一种可揭式任意图形化的透明导电薄膜及其应用

摘要

本发明属于光电器件领域，公开了一种可揭式任意图形化的透明导电薄膜，其包括自下至上依次设置了衬底、透明导电薄膜层、导电薄膜层；所述衬底与透明导电薄膜层之间的附着力大于透明导电薄膜层与导电薄膜层之间的附着力；所述导电薄膜层可剥离。本发明进一步包括中间层、超薄界面修饰层、或衬底界面修饰层。本发明应用时可根据需要剥离导电薄膜层，保留透明导电薄膜层，形成可揭式任意图形化的透明导电薄膜。本发明在用作光电器件的透明电极或抗电磁波干扰的透明窗口等方面具广泛应用前景。

权利要求

1.一种可揭式任意图形化的透明导电薄膜，其特征在于，其包括衬底(1)、在所述衬底(1)上依次沉积的透明导电薄膜层(2)和导电薄膜层(4)；所述衬底(1)与透明导电薄膜层(2)之间的附着力大于透明导电薄膜层(2)与导电薄膜层(4)之间的附着力；所述导电薄膜层(4)可剥离；其包括中间层(3)；所述中间层(3)设在所述透明导电薄膜层(2)与所述导电薄膜层(4)之间，其弱化所述透明导电薄膜层(2)与所述导电薄膜层(4)之间的附着力。

2.如权利要求1所述的可揭式任意图形化的透明导电薄膜，其特征在于，所述中间层(3)包括LiF、氯化纳、碳膜、有机小分子、聚合物材料、氧化钼或硅烷。

3.一种可揭式任意图形化的透明导电薄膜，其特征在于，其包括衬底(1)、在所述衬底(1)上依次沉积的透明导电薄膜层(2)和导电薄膜层(4)；所述衬底(1)与透明导电薄膜层(2)之间的附着力大于透明导电薄膜层(2)与导电薄膜层(4)之间的附着力；所述导电薄膜层(4)可剥离；其包括超薄界面修饰层(21)；所述超薄界面修饰层(21)是对透明导电薄膜层(2)的界面修饰而形成，其弱化所述透明导电薄膜层(2)与导电薄膜层(4)之间的附着力。

4.如权利要求3所述的可揭式任意图形化的透明导电薄膜，其特征在于，所述对透明导电薄膜层(2)的界面修饰为采用通入氮气、氧气、Ar、甲烷、乙炔、氢气或水汽进行表面等离子体处理、或通入硅烷气体形成自组装超薄界面修饰层(21)。

5.如权利要求1或3所述的可揭式任意图形化的透明导电薄膜，其特征在于，其包括衬底界面修饰层(10)；所述衬底界面修饰层(10)是通过在衬底(1)表面进行化学或物理修饰形成，其加强所述衬底(1)与透明导电薄膜层(2)之间的附着力。

6.如权利要求5所述的可揭式任意图形化的透明导电薄膜，其特征在于，所述衬底界面修饰层(10)包括在衬底(1)表面涂覆的功能性硅胶层。

7.如权利要求1或3所述的可揭式任意图形化的透明导电薄膜，其特征在于，

所述衬底(1)为透明材料；

所述透明导电薄膜层(2)是金属或金属合金构成的透明金属薄膜、透明导电氧化物薄膜、或透明导电氧化物/金属/透明导电氧化物组成的复合薄膜；

所述导电薄膜层(4)是金属或金属合金构成的半透明或者不透明金属薄膜。

8.如权利要求7所述的可揭式任意图形化的透明导电薄膜，其特征在于，

所述金属或金属合金构成的透明金属薄膜为铝、钛、铬、镍、铁、铜、银、金、钛铬、银铝、镁铝、钛银、镁银、镍银、银铜锌一元或者多元合金形成的透明金属薄膜之任意一种；

所述透明导电氧化物薄膜为掺铝氧化锌、掺镓氧化锌、掺铟氧化锌、掺锡氧化铟、掺氟氧化锡形成的透明导电薄膜之任意一种；

所述透明导电氧化物/金属/透明导电氧化物组成的复合薄膜为AZO|Ag|AZO，ZnO|Ag|ZnO，ITO|Ag|ITO，GZO|Ag|GZO,AZO|AgAl|AZO多层复合体系之任意一种；

所述导电薄膜(4)为铝、钛、铬、镍、铁、铜、银、钛铬、银铝、镁铝、钛银、镁银、镍银、银铜锌一元或者多元合金形成的透明、半透明或者不透明的金属薄膜之任意一种。

9.如权利要求1或3所示的可揭式任意图形化的透明导电薄膜的应用，其特征在于，所述可揭式任意图形化的透明导电薄膜用作光电器件的透明电极、或用作抗电磁波干扰的透明窗口。

