一种铋酸锂纳米棒复合电子封装材料

摘要

本发明公开了一种铋酸锂纳米棒复合电子封装材料，属于封装材料技术领域。本发明铋酸锂纳米棒复合电子封装材料的质量百分比组成如下：铋酸锂纳米棒65‑80％、聚丙乙烯10‑15％、脂肪醇聚氧乙烯醚羧酸钠0.05‑0.5％、三羟甲基丙烷5‑10％、硅树脂甲基支链硅油4‑10％。本发明提供的复合电子封装材料使用铋酸锂纳米棒作为主要原料，具有热膨胀系数小、导热系数高、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好等特点，在电子封装材料领域具有良好的应用前景。

权利要求

1.一种铋酸锂纳米棒复合电子封装材料，其特征在于：以质量百分比计，该电子封装材料的配方如下：

2.如权利要求1所述一种铋酸锂纳米棒复合电子封装材料，其特征在于：所述铋酸锂纳米棒的直径为15-50nm、长度为1μm。

说明书

一种铋酸锂纳米棒复合电子封装材料

技术领域

[0001] 本发明属于封装材料技术领域，具体涉及一种铋酸锂纳米棒复合电子封装材料。

背景技术

[0002] 电子封装材料属于安装于电子设备外用的管壳材料，起着固定密封、保护电子设备、使电子设备免受外界环境的干扰、提高寿命以及增强电子设备环境适应的能力。电子封装材料作为封装技术的重要组成，为电子设备提供保护、支撑、组装、绝缘、散热等功能，随着电子设备的的小型化、多功能化及高性能化，对电子封装材料的热膨胀系数、绝缘性能、耐老化性能、加工性、导热性等的要求越来越高。

[0003] 高分子材料和无机非金属材料都可以作为电子封装材料，例如国家发明专利“太阳能电池封装用乙烯-醋酸乙烯共聚物胶膜及制备方法”(国家发明专利申请号：200810020329.9)以乙烯-乙酸乙烯树脂为主要原料，加入少量的导热填料(氧化铝、氧化镁、氧化铍、氮化铝和碳化硅等)、2,5-二甲基-2,5-双(叔丁基过氧)己烷及p-(4-羟基-3,5二叔丁基苯基)丙酸正十八碳醇酯，得到了一种用于封装太阳能电池的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物封装材料。国家发明专利“电子元器件封装材料用陶瓷粉及其生产方法”(国家发明专利号：ZL201210396718.8)以含有氧化钡、氧化硼、氧化硅、氧化铝、氧化锌、氧化锆、氧化钛的复合氧化物作为主要原料，在800-1000℃烧结获得了陶瓷电子封装材料。国家发明专利“一种TiB2/Si-Al电子封装复合材料及制备方法”(国家发明专利号：ZL201210527903.6)公开了一种以硼化钛、硅-铝合金为主要原料，通过混料、熔炼、熔铸、喷射沉积成形及热等静压等五个阶段，在氩气气氛中于580-620℃、压强150-170MPa、保压4h制备出了TiB2/Si-Al电子封装复合材料。高分子材料基电子封装材料虽然具有易加工、绝缘性好、制备温度低的特点，但也存在热膨胀系数大、耐老化性能差和强度低的缺点；无机非金属材料基电子封装材料虽然具有强度高、热膨胀系数小、耐老化性能好等特点，但仍存在难于加工、制备温度高等缺点，所以制备出同时具有高分子材料和无机非金属材料功能，即热膨胀系数小、导热系数高、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好及制备温度低的电子封装材料是目前重要的研究方向之一。

发明内容

[0004] 本发明的目的是为了解决以上问题，提供铋酸锂纳米棒作为主要原料，引入聚丙乙烯、脂肪醇聚氧乙烯醚羧酸钠、三羟甲基丙烷和硅树脂甲基支链硅油等成分，以期得到具有热膨胀系数小、导热系数高、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好及制备温度低的铋酸锂纳米棒复合电子封装材料。

