有机电致发光元件的图案形成方法

摘要

本发明的课题为提供可正确地形成具有期望的发光亮度的等级的发光图案的有机电致发光元件的图案形成方法。该有机电致发光元件的图案形成方法的特征在于，为对在一对电极间具备有机功能层的有机电致发光元件照射光而形成发光图案的方法，在照射光时，基于对于因光照射引起的上述有机功能层的功能的变化的倒易律失效特性，将光的强度及照射时间的至少任一者作为可变因子进行控制而形成上述发光图案。

权利要求

1.一种有机电致发光元件的图案形成方法，其特征在于，其为对在一对电极间具备有机功能层的有机电致发光元件照射光而形成发光图案的有机电致发光元件的图案形成方法，其中,在照射光时，基于光照射引起累积光量为一定时在光的强度和照射时间不同时所述有机功能层的发光亮度的变化不同的倒易律失效特性，将光的强度及照射时间的至少任一者作为可变因子进行控制而形成所述发光图案。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光元件的图案形成方法，其特征在于，基于对于因所述光照射引起的所述有机功能层的发光亮度的变化量和光的强度及照射时间的相互间的关系预先进行测定而得到了的所述倒易律失效特性，将光的强度及照射时间的至少任一者进行控制而形成所述发光图案。

3.根据权利要求1或2所述的有机电致发光元件的图案形成方法，其特征在于，将所述光的照射时间设为一定、使该光的强度变化而形成所述发光图案。

4.根据权利要求1或2所述的有机电致发光元件的图案形成方法，其特征在于，将所述光的强度设为一定、使该光的照射时间变化而形成所述发光图案。

5.根据权利要求1或2所述的有机电致发光元件的图案形成方法，其特征在于，通过所述光照射进行点描绘而形成所述发光图案。

6.根据权利要求1或2所述的有机电致发光元件的图案形成方法，其特征在于，通过经由图案形成用掩模的所述光照射来调整所述光的强度而形成所述发光图案。

说明书

有机电致发光元件的图案形成方法

技术领域

[0001] 本发明涉及有机电致发光元件的图案形成方法。特别是涉及可正确地形成具有期望的发光亮度的等级的发光图案的有机电致发光元件的图案形成方法。

背景技术

[0002] 现在，有机发光元件作为薄型的发光材料而受到关注。

[0003] 就利用了有机材料的电致发光(electro luminescence：EL)的有机发光元件(以下也称为“有机EL元件”)而言，为在数V～数十V左右的低电压下可发光的薄膜型的完全固体元件，具有高亮度、高发光效率、薄型、轻量这样的许多优异的特征。因此，作为各种显示器的背光、标牌、应急灯等的显示板、照明光源等的面发光体近年来受到关注。

[0004] 这样的有机EL元件为在一对电极间配置了至少含有发光层的有机功能层的构成，发光层中产生了的发光光透过电极而被取出到外部。因此，一对电极中的至少一者以透明电极的形式构成，从透明电极侧取出发光光。另外，有机EL元件可以以低电力得到高亮度，在可见性、响应速度、寿命、消耗电力的方面优异。

[0005] 在此，提案有如下方法：在这样的有机EL元件中，相对于有机功能层在每个规定区域一边调整曝光量一边照射光，由此在每个规定区域使有机功能层的功能变化、形成具有对应其变化量的发光亮度的等级的发光图案(例如参照专利文献1。)。在该方法中，以随着作为紫外线的强度和照射时间之积的累积光量增大、有机功能层的功能的变化量也一律增大为前提进行紫外线照射。

[0006] 然而，本发明人等发现：在通过光照射在有机EL元件形成发光图案的情况下，就有机功能层的功能的变化量而言，即使照射于有机EL元件的光的累积光量[W·s/cm2]为一定，在光的强度[W/cm2]和照射时间[s]的关系不同时，有机功能层的功能的变化量也不同。

[0007] 因此，如果仅着眼于累积光量对有机EL元件进行光照，则根据该光的强度和照射时间的关系，有时无法形成具有期望的发光亮度的等级的发光图案。

[0008] 现有技术文献

[0009] 专利文献

[0010] 专利文献1：日本特开2012-28335号公报

发明内容

[0011] 发明要解决的课题

[0012] 本发明是为了解决上述问题·状况而完成的，其解决课题在于提供可正确地形成具有期望的发光亮度的等级的发光图案的有机电致发光元件的图案形成方法。

[0013] 用于解决课题的手段

[0014] 为了解决本发明涉及的上述课题，对上述问题的原因等进行了研究，结果发现：在照射光时，基于对于因光照射引起的有机功能层的功能的变化的倒易律失效特性、将光的强度及照射时间的至少任一者作为可变因子来进行控制，形成所述发光图案，由此可正确地形成具有期望的发光亮度的等级的发光图案。

[0015] 即，本发明涉及的上述课题，可通过以下的方案来解决。

[0016] 1.一种有机电致发光元件的图案形成方法，其特征在于，其为对在一对电极间具备了有机功能层的有机电致发光元件照射光而形成发光图案的有机电致发光元件的图案形成方法，

[0017] 在照射光时，基于对于因光照射引起的上述有机功能层的功能的变化的倒易律失效特性、将光的强度及照射时间的至少任一者作为可变因子进行控制而形成上述发光图案。

[0018] 2.根据第1项所述的有机电致发光元件的图案形成方法，其特征在于，基于对于上述因光照射引起的上述有机功能层的功能的变化量和光的强度及照射时间的相互间的关系预先测定而得到了的上述倒易律失效特性、将光的强度及照射时间的至少任一者进行控制而形成上述发光图案。

[0019] 3.根据第1项或第2项所述的有机电致发光元件的图案形成方法，其特征在于，上述因光照射引起的上述有机功能层的功能的变化对应于上述有机电致发光元件的发光亮度的变化。

[0020] 4.根据第1项～第3项的任一项所述的有机电致发光元件的图案形成方法，其特征在于，将上述光的照射时间设为一定、使该光的强度变化而形成上述发光图案。

[0021] 5.根据第1项～第3项的任一项所述的有机电致发光元件的图案形成方法，其特征在于，将上述光的强度设为一定、使该光的照射时间变化而形成上述发光图案。

[0022] 6.根据第1项～第5项的任一项所述的有机电致发光元件的图案形成方法，其特征在于，通过上述光照射进行点描绘而形成上述发光图案。

[0023] 7.根据第1项～第5项的任一项所述的有机电致发光元件的图案形成方法，其特征在于，通过经由图案形成用掩模的上述光照射来调整上述光的强度而形成上述发光图案。

