导电膜

摘要

本发明提供一种导电膜，其包括向一方向延伸的具有多个电极(26)的透明导电层(18)，上述电极(26)的电极宽度根据位置而不固定，且包括由金属细线(16)形成的多个多角形的单元(28)，各上述单元(28)的尺寸并不一样，上述单元(28)的平均尺寸为上述电极(26)的最窄宽度的1/30以上且小于1/3，并且上述电极(26)整体中，上述单元(28)的平均尺寸均匀。本发明的导电膜，即便构成各电极的单元的尺寸并不一样，各电极的电阻及静电电容的不均也小，透明导电层的表面电阻也可抑制为低值。

权利要求

1.一种导电膜，其特征在于：包括向一方向延伸的具有多个电极(26)的透明导电层(18)，所述电极(26)的电极宽度根据位置而不固定，且包括由金属细线(16)形成的多个多角形的单元(28)，各所述单元(28)的单元尺寸Ls并不一样，

所述单元(28)的平均单元尺寸Lsave为所述电极(26)的最窄宽度的1/30以上且小于1/

3，

且所述电极(26)中，构成所述宽度最窄的部分(26a)的多个所述单元(28)的平均单元尺寸Lsave、与所述电极(26)中构成除所述宽度最窄的部分(26a)之外的部分的多个所述单元(28)的平均单元尺寸Lsave的比为0.9～1.1。

2.根据权利要求1所述的导电膜，其特征在于所述单元(28)的平均单元尺寸Lsave为所述电极(26)的最窄宽度的1/10以上且小于1/3。

3.根据权利要求1所述的导电膜，其特征在于所述单元(28)的平均单元尺寸Lsave为所述电极(26)的最窄宽度的1/5以上且小于1/3。

4.根据权利要求1所述的导电膜，其特征在于所述电极(26)的最窄宽度为0.5mm～

2.0mm。

5.根据权利要求1所述的导电膜，其特征在于构成所述单元(28)的一边的长度Ld的随机率为2％以上、20％以下。

6.根据权利要求1所述的导电膜，其特征在于构成所述单元(28)的一边的长度Ld的随机率为4％以上、10％以下。

7.根据权利要求1所述的导电膜，其特征在于将任意选择的多个所述电极(26)的各电阻值中的最大值设为Rmax，将最小值设为Rmin，且将各电阻值的平均值设为Rave时，{(Rmax-Rmin)/Rave}×100所表示的电阻不均小于10％。

8.根据权利要求1所述的导电膜，其特征在于将任意选择的多个所述电极(26)的各电阻值中的最大值设为Rmax，将最小值设为Rmin，且将各电阻值的平均值设为Rave时，{(Rmax-Rmin)/Rave}×100所表示的电阻不均为5％以下。

9.根据权利要求7或8所述的导电膜，其特征在于任意选择的多个所述电极(26)是在一方向上连续并排的3个电极。

10.根据权利要求1所述的导电膜，其特征在于构成所述透明导电层(18)的多个所述单元(28)中，和与配线(22)的连接部(20)连接的单元(28)的单元尺寸Ls相同。

11.根据权利要求1所述的导电膜，其特征在于构成所述单元(28)的一边的长度Ld为

100μm以上、800μm以下。

12.根据权利要求1所述的导电膜，其特征在于所述金属细线(16)的线宽为0.1μm以上、

15μm以下。

说明书

导电膜

技术领域

[0001] 本发明涉及一种导电膜，涉及一种例如适合用于触摸屏的导电膜。

背景技术

[0002] 最近，触摸屏受到关注。触摸屏主要应用于个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)或移动电话等小尺寸装置，但考虑由于应用于个人计算机用显示器等而进行大尺寸化。

[0003] 如上所述的将来动向中，现有的电极由于使用氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)，故而电阻大。因此，随着应用尺寸变大，存在电极间的电流的信号波形变钝，响应速度(自接触指尖起至检测出其位置为止的时间)变慢的问题。

[0004] 因此，已知通过将由金属制的细线(金属细线)所构成的格子并排多个来构成电极，而使表面电阻下降。另外，为了抑制在将格子有规则地并排的情况下所产生的云纹现象，而提出有由随机的图案来形成金属细线的导电膜(例如参照日本专利特表2011-513846号公报、日本专利特开2012-181815号公报、日本专利特开2012-119163号公报)。

[0005] 日本专利特表2011-513846号公报中记载的导电膜包括：与多个端子分别连接的网目板(mesh bar)、以及配置于网目板间的线区域(电性绝缘的区域)，尤其，网目板包含随机形状的多个单元。

[0006] 日本专利特开2012-181815号公报中记载的导电膜将透明电极图案部及透明绝缘图案部交替地铺满于基材表面。由此，减小形成有透明电极图案部的区域、与未形成透明电极图案部的区域(即形成有透明绝缘图案部的区域)的光学特性的差，抑制透明电极图案部的视认。进而，透明绝缘图案部中，通过分开且随机地形成多个岛部，来抑制云纹的产生。

[0007] 日本专利特开2012-119163号公报中记载的导电膜是在基体上形成有网目状线材的导电膜。在该导电膜上重叠具有与网目状不同的式样的结构图案。进行该状态下的俯视时的功率谱(power spectrum)与人类标准视觉响应特性的卷积积分(convolution integral)。具有相当于线材的平均线宽的空间频率的1/4倍频率以上、且1/2倍频率以下的空间频带中的各积分值大于零空间频率下的积分值的特性。其结果为，例如如触摸屏用途那样，即便是采用层叠多个导电膜的构成的情况，也可防止噪声(noise)干扰(云纹)的产生。

发明内容

[0008] 日本专利特表2011-513846号公报中记载的导电膜的构成与端子连接的网目板的单元的尺寸大为不同。最大尺寸的单元具有最小单元的例如五倍的尺寸。因此，在网目板的宽度方向上仅有1个单元或2个单元，存在网目板的电阻提高的顾虑。在该情况下，例如网目板的时间常数变大，其结果为存在探测信号的探测精度劣化的问题。进而，尺寸大的单元与尺寸小的单元的配置的不均有偏差。因此，例如在应用于静电电容方式的触摸屏的情况下，用作电极的区域间的电阻及静电电容的不均变大。其结果为，驱动触摸屏的集成电路(Integrated Circuit，IC)中需要用于消除电阻或静电电容的不均的电路或运算处理，还存在对IC的负荷变大的问题。

[0009] 日本专利特开2012-181815号公报中记载的导电膜如公报的图28所示，在区域B间连接的区域A的导电部被覆率成为100％，区域B的导电部被覆率成为79％。因此，在作为整体来看的情况下，在邻接的区域A与区域B中透过率产生差异，存在被视认为例如斑点式样的顾虑。

[0010] 日本专利特开2012-119163号公报中记载的导电膜如公报的图21所示，构成在第1基本格子间连接的第1连接部的随机形状的区域在第1连接部的宽度方向上仅有1个或2个。因此，存在第1连接部的电阻提高的顾虑。其结果为，与上述日本专利特表2011-513846号公报的情况相同，存在例如导电膜的时间常数变大，探测信号的探测精度劣化的问题。

[0011] 本发明是考虑到上述课题而形成，目的在于提供发挥以下效果的导电性膜。

[0012] (a)即便构成各电极的单元的尺寸并不一样，各电极的电阻及静电电容的不均也小，透明导电层的表面电阻也可抑制为低值。

[0013] (b)不仅可抑制云纹，而且电极的宽度窄的部分与宽的部分的透过率基本上无差异，可抑制由透过率的差异引起的条纹式样的产生，可提高视认性(金属细线不显眼)。

[0014] (c)可减少与导电膜连接的驱动IC的负荷。

[0015] [1]本发明的导电膜包括向一方向延伸的具有多个电极的透明导电层，电极的电极宽度根据位置而不固定，且包含由金属细线形成的多个多角形的单元，各单元的尺寸并不一样，单元的平均尺寸为电极的最窄宽度的1/30以上且小于1/3，电极整体中，单元的平均尺寸均匀。