说明书

一种可揭式任意图形化的透明导电薄膜及其应用

技术领域

[0001] 本发明属于光电器件领域，具体涉及一种可揭式任意图形化的透明导电薄膜及其应用。

背景技术

[0002] 以掺锡氧化铟(ITO)、掺氟氧化锡(FTO)和掺铝氧化锌(AZO)薄膜为代表的透明导电氧化物(TCO)通常具有禁带宽、可见光谱区光透射率高和电阻率低等共同光电特性，被广泛地应用于太阳能电池、平面显示、特殊功能窗口涂层、抗电磁波干扰及其它光电器件领域。近年，氧化物-金属-氧化物(如ITO|Ag|ITO，AZO|Ag|AZO，NiO|Ag|NiO等)和金属纳米结构基透明导电复合膜等研制的透明导电薄膜也逐步应用到太阳能电池、显示和抗电磁干扰等领域。在太阳能电池、显示等光电领域通常要求至少一面电极是透明导电薄膜，要求高透光率和高导电率。但有些特殊领域，如半透明太阳能电池或者全透明显示，要求上下电极都有透明要求。在防电磁干扰的场所，使用非透明的镍银金属复合涂层或者金属薄膜通常都具有良好电磁抗干扰能力，但既要高透光性又要强抗电磁干扰能力的窗口材料和窗口薄膜仍有很强应用领域，如军用飞机窗口、仪表仪器窗口以及要求良好电磁屏蔽场场所的观察窗口等。高透光和高导电薄膜通常是相互制约和矛盾对立的，通常增加薄膜厚度可以提高薄膜导电能力，但会降低透光率。在太阳能电池中，增加透光性可提高电池光吸收，但薄膜方块电阻增加导致高的串联电阻，降低了电池效率。在发光显示如有机发光器件(OLED)中，高透光电极能提高OLED器件的光逸出，但高阻值电极需要更高驱动电压和导致更高能量耗散。在防电磁波干扰场所，低电阻薄膜有利于提高防电磁干扰能力，高阻值透明窗口将降低防电磁波干扰能力。实际应用中为了降低其负面影响，尽量减少高阻值透明薄膜覆盖面积，增加低阻值薄膜的覆盖面积，通常是一种可行办法。目前常用透明导电薄膜如ITO、FTO和AZO，氧化物-金属-氧化物导电薄膜如AZO|Ag|AZO，金属纳米结构基组成透明导电复合膜等在衬底上制备透明导电薄膜后，现有技术手段在后续应用中就很难根据需要灵活的进行图形化调整，这为后期应用带来不便和提高应用成本。

发明内容

[0003] 本发明克服现有技术的上述缺点，提出了一种可揭式任意图形化的透明导电薄膜，在实际使用中可以根据需要剥离上层导电薄膜而露出下层透明导电薄膜窗口，而其他未剥离部分仍保持具有良好导电性的薄膜，本发明可揭式任意图形化的透明导电薄膜在使用中具有很强灵活性和可操作性。

[0004] 本发明提出了一种可揭式任意图形化的透明导电薄膜，其包括衬底、以及在所述衬底上从下至上依次沉积的透明导电薄膜和导电薄膜层。其中，所述衬底与透明导电薄膜层之间的附着力大于透明导电薄膜层与导电薄膜层之间的附着力；所述导电薄膜层可剥离。

[0005] 本发明中，可根据需要剥离导电薄膜层。由于衬底与透明导电薄膜层之间的附着力明显大于透明导电薄膜层与导电薄膜层之间的附着力，因此，在剥离导电薄膜层时，透明导电薄膜层与衬底之间不发生剥离现象，从而形成任意图形化的透明导电薄膜。

[0006] 本发明可揭式任意图形化的透明导电薄膜进一步包括中间层。通过在所述透明导电薄膜层与所述导电薄膜层之间引入中间层，从而来弱化所述透明导电薄膜层与所述导电薄膜层之间的附着力。优选地，所述中间层包括LiF、氯化纳、碳膜、有机小分子、聚合物材料、氧化钼、硅烷等。