[0024] 发明的效果

[0025] 根据本发明，可提供可正确地形成具有期望的发光亮度的等级的发光图案的有机电致发光元件的图案形成方法。

[0026] 对于本发明的效果的表现机制乃至作用机制，如以下。

[0027] 就本发明涉及的有机电致发光元件的图案形成方法而言，在照射光时，基于对于因光照射引起的有机功能层的功能的变化的倒易律失效特性、将光的强度及照射时间的至少任一者作为可变因子进行控制而形成发光图案，因此可适当地确定对应于期望的发光亮度的光的强度和照射时间，可正确地形成具有期望的发光亮度的等级的发光图案。

[0028] 另外，根据本发明，可适当地确定对应于期望的发光亮度的光的强度和照射时间，因此可以以必要最小限的累积光量进行有机电致发光元件的光照射，可高效率地进行有机电致发光元件的图案形成。

附图说明

[0029] 图1为以不同的光的强度对有机EL元件照射了波长404nm的光时的累积光量和有机EL元件的相对发光亮度的关系的图表。

[0030] 图2为以不同的光的强度对有机EL元件照射了波长365nm的光时的累积光量和有机EL元件的相对发光亮度的关系的图表。

[0031] 图3为以不同的光的强度对有机EL元件照射了波长385nm的光时的累积光量和有机EL元件的相对发光亮度的关系的图表。

[0032] 图4为表示为了得到相对发光亮度0.1的图案所需要的光的强度和照射时间的关系的图表。

[0033] 图5为为了得到各相对发光亮度的图案所需要的光的强度和照射时间的关系图。

[0034] 图6为表示相对于各相对发光亮度的光的强度D及照射时间t的图。

[0035] 图7为发光图案形成装置的概略构成图。

[0036] 图8为表示相对于各相对发光亮度的LD光源的照射功率P及LD电流I的图

[0037] 图9为表示相对于各相对发光亮度的透光率T的图。

具体实施方式

[0038] 本发明的有机电致发光元件的制造方法的特征在于，在照射光时，基于对于因光照射引起的上述有机功能层的功能的变化的倒易律失效特性、将光的强度及照射时间的至少任一者作为可变因子而进行控制来形成上述发光图案。该特征为与本发明第1方面～第7方面的各方面涉及的发明共通的技术特征。

[0039] 另外，本发明优选基于对上述因光照射引起的上述有机功能层的功能的变化量和光的强度及照射时间的相互间的关系预先进行测定而得到的上述倒易律失效特性、对光的强度及照射时间的至少任一者进行控制而形成上述发光图案。由此，可适当地确定对应于期望的发光亮度的光的强度和照射时间，可正确地形成具有期望的发光亮度的等级的发光图案。

[0040] 另外，本发明优选将上述光的照射时间设为一定、使该光的强度变化而形成发光图案。由此，例如在通过激光照射来形成上述发光图案的情况下等，可使用现有的照射位置扫描技术，可容易地进行有机EL元件的图案形成，同时可降低图案形成的成本。

[0041] 另外，本发明优选将上述光的强度设为一定、使该光的照射时间变化而形成上述发光图案。由此，由于不需要使光的强度变化，因此不需要在光强度的监视中具有宽的动态范围、良好的S/N比的光检测器、放大器。因此，可容易地进行有机EL元件的图案形成、同时可使图案形成的成本降低。

[0042] 另外，本发明优选通过上述光照射进行点描绘而形成上述发光图案。由此，可对有机电致发光元件高精度地形成发光图案。

[0043] 另外，本发明优选通过经由了图案形成用掩模的上述光照射调整上述光的强度而形成上述发光图案。由此，可对有机电致发光元件容易地形成发光图案。

[0044] 以下，对本发明和其构成要素、及用于实施本发明的方式·形态进行详细的说明。予以说明，在本申请中，“～”以含有其前后所记载的数值作为下限值及上限值的含义来使用。

[0045] 《有机电致发光元件的构成》

[0046] 本发明中，在以下对于有机电致发光元件(以下，也称为“有机EL元件”。)的构成进行说明。

[0047] 就有机EL元件而言，在基板上依次层叠第1电极、有机功能层及第2电极而构成。另外，也可以以如下构成：在第1电极的端部设置取出电极而经由该取出电极将外部电源(省略图示)连接于第1电极。有机EL元件以发光光从基板侧或其相反面侧取出的方式构成。

[0048] 有机EL元件的层结构没有特别限定，可以为以往公知的一般的层结构。例如，第1电极作为正极(即阳极)发挥功能、第2电极作为负极(即阴极)发挥功能。此时，例如，有机功能层可形成从作为正极的第1电极侧依次层叠了空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层的构成，但需要至少具有使用有机材料而构成了的发光层。空穴注入层及空穴传输层可以作为空穴传输注入层来设置，电子传输层及电子注入层可以作为电子传输注入层来设置。另外，这些有机功能层中，例如电子注入层也有时由无机材料构成。

[0049] 另外，有机功能层也可以为除这些层以外还根据需要在必要处层叠了空穴阻挡层、电子阻挡层等的构成。进而，发光层也可以形成具有产生各波长区域的发光光的各色发光层、使这些各色发光层经由非发光性的中间层而层叠了的构成。中间层也可以作为空穴阻挡层、电子阻挡层来发挥功能。

[0050] 另外，作为负极的第2电极也可以为根据需要的层叠结构。另外，以实现第1电极的低电阻化为目的，也可以与第1电极相接而设置辅助电极。

[0051] 在这样的构成中，仅仅用第1电极和第2电极夹持了有机功能层的部分(从层叠方向来看，第1电极、有机功能层及第2电极重叠的区域)成为有机EL元件的发光区域。

[0052] 就如以上构成的有机EL元件而言，以防止使用有机材料等而构成了的有机功能层的劣化为目的，在基板上用后述的密封材料进行密封。但是，第1电极、第2电极或取出电极的端子部分以在基板上互相保持了绝缘性的状态从密封材料露出。

[0053] 对于如以上构成的有机EL元件，通过以下的图案形成方法，形成具有期望的发光亮度的等级的发光图案。

[0054] 《有机EL元件的图案形成方法》

[0055] (1)倒易律失效特性

[0056] 首先，本发明人等发现：在对有机EL元件通过光照射而进行了图案形成的情况下，如图1中所示，对于有机功能层的功能相对于照射于有机EL元件的光的累积光量的变化量，产生倒易律失效。予以说明，如果有机功能层的功能因光照射而变化，则根据其变化量，有机EL元件的发光亮度也变化。

[0057] 在此，在本发明中所谓“倒易律”，是指依据如果作为照射的光的强度和照射时间之积的累积光量一定、则有机功能层的变化量也一定的布森-罗斯科法则。另外，在本发明中所谓“倒易律失效”，是指依据如果作为照射的光的强度和照射时间之积的累积光量一定、则有机功能层的变化量也一定的倒易律不成立。另外，本发明中所谓“倒易律失效特性”，为光的强度及照射时间和有机功能层的变化量的关系，是指光的强度及照射时间取任何的值时产生倒易律失效，也可以包含部分倒易律成立的区域。