[0016] 若单元的平均尺寸变得过小，则开口率及透过率下降，随之，导致透明性的劣化、视认性的劣化，至少存在透明导电层容易被人眼所识别的问题。相反，若单元的平均尺寸变得过大，开口率及透过率提高，各电极的电阻提高，存在触摸位置的探测精度劣化的问题。

[0017] 另外，电极整体中，通过上述单元的平均尺寸均匀，在电极内透过率不再产生偏差，难以被视认为斑点式样(不均)。即，视认性提高。而且表示，在多个电极间，单元的尺寸不一样的多个单元无偏差地排列，电性偏差也被抑制为最小限度。因此，在将导电膜应用于例如静电电容方式的触摸屏的情况下，在多个电极间，电阻及静电电容的不均变小。由此，在与导电膜连接的驱动IC中，不再需要组入用于消除电阻或静电电容的不均的电路或运算处理，可减少对驱动IC的负荷。

[0018] [2]本发明中，单元的平均尺寸优选为电极的最窄宽度的1/10以上且小于1/3。

[0019] [3]本发明中，单元的平均尺寸尤其优选为电极的最窄宽度的1/5以上且小于1/3。

[0020] [4]本发明中，电极的最窄宽度(最小电极宽度)优选为0.5mm～2.0mm。若最小电极宽度变得过小，则存在透明导电层的电阻变高的顾虑。在该情况下，例如透明导电层的时间常数变大，其结果为，存在手指接近或接触的位置(记作触摸位置)的探测精度劣化的问题。相反，若最小电极宽度变得过大，则在应用于例如静电电容方式的触摸屏的情况下，由人的手指接近或接触所引起的静电电容的变化相对变小，存在检测精度劣化的问题。最小电极宽度尤其优选为0.8mm～1.8mm，更优选为0.8mm～1.2mm。

[0021] [5]本发明中，构成单元的一边的随机率优选为2％以上、20％以下。若随机率小于2％，则各单元的尺寸基本上变得一样，由多个单元的排列所引起的云纹的抑制效果降低。
相反，若随机率大于20％，则尺寸不同的单元的排列容易产生偏差，由于透过率的偏差而视认性的恶化变得显著。

[0022] [6]本发明中，构成单元的一边的随机率尤其优选为4％以上、10％以下。

[0023] [7]本发明中，构成电极中宽度最窄的部分的多个单元的平均尺寸、与构成电极中除宽度最窄的部分之外的部分的多个单元的平均尺寸的比优选为0.9～1.1。若脱离该范围，则在电极内透过率产生差异，存在被视认为斑点式样(不均)的顾虑。

[0024] [8]本发明中，任意选择的多个电极的各电阻值中，将最大值设为Rmax，将最小值设为Rmin，将各电阻值的平均值设为Rave，且将电阻不均由下述式表示时，电阻不均优选为小于10％。

[0025] 电阻不均(％)＝{(Rmax-Rmin)/Rave}×100

[0026] 若电阻不均为10％以上，则驱动触摸屏的IC(集成电路)中需要用于消除电阻的不均的电路或运算处理，存在对IC的负荷变大的问题。

[0027] [9]本发明中，任意选择的多个电极的各电阻值中，将最大值设为Rmax，将最小值设为Rmin，将各电阻值的平均值设为Rave，且将电阻不均由下述式来表示时，电阻不均尤其优选为5％以下。

[0028] 电阻不均(％)＝{(Rmax-Rmin)/Rave}×100

[0029] [10][8]或[9]中，任意选择的多个电极可为在一方向上连续并排的3个电极。在该情况下，可对源自相同透明导电层的探测信号的水平是根据触摸位置而线形地变化，还是非线形地变化进行评价。若电阻不均为上述优选范围，则探测信号的水平根据触摸位置而线形地变化，可提高驱动IC中的探测精度。

[0030] [11]本发明中，构成透明导电层的多个单元中，和与配线的连接部连接的单元的尺寸优选为相同。

[0031] [12]本发明中，构成单元的一边的长度可为100μm以上、800μm以下。由此，容易将单元的平均尺寸设为电极的最窄宽度的1/30以上且小于1/3。

[0032] [13]本发明中，金属细线的线宽可为0.1μm以上、15μm以下。在线宽小于上述下限值的情况下，导电性变得不充分，因此在用于触摸屏的情况下，检测感度变得不充分。另一方面，若超过上述上限值，则由金属细线引起的云纹变得显著，用于触摸屏时视认性变差。

[0033] 根据本发明的导电膜来发挥以下的效果。

[0034] (1)即便构成各电极的单元的尺寸不一样，各电极的电阻及静电电容的不均也小，透明导电层的表面电阻也可抑制为低值。

[0035] (2)不仅可抑制云纹，而且可减轻电极的宽度窄的部分与宽度宽的部分的透过率的差，抑制由透过率的差异所引起的条纹式样的产生，可提高视认性(金属细线不显眼)。

[0036] (3)可减少与导电膜连接的驱动IC的负荷。

[0037] 上述目的、特点及优点是根据参照附图来说明的以下实施形态的说明而容易了解。

附图说明

[0038] 图1是表示本实施形态的导电膜的一例的平面图。

[0039] 图2是将导电膜的一例省略一部分来表示的剖面图。

[0040] 图3A是表示透明导电层的图案例的平面图，图3B是表示单元的一例的平面图。

[0041] 图4A是表示在其中一个电极上排列有小单元尺寸的单元的例子的说明图，图4B是表示在另一个电极上排列有大单元尺寸的单元的例子的说明图。

[0042] 图5A～图5C是表示关于透明导电层的图案例的变形例的平面图。

[0043] 图6A～图6C是表示单元尺寸不一样的单元的形状的变形例的平面图。

[0044] 图7是表示具有由导电膜形成的层叠导电膜的触摸屏的构成的分解立体图。

[0045] 图8是将层叠导电膜省略一部分来表示的分解立体图。

[0046] 图9A是将层叠导电膜的一例省略一部分来表示的剖面图，图9B是将层叠导电膜的其他例省略一部分来表示的剖面图。

[0047] 图10A是表示实施例1的导电膜的透明导电层的图案例的平面图，图10B是表示实施例5的导电膜的透明导电层的图案例的平面图。

[0048] 图11A是表示比较例1的导电膜的透明导电层的图案例的平面图，图11B是表示比较例2的导电膜的透明导电层的图案例的平面图。

[0049] 图12A是表示比较例3的导电膜的透明导电层的图案例，特别是电极的一部分的图案例的平面图，图12B是表示比较例4的导电膜的透明导电层的图案例的平面图。

[0050] 符号的说明

[0051] 10：导电膜

[0052] 10A：第1导电膜

[0053] 10B：第2导电膜

[0054] 12：透明基体

[0055] 12A：第1透明基体

[0056] 12B：第2透明基体

[0057] 14：导电部

[0058] 14A：第1导电部

[0059] 14B：第2导电部

[0060] 16：金属细线

[0061] 18：透明导电层

[0062] 18A：第1透明导电层

[0063] 18B：第2透明导电层

[0064] 20：衬垫

[0065] 20A：第1衬垫

[0066] 20B：第2衬垫

[0067] 22：端子配线图案(配线)

[0068] 22A：第1端子配线图案

[0069] 22B：第2端子配线图案

[0070] 24：透明虚设层

[0071] 24A：第1透明虚设层

[0072] 24B：第2透明虚设层

[0073] 26：电极

[0074] 26a：宽度最窄的部分

[0075] 26b：宽度最宽的部分

[0076] 26c：宽度缓缓变窄的部分

[0077] 28：单元

[0078] 30：光透过部分

[0079] 50：层叠导电膜

[0080] 100：触摸屏

[0081] 102：传感器本体

[0082] 104：保护层

[0083] 108：显示装置

[0084] 110：显示面板

[0085] 110a：显示画面

[0086] 112：传感器部

[0087] 114：端子配线部

[0088] 116a：第1端子

[0089] 116b：第2端子

[0090] 118a：第1对准标记

[0091] 118b：第2对准标记

[0092] La、Lb、Ld：长度

[0093] Ls：单元尺寸

[0094] Lmax：最大电极宽度

[0095] Lmin：最小电极宽度

具体实施方式

[0096] 以下，参照图1～图12B来对使用本发明的导电膜的显示装置以及导电膜的实施形态例进行说明。此外，本说明书中表示数值范围的“～”是作为包含其前后所记载的数值作为下限值及上限值的含义来使用。