[0005] 本发明所提供的铋酸锂纳米棒复合电子封装材料的质量百分比组成如下：

[0006] 铋酸锂纳米棒65-80％、聚丙乙烯10-15％、脂肪醇聚氧乙烯醚羧酸钠0.05-0.5％、三羟甲基丙烷5-10％、硅树脂甲基支链硅油4-10％。

[0007] 本发明所述铋酸锂纳米棒的直径为15-50nm、长度为1μm。

[0008] 本发明所提供的铋酸锂纳米棒的具体制备方法如下：

[0009] 以铋酸钠、乙酸锂作为原料，水为溶剂，其中铋酸钠与乙酸锂的摩尔比为1:1，将铋酸钠、乙酸锂与水均匀混合后置于反应容器内并密封，于温度150-200℃、保温12-24h，其中铋酸钠与乙酸锂的重量不大于水重量的50％。

[0010] 本发明所提供的铋酸锂纳米棒复合电子封装材料的具体制备方法如下：

[0011] 按照质量比例称取铋酸锂纳米棒、聚丙乙烯、脂肪醇聚氧乙烯醚羧酸钠、三羟甲基丙烷和硅树脂甲基支链硅油，然后通过机械搅拌将其混合均匀，再置于磨具中冲压成型，在100-150℃、保温12-48h，自然冷却后得到了铋酸锂纳米棒复合电子封装材料。

[0012] 与现有技术相比，本发明具有以下技术效果：

[0013] 1、本发明以铋酸锂纳米棒、聚丙乙烯、脂肪醇聚氧乙烯醚羧酸钠、三羟甲基丙烷和硅树脂甲基支链硅油作为原料，制备出无机非金属纳米材料与高分子材料复合形成的电子封装材料，这种复合电子封装材料具有热膨胀系数小、导热系数高、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好等特点。

[0014] 2、本发明铋酸锂纳米棒复合电子封装材料的制备温度为100-150℃，显著低于无机非金属材料基电子封装材料800-1000℃的制备温度，降低了能耗，减少了制备成本。

[0015] 3、本发明采用的铋酸锂纳米棒稳定性好、无毒及无污染，聚丙乙烯、脂肪醇聚氧乙烯醚羧酸钠、三羟甲基丙烷和硅树脂甲基支链硅油都是批量生产的原料，可以实现铋酸锂纳米棒复合电子封装材料的制备。

附图说明

[0016] 图1为实施例1制备的铋酸锂纳米棒复合电子封装材料的SEM图像；

[0017] 从图可以看出铋酸锂纳米棒复合电子封装材料由纳米棒和无规则颗粒构成，纳米棒的直径为15-50nm、长度为1μm。

具体实施方式

[0018] 以下结合具体实施例详述本发明，但本发明不局限于下述实施例。

[0019] 实施例1

[0020] 确定铋酸锂纳米棒复合电子封装材料的质量百分比组成如下：

[0021]

[0022]

[0023] 实施例2

[0024] 确定铋酸锂纳米棒复合电子封装材料的质量百分比组成如下：

[0025]

[0026] 实施例3

[0027] 确定铋酸锂纳米棒复合电子封装材料的质量百分比组成如下：

[0028]

[0029] 实施例4

[0030] 确定铋酸锂纳米棒复合电子封装材料的质量百分比组成如下：

[0031]

[0032]

[0033] 实施例5

[0034] 确定铋酸锂纳米棒复合电子封装材料的质量百分比组成如下：

[0035]

[0036] 实施例6

[0037] 确定铋酸锂纳米棒复合电子封装材料的质量百分比组成如下：

[0038]

[0039] 实施例7

[0040] 确定铋酸锂纳米棒复合电子封装材料的质量百分比组成如下：

[0041]

[0042] 实施例8

[0043] 确定铋酸锂纳米棒复合电子封装材料的质量百分比组成如下：

[0044]

[0045] 本发明实施例1到实施例8所得铋酸锂纳米棒复合电子封装材料的特征参数如表1所示：

[0046] 表1

[0047]