[0058] 图1为表示将波长404nm的半导体激光器作为光源、每个规定值的光的强度、测定相对于累积光量的有机EL元件的相对发光亮度的结果的图表。就本发明中的有机EL元件的相对发光亮度而言，将完全不照射光而有机功能层完全未发生变化的状态(相当于白的亮度)设为1，设定各相对发光亮度。另外，照射光而有机功能层发生变化、发光亮度的降低达到了极限的状态相当于黑的亮度，在本测定中为约0.1。另外，就光的照射而言，对密封后的有机EL元件自透明基板侧进行。另外，在图1中，对于将照射于有机EL元件的光的强度(W/cm2)设为7.6W/cm2、19.5W/cm2、40.4W/cm2、59.2W/cm2、470.0W/cm2、23083.0W/cm2的情况的各个情况，示出相对于累积光量的有机EL元件的相对发光亮度的测定结果。

[0059] 由图1明确，即使照射于有机EL元件的光的累积光量为相同的值，在光的强度不同时，有机EL元件的相对发光亮度也不同。由此,示出：在对有机EL元件进行利用光照射的图案形成的情况下，即使累积光量为一定，在光的强度和照射时间不同时，有机功能层的相对发光亮度也不同、即产生倒易律时效。

[0060] 另外，由图1中所示的测定结果示出：光的强度越大，越能够以小的累积光量得到期望的相对发光亮度的图案。

[0061] 另外，如图2及图3中所示，确认：即使在将光源设为波长365nm、波长385nm的LED(Light Emitting Diode)的情况下，也发现相同的特性。图2示出使用了波长365nm的LED时的相对于每个光的强度的累积光量的有机EL元件的相对发光亮度，图3示出使用了波长385nm的LED时的相对于每个光的强度的累积光量的有机EL元件的相对发光亮度。

[0062] (2)基于倒易律失效特性的图案形成方法

[0063] 基于如上所述的知识见解，在本发明的有机电致发光元件的图案形成方法中，特征在于，在照射光时，基于对因光照射引起的有机功能层的功能的变化的倒易律失效特性、将光的强度及照射时间的至少任一者作为可变因子而进行控制来形成发光图案。以下对其具体的方法的一个例子进行说明。

[0064] 首先，对于因光照射而变化的有机EL元件的各相对发光亮度，分别导出为了得到该相对发光亮度的图案而需要的光的强度和照射时间的关系。例如图4中，以双对数图示出为了得到相对发光亮度0.1的图案而需要的光的强度和照射时间的关系。予以说明，图4示出对于使用了波长365nm、404nm的光源的各个情况，从透明基板侧对密封后的有机EL元件进行了光照射。

[0065] 在图4中所示的例子中，在将为了得到相对发光亮度0.1的图案而需要的光的照射时间设为Y、光的强度设为X时，在使用了波长404nm的光源的情况下，成为Y＝2.47×104X-1.67。另外，在使用了波长365nm的光源的情况下，成为Y＝9.15×102X-1.61。这样示出：使用了波长365nm的光源的情况与使用了波长404nm的光源的情况相比，能够以更小的光的强度且更短的照射时间得到相对发光亮度0.1的图案。

[0066] 将通过光照射而形成的发光图案以8bit的256等级表示的情况下，如图5中所示，将相对发光亮度1～0.1进行256等分、测定被等分了的为了得到各相对发光亮度的图案而需要的光的强度和照射时间，分别导出光的强度和照射时间的关系。图5为为了得到各相对发光亮度的图案而需要的光的强度和照射时间的关系图。

[0067] 接着，如图6中所示对各相对发光亮度设置光的强度及照射时间。图6为表示相对于各相对发光亮度的光的强度D及照射时间t的图。

[0068] 例如，在想要得到相对发光亮度0.1的图案的情况下，可以以光的强度D000及照射时间t000进行光的照射，其强度D000及照射时间t000可以取图5中所示的相对发光亮度0.1的曲线(在双对数图上大致直线)上的任意的值。同样，即使在想要得到其它的各相对发光亮度的图案的情况下，可以以图6中所示的光的强度D及照射时间t进行光的照射，其强度D及照射时间t可以取图5中所示的各相对发光亮度的曲线上的任意的值。

[0069] 在想要得到各相对发光亮度的图案的情况下，将光的强度D及照射时间t设定为任意的值，或可根据光照射装置的构成、光照射方法适宜设定。例如，如后所述，对于有机EL元件的发光面在光照射位置以一定速度进行扫描而由此以点描绘进行光照射的情况下，将相对于各相对发光亮度的光的照射时间全部设定为相同的值、由图5中所示的图表确定对应于各相对发光亮度的光的强度。

[0070] 予以说明，为了确保相对发光亮度1的图案和相对发光亮度0.1的图案的对比度，光的强度D255和照射时间t255优选分别设为0。

[0071] 以这样确定了的相对于各相对发光亮度的光的强度和照射时间、对于有机EL元件的发光面、每个区域进行光的照射，在有机EL元件的发光面上形成期望的发光图案。

[0072] 予以说明，对于对有机EL元件进行光照射的时机，可以在用密封材料密封有机EL元件后，也可以在将构成有机功能层的各层中的任意的层刚刚进行层叠之后。

[0073] 另外，就对有机EL元件进行光照射的方向而言，如果可使光到达有机功能层而改变该有机功能层的功能，则可以从基板侧进行照射，也可以从其相反面侧进行照射。但是，在有机EL元件中设于光入射侧的基板、电极等优选由透光性材料构成。

[0074] (3)利用点描绘的图案形成方法及图案形成装置

[0075] 在此，以下参照图7对在进行本发明的有机EL元件的图案形成方法的方面优选使用的图案形成装置1进行说明。

[0076] 图7为可实施本发明的图案形成方法的图案形成装置1的概略构成图。图案形成装置1为在有机EL元件2上形成微小的点标记(ドットマーク)而形成发光图案的点描绘装置。

[0077] 图案形成装置1具备：射出特定波长的激光的半导体激光(LD；Laser Diode)光源11、使从该LD光源11射出了的光为平行光的准直透镜12、将通过准直透镜12形成为平行光的光聚焦为规定的点直径的聚光透镜13、反射从准直透镜12射出了的光的一部分的分束器
14、检测被分束器14反射了的光的强度的光检测器15、将从聚光透镜13射出的光向有机EL元件2反射的反射镜16、调整反射镜16的倾斜度的调整部17、及控制各部件的控制部18等。