[0097] 如图1所示，本实施形态的导电膜包括导电部14，其形成于透明基体12(参照图2)的表面上。该导电部14包括由金属细线16形成的2个以上的透明导电层18、以及在各透明导电层18的端部经由衬垫(pad)20(连接部)而电性连接的端子配线图案22。此外，各透明导电层18上虽分别图示有轮廓线(实线)，但实际上不存在。在透明导电层18间，虽未详细图示，但与透明导电层18电性绝缘的透明虚设层24(以双点划线表示)同样地形成于透明基体12的表面上。透明虚设层24是以与透明导电层18同样的方式由金属细线16构成，是为了难以视认到透明导电层18而用于伪装(camouflage)的层。并不用作电极。当然，也可不形成透明虚设层24。

[0098] 例如如图3A所示，各透明导电层18具有在一方向(y方向)上延伸且多个电极26排列在一方向上的形状。各电极26的电极宽度根据位置而不固定，且包括由金属细线16形成的多个多角形的单元28(参照图1及图3B)。此外，图1中，将单元28的表示省略一部分来表示。另外，图1中，各透明导电层18上虽分别图示有轮廓线(实线)，但实际上不存在。另外，省略透明虚设层24的图示。

[0099] 而且，在将导电膜10用作触摸屏用导电膜的情况下，透明导电层18的金属细线16的线宽优选为0.1μm以上、15μm以下。更优选为1μm以上、9μm以下，尤其优选为2μm以上、7μm以下。透明导电层18的表面电阻优选为在0.1欧姆/平方～100欧姆/平方的范围内。下限值优选为1欧姆/平方以上、3欧姆/平方以上、5欧姆/平方以上、10欧姆/平方以上。上限值优选为70欧姆/平方以下、50欧姆/平方以下。

[0100] 如图3B所示，各单元28的尺寸(单元尺寸Ls)并不一样，单元28的平均单元尺寸Lsave(Lsave未图示)为电极26的最窄宽度Lmin的1/30以上且小于1/3。另外，电极26整体中，单元28的平均单元尺寸Lsave变得均匀。具体而言，各透明导电层18在y方向上带状地延伸，成为宽度最窄的部分26a以固定间隔出现的形状。电极26表示自其中一个宽度最宽的部分26b的中央部分起，夹隔着宽度最窄的部分26a而至另一个宽度最宽的部分26b的中央部分为止的区域。即，透明导电层18成为多个电极26在y方向上连接(串列连接)的形态。另外，各透明导电层18具有自宽度最宽的部分26b至宽度最窄的部分26a为止，宽度缓缓变窄的部分26c。此外，以下的说明中，将电极26中，宽度最宽的部分26b的宽度记作最大电极宽度Lmax，将宽度最窄的部分26a的宽度记作最小电极宽度Lmin。

[0101] 作为最大电极宽度Lmax，在将导电膜10用作触摸屏用导电膜的情况下，可选择人的手指的大小，特别是与触摸屏接近或接触的部分的宽度(通常为3mm～7mm)。最小电极宽度Lmin可选择0.5mm～6.0mm，优选为0.8mm～3.0mm，尤其优选为0.8mm～1.2mm。若最小电极宽度Lmin变得过小，则存在透明导电层18的电阻变高的顾虑。在该情况下，例如透明导电层18的时间常数变大，其结果为，手指接近或接触的位置(记作触摸位置)的探测精度劣化。相反，若最小电极宽度Lmin变得过大，则在应用于例如静电电容方式的触摸屏的情况下，由于人的手指接近或接触而引起的静电电容的变化相对变小，检测精度劣化。

[0102] 各单元28是由多角形构成。多角形可列举三角形、四角形(正方形、长方形、平行四边形、菱形等)、五角形、六角形等。另外，构成多角形的边的一部分也可包含曲线。另外，当将沿着与y方向正交的方向(表示最小电极宽度Lmin的方向：x方向)的长度设为单元尺寸Ls时，平均单元尺寸Lsave优选为最小电极宽度Lmin的1/30以上且小于1/3。尤其优选为1/10以上且小于1/3，更优选为1/5以上且小于1/3。若平均单元尺寸Lsave变得过小，则开口率以及透过率下降，随之，透明性劣化。相反，若单元28的平均单元尺寸Lsave变得过大，则开口率及透过率提高，但各电极26的电阻提高，触摸位置的探测精度劣化。另外，构成宽度最窄的部分26a的单元的个数根据位置而大幅度变化，因此各透明导电层18的电阻大幅度变化。因此，在驱动触摸屏的IC(驱动IC)中需要用于消除电阻或静电电容的不均的电路或运算处理，对驱动IC的负荷变大。

[0103] 构成单元28的一边的长度Ld虽也取决于相对于最小电极宽度Lmin的平均单元尺寸Lsave，但优选为100μm以上、800μm以下。尤其优选为100μm以上、400μm以下，更优选为150μm以上、300μm以下，最优选为210μm以上、250μm以下。由此，容易将平均单元尺寸Lsave设为最小电极宽度Lmin的1/30以上且小于1/3。

[0104] 另外，构成单元尺寸Ls不一样的单元28的一边的随机率优选为2％以上、20％以下，更优选为4％以上、10％以下。尤其优选为6％以上、8％以下。此处，所谓随机率，是指取出连续的30个单元，将各单元28的一边的长度Ld中的最大值设为Ldmax，将最小值设为Ldmin，且将平均值设为Ldave时，由下述(1)式及(2)式求出的值中的大值。

[0105] (Ldmax-Ldave)/Ldave×100  (1)

[0106] (Ldave-Ldmin)/Ldave×100  (2)

[0107] 而且，若随机率小于2％，则各单元28的单元尺寸Ls基本上成为一样，由多个单元28的排列所引起的云纹的抑制效果降低。相反，若随机率变得大于20％，则由于单元尺寸的偏差而产生不均，视认性恶化。例如图4A及图4B中，如宽度最窄的部分26a的图案所示，在其中一个电极26(参照图4A)中排列有小单元尺寸的单元28，在另一个电极26(参照图4B)中排列有大单元尺寸的单元28等。

[0108] 另外，本实施形态中，构成电极26整体的多个单元28的平均单元尺寸Lsave为均匀。具体而言是表示，例如如图3A所示，电极26中，构成自宽度最宽的部分26b至宽度缓缓变窄的部分26c为止的区域的多个单元28的平均单元尺寸Lsave、与构成宽度最窄的部分26a的多个单元28的平均单元尺寸Lsave的比为0.9～1.1。若脱离该范围，则在电极26内透过率产生差异，存在被视认为斑点式样(不均)的顾虑。

[0109] 进而，本实施形态中，单元尺寸Ls不一样的多个单元28的分散性(随机性)变得良好。具体而言，例如图10A所示，任意选择的3个电极(电极1～电极3)的各电阻(电阻1～电阻3)的电阻不均优选为小于10％，尤其优选为5％以下。

[0110] 此处，电阻不均可在任意选择的多个电极的各电阻值中，将最大值设为Rmax，将最小值设为Rmin，且将各电阻值的平均值设为Rave时，由下述式来求出。

[0111] 电阻不均(％)＝{(Rmax-Rmin)/Rave}×100

[0112] 图10A中表示关于相同的透明导电层18，选择在一方向上连续并排的3个电极的情况。由此，可对源自相同透明导电层18的探测信号的水平是根据触摸位置而线形地变化，还是非线形地变化进行评价。若电阻不均为上述优选范围，则根据触摸位置，探测信号的水平线形地变化，可提高驱动IC中的探测精度。此外，也可分别自其他的透明导电层18选择电极26。

