器T的输入端经保险FU与电源相连，为了输出不同大小的交流电压，该隔离降压变压器T的输出端具有两个次级绕组，其中一个次级绕组经显示电路与整流电路的输入端相连，另一个次级绕组与整流滤波电路4的输入端相连。整流电路1的输出端与触发电路2的输入端相连，触发电路2的输出端与双掷开关3一侧的不动端相连；整流滤波电路4的输出端与稳压电路5的输入端相连，稳压电路5的输出端依次经指示灯HL和触发开关SB与双掷开关3另一侧的不动端相连，静态测试电路和动态测试电路的连接端为可控硅的阴极测试端K，双掷开关3的动端分别为可控硅的阳极测试端A和控制极测试端G。
[0014] 如图2所示，显示电路由负载灯泡EL及并联在负载灯泡EL两端的电压表V组成，该负载灯泡EL的一端与隔离降压变压器T的一个次级绕组的一端相连，该次级绕组的另一端与整流电路1相连。该整流电路1由整流二极管V1、V2、V3和V4组成，触发电路2由单结管V9、电阻R1、R3、R4，电容C4和电位器RP2组成；第一、第二整流二极管V1和V2的阳极分别与第三整流二极管V3和第四整流二极管V4的阴极相连，第一整流二极管V1和第二整流二极管V2的阴极与双掷开关3的不动端K2相连，第三整流二极管V3和第四整流二极管V4的阳极与可控硅的阴极测试端K相连；第一电阻R1的一端连接在第二整流二极管V2和双掷开关3之间，第一电阻R1另一端经电位器RP2与第四电容C4的一端相连，第四电容C4的另一端与可控硅的阴极测试端K相连；单结管V9具有两个基极端，单结管V9的其中一个基极端经第二电阻R3连接在双掷开关3和第一电阻R1之间，单结管V9的另一基极端连接在电位器RP2与第四电容C4之间的节点处，单结管V9的发射极经第三电阻R4与可控硅的阴极测试端K相连，双掷开关3的不动端K1与单结管V9的发射极相连。
[0015] 如图2所示，整流滤波电路4由整流二极管V5、V6、V7、V8，电容C1和C2组成，稳压电路5由三端稳压管V11和第三电容C3组成；第五整流二极管V5和第六整流二极管V6的阳极与可控硅的阴极测试端K相连，其阴极分别与第七整流二极管V7和第八整流二极管V8的阳极相连，第七整流二极管V7和第八整流二极管V8的阴极与三端稳压管V11的输入端相连，三端稳压管V11的控制端与可控硅的阴极测试端K相连，三端稳压管V11的输出端经指示灯HL与触发开关SB的一端相连，触发开关SB的另一端与双掷开关3的不动端K5相连，指示灯HL的输出端与双掷开关3的不动端K6相连，第一电容C1和第二电容C2的一端与可控硅的阴极测试端K相连，其另一端连接在第八整流二极管V8和三端稳压管V11之间的节点处，第三电容C3的一端与可控硅的阴极测试端K相连，其另一端与三端稳压管V11的输出端相连。
[0016] 静态测试：隔离降压变压器T输出的9V交流电压经整流滤波电路4后通过三端稳压管V11和电容C3滤波，把电压稳定在5V，以作为被测可控硅的工作电压。将双掷开关3拨到静态测试档K5和K6端，则双掷开关的K3和K5导通，K4和K6导通，被测可控硅的阳极电压通过K4和K6导通，则测试线A与被测可控硅V10的阳极连通，按下触发按钮SB，触发电压通过K3和测试线G送到被测可控硅V10的控制极，此时被测可控硅V10受触发导通，此时指示灯HL被点亮，则说明可控硅已被触发导通；当松开触发按钮SB时，指示灯HL持续亮，说明可控硅能保持住导通，可以确定被测可控硅没有损坏。设计增加此静态测试电路的目的是为了测试低电压小电流的可控硅的好坏。
[0017] 动态测试：隔离降压变压器T输出的65V交流电压通过负载灯泡EL送到经整流电路1和触发电路2中，在交流电正半周时，整流电压通过第一电阻R1电位器RP2对第四电容C4充电，当第四电容C4上的电压达到单结管V9峰点电压时，单结管V9由截止变为导通，第四电容C4两端的电压通过单结管V9和第三电阻R4迅速放电，此时，第三电阻R4上获得一个尖脉冲，该尖脉冲作为控制信号通过双掷开关3的K1和K3端闭合接点被送到被测可控硅V10的控制极上，以使被测可控硅V10导通。被测可控硅V10导通后的管压降很低，一般小于1V，触发震荡停止工作；当交流电通过零点时，被测可控硅V10自动关断，当交流电负半周时，调节电位器RP2可以改变第四电容C4的充电速度，即可改变被测可控硅V10导通时间的长短，从而控制了整流输出电压。当电位器RP2调到阻值较大时，第四电容C4冲到峰点电压的时间较长，因此被测可控硅的导通角θ比较小，可控整流输出的电压就低，负载灯泡EL较暗，反之电位器RP调到阻值较小时，被测可控硅的导通角θ比较大，可控整流输出的电压就高，负载灯泡EL较亮。此动态测试电路设计的目的是通过触发电路2控制被测可控硅V10导通角的大小，以实现对可控硅驱动负载能力的动态测试。双掷开关3拨到动态测试档，双掷开关的K1和K3导通，K2和K4导通，此时触发电压通过双掷开关的K1和K3及K2和K4和测试线与被测可控硅V10连通，被测可控硅V10此时受触发导通，然后调节电位器RP2，电压表V随着电位器RP2的调节而指示出被调电压的大小，同时负载灯也随着电位器RP2的调节显示亮或暗的变化，观测直观。综合上述两种步骤对可控硅测量后，即可以确定被测可控硅的好坏。
[0018] 以上所述的实施例仅仅是对本发明的优选实施方式进行描述，并非对本发明的范围进行限定，在不脱离本发明设计精神的前提下，本领域普通技术人员对本发明的技术方案作出的各种变形和改进，均应落入本发明权利要求书确定的保护范围内。