[0078] 通过这样的图案形成装置1，首先，就控制部18而言，由从没有图示的外部设备(例如PC、各种服务器或打印机等)输入的图像数据生成表示该图像的各坐标的发光亮度的发光亮度数据。

[0079] 接着，就控制部18而言，算出在形成期望的相对发光亮度的点标记的方面所需要的光的强度及/或照射时间。

[0080] 在此，就图案形成装置1而言，如下构成：对于各点标记，将光的照射时间设为一定、使光的强度变化，由此形成期望的发光亮度的点标记。通过这样地构成，可使用以往公知的扫描技术。因此，可容易地进行使用了图案形成装置1的发光图案形成，同时可降低图案形成装置1的制造成本。

[0081] 因此，控制部18将相对于各相对发光亮度的光的照射时间全部设定为例如1ms、选出在形成各相对发光亮度的点标记方面所需要的光的强度。控制部18由对应于各相对发光亮度的光的强度算出为了从LD光源11射出的光的照射功率P[mW]及为了射出该照射功率P的光而应该施加的电流(LD电流)I[mA](参照图8)。予以说明，在图8中所示的例中，为了形成相对发光亮度1的点标记所需要的LD电流I为0，但如果低于LD光源11的阈值，则也可以不为0。

[0082] 接着，控制部18通过调整部17绕2轴每1ms调整反射镜16的倾斜度，一边在光照射位置在有机EL元件上沿X方向及Y方向扫描一边基于上述生成了的发光亮度数据将表示各坐标的LD电流的值的脉冲信号输出至LD光源11。LD光源11基于所输入了的脉冲信号、射出激光，由此可在有机EL元件上形成多个点标记而形成期望的发光图案。予以说明，就控制部18而言，在进行光照射时，通过光检测器15检测利用分束器14得到的反射光的强度，监视所检测了的数据。由此，控制部18在因温度·湿度环境的变化等而在从LD光源11射出了的光的强度产生误差的情况下，可修正对LD光源11施加的LD电流I而正确地射出期望的光的强度。

[0083] 予以说明，在上述的图案形成装置1中，将光的照射时间设为1ms，但并不限定于该值。

[0084] 另外，在上述的图案形成装置1中，将光的照射时间设为一定、使光的强度变化而形成期望的相对发光亮度的点标记，但也可以将光的强度设为一定而使照射时间变化。此时，不需要以广范围检测光的强度，光检测器15、将其输出进行IV变换、进行放大的未图示的放大器不需要使用具有宽的动态范围及良好的S/N比的零件，因此可降低图案形成装置1的成本。

[0085] 进而，在上述的图案形成装置1中，将光的照射时间设为一定、使光的强度变化而形成期望的相对发光亮度的点标记，但也可以同时使光的强度和照射时间变化。

[0086] (4)使用了掩模的图案形成方法

[0087] 另外，作为本发明的有机EL元件的图案形成方法，并不限定于利用上述点描绘的图案形成，也可以为使用了图案形成用掩模的图案形成。

[0088] 在使用掩模的图案形成方法中，将从光源射出的光的强度及照射时间设为一定、对应于有机EL元件上形成的期望的发光图案，经由设定了各区域的透光率的掩模而进行光照射。即，通过在每个区域使用透光率不同的掩模，在每个区域控制对有机EL元件所照射的光的强度、形成期望的发光图案。

[0089] 掩模的各区域的透光率如图9中所示设定。图9中所示的掩模的透光率由图5中所示的各相对发光亮度中的光的强度和照射时间的关系图而导出。

[0090] 即，在如上述使用掩模的方法中，由于光的照射时间设定为规定值，因此为了得到各相对发光亮度的图案所需要的光的强度由图5中所示的图表确定。就为了得到各相对发光亮度的图案所需要的掩模的透光率T而言，如果将为了得到该相对发光亮度的图案所需要的对有机EL元件照射的光的强度设为D、将对掩模所照射的光的强度设为Dmsk，则由T＝D/Dmsk表示。因此，对掩模所照射的光的强度Dmsk需要至少为比为了得到各相对发光亮度所需要的光的强度D000～D255的任一者大的值、或与各相对发光亮度D000～D255中最大的值相同的值。

[0091] 予以说明，从使掩模的制作容易的观点考虑，优选为了得到相对发光亮度1的图案所需的掩模的透光率为0％。

[0092] 通过将如上所述构成了的掩模配置于有机EL元件的发光面、经由该掩模以规定的强度及照射时间对有机EL元件进行光的照射，可在有机EL元件上形成期望的发光图案。

[0093] (5)光的强度和照射时间

[0094] 接着，举例对上述的图案形成方法中的光照射的强度和照射时间进行说明。

[0095] 如图1中所示，进行照射的光的强度越大，越能够以小的累积光量形成期望的相对发光亮度的图案，因此越增大光的强度越能够飞跃性地缩短照射时间。

[0096] 例如,在进行利用点描绘的光照射的情况下，在将光源的发光波长设为404nm时，则由图4，如果将光的强度设为26kW/cm2以上，则可以使相对发光亮度0.1的1点标记的照射时间为1ms以下，能够以非常高的速度形成发光图案。在设为分辨率200dpi时，则1点标记的尺寸为25.4mm/200＝0.127mm，因此在将有效发光区域100mm×100mm的有机EL元件的半面设为非发光(相对发光亮度0.1)的情况下，描绘点数为(描绘区域100mm×100mm×0.5)/(点标记尺寸0.127mm×0.127mm)＝310000点，描绘时间为310000×1ms＝310s＝5.2min，成为约5分钟这样的非常短的时间。

[0097] 另外，如果缩短进行照射的光的波长，则可进一步进行在短时间内的图案形成。

[0098] 例如,在使用波长365nm的光源的情况下，由图4，相对发光亮度0.1的1点标记照射时间为1ms的光的强度为4.8kW/cm2。

[0099] 因此，相对于波长λ，照射时间为1ms的光的强度D的关系为D[W/cm2]＝550λ[nm]-1.96×105。因此，在利用点描绘的图案形成的情况下，如果将光的强度设定为550λ[nm]-
1.96×105以上，则能够以非常高的速度形成图案。予以说明，图4示出对于将基板和第1电极的层叠体的光的透过率为70％的有机EL元件进行了光照射的情况的结果，因此作为对发
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光层所照射的光的强度可设定为385λ[nm]-1.37×10以上。

[0100] 另一方面，在使用掩模的图案形成中，如果使用市售的一般的UV曝光装置来进行图案形成，则该装置的光的强度为数十～百mW/cm2左右，因此，需要10h以上的照射时间，生产效率差。在此，如上所述，在有机EL元件的图案形成中，越增大进行照射的光的强度越能够飞跃性地提高照射时间，因此如果搭载多个波长365nm的光源灯而将光的强度设为0.43W/cm2以上，则可以使照射时间为1h以下，可大幅提高处理量。