[0113] 进而，本实施形态中，构成透明导电层18的多个单元28中，与衬垫20(连接部)连接的单元28的单元尺寸Ls变得相同。

[0114] 上述例子中，将透明导电层18的轮廓形状设为自宽度最宽的部分26b起至宽度最窄的部分26a为止具有宽度缓缓变窄的部分26c的形状。作为其他例子，可为如图5A所示，自宽度最宽的部分26b至宽度最窄的部分26a为止，宽度以阶梯状来变化的形状。或也可如图5B所示，将宽度最宽的部分26b的长度Lb(沿着透明导电层18的延伸方向的长度)与宽度最窄的部分26a的长度La设为相同。或也可如图5C所示，在宽度最宽的部分26b的中央设置多角形状(例如菱形状)的光透过部分30。

[0115] 另外，单元尺寸Ls不一样的单元28的形状除了上述正方形以外，也可为如图6A所示，各边随机变化的六角形。也可为如图6B所示，弯曲部的形状以及长度随机变化的弯曲形状。如图6C所示，还可为尺寸不同的四角形及五角形随机配置的形状。

[0116] 继而，参照图7～图9B来对使用上述导电膜10的触摸屏100进行说明。

[0117] 触摸屏100包括传感器本体102及未图示的控制电路(包括驱动IC等)。如图7、图8及图9A所示，传感器本体102包括：层叠导电膜50，其是将由上述导电膜10形成的第1导电膜10A与第2导电膜10B层叠而构成；以及保护层104，其层叠于上述层叠导电膜50上。此外，图
9A中省略保护层104的记述。层叠导电膜50及保护层104配置于例如液晶显示器等的显示装置108中的显示面板110上。自上表面察看时，传感器本体102包括：传感器部112，其配置于与显示面板110的显示画面110a对应的区域；以及端子配线部114(所谓边缘)，其配置于与显示面板110的外周部分对应的区域。

[0118] 如图7、图8及图9A所示，应用于触摸屏100上的第1导电膜10A包括第1导电部14A，其形成于第1透明基体12A的一个主面上。该第1导电部14A具有与上述导电膜10的导电部14大致相同的构成，因此省略其重复说明，多个第1透明导电层18A分别在y方向上延伸而形成。此外，各第1透明导电层18A上虽分别图示有轮廓线(实线)，但实际上不存在。另外，在第1透明导电层18A间，虽未详细图示，但与第1透明导电层18A电性绝缘的第1透明虚设层24A(以双点划线表示)同样形成于第1透明基体12A的表面上。当然，也可不形成第1透明虚设层
24A。

[0119] 如图8所示，第1导电膜10A在与传感器部112对应的部分，排列有上述多个第1透明导电层18A。在端子配线部114，排列有由自各第1衬垫20A导出的金属细线形成的多个第1端子配线图案22A。

[0120] 图7的例子中，自上表面查看，第1导电膜10A的外形具有长方形状，传感器部112的外形也具有长方形状。端子配线部114中，在第1导电膜10A的其中一个长边侧的周缘部，在其长度方向中央部分，多个第1端子116a排列形成于上述其中一个长边的长度方向上。另外，沿着传感器部112的其中一个长边(与第1导电膜10A的其中一个长边最近的长边：x方向)，以直线状排列有多个第1衬垫20A。自各第1衬垫20A导出的第1端子配线图案22A朝向第1导电膜10A的其中一个长边中的大致中央部而引伸，分别与对应的第1端子116a电性连接。
因此，和与传感器部112中的其中一个长边的两侧对应的各第1衬垫20A连接的第1端子配线图案22A以大致相同的长度来引伸。当然，也可将第1端子116a形成于第1导电膜10A的角隅部或其附近。但是，多个第1端子配线图案22A中，在最长的第1端子配线图案22A与最短的第
1端子配线图案22A之间产生长度上的大差异。其结果为，存在向与最长的第1端子配线图案
22A及其附近的多个第1端子配线图案22A对应的第1导电膜10A的信号传递变慢的问题。因此，如本实施形态所示，通过在第1导电膜10A的其中一个长边的长度方向中央部分形成第1端子116a，可抑制局部的信号传递的延迟。这与响应速度的高速化相关。

[0121] 另一方面，如图7、图8及图9A所示，第2导电膜10B包括第2导电部14B，其形成于第2透明基体12B的一个主面上。关于该第2导电部14B，还由于具有与上述导电膜10的导电部14大致相同的构成，故而省略其重复说明。第2导电部14B的多个第2透明导电层18B分别在x方向延伸而形成。此外，图8中，将单元28的表示省略一部分来表示。另外，各第2透明导电层18B上虽分别图示有轮廓线(实线)，但实际上不存在。在第2透明导电层18B间，虽未详细图示，但与第2透明导电层18B电性绝缘的第2透明虚设层24B(以双点划线表示)同样形成于第
2透明基体12B的表面上。当然，也可不形成第2透明虚设层24B。

[0122] 每隔1个放置(例如奇数编号)的各第2透明导电层18B的其中一个端部、以及偶数编号的各第2透明导电层18B的另一个端部分别经由第2衬垫20B而与由金属细线形成的第2端子配线图案22B电性连接。而且，在与传感器部112对应的部分排列有多个第2透明导电层18B，且在端子配线部114排列有自各第2衬垫20B导出的多个第2端子配线图案22B。

[0123] 如图7所示，端子配线部114中，在第2导电膜10B的其中一个长边侧的周缘部，在其长度方向中央部分，多个第2端子116b排列形成于上述其中一个长边的长度方向上。另外，沿着传感器部112的其中一个短边(与第2导电膜10B的其中一个短边最近的短边：y方向)，以直线状排列有多个第2衬垫20B(例如奇数编号的第2衬垫20B)。沿着传感器部112的另一个短边(与第2导电膜10B的另一个短边最近的短边：y方向)，以直线状排列有多个第2衬垫20B(例如偶数编号的第2衬垫20B)。

[0124] 多个第2透明导电层18B中，例如奇数编号的第2透明导电层18B分别与对应的奇数编号的第2衬垫20B连接。偶数编号的第2透明导电层18B分别与对应的偶数编号的第2衬垫20B连接。自奇数编号以及偶数编号的第2衬垫20B分别导出的第2端子配线图案22B朝向第2导电膜10B的其中一个长边中的大致中央部引伸，分别与对应的第2端子116b电性连接。因此，例如第1个与第2个第2端子配线图案22B以大致相同的长度引伸。以下同样，第2n-1个与第2n个第2端子配线图案22B分别以大致相同的长度引伸(n＝1、2、3...)。

[0125] 当然，也可将第2端子116b形成于第2导电膜10B的角隅部或其附近。但是，如上所述，存在向与最长的第2端子配线图案22B及其附近的多个第2端子配线图案22B对应的第2导电膜10B的信号传递变慢的问题。因此，如本实施形态所示，通过在第2导电膜10B的其中一个长边的长度方向中央部分形成第2端子116b，可抑制局部的信号传递的延迟。这与响应速度的高速化相关。

[0126] 此外，也可将第1端子配线图案22A的导出形态设为与上述第2端子配线图案22B相同，且将第2端子配线图案22B的导出形态设为与上述第1端子配线图案22A相同。

[0127] 而且，在将第1导电膜10A与第2导电膜10B重叠而制成层叠导电膜50的情况下，例如以第1透明导电层18A的延伸方向成为y方向的方式将第1导电膜10A定位。以第2透明导电层18B的延伸方向成为x方向的方式将第2导电膜10B定位。然后，只要使第1透明导电层18A的宽度最窄的部分26a、与第2透明导电层18B的宽度最窄的部分26a对向而层叠即可。

[0128] 此外，第2导电膜10B的第2透明导电层18B的形状可如上所述，设为与第1透明导电层18A相同的形状，但也可设为电极宽度固定的带状图案。在该情况下，电极宽度可与第1透明导电层18A的最小电极宽度Lmin一致，也可与最大电极宽度Lmax一致。

[0129] 在将该层叠导电膜50用作触摸屏的情况下，在第1导电膜10A上形成保护层104。将自第1导电膜10A导出的多个第1端子配线图案22A、以及自第2透明导电层18B导出的多个第2端子配线图案22B与例如控制扫描的驱动IC连接。

