一种钼酸锂纳米棒电子封装材料

摘要

本发明公开了一种钼酸锂纳米棒电子封装材料，属于电子封装材料技术领域。本发明钼酸锂纳米棒电子封装材料的质量百分比组成如下：钼酸锂纳米棒65‑80％、聚乙烯醇8‑12％、脂肪醇聚氧乙烯醚羧酸钠0.05‑0.5％、异丙醇铝4‑8％、微晶石蜡4‑8％、水3‑7％，钼酸锂纳米棒的直径为50‑100nm、长度为1‑3μm。本发明提供的钼酸锂纳米棒电子封装材料具有绝缘性好、耐老化及耐腐蚀性能优良、导热系数高、热膨胀系数小、易加工、制备过程简单及制备温度低的特点，在电子封装材料领域具有良好的应用前景。

权利要求

1.一种钼酸锂纳米棒电子封装材料，其特征在于：以质量百分比计，该电子封装材料的组成及比例如下：

2.如权利要求1所述一种钼酸锂纳米棒电子封装材料，其特征在于：所述钼酸锂纳米棒的直径为50-100nm、长度为1-3μm。

说明书

一种钼酸锂纳米棒电子封装材料

技术领域

[0001] 本发明属于电子封装材料技术领域，具体涉及一种钼酸锂纳米棒电子封装材料。

背景技术

[0002] 随着电子设备的的小型化、多功能化及高性能化，对电子封装材料的要求越来越高。作为理想的电子封装材料，要求具有热膨胀系数小、导热系数高、绝缘性好、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工等特点，可以起到固定密封、使电子设备免受外界环境的干扰、提高电子设备的寿命和增强环境适应的能力。

[0003] 国家发明专利“电子元器件封装材料用陶瓷粉及其生产方法”(国家发明专利号：ZL201210396718.8)以含有氧化钡、氧化硼、氧化硅、氧化铝、氧化锌、氧化锆、氧化钛的复合氧化物作为原料，在800-1000℃烧结得到了陶瓷电子封装材料。国家发明专利“一种导热耐候的太阳能电池封装材料”(国家发明专利号：ZL201210089355.3)公开了以乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯基共聚物、丙烯酸酯改性硅酸盐类填充剂、过氧化物类交联剂、酚类或亚磷酸酯类抗氧剂和受阻胺类光稳定剂作为原料，经过混料、熔融挤出、流延成膜和分切收卷四个工艺过程制备出了一种导热耐候的电池封装材料。国家发明专利“一种高功率LED封装用环氧树脂复合物及其制备方法”(国家发明专利号：ZL201310180484.8)公开了以有机硅改性环氧树脂、脂环族环氧树脂、氢化双酚A环氧树脂、消泡剂、固化剂和多元醇等作为原料，在80-150℃固化0.5-3h，脱模后于90-160℃固化1-10h得到了环氧树脂复合物封装材料。

[0004] 无机非金属电子封装材料虽然具有强度高、热膨胀系数小、耐老化性能好等特点，但是存在难于加工、制备温度高的缺点。高分子电子封装材料具有易加工、绝缘性好、制备温度低的特点，但也存在热膨胀系数大、耐老化性能差等缺点。因此，单一材料难以满足电子封装材料性能的要求。

发明内容

[0005] 本发明的目的是为了解决以上问题，提供钼酸锂纳米棒作为主要原料，引入聚乙烯醇、脂肪醇聚氧乙烯醚羧酸钠、异丙醇铝、微晶石蜡和水，以期得到具有热膨胀系数小、导热系数高、绝缘性好、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工及制备温度低的钼酸锂纳米棒电子封装材料。

[0006] 本发明所提供的钼酸锂纳米棒电子封装材料的质量百分比组成如下：

[0007] 钼酸锂纳米棒65-80％、聚乙烯醇8-12％、脂肪醇聚氧乙烯醚羧酸钠0.05-0.5％、异丙醇铝4-8％、微晶石蜡4-8％、水3-7％。

[0008] 本发明所述钼酸锂纳米棒的直径为50-100nm、长度为1-3μm。

[0009] 本发明所提供的钼酸锂纳米棒的具体制备方法如下：

[0010] 以钼酸钠、乙酸锂作为原料，水为溶剂，其中钼酸钠与乙酸锂的摩尔比为1:1，将钼酸钠、乙酸锂与水均匀混合后置于反应容器内并密封，于温度120-180℃、保温12-48h，其中钼酸钠与乙酸锂的重量不大于水重量的50％。

[0011] 本发明所提供的钼酸锂纳米棒电子封装材料的具体制备方法如下：

[0012] 按照质量比例称取钼酸锂纳米棒、聚乙烯醇、脂肪醇聚氧乙烯醚羧酸钠、异丙醇铝、微晶石蜡和水，然后将聚乙烯醇溶于水中，再通过机械搅拌将其它原料与聚乙烯醇溶液混合均匀，并置于磨具中冲压成型，在80-120℃、保温24-72h，自然冷却后得到了钼酸锂纳米棒电子封装材料。

[0013] 与现有技术相比，本发明具有以下技术效果：

[0014] 1、本发明以钼酸锂纳米棒、聚乙烯醇、脂肪醇聚氧乙烯醚羧酸钠、异丙醇铝、微晶石蜡和水作为原料，可以制备出无机非金属纳米材料与高分子材料复合形成的电子封装材料，这种电子封装材料具有热膨胀系数小、导热系数高、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好等特点，在电子封装领域具有良好的应用前景。

[0015] 2、本发明钼酸锂纳米棒电子封装材料的制备温度为80-120℃，低于无机非金属封装材料的制备温度，制备过程简单，减少了工艺步骤和能耗，降低了生产成本。

附图说明

[0016] 图1为实施例1制备的钼酸锂纳米棒电子封装材料的SEM图像；

[0017] 从图可以看出钼酸锂纳米棒电子封装材料由纳米棒和无规则颗粒构成，纳米棒的直径为50-100nm、长度为1-3μm。

具体实施方式

[0018] 以下结合具体实施例详述本发明，但本发明不局限于下述实施例。

[0019] 实施例1

[0020] 确定钼酸锂纳米棒电子封装材料的质量百分比组成如下：

[0021]

[0022] 实施例2

[0023] 确定钼酸锂纳米棒电子封装材料的质量百分比组成如下：

[0024]

[0025] 实施例3

[0026] 确定钼酸锂纳米棒电子封装材料的质量百分比组成如下：

[0027]

[0028] 实施例4

[0029] 确定钼酸锂纳米棒电子封装材料的质量百分比组成如下：

[0030]

[0031] 实施例5

[0032] 确定钼酸锂纳米棒电子封装材料的质量百分比组成如下：

[0033]

[0034] 实施例6

[0035] 确定钼酸锂纳米棒电子封装材料的质量百分比组成如下：

[0036]

[0037] 实施例7

[0038] 确定钼酸锂纳米棒电子封装材料的质量百分比组成如下：

[0039]

[0040] 实施例8

[0041] 确定钼酸锂纳米棒电子封装材料的质量百分比组成如下：

[0042]

[0043] 本发明实施例1到实施例8所得钼酸锂纳米棒电子封装材料的特征参数如表1所示：

[0044] 表1

[0045]