[0101] 在与上述的点描绘的图案形成的情况下同样地算出对于波长λ照射时间为1h的光的强度D的关系时，则为D[W/cm2]＝0.070λ[nm]-25。因此，在使用掩模的图案形成的情况下，如果将光的强度设定为0.070λ[nm]-25以上，则即使在利用紫外线区域以外的波长的图案形成，也可确保生产率。予以说明，作为对发光层照射的光的强度，可以设定为0.049λ[nm]-17.5以上。

[0102] 以下，对构成可进行上述的本发明的图案形成方法的有机EL元件的主要各层的详细情况和其制造方法进行说明。

[0103] 《基板》

[0104] 作为可在本发明的有机EL元件中使用的基板，可以举出玻璃、塑料等，没有特别限定，另外，可以为透明也可以为不透明。作为可优选使用的透明的基板，可以举出：玻璃、石英、透明树脂膜。特别优选为可对有机EL元件赋予挠性的树脂膜。

[0105] 作为基板的厚度，没有特别限制，可以为任意的厚度。

[0106] 作为树脂膜，例如可以举出：聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等的聚酯、聚乙烯、聚丙烯、赛璐玢、纤维素二乙酸酯、纤维素三乙酸酯(TAC)、纤维素乙酸酯丁酸酯、纤维素乙酸酯丙酸酯(CAP)、纤维素乙酸酯邻苯二甲酸酯、纤维素硝酸酯等的纤维素酯类或它们的衍生物、聚偏氯乙烯、聚乙烯醇、聚乙烯乙烯醇、间规立构聚苯乙烯、聚碳酸酯、降冰片烯树脂、聚甲基戊烯、聚醚酮、聚酰亚胺、聚醚砜(PES)、聚苯硫醚、聚砜类、聚醚酰亚胺、聚醚酮酰亚胺、聚酰胺、氟树脂、尼龙、聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸类或聚芳酯类、アートン(商品名JSR公司制)或アペル(商品名三井化学公司制)这样的环烯烃系树脂等。

[0107] 在树脂膜的表面，也可以形成由无机物或者有机物或其两者构成的气体阻隔膜。作为这样的气体阻隔膜，例如优选为用依据JIS K 7129-1992的方法测定了的水蒸气透过度(25±0.5℃、相对湿度(90±2)％RH)为0.01g/(m2·24h)以下的气体阻隔性膜，进一步优选为用依据JIS K 7126-1987的方法测定了的氧透过度为10-3ml/(m2·24h·atm)以下、水蒸气透过度为10-5g/(m2·24h)以下的高气体阻隔性膜。

[0108] 作为形成气体阻隔膜的材料，只要为具有抑制水分、氧等带来元件的劣化的物质的浸入的功能的材料即可，例如可使用氧化硅、二氧化硅、氮化硅等。进而，为了改良该膜的脆弱性，更优选具有这些无机层和由有机材料构成的层的层叠结构。无机层和有机层的层叠顺序没有特别限制，但优选将两者交替层叠多次。

[0109] 对于气体阻隔膜的形成方法没有特别限定，例如可以使用真空蒸镀法、溅射法、反应性溅射法、分子束外延法、团簇离子束法、离子镀法、等离子体聚合法、大气压等离子体聚合法、等离子体CVD法、激光CVD法、热CVD法、涂覆法等，但特别优选利用日本特开2004-68143号公报中所记载的那样的大气压等离子体聚合法。

[0110] 作为不透明的支承基板，例如可以举出：铝、不锈钢等的金属板、不透明树脂基板、陶瓷制基板等。

[0111] 《第1电极》

[0112] 就第1电极而言，可使用通常在有机EL元件中可使用的所有的电极。具体而言，可以举出：铝、银、镁、锂、镁/铜混合物、镁/银混合物、镁/铝混合物、镁/铟混合物、铟、锂/铝混合物、稀土金属、ITO、ZnO、TiO2、SnO2等的氧化物半导体等。

[0113] 在本发明中，第1电极优选为透明电极，进一步优选为透明金属电极。予以说明，所谓第1电极的透明是指在波长550nm下的透光率为50％以上。

[0114] 作为第1电极的形成方法，例如可适宜使用公知的旋涂、蒸镀法、溅射法等，作为其构图方法，例如可根据情况使用公知的利用光刻的构图、利用图案掩模的构图等。从第1电极取出发光光时，优选使透过率大于10％，另外，作为第1电极的薄层电阻优选为数百Ω/□以下。

[0115] 进而，虽然第1电极的膜厚也取决于材料，但通常在10～l000nm、优选在10～200nm的范围内选择。

[0116] 第1电极也可以形成为由在基板上形成了的基底层、和在其上形成了的电极层构成的2层结构的电极。其中，电极层例如可使用利用银或以银作为主要成分的合金而构成了的层，基底层例如可使用利用含有氮原子的化合物而构成了的层。予以说明，电极层中所谓主要成分是指电极层中的含量为98质量％以上。

[0117] 《有机功能层(发光功能层)》

[0118] (1)发光层

[0119] 有机功能层中至少含有发光层。

[0120] 本发明中使用的发光层中含有磷光发光性化合物作为发光材料。予以说明，发光层中也可以含有多种磷光发光性化合物。另外，作为发光材料，可以使用荧光材料，也可以并用磷光发光性化合物和荧光材料。

[0121] 该发光层为从第2电极或电子传输层注入了的电子和从第1电极或空穴传输层注入了的空穴复合而进行发光的层，进行发光的部分可以为发光层的层内，也可以为与发光层邻接的层的界面。

[0122] 作为这样的发光层，只要所含有的发光材料满足发光要件，其构成没有特别限定。另外，具有相同的发光光谱、发光极大波长的层也可以为多层。此时，各发光层间优选具有非发光性的中间层(省略图示)。

[0123] 发光层的层厚的总和优选在1～100nm的范围内，从可得到更低驱动电压的方面考虑，更优选在1～30nm的范围内。

[0124] 予以说明，所谓发光层的厚度的总和，在发光层间存在非发光性的中间层的情况下，为还包含该中间层的层厚。

[0125] 在由多层构成的发光层的情况下，作为各个发光层的层厚，优选调整为1～50nm的范围内，进一步更优选调整为1～20nm的范围内。在所层叠了的多个发光层以蓝、绿、红的各个发光色进行发光的情况下，对于各发光层的层厚的关系没有特别限制。

