MPW芯片背面金属化方法

摘要

本发明涉及一种MPW芯片背面金属化方法，其包括如下步骤：步骤1、对第一陪片进行所需的切割与挑片，以形成芯片置位支撑块；步骤2、将待背面金属化的芯片正面朝上放置在芯片置位支撑块的芯片置位格内；步骤3、对所述第二陪片进行所需的切割与挑片，以在第二陪片内形成用于芯片置位支撑块嵌置的支撑块置位格；步骤4、将上述嵌置有待背面金属化芯片的芯片置位支撑块放置在第二陪片的支撑块置位格内，以形成第三陪片体；步骤5、对第三陪片体内所有的待背面金属化的芯片进行所需的背面金属化操作。本发明适用于各种尺寸及规格的芯片背面金属化方法，可以很好地保护芯片正面并实现芯片的无损伤固定，达到对芯片进行背面金属化的目的。

权利要求

1.一种MPW芯片背面金属化方法，其特征是，所述芯片背面金属化方法包括如下步骤：步骤1、提供第一陪片，并对所述第一陪片进行所需的切割与挑片，以形成芯片置位支撑块，所述芯片置位支撑块内包括若干用于待背面金属化芯片嵌置的芯片置位格；

步骤2、将待背面金属化的芯片正面朝上放置在芯片置位支撑块的芯片置位格内；

步骤3、提供第二陪片，并对所述第二陪片进行所需的切割与挑片，以在第二陪片内形成用于芯片置位支撑块嵌置的支撑块置位格；

步骤4、将上述嵌置有待背面金属化芯片的芯片置位支撑块放置在第二陪片的支撑块置位格内，以形成第三陪片体；

步骤5、对第三陪片体内所有的待背面金属化的芯片进行所需的背面金属化操作，以实现芯片的背面金属化；

所述芯片置位支撑块呈矩形，芯片置位格贯通芯片置位支撑块，芯片置位格的尺寸及形状与待背面金属化芯片的尺寸、形状相适配。

2.根据权利要求1所述的MPW芯片背面金属化方法，其特征是：所述第一陪片、第二陪片均为硅晶圆。

说明书

MPW芯片背面金属化方法

技术领域

[0001] 本发明涉及一种工艺方法，尤其是一种MPW（Multi Project Wafer）芯片背面金属化方法，属于集成电路制造的技术领域。

背景技术

[0002] 在现有的背面金属化工艺中，背面金属化的主体是完整的晶圆，使用常规的晶圆背面金属化工艺技术无法对芯片进行背面金属化。这是由于完整晶圆的边缘部位都是不完整的芯片，现有的背面金属化设备的夹具可以对其边缘进行夹取，边缘部位没有镀上金属或者有损伤等都是可以接受的。

[0003] 但是对于芯片级别的背面金属化，芯片边缘根本没有夹取的空间，且其可以忍受的损伤是极其轻微的，微米级别的损伤完全可能导致芯片报废。同时，在整个背面金属化的生产过程中，芯片正面的图形不能被沾污、蹭伤，这又大大提高了整体工艺技术的难度。实际的生产过程中，芯片的尺寸规格又是多种多样的，需要同时克服上面所有的工艺技术问题，又要适应产品多样性的需求，所以在现有工艺生产中，芯片级别的背面金属化一直被认为是一项不可能完成的任务。

发明内容

[0004] 本发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种MPW芯片背面金属化方法，其适用于各种尺寸及规格的芯片背面金属化方法，可以很好地保护芯片正面并实现芯片的无损伤固定，达到对芯片进行背面金属化的目的。

[0005] 按照本发明提供的技术方案，一种MPW芯片背面金属化方法，所述芯片背面金属化方法包括如下步骤：

[0006] 步骤1、提供第一陪片，并对所述第一陪片进行所需的切割与挑片，以形成芯片置位支撑块，所述芯片置位支撑块内包括若干用于待背面金属化芯片嵌置的芯片置位格；

[0007] 步骤2、将待背面金属化的芯片正面朝上放置在芯片置位支撑块的芯片置位格内；

[0008] 步骤3、提供第二陪片，并对所述第二陪片进行所需的切割与挑片，以在第二陪片内形成用于芯片置位支撑块嵌置的支撑块置位格；

[0009] 步骤4、将上述嵌置有待背面金属化芯片的芯片置位支撑块放置在第二陪片的支撑块置位格内，以形成第三陪片体；

[0010] 步骤5、对第三陪片体内所有的待背面金属化的芯片进行所需的背面金属化操作，以实现芯片的背面金属化。

[0011] 所述第一陪片、第二陪片均为硅晶圆。

[0012] 所述芯片置位支撑块呈矩形，芯片置位格贯通芯片置位支撑块，芯片置位格的尺寸及形状与待背面金属化芯片的尺寸、形状相适配。

[0013] 本发明的优点：利用“多合一”的思路，化碎为整，从而避免了单颗芯片在工艺操作上带来的难度，从整体出发不论是从工艺流程角度，还是整体可靠性方面都较单体来得更稳定可控。本发明解决了单颗芯片无法进行背面金属化的问题，降低了芯片背面金属化方法风险低，可操作性强。