[0130] 触摸位置的检测方式优选为可采用自电容(self-capacitance)方式或互电容(mutual capacitance)方式。即，若为自电容方式，则对第1导电膜10A依次供给用于触摸位置检测的电压信号，且对第2导电膜10B依次供给用于触摸位置检测的电压信号。通过使指尖与保护层104的上表面接触或接近，与触摸位置对向的第1透明导电层18A以及第2透明导电层18B与地面(ground，GND)间的电容增加。由此，源自该第1透明导电层18A以及第2透明导电层18B的传递信号的波形成为与源自其他透明导电层的传递信号的波形不同的波形。因此，驱动IC中，基于由第1透明导电层18A以及第2透明导电层18B供给的传递信号来运算触摸位置。

[0131] 另一方面，在互电容方式的情况下，例如对第1透明导电层18A依次供给用于触摸位置检测的电压信号，且对第2透明导电层18B依次进行感测(sensing)(传递信号的检测)。通过使指尖与保护层104的上表面接触或接近，对在和触摸位置对向的第1透明导电层18A与第2透明导电层18B间的寄生电容(parasitic capacitance)，并列地施加手指的杂散电容(stray capacitance)。由此，源自该第2透明导电层18B的传递信号的波形成为与源自其他第2透明导电层18B的传递信号的波形不同的波形。因此，驱动IC中，基于供给电压信号的第1透明导电层18A的顺序、以及所供给的源自第2透明导电层18B的传递信号来运算触摸位置。

[0132] 通过采用如上所述的自电容方式或者互电容方式的触摸位置的检测方法，即便在保护层104的上表面同时接触或接近2个指尖，也可检测出各触摸位置。此外，与投影型静电电容方式的检测电路有关的现有技术文献有：美国专利第4,582,955号说明书、美国专利第4,686,332号说明书、美国专利第4,733,222号说明书、美国专利第5,374,787号说明书、美国专利第5,543,588号说明书、美国专利第7,030,860号说明书、美国专利申请公开2004/
0155871号说明书等。

[0133] 上述层叠导电膜50中，如图8及图9A所示，在第1透明基体12A的一个主面形成第1导电部14A，且在第2透明基体12B的一个主面形成第2导电部14B。作为其他例子，也可如图9B所示，在透明基体12的一个主面形成第1导电部14A，且在透明基体12的另一主面形成第2导电部14B。在该情况下成为如下形态：第2透明基体12B不存在，在第2导电部14B上层叠有透明基体12，且在透明基体12上层叠有第1导电部14A。另外，在第1导电膜10A与第2导电膜
10B之间也可存在其他层，若第1导电部14A与第2导电部14B为绝缘状态，则该第1导电部14A与第2导电部14B也可对向配置。

[0134] 优选为如图7所示，在第1导电膜10A与第2导电膜10B的例如各角隅部，形成在第1导电膜10A与第2导电膜10B贴合时所使用的定位用第1对准标记118a以及第2对准标记118b。在将第1导电膜10A与第2导电膜10B贴合而制成层叠导电膜50的情况下，该第1对准标记118a以及第2对准标记118b成为新的复合对准标记。该复合对准标记也发挥将该层叠导电膜50设置于显示面板110上时所使用的定位用对准标记的功能。

[0135] 上述例子中，已示出将第1导电膜10A以及第2导电膜10B应用于投影型静电电容方式的触摸屏100的例子，但除此以外，也可应用于表面型静电电容方式的触摸屏、或电阻膜式的触摸屏。

[0136] 此外，上述本实施形态的导电膜10除了用作显示装置108的触摸屏用导电膜以外，还可用作显示装置108的电磁屏蔽膜、或设置于显示装置108的显示面板110上的光学膜。显示装置108可列举液晶显示器、等离子体显示器、有机电致发光(electrolumineseence，EL)、无机EL等。

[0137] 继而，对导电膜10的制造方法进行说明。作为制造导电膜10的第1方法，例如将在透明基体12上具有含有感光性卤化银盐的乳剂层的感光材料进行曝光，实施显影处理。由此，在曝光部及未曝光部分别形成金属银部及光透过性部来形成导电部14。此外，也可进而对金属银部实施物理显影和/或镀敷处理，而使金属银部担载导电性金属。

[0138] 第2方法是在透明基体12上，使用镀敷前处理材料来形成感光性被镀敷层，然后，在进行曝光、显影处理后实施镀敷处理。由此，在曝光部及未曝光部分别形成金属部及光透过性部来形成导电部14。也可进而对金属部实施物理显影和/或镀敷处理，而使金属部担载导电性金属。

[0139] 使用镀敷前处理材料的方法(第2方法)的尤其优选形态可列举如下的2种形态。此外，下述更具体的内容揭示于日本专利特开2003-213437号公报、日本专利特开2006-64923号公报、日本专利特开2006-58797号公报、日本专利特开2006-135271号公报等中。

[0140] (a)在透明基体12上涂布包含与镀敷催化剂或其前驱体相互作用的官能基的被镀敷层。然后，在进行曝光·显影后进行镀敷处理，而使金属部形成于被镀敷材料上。

[0141] (b)在透明基体12上依次层叠包含聚合物及金属氧化物的基底层、以及包含与镀敷催化剂或其前驱体相互作用的官能基的被镀敷层。然后，在进行曝光·显影后进行镀敷处理，而使金属部形成于被镀敷材料上。

[0142] 第3方法是将形成于透明基体12上的金属箔上的光阻膜进行曝光、显影处理而形成抗蚀剂图案。将自抗蚀剂图案中露出的铜箔进行蚀刻，形成导电部14。

[0143] 第4方法是在透明基体12上印刷包含金属微粒子的膏。然后，对膏进行金属镀敷，由此形成网目图案。

[0144] 第5方法是在透明基体12上，利用网版印刷版或者凹版印刷版而印刷形成网目图案。

[0145] 第6方法是在透明基体12上，利用喷墨而形成导电部14。

[0146] 继而，本实施形态的导电膜10中，以作为特别优选的态样的使用卤化银照片感光材料的方法为中心来进行说明。

[0147] 本实施形态的导电膜10的制造方法根据感光材料及显影处理的形态，包含以下3种形态。

[0148] (1)将不含物理显影核的感光性卤化银黑白感光材料进行化学显影或热显影，使金属银部形成于该感光材料上。

[0149] (2)将在卤化银乳剂层中包含物理显影核的感光性卤化银黑白感光材料进行溶解物理显影，使金属银部形成于该感光材料上。

[0150] (3)将不含物理显影核的感光性卤化银黑白感光材料、与具有包含物理显影核的非感光性层的显像片重叠来进行扩散转印显影，使金属银部形成于非感光性显像片上。

[0151] 上述(1)的态样为一体型黑白显影类型，在感光材料上形成光透过性导电膜等透光性导电性膜。所得的显影银为化学显影银或者热显影银，就作为高比表面积(specific surface)的长丝(filament)的方面而言，在后续的镀敷或物理显影过程中活性高。

[0152] 上述(2)的态样通过在曝光部，将物理显影核近缘的卤化银粒子溶解并沉积于显影核上，而在感光材料上形成光透过性导电性膜等透光性导电性膜。其也为一体型黑白显影类型。由于在物理显影核上的析出，故而显影作用为高活性，但显影银为比表面积小的球形。

[0153] 上述(3)的态样通过在未曝光部，将卤化银粒子溶解扩散而沉积于显像片上的显影核上，从而在显像片上形成光透过性导电性膜等透光性导电性膜。上述(3)的态样为所谓的分隔(separate)类型，是将显像片自感光材料上剥离来使用的态样。

[0154] 任一态样均可选择负型显影处理以及反转显影处理的任一种显影。在扩散转印方式的情况下，可通过使用直接正型(autopositive)感光材料作为感光材料来进行负型显影处理。