[0126] 就如以上的发光层而言，可以将公知的发光材料、主体化合物例如通过真空蒸镀法、旋涂法、流延法、LB法、喷墨法等的公知的薄膜形成方法进行成膜而形成。

[0127] 在此，在本发明中，作为在有机EL元件的发光层中优选使用的磷光发光性化合物的具体例，可以举出在以下的文献中所记载的化合物等。

[0128] 可以举出：Nature 395,151(1998)、Appl.Phys.Lett.78,1622(2001)、Adv.Mater.19,739(2007)、Chem.Mater.17,3532(2005)、Adv.Mater.17,1059(2005)、国际公开第2009/100991号、国际公开第2008/101842号、国际公开第2003/040257号、美国专利公开第2006/835469号说明书、美国专利公开第2006/0202194号说明书、美国专利公开第2007/0087321号说明书、美国专利公开第2005/0244673号说明书等中记载的化合物。

[0129] 另外，可以举出：Inorg.Chem.40,1704(2001)、Chem.Mater.16,2480(2004)、Adv.Mater.16,2003(2004)、Angew.Chem.lnt.Ed.2006,45,7800、Appl.Phys.Lett.86,153505(2005)、Chem.Lett.34,592(2005)、Chem.Commun.2906(2005)、Inorg.Chem.42,1248(2003)、国际公开第2009/050290号、国际公开第2009/000673号、美国专利第7332232号说明书、美国专利公开第2009/0039776号、美国专利第6687266号说明书、美国专利公开第
2006/0008670号说明书、美国专利公开第2008/0015355号说明书、美国专利第7396598号说明书、美国专利公开第2003/0138657号说明书、美国专利第7090928号说明书等中记载的化合物。

[0130] 另外，也可以举出：Angew.Chem.lnt.Ed.47,1(2008)、Chem.Mater.18,5119(2006)、Inorg.Chem.46,4308(2007)、Organometallics  23,3745(2004)、Appl.Phys.Lett.74,1361(1999)、国际公开第2006/056418号、国际公开第2005/123873号、国际公开第2005/123873号、国际公开第2006/082742号、美国专利公开第2005/0260441号说明书、美国专利第7534505号说明书、美国专利公开第2007/0190359号说明书、美国专利第7338722号说明书、美国专利第7279704号说明书、美国专利公开第2006/103874号说明书等中记载的化合物。

[0131] 进而，还可以举出：国际公开第2005/076380号、国际公开第2008/140115号、国际公开第2011/134013号、国际公开第2010/086089号、国际公开第2012/020327号、国际公开第2011/051404号、国际公开第2011/073149号、特开2009-114086号公报、特开2003-81988号公报、特开2002-363552号公报等中记载的化合物。

[0132] 本发明中，作为优选的磷光发光性化合物，可以举出：在中心金属具有Ir的有机金属络合物。进一步优选的是，优选含有金属-碳键、金属-氮键、金属-氧键、金属-硫键中的至少1种的配位样式的络合物。

[0133] 作为磷光发光性化合物(也称为磷光发光性金属络合物)，例如可以通过应用Organic Letter杂志、vol.3、No.16、2579～2581页(2001)；Inorg.Chem.第30卷、第8号、1685～1687页(1991年)；J.Am.Chem.Soc.、123卷、4304页(2001年)；Inorganic Chemistry、第40卷、第7号、1704～1711页(2001年)；Inorganic Chemistry、第41卷、第12号、3055～
3066页(2002年)；New Journal of Chemistry、第26卷、1171页(2002年)；European Journal of Organic Chemistry、第4卷、695～709页(2004年)；以及这些文献中所记载的参考文献等中所公开的方法来合成。

[0134] 另外，在本发明中，作为在有机EL元件的发光层中优选使用的主体化合物的具体例，例如可以举出：日本特开2001-257076号公报、日本特开2001-357977号公报、日本特开2002-8860号公报、日本特开2002-43056号公报、日本特开2002-105445号公报、日本特开
2002-352957号公报、日本特开2002-231453号公报、日本特开2002-234888号公报、日本特开2002-260861号公报、日本特开2002-305083号公报、美国专利公开第2005/0112407号说明书、美国专利公开第2009/0030202号说明书、国际公开第2001/039234号、国际公开第
2008/056746号、国际公开第2005/089025号、国际公开第2007/063754号、国际公开第2005/
030900号、国际公开第2009/086028号、国际公开第2012/023947号、特开2007-254297号公报、欧州专利第2034538号说明书等中所记载的化合物，但本发明并不限定于这些。

[0135] (2)注入层(空穴注入层、电子注入层)

[0136] 所谓注入层，是为了驱动电压降低、发光亮度提高而设置在电极和发光层之间的层，在“有机EL元件和其工业化最前线(1998年11月30日NTS公司发行)”的第2编第2章“电极材料”(123～166页)中被详细记载，有空穴注入层和电子注入层。

[0137] 注入层可以根据需要设置。如果为空穴注入层，则可以存在于阳极和发光层或空穴传输层之间，如果为电子注入层，则可以存在于阴极和发光层或电子传输层之间。

[0138] 就空穴注入层而言，在日本特开平9-45479号公报、日本特开平9-260062号公报、日本特开平8-288069号公报等中也有其详细记载，作为具体例，可以举出：铜酞菁所代表的酞菁层、氧化钒所代表的氧化物层、非晶碳层、使用了聚苯胺(翠绿亚胺)、聚噻吩等的导电性高分子的高分子层等。

[0139] 就电子注入层而言，在日本特开平6-325871号公报、日本特开9-17574号公报、日本特开10-74586号公报等中也有其详细记载，具体而言，可以举出：锶、铝等所代表的金属层、氟化钾所代表的碱金属卤化物层、氟化镁所代表的碱土类金属化合物层、氧化钼所代表的氧化物层等。本发明的电子注入层优选为极薄的膜，虽然也取决于原材料，但其层厚优选1nm～10μm的范围。

[0140] (3)空穴传输层

[0141] 空穴传输层由具有传输空穴的功能的空穴传输材料构成，广义上空穴注入层、电子阻挡层也包括于空穴传输层。空穴传输层可以设置单层或多层。

[0142] 作为空穴传输材料，具有空穴的注入或传输、电子的阻挡性中的任一性能，有机物、无机物均可。例如可以举出：三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、多芳基烷烃衍生物、吡唑啉衍生物及吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、氨基取代查尔酮衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、茋衍生物、硅氮烷衍生物、苯胺系共聚物，另外导电性高分子低聚物、特别是噻吩低聚物等。