附图说明

[0014] 图1为本发明芯片置位支撑块的结构示意图。

[0015] 图2为本发明芯片置位支撑块嵌置在支撑块置位格内的结构示意图。

[0016] 附图标记说明：1-芯片置位支撑块、2-芯片置位格、3-第二陪片及4-支撑块置位格。

具体实施方式

[0017] 下面结合具体附图和实施例对本发明作进一步说明。

[0018] 如图1和图2所示：为了能很好地保护芯片正面并实现芯片的无损伤固定，达到对芯片进行背面金属化的目的，本发明的芯片背面金属化方法包括如下步骤：

[0019] 步骤1、提供第一陪片，并对所述第一陪片进行所需的切割与挑片，以形成芯片置位支撑块1，所述芯片置位支撑块1内包括若干用于待背面金属化芯片嵌置的芯片置位格2；

[0020] 本发明实施例中，第一陪片为硅晶圆，采用本技术领域常规的技术手段对第一陪片进行切割与挑片，以形成矩形状的芯片置位支撑块1。通过对第一陪片进行切割与挑片的操作，能得到多个芯片置位格2，芯片置位格2贯通芯片置位支撑块1。

[0021] 图1中示出了芯片置位支撑块1内包含20个芯片置位格2的示意图，芯片置位格2的形状、尺寸均与待背面金属化的芯片相匹配，即根据待背面金属化芯片的尺寸通过切割、挑片得到芯片置位格2。

[0022] 在具体实施时，待背面金属化芯片在X方向的尺寸为A，Y方向的尺寸为B；芯片置位格2在X方向的尺寸为a，在Y方向的尺寸为b。为了与待背面金属化芯片相适配，在X方向上有a≥A，在Y方向上有b≥B。芯片置位支撑块1在X方向上的尺寸为L，在Y方向上的尺寸为W。

[0023] 步骤2、将待背面金属化的芯片正面朝上放置在芯片置位支撑块1的芯片置位格2内；

[0024] 本发明实施例中，在得到芯片置位支撑块1后，需要将一个或多个待背面金属化的芯片置入芯片置位格2内。待背面金属化的芯片嵌置在芯片置位格2后，待背面金属化芯片的背面与芯片置位支撑块1的背面位于同一侧，即保证待背面金属化芯片的正面朝上放置。由于置位支撑块1的背面有支撑膜，待背面金属化的芯片嵌置在芯片置位格2内后，通过支撑膜对待背面金属化芯片背面的支撑，确保待背面金属化芯片在芯片置位格2内的稳定性。

[0025] 步骤3、提供第二陪片3，并对所述第二陪片3进行所需的切割与挑片，以在第二陪片3内形成用于芯片置位支撑块1嵌置的支撑块置位格4；

[0026] 本发明实施例中，常用本技术领域常用的技术手段，通过对第二陪片3进行切割与挑片的操作，以在第二陪片3内得到支撑块置位格4。一般地，支撑块置位格4位于第二陪片3的中心区域，支撑块置位格4的形状与芯片置位支撑块1的形状相适应，支撑块置位格4贯通第二陪片3。

[0027] 在具体实施时，第二陪片3也为硅晶圆，第二陪片3内的支撑块置位格4也呈矩形状，在X方向上，支撑块置位格4的尺寸Lˊ，在Y方向上，支撑块置位格4的尺寸为Wˊ；为了能使得支撑块置位格4与芯片置位支撑块1相适配，在X方向上有，Lˊ≥L；在Y方向上有：Wˊ≥W；以保证芯片置位支撑块1能有效嵌置在支撑块置位格4内，如图2所示。

[0028] 当芯片置位支撑块1嵌置在支撑块置位格4内时，依然使得待背面金属化芯片的正面朝上，芯片置位支撑块1的背面通过第二陪片3背面的支撑膜进行支撑。

[0029] 步骤4、将上述嵌置有待背面金属化芯片的芯片置位支撑块1放置在第二陪片的支撑块置位格4内，以形成第三陪片体；

[0030] 本发明实施例中，将芯片置位支撑块1置入支撑块置位格4内后，芯片置位支撑块1与第二陪片形成一个整体，即第三陪片体。

[0031] 步骤5、对第三陪片体内所有的待背面金属化的芯片进行所需的背面金属化操作，以实现芯片的背面金属化。

[0032] 本发明实施例中，第三陪片体内包含一个或多个待背面金属化的芯片，采用常规的背面金属化工艺对第三陪片内的待背面金属化的芯片进行背面金属化操作，具体操作过程为本技术领域人员所熟知，此处不再详述。

[0033] 本发明利用“多合一”的思路，化碎为整，从而避免了单颗芯片在工艺操作上带来的难度，从整体出发不论是从工艺流程角度，还是整体可靠性方面都较单体来得更稳定可控。本发明解决了单颗芯片无法进行背面金属化的问题，降低了芯片背面金属化方法风险低，可操作性强。