[0155] 此处所谓的化学显影、热显影、溶解物理显影、扩散转印显影是指如业界通常使用的用语所述的含义。即，在照片化学(Shashin Kagaku Co.Ltd.)的一般教科书，例如菊地真一着的“照片化学”(共立出版公司，1955年发行)、C.E.K.Mees编的“摄影过程理论第四版(The Theory of Photographic Processes，4th ed.)”(麦克米伦(Mcmillan)公司，1977年刊行)中进行解说。本申请虽为液处理的发明，但也可以应用热显影方式作为其他显影方式的技术作为参考。例如，可应用日本专利特开2004-184693号、日本专利特开2004-334077号、日本专利特开2005-010752号的各公报、日本专利特愿2004-244080号、日本专利特愿2004-085655号的各说明书中记载的技术。

[0156] 此处，以下对本实施形态的导电膜10的各层的构成进行详细说明。

[0157] [透明基体12]

[0158] 透明基体12可列举塑料膜、塑料板、玻璃板等。上述塑料膜及塑料板的原料例如可使用：聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate，PEN)等聚酯类；三乙酰纤维素(triacetyl cellulose，TAC)、聚碳酸酯、环状烯烃(cyclic olefin polymer，COP)等。透明基体12优选为熔点约为290℃以下的塑料膜、或者塑料板。尤其就光透过性或加工性等观点而言，优选为PET。

[0159] [银盐乳剂层]

[0160] 成为导电膜10的金属细线16的银盐乳剂层除了含有银盐及粘合剂以外，还含有溶剂或染料等添加剂。

[0161] 本实施形态中使用的银盐可列举卤化银等无机银盐以及乙酸银等有机银盐。本实施形态中，优选为使用作为光传感器的特性优异的卤化银。

[0162] 银盐乳剂层的涂布银量(银盐的涂布量)换算为银，优选为1g/m2～30g/m2，更优选为1g/m2～25g/m2，尤其优选为5g/m2～20g/m2。通过将该涂布银量设为上述范围，在制成导电膜10的情况下可获得所需的表面电阻。

[0163] 本实施形态中使用的粘合剂例如可列举：明胶(gelatine)、聚乙烯醇(polyvinyl alcohol，PVA)、聚乙烯吡咯烷酮(polyvinyl pyrrolidone，PVP)、淀粉等多糖类、纤维素及其衍生物、聚环氧乙烷、聚乙烯基胺、脱乙酰壳多糖(chitosan)、聚赖氨酸(polylysine)、聚丙烯酸、聚海藻酸(polyalginic acid)、聚透明质酸(polyhyaluronic acid)、羧基纤维素等。这些粘合剂通过官能基的离子性而具有中性、阴离子性、阳离子性的性质。

[0164] 本实施形态的银盐乳剂层中所含的粘合剂的含量并无特别限定，可在能够发挥分散性及密接性的范围内适当决定。银盐乳剂层中的粘合剂的含量以银/粘合剂体积比计，优选为1/4以上，更优选为1/2以上。银/粘合剂体积比优选为100/1以下，更优选为50/1以下。另外，银/粘合剂体积比尤其优选为1/1～4/1。最优选为1/1～3/1。通过将银盐乳剂层中的银/粘合剂体积比设为该范围，在调整涂布银量的情况下也可抑制电阻值的不均。其结果为，可获得具有均匀的表面电阻的导电膜10。此外，银/粘合剂体积比可通过将原料的卤化银量/粘合剂量(重量比)转变为银量/粘合剂量(重量比)，进而，将银量/粘合剂量(重量比)转变为银量/粘合剂量(体积比)而求出。

[0165] <溶剂>

[0166] 用于形成银盐乳剂层的溶剂并无特别限定，例如可列举：水、有机溶剂(例如：甲醇等醇类、丙酮等酮类、甲酰胺等酰胺类、二甲基亚砜等亚砜类、乙酸乙酯等酯类、醚类等)、离子性液体、以及这些溶剂的混合溶剂。

[0167] <其他添加剂>

[0168] 本实施形态中使用的各种添加剂并无特别限制，优选为可使用公知的添加剂。

[0169] [其他的层构成]

[0170] 也可在银盐乳剂层上设置未图示的保护层。另外，也可在较银盐乳剂层更下方设置例如底涂层。

[0171] 继而，对导电膜10的制作方法的各步骤进行说明。

[0172] [曝光]

[0173] 本实施形态中，虽包括通过印刷方式来形成导电部14的情况，但除了印刷方式以外，还通过曝光及显影等来形成导电部14。即，对具有设置于透明基体12上的含银盐层的感光材料或者涂布有光刻(photolithography)用光聚合物(photopolymer)的感光材料进行曝光。可使用电磁波来进行曝光。电磁波例如可列举可见光线、紫外线等光，X射线等放射线等。进而，曝光时可利用具有波长分布的光源，也可使用特定波长的光源。

[0174] [显影处理]

[0175] 本实施形态中，将乳剂层进行曝光后，进而进行显影处理。显影处理可使用银盐照相胶片(photographic film)或感光纸(photographic paper)、印刷制版用膜、光掩模用乳胶掩模(emulsion mask)等中使用的通常的显影处理的技术。本发明中的显影处理可包含出于将未曝光部分的银盐去除而使其稳定化的目的来进行定影处理。本发明中的定影处理可使用银盐照相胶片或感光纸、印刷制版用膜、光掩模用乳胶掩模等中使用的定影处理的技术。

[0176] 实施了显影、定影处理的感光材料优选为实施水洗处理或稳定化处理。

[0177] 相对于曝光前的曝光部中所含的银的质量，显影处理后的曝光部中所含的金属银部的质量优选为50质量％以上的含有率，尤其优选为80质量％以上。若相对于曝光前的曝光部中所含的银的质量，曝光部中所含的银的质量为50质量％以上，则可获得高导电性，因此优选。

[0178] 经过以上的步骤而获得导电膜10。对于显影处理后的导电膜10，还可进而进行压延处理(calender process)。通过压延处理，可将各透明导电层的表面电阻调整为所需的表面电阻(0.1欧姆/平方～100欧姆/平方的范围)。

[0179] [物理显影及镀敷处理]

[0180] 本实施形态中，出于提高利用上述曝光及显影处理而形成的金属银部的导电性的目的，也可进行用于使上述金属银部担载导电性金属粒子的物理显影和/或镀敷处理。本发明中，可仅利用物理显影或镀敷处理的任一种处理而使导电性金属粒子担载于金属银部上，也可将物理显影与镀敷处理加以组合而使导电性金属粒子担载于金属银部上。此外，包括对金属银部实施了物理显影和/或镀敷处理而得的在内，称为“导电性金属部”。

[0181] 本实施形态中的所谓“物理显影”，是指在金属或金属化合物的核上，利用还原剂将银离子等金属离子进行还原而使金属粒子析出。该物理现象被用于瞬时黑白胶片(instant black and white film)、瞬时幻灯胶片(instant slide film)或印刷版制造等，本发明中可使用该技术。另外，物理显影可与曝光后的显影处理同时进行，也可在显影处理后另外进行。

[0182] 本实施形态中，镀敷处理可使用无电电镀(化学还原镀敷或置换镀敷)、电镀、或者无电电镀与电镀这两个。本实施形态中的无电电镀可使用公知的无电电镀技术，例如可使用印刷配线板等中使用的无电电镀技术，无电电镀优选为无电镀铜(electroless copper plating)。

[0183] [氧化处理]

[0184] 本实施形态中，优选为对显影处理后的金属银部、以及利用物理显影和/或镀敷处理而形成的导电性金属部实施氧化处理。通过进行氧化处理，例如于在光透过性部沉积有少量金属的情况下，可将该金属去除而将光透过性部的透过性设为大致100％。

[0185] [导电性金属部]

[0186] 本实施形态的导电性金属部的线宽(金属细线16的线宽)可自30μm以下选择。在使用导电膜10作为触摸屏的情况下，金属细线16的线宽优选为0.1μm以上、15μm以下。更优选为1μm以上、9μm以下，尤其优选为2μm以上、7μm以下。在线宽小于上述下限值的情况下，导电性变得不充分，因此在用于触摸屏的情况下，检测感度变得不充分。另一方面，若超过上述上限值，则由导电性金属部引起的云纹变得显著，或当用于触摸屏时视认性变差。此外，通过在上述范围内，导电性金属部的云纹得到改善，视认性变得特别良好。单元的一边的长度优选为100μm以上、800μm以下。尤其优选为100μm以上、400μm以下，更优选为150μm以上、300μm以下，最优选为210μm以上、250μm以下。另外，出于接地等目的，导电性金属部可具有线宽比200μm宽的部分。