[0143] 作为空穴传输材料，可以使用上述的材料，优选使用卟啉化合物、芳香族叔胺化合物及苯乙烯基胺化合物，特别优选使用芳香族叔胺化合物。

[0144] 作为芳香族叔胺化合物及苯乙烯基胺化合物的代表例，可以举出：N,N,N’,N’-四苯基-4,4’-二氨基苯基；N,N’-二苯基-N,N’-双(3-甲基苯基)-[1,1’-联苯]-4,4’-二胺(TPD)；2,2-双(4-二-对甲苯基氨基苯基)丙烷；1,1-双(4-二-对甲苯基氨基苯基)环己烷；N,N,N’,N’-四-对甲苯基-4,4’-二氨基联苯；1,1-双(4-二-对甲苯基氨基苯基)-4-苯基环己烷；双(4-二甲基氨基-2-甲基苯基)苯基甲烷；双(4-二-对甲苯基氨基苯基)苯基甲烷；N,N’-二苯基-N,N’-二(4-甲氧基苯基)-4,4’-二氨基联苯；N,N,N’,N’-四苯基-4,4’-二氨基二苯醚；4,4’-双(二苯基氨基)四联苯；N,N,N-三(对甲苯基)胺；4-(二-对甲苯基氨基)-4’-[4-(二-对甲苯基氨基)苯乙烯基]茋；4-N,N-二苯基氨基-(2-二苯基乙烯基)苯；3-甲氧基-
4’-N,N-二苯基氨基均二苯乙烯(stilbenzene)；N-苯基咔唑、以及美国专利第5061569号说明书中记载的在分子内具有2个稠合芳香族环的物质、例如4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(NPD)、日本特开平4-308688号公报中记载的三个三苯基胺单元连接为星爆型的4,
4’,4″-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯基胺(MTDATA)等。

[0145] 进而可以使用将这些材料导入了高分子链、或将这些材料作为高分子的主链的高分子材料。另外，p型-Si、p型-SiC等的无机化合物也可以作为空穴注入材料、空穴传输材料来使用。

[0146] 另外，也可以使用如日本特开平11-251067号公报、J.Huang等，Applied Physics Letters、80(2002)、p.139中记载的所谓的p型空穴传输材料。本发明中，从可得到更高效率的发光元件的方面考虑，优选使用这些材料。

[0147] 就空穴传输层而言，可以通过将上述空穴传输材料例如通过真空蒸镀法、旋涂法、流延法、包含喷墨法的印刷法、LB法等的公知的方法进行薄膜化而由此形成。对于空穴传输层的层厚没有特别限制，通常为5nm～5μm左右，优选为5～200nm。该空穴传输层可以为由上述材料中的1种或2种以上构成的1层结构。

[0148] 另外，也可以在空穴传输层的材料中掺杂杂质来提高p性。作为其例子，可以举出：日本特开平4-297076号公报、日本特开2000-196140号公报、日本特开2001-102175号公报、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等中所记载的物质。

[0149] 这样，如果提高空穴传输层的p性，则可以制作更低电力消耗的元件，因此优选。

[0150] (4)电子传输层

[0151] 电子传输层由具有传输电子的功能的材料构成，广义上电子注入层、空穴阻挡层(省略图示)也包含在电子传输层中。电子传输层可以以单层结构或多层的层叠结构的形式设置。

[0152] 在单层结构的电子传输层、及层叠结构的电子传输层中，作为构成与发光层邻接的层部分的电子传输材料(兼作空穴阻挡材料)，只要具有将从阴极注入了的电子传递至发光层的功能即可。作为这样的材料，可以从以往公知的化合物中选择任意的化合物来使用。例如可以举出硝基取代芴衍生物、二苯基醌衍生物、硫代吡喃二氧化物衍生物、碳化二亚胺、亚芴基甲烷衍生物、蒽醌二甲烷、蒽酮衍生物及噁二唑衍生物等。进而，在上述噁二唑衍生物中，将噁二唑环的氧原子取代为硫原子的噻二唑衍生物、具有作为吸电子基团而已知的喹喔啉环的喹喔啉衍生物也可以作为电子传输层的材料来使用。进而也可以使用将这些材料导入了高分子链的、或将这些材料作为高分子的主链的高分子材料。

[0153] 另外，8-羟基喹啉衍生物的金属络合物、例如三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、三(5,7-二氯-8-羟基喹啉)铝、三(5,7-二溴-8-羟基喹啉)铝、三(2-甲基-8-羟基喹啉)铝、三(5-甲基-8-羟基喹啉)铝、双(8-羟基喹啉)锌(Znq)等、及这些金属络合物的中心金属被替代为In、Mg、Cu、Ca、Sn、Ga或Pb的金属络合物也可以作为电子传输层的材料来使用。

[0154] 此外，无金属或者金属酞菁、或它们的末端被烷基、磺酸基等取代了的化合物也可优选作为电子传输层的材料来使用。另外，作为发光层的材料而例示的二苯乙烯基吡嗪衍生物也可以作为电子传输层的材料来使用，与空穴注入层、空穴传输层同样，n型-Si、n型-SiC等的无机半导体也可以作为电子传输层的材料来使用。

[0155] 电子传输层可以通过将上述材料例如通过真空蒸镀法、旋涂法、流延法、包含喷墨法的印刷法、LB法等的公知的方法进行薄膜化来形成。对于电子传输层的层厚没有特别限制，通常为5nm～5μm左右，优选为5～200nm。电子传输层可以为由上述材料中的1种或2种以上构成的1层结构。

[0156] 另外，也可以在电子传输层中掺杂杂质、提高n性。作为其例子，可以举出：日本特开平4-297076号公报、日本特开平10-270172号公报、日本特开2000-196140号公报、日本特开2001-102175号公报、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等中所记载的物质。进而优选在电子传输层中含有钾、钾化合物等。作为钾化合物，例如可以使用氟化钾等。如果这样提高电子传输层的n性，则可制作更低电力消耗的元件。

[0157] 另外，作为电子传输层的材料(电子传输性化合物)，也可以使用与构成上述的基底层的材料同样的材料。其即使为兼作电子注入层的电子传输层也相同，可以使用与构成上述的基底层的材料同样的材料。

[0158] (5)阻挡层(空穴阻挡层、电子阻挡层)

[0159] 就阻挡层而言，可以作为有机功能层在除了上述各功能层以外进一步设置。例如有日本特开平11-204258号公报、日本特开平11-204359号公报、及“有机EL元件和其工业化最前线(1998年11月30日NTS公司发行)”的237页等中所记载的空穴阻挡(hole block)层。

[0160] 所谓空穴阻挡层，广义上具有电子传输层的功能。空穴阻挡层由具有传输电子的功能、同时传输空穴的能力显著小的空穴阻挡材料构成，通过传输电子、同时阻挡空穴，可以使电子和空穴的复合概率提高。另外，可以将后述的电子传输层的构成根据需要作为本发明涉及的空穴阻挡层来使用。空穴阻挡层优选与发光层邻接而设置。

[0161] 另一方面，所谓电子阻挡层，广义上具有空穴输送层的功能。电子阻挡层由具有传输空穴的功能、同时传输电子的能力显著小的材料构成，通过传输空穴、同时阻挡电子，可以使电子和空穴的复合概率提高。另外，也可以将后述的空穴传输层的构成根据需要作为电子阻挡层来使用。作为本发明涉及的空穴阻挡层的层厚，优选为3～100nm，进一步优选为5～30nm。

[0162] 《第2电极》

[0163] 第2电极为作为向有机功能层供给电子的负极而发挥功能的电极膜，可使用金属、合金、有机或无机的导电性化合物、及它们的混合物。具体而言，可以举出：铝、银、镁、锂、镁/铜混合物、镁/银混合物、镁/铝混合物、镁/铟混合物、铟、锂/铝混合物、稀土类金属、ITO、ZnO、TiO2、SnO2等的氧化物半导体等。

[0164] 第2电极可通过将这些导电性材料通过蒸镀、溅射等的方法形成薄膜来制作。另外，作为第2电极的薄层电阻优选为数百Ω/□以下，膜厚通常在5～5000nm的范围内、优选在5～200nm的范围内选择。

[0165] 予以说明，如果该有机EL元件如果为从第2电极侧取出发光光的情况，则只要从上述的导电性材料中选择透光性良好的导电性材料来构成第2电极即可。此时，可通过从第2电极侧照射光来进行上述图案形成方法。

[0166] 《取出电极》

[0167] 取出电极将第1电极和外部电源进行电连接，作为其材料，没有特别限定，可优选使用公知的原材料，例如可以使用由3层结构构成的MAM电极(Mo/Al·Nd合金/Mo)等的金属膜。

[0168] 《辅助电极》

[0169] 辅助电极以降低第1电极的电阻而设置，与第1电极的电极层相接而设置。形成辅助电极的材料优选金、铂、银、铜、铝等的电阻低的金属。这些金属的透光性低，因此可在不影响来自光取出面的发光光的取出的范围进行图案形成。

[0170] 作为这样的辅助电极的形成方法，可以举出：蒸镀法、溅射法、印刷法、喷墨法、气溶胶喷射法等。就辅助电极的线宽而言，从取出光的开口率的观点考虑，优选为50μm以下，就辅助电极的厚度而言，从导电性的观点考虑，优选为1μm以上。

[0171] 《密封材料》

[0172] 就密封材料而言，在基板上覆盖有机EL元件主体部(有机功能层、各种电极及配线)，可以通过粘接剂将板状(膜状)的密封部件固定于基板上，也可以为密封膜。在任一构成中，密封材料均以使第1电极、第2电极、取出电极等的一部分露出了的状态密封有机EL元件。

[0173] 在密封部件由板状(膜状)的密封部件构成的情况下，作为密封部件，可以使用在一面形成了凹部的大致板状基材、即凹板状的密封部件，也可以使用面为平坦的板状基材、即平板状的密封部件。予以说明，板状(凹板状或平板状)的密封材料可以在之间夹持有机EL元件主体部而配置于与基板1对置的位置。

[0174] 作为密封部件，例如可以使用玻璃板、聚合物板、金属板等的透明基板。予以说明，作为玻璃板，例如可以使用由无碱玻璃、钠钙玻璃、含有钡·锶的玻璃、铅玻璃、铝硅酸玻璃、硼硅酸玻璃、钡硼硅酸玻璃、石英等的材料形成了的基板。另外，作为聚合物板，例如可以使用由聚碳酸酯、丙烯酸类、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚硫醚、聚砜等的材料形成了的基板。进而，作为金属板，例如可以使用由选自由不锈钢、铁、铜、铝、镁、镍、锌、铬、钛、钼、硅、锗及钽构成的组中的1种以上的金属或合金形成了的基板。

[0175] 另外，在使用凹板状的密封部件作为密封材料的情况下(罐密封的情况)，优选在密封材料和有机EL元件主体部(有机功能层、各种电极及配线)之间的空隙例如填充氮、氩等的非活性气体、氟化烃、硅油等的非活性液体。另外，可以使密封材料和有机EL元件主体部之间的空隙为真空状态，也可以在空隙中封入吸湿性化合物。

[0176] 另外，在使用平板状的密封部件作为密封材料的情况下，作为在密封部件和基板1的粘接中使用的粘接剂，可以举出：丙烯酸系低聚物或甲基丙烯酸系低聚物的具有反应性乙烯基的光固化型或热固化型粘接剂、2-氰基丙烯酸酯等的湿气固化型粘接剂等。另外，也可以使用环氧系等的热固化型或化学固化型(二液混合)粘接剂作为粘接剂。

[0177] 另外，如上述，也可以使用密封膜作为密封材料。

[0178] 作为密封膜，可以用由无机材料、有机材料构成的膜来构成。但是，密封膜由具有抑制引起有机功能层的劣化的水分、氧等的物质的浸入的功能的材料构成。作为具有这样的性质的材料，例如可以举出：氧化硅、二氧化硅、氮化硅等的无机材料。进而，为了改良密封膜的脆弱性，也可以将密封膜的结构形成层叠了由这些无机材料构成的膜和由有机材料构成的膜的多层结构。

[0179] 作为上述的密封膜的形成方法，可以使用任意的方法，例如可以使用真空蒸镀法、溅射法、反应性溅射法、分子束外延法、团簇离子束法、离子镀法、等离子体聚合法、大气压等离子体聚合法、等离子体CVD法、激光CVD法、热CVD法、涂覆法等的方法。

[0180] 《保护膜、保护板》

[0181] 有机EL元件可以在密封材料之上进一步具备保护膜或保护板。

[0182] 保护膜或保护板在与基板之间夹持有机EL元件主体部(有机功能层、各种电极及配线)及密封材料而机械地保护有机EL元件主体部。特别是在使用密封膜作为密封材料的情况下，对于有机EL元件主体部的机械的保护不充分，因此优选设置保护膜或保护板。

[0183] 作为保护膜或保护板，可使用玻璃板、聚合物板、薄型的聚合物膜、金属板、薄型的金属膜、或聚合物材料膜、金属材料膜。其中，从轻量且元件的薄膜化这样的观点考虑，优选使用聚合物膜。

[0184] 产业上的可利用性

[0185] 如以上，本发明适于提供可正确地形成具有期望的发光亮度的等级的发光图案的有机电致发光元件的图案形成方法。

[0186] 符号的说明

[0187] 1  图案形成装置

[0188] 2  有机EL元件

[0189] 11 半导体激光光源(LD光源)

[0190] 12 准直透镜

[0191] 13 聚光透镜

[0192] 14 分束器

[0193] 15 光检测器

[0194] 16 反射镜

[0195] 17 调整部

[0196] 18 控制部