[0187] 就可见光透过率的方面而言，本实施形态中的导电性金属部的开口率优选为80％以上。尤其优选为85％以上，最优选为90％以上。所谓开口率，是指除金属细线之外的透光性部分在整体中所占的比例。

[0188] [光透过性部]

[0189] 本实施形态中的所谓“光透过性部”，是指导电膜10中导电性金属部以外的具有透光性的部分。关于曝光方法，优选为隔着玻璃掩模的方法或利用激光描画的图案曝光方式。

[0190] [导电膜10]

[0191] 本实施形态的导电膜10中的透明基体12的厚度优选为5μm～350μm，尤其优选为30μm～150μm。若为5μm～350μm的范围，则获得所需的可见光的透过率，且操作也容易。

[0192] 设置于透明基体12上的金属银部的厚度可根据涂布于透明基体12上的含银盐层用涂料的涂布厚度来适当决定。金属银部的厚度可自0.001mm～0.2mm中选择，优选为30μm以下，更优选为20μm以下。尤其优选为0.01μm～9μm，最优选为0.05μm～5μm。另外，金属银部优选为图案状。金属银部可为1层，也可为2层以上的多层构成。在金属银部为图案状，且为2层以上的多层构成的情况下，为了可对不同的波长感光，可赋予不同的感色性。由此，若改变曝光波长来曝光，则可在各层中形成不同的图案。

[0193] 作为触摸屏100的用途，导电性金属部的厚度越薄，显示面板110的视角越广，因此优选，就视认性提高的方面而言也要求薄膜化。就此种观点而言，包含担载于导电性金属部的导电性金属的层的厚度优选为小于9μm。更优选为0.1μm以上且小于5μm，尤其优选为0.1μm以上且小于3μm。

[0194] 本实施形态中，可通过控制上述含银盐层的涂布厚度来形成所需厚度的金属银部，进而可利用物理显影和/或镀敷处理来自由地控制包含导电性金属粒子的层的厚度。因此，即便是具有小于5μm、优选为小于3μm的厚度的导电膜，也可容易地形成。

[0195] 此外，本实施形态的导电膜10的制造方法中，未必需要进行镀敷等步骤。其原因在于，本实施形态的导电膜10的制造方法中，可通过调整银盐乳剂层的涂布银量、银/粘合剂体积比而获得所需的表面电阻。此外，也可视需要来进行压延处理等。

[0196] (显影处理后的硬膜处理)

[0197] 优选为在对银盐乳剂层进行显影处理后，浸渍于硬膜剂中来进行硬膜处理。硬膜剂例如可列举：戊二醛(glutaraldehyde)、己二醛(adipaldehyde)、2，3-二羟基-1，4-二噁烷等二醛类以及硼酸等日本专利特开平2-141279号公报中记载的硬膜剂。

[0198] 本实施形态的导电膜10上，也可赋予抗反射层或硬涂层等功能层。

[0199] [压延处理]

[0200] 也可对显影处理完毕的金属银部实施压延处理而平滑化。由此，金属银部的导电性显著增大。压延处理可利用压延辊来进行。压延辊通常包含一对辊。

[0201] 作为压延处理中使用的辊，使用环氧、聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰亚胺酰胺等塑料辊或者金属辊。尤其于在两面具有乳剂层的情况下，优选为利用金属辊彼此来进行处理。于在单面具有乳剂层的情况下，就防止皱褶的方面而言，也可设为金属辊与塑料辊的组合。线压力的上限值为1960N/cm(200kgf/cm，若换算为面压，则为699.4kgf/cm2)以上，尤其优选为2940N/cm(300kgf/cm，若换算为面压，则为935.8kgf/cm2)以上。线压力的上限值为6880N/cm(700kgf/cm)以下。

[0202] 由压延辊所代表的平滑化处理的应用温度优选为10℃(无温度调整)～100℃。更优选的温度根据金属网目图案或金属配线图案的扫描密度或形状、粘合剂种类而不同，但大致在10℃(无温度调整)～50℃的范围内。

[0203] 此外，本发明可与下述表1及表2中记载的公开公报以及国际公开小册子的技术适当组合来使用。“日本专利特开”、“号公报”、“号小册子”等表述省略。

[0204] [表1]

[0205]

[0206] [表2]

[0207]

[0208] [实施例]

[0209] 以下，列举本发明的实施例来对本发明进一步进行具体说明。此外，以下的实施例中所示的材料、使用量、比例、处理内容、处理程序等只要不脱离本发明的主旨，则可适当变更。因此，本发明的范围并不由以下所示的具体例来作限定性解释。

[0210] 该实施例中，对于实施例1～实施例8及比较例1～比较例4的导电膜，评价云纹(moire)的改良效果、视认性、随机性及开口率。将评价结果示于后述的表3中。

[0211] <实施例1～实施例8、比较例1～比较例4>

[0212] (卤化银感光材料)

[0213] 制备相对于水介质中的Ag 150g而包含明胶10.0g，且含有球相当直径平均为0.1μm的碘溴氯化银粒子(I＝0.2摩尔％、Br＝40摩尔％)的乳剂。

[0214] 另外，在该乳剂中，以浓度成为10-7(摩尔/摩尔银)的方式添加K3Rh2Br9以及K2IrCl6，在溴化银粒子中掺杂铑(Rh)离子及铱(Ir)离子。在该乳剂中添加Na2PdCl4，进而使用氯金酸及硫代硫酸钠来进行金硫增感。然后，与明胶硬膜剂一起，以银的涂布量成为10g/m2的方式涂布于透明基体(此处，均为聚对苯二甲酸乙二酯(PET))上，获得卤化银感光材料。此时，Ag/明胶体积比设为2/1。

[0215] (曝光)

[0216] 以对实施例1～实施例8、比较例1～比较例4分别决定的曝光图案，对卤化银感光材料进行曝光。作为曝光，隔着上述图案的光掩模，使用将高压水银灯作为光源的平行光来进行曝光。

[0217] (显影处理)

[0218] ·显影液1L配方

[0219]

[0220] ·定影液1L配方

[0221]

[0222] 使用上述处理剂，利用富士胶片(Fujifilm)公司制造的自动显影机FG-710PTS，以如下处理条件对曝光完毕的感材进行处理：在35℃下进行30秒显影，在34℃下进行23秒定影，以流水(5升/分钟)进行20秒水洗。

[0223] (实施例1：图10A)

[0224] 如图10A所示，1个单元28的形状为正方形，构成单元28的金属细线16的线宽为5μm，1个单元28的电阻率为4.16×10-7欧姆/平方，平均单元尺寸Lsave为212.1μm。单元28的一边的长度Ld平均为150μm，随机率为8％，以连续一样的分布来选择138μm～162μm。透明导电层18的最大电极宽度Lmax为1.6mm，最小电极宽度Lmin为1.0mm。因此，平均单元尺寸Lsave为最小电极宽度Lmin的1/4.71。此外，在透明导电层18上虽图示有轮廓线(实线)，但实际上不存在。以下相同。

[0225] 以如下方式求出平均单元尺寸。即，如图10A所示，取得在一方向上连续并排的3个电极(电极1～电极3)的扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope，SEM)图像。根据SEM图像，利用图像处理来求出3个电极的全部单元尺寸，从而算出其合计值，将该合计值除以单元的个数来求出平均单元尺寸。以如下方式求出最小电极宽度。即，根据上述3个电极的SEM图像，利用图像处理来求出全部最小电极宽度而算出其合计值。将该合计值除以电极的数量(在该情况下为3个)来求出最小电极宽度。该算出方法在以下所示的实施例2～实施例8、比较例1～比较例4中也相同。

[0226] 以下的说明中，将自宽度最宽的部分26b至宽度缓缓变窄的部分26c为止的区域记作“特定区域”。

[0227] 构成上述特定区域的多个单元28的平均单元尺寸Lsave、与构成宽度最窄的部分26a的多个单元28的平均单元尺寸Lsave的比(表3中表述为“平均单元尺寸的比”)为0.9～
1.1的范围。

[0228] 该情况下，根据在一方向上连续并排的3个电极(电极1～电极3)的SEM图像，利用图像处理及平均值计算来求出构成上述特定区域的多个单元28的平均单元尺寸Lsave、与构成宽度最窄的部分26a的多个单元28的平均单元尺寸Lsave，求出上述平均单元尺寸的比。

[0229] (实施例2)

[0230] 在平均单元尺寸Lsave为200.0μm，且为最小电极宽度Lmin的1/5的方面与实施例1不同。单元28的一边的长度Ld的标准长度为141μm，随机率为8％，以连续一样的分布来选择130μm～152μm。

[0231] (实施例3)

[0232] 在平均单元尺寸Lsave为100.0μm，且为最小电极宽度Lmin的1/10的方面与实施例1不同。单元28的一边的长度Ld的标准长度为71μm，随机率为8％，以连续一样的分布来选择
65μm～77μm。

[0233] (实施例4)

[0234] 在随机率为10％的方面与实施例1不同。因此，单元28的一边的长度Ld是以连续一样的分布来选择135μm～165μm。

[0235] (实施例5)

[0236] 如图10B(缩尺与图10A不同)所示，在随机率为20％的方面与实施例1不同。因此，单元28的一边的长度Ld是以连续一样的分布来选择120μm～180μm。

[0237] (实施例6)

[0238] 在随机率为2％的方面与实施例1不同。因此，单元28的一边的长度Ld是以连续一样的分布来选择147μm～153μm。

[0239] (实施例7)

[0240] 在随机率为25％的方面与实施例1不同。因此，单元28的一边的长度Ld是以连续一样的分布来选择113μm～187μm。

[0241] (实施例8)

[0242] 在随机率为1％的方面与实施例1不同。因此，单元28的一边的长度Ld是以连续一样的分布来选择149μm～151μm。

[0243] (比较例1)

[0244] 如图11A所示，在随机率为0％，且单元尺寸Ls一样的方面与实施例1不同。

[0245] (比较例2)

[0246] 与实施例1不同的方面如以下所述。如图11B(缩尺与图11A不同)所示，构成上述特定区域的多个单元28的平均单元尺寸Lsave为212.1μm。构成宽度最窄的部分26a的多个单元28的平均单元尺寸Lsave为282.8μm。表3中表述为“212.1(282.8)”。这些Lsave的比(平均单元尺寸的比)为1.33。平均单元尺寸Lsave(在该情况下为宽度最窄的部分26a的平均单元尺寸)为最小电极宽度Lmin的1/3.54。

[0247] (比较例3)

[0248] 如图12A中表示电极26的一部分，在平均单元尺寸Lsave为28.3μm，且为最小电极宽度Lmin的1/35.3的方面与实施例1不同。

[0249] (比较例4)

[0250] 如图12B所示，平均单元尺寸Lsave为353.5μm，且为最小电极宽度Lmin的1/2.8的方面与实施例1不同。

[0251] [评价]

[0252] (开口率的算出)

[0253] 为了确认透明性的优劣，对于实施例1～实施例8以及比较例1～比较例4，使用分光光度计来分别测定导电膜10的透过率，进而通过比例计算来算出开口率。

[0254] (视认性的评价)

[0255] 对于实施例1～实施例8以及比较例1～比较例4，将导电膜10贴附于显示装置108的显示面板110上后，驱动显示装置108而使其显示白色。此时，以肉眼来确认是否无粗线或黑色斑点，另外，斑点式样等是否显眼。以“A”、“B”、“C”的顺序来表示视认性优异，在该情况下“A”表示视认性最优异。

[0256] (云纹的评价)

[0257] 对在实施例1～实施例8以及比较例1～比较例4，将导电膜10贴附在显示装置108的显示面板110上后，将显示装置108设置于旋转盘上，驱动显示装置108而使其显示白色。在该状态下，使旋转盘在偏角-20°～+20°之间旋转，进行云纹的目视观察·评价。

[0258] 自显示装置108的显示画面，以观察距离0.5m进行云纹的评价，将云纹未显在化的情况评价为α，将云纹为无问题的水平且仅看到些许的情况评价为β，将云纹显在化的情况评价为γ。并且，作为综合评点，将成为α的角度范围为10°以上的情况评价为A，将成为α的角度范围小于10°的情况评价为B，将成为α的角度范围不存在，而成为γ的角度范围小于30°的情况评价为C，将成为α的角度范围不存在，而成为γ的角度范围为30°以上的情况评价为D。

[0259] (随机性的评价)

[0260] 如图10A～图11B、图12B等所示，于在一方向上连续并排的3个电极(电极1～电极3)的端部中央分别放置直径为0.2mm的导体(导体a～导体d)。然后，测定导体a及导体b间的电阻1、导体b及导体c间的电阻2、导体c及导体d间的电阻3。而且，3个电极的各电阻值中，将最大值设为Rmax，将最小值设为Rmin，且将各电阻值的平均值设为Rave，由下述式来求出电阻不均。

[0261] 电阻不均(％)＝{(Rmax-Rmin)/Rave}×100

[0262] 将该电阻不均作为随机性的评价。电阻不均越低，表示随机性越良好。

[0263] [表3]

[0264]

[0265] 根据表3，实施例1～实施例4及实施例6的云纹改良效果均为B评价(良好)，视认性也良好。另外，电阻不均也为5.0％以下，为良好，开口率也为90％以上。实施例5的云纹改良效果为A评价，最良好。但，由于随机率为20％，故而与其他的实施例相比，网目状的斑稍微显眼。这对电阻不均也会带来影响，较其他实施例而言不均稍大。当然，在实用上是无问题的水平。实施例7与其他实施例(实施例1～实施例4及实施例6)相比，网目状的那样稍微显眼，但云纹改良效果为B评价(良好)，电阻不均也为6.0％，为良好，开口率也为90％以上。实施例8与其他实施例(实施例1～实施例4及实施例6)相比，云纹改良效果为C评价，但视认性为良好，电阻不均也为0.5％，为良好，开口率也为90％以上。

[0266] 比较例1由于随机率为0％，故而云纹改良效果最低。比较例2由于上述平均单元尺寸的比为1.33，故而宽度缓缓变窄的部分与宽度最窄的部分的边界显眼，并且也视认到斑点式样。此外，开口率的94.7％(96.0％)中，94.7％表示上述特定区域的开口率，96.0％表示宽度最窄的部分26a的开口率。比较例3虽然云纹改良效果以及电阻不均良好，但开口率低至60.0％，视认性也差，尤其可知在透明性的方面并非实用水平。比较例4虽然云纹改良效果、视认性以及开口率均为良好，但电阻不均大至32.2％，可知在触摸位置的检测精度的方面存在问题。

[0267] 根据上述，可知以下情况。平均单元尺寸Lsave优选为最小电极宽度Lmin的1/30以上且小于1/3，尤其优选为1/10以上且小于1/3，更优选为1/5以上且小于1/3。构成单元28的一边的随机率优选为2％以上、20％以下，更优选为4％以上、10％以下，尤其优选为6％以上、8％以下。电极26中，构成上述特定区域的多个单元28的平均单元尺寸Lsave、与构成宽度最窄的部分26a的多个单元28的平均单元尺寸Lsave的比为0.9～1.1。

[0268] 使用上述实施例1～实施例6的导电膜来分别制作投影型静电电容方式的触摸屏。以手指触摸来操作，结果可知响应速度快，检测感度优异。另外，触摸2点以上来操作，结果同样获得良好的结果，可确认也能够应对多点触摸(multi-touch)。

[0269] 本发明的导电膜并不限定于上述实施形态，当然可在不脱离本发明的要旨的情况下，采取多种构成。