[0007] 本发明可揭式任意图形化的透明导电薄膜进一步包括超薄界面修饰层。所述超薄界面修饰层是通过采用对透明导电薄膜层的界面修饰方式而形成的，从而来弱化所述透明导电薄膜层与导电薄膜层之间的附着力。其中，对透明导电薄膜层的界面修饰为采用氮气、氧气、Ar、甲烷、乙炔、氢气、水汽等进行表面等离子处理，或者通入硅烷气体等方法，从而形成自组装超薄界面修饰层等，弱化所述透明导电薄膜层与导电薄膜层之间的附着力。

[0008] 本发明可揭式任意图形化的透明导电薄膜进一步包括衬底界面修饰层。通过在衬底表面进行化学或物理修饰以形成衬底界面修饰层，从而来加强所述衬底与透明导电薄膜层之间的附着力。其中，所述在衬底表面进行化学或物理修饰是包括在衬底表面沉积缓冲层、衬底表面粗化，通入气体进行表面等离子处理等方法，形成衬底界面修饰层。优选地，所述衬底界面修饰层为在衬底表面涂覆的功能性硅胶层。优选地，在衬底表面上涂覆功能性硅胶层，用氧气/氩气表面等离子处理或者用NaOH等碱溶液处理在衬底表面形成羟基。所述“功能性硅胶层”是指硅胶层里含有硅烷偶联剂，通过“功能性硅胶层”作用使透明导电薄膜与衬底通过共价键或者离子键连接；“硅烷偶联剂”是指含有烷氧基团的硅烷，典型的硅烷偶联剂如：甲基丙烯酰氧丙基三甲基硅烷，正硅酸乙脂，氨丙基三甲基硅烷和1，2-二(三乙氧基甲硅烷基)乙烷等。

[0009] 本发明中，衬底可以是玻璃、塑料、石英和蓝宝石等任意透明材料之任意一种。

[0010] 本发明中，透明导电薄膜层是金属或金属合金构成的透明金属薄膜，可以是透明导电氧化物薄膜，还可以是透明导电氧化物/金属/透明导电氧化物(O/M/O)组成的复合薄膜。

[0011] 其中，金属或金属合金构成的透明金属薄膜为铝、钛、铬、镍、铁、铜、银、金、钛铬、银铝、镁铝、钛银、镁银、镍银、银铜锌等一元或者多元合金形成的透明金属薄膜之任意一种。

[0012] 其中，透明导电氧化物薄膜为掺铝氧化锌(AZO)、掺镓氧化锌(GZO)、掺铟氧化锌(IZO)、掺锡氧化铟(ITO)、掺氟氧化锡(FTO)等形成的透明导电薄膜之任意一种。

[0013] 其中，透明导电氧化物/金属/透明导电氧化物(O/M/O)多层复合体系形成的透明导电薄膜为AZO|Ag|AZO，ZnO|Ag|ZnO，GZO|Ag|GZO等体系的任意一种。

[0014] 本发明中，导电薄膜层是金属或金属合金如铝、钛、铬、镍、铁、铜、银、钛铬、银铝、镁铝、钛银、镁银、镍银、银铜锌等一元或者多元合金的形成的半透明或者不透明金属薄膜之任意一种。

[0015] 本发明中，中间层用于减弱透明导电薄膜和导电薄膜层的附着性。中间层可以选用LiF、氯化纳、碳膜等形成一层物理薄膜。

[0016] 本发明中，减弱透明导电薄膜和导电薄膜层之间的附着性，还可以采用物理化学方法如等离子体处理、硅烷修饰处理透明导电薄膜界面，例如，通入氮气、氧气、Ar、甲烷、乙炔、氢气或水汽进行表面等离子体处理、或通入硅烷气体形成超薄界面修饰层，从而减弱透明导电薄膜与导电薄膜层之间化学键联系，弱化透明导电薄膜与导电薄膜层之间的附着性。

[0017] 本发明还提出了上述可揭式任意图形化的透明导电薄膜的制备方法，真空热蒸发镀膜、磁空溅射沉积、化学气相沉积(CVD)、溶液法旋涂、印刷、刮图成膜等，得到可揭式任意图形化的透明导电薄膜。

[0018] 在一个具体实施方案中，本发明制备方法包括如下具体步骤：选用高透明玻璃、先用清洁工艺把玻璃表面清晰干净，接着用NaOH溶液或者HF溶液对玻璃进行表面粗化和羟基化，然后烘干。把准备好的玻璃放入真空热蒸发系统抽真空，接着蒸度TiCr或者NiCr合金透明导电薄膜，然后蒸发LiF薄膜和Ag层。

[0019] 优选的，金属或金属合金薄膜、透明导电氧化物以及中间层可通过磁控溅射、真空热蒸发、电子束蒸发和激光沉积等方式制备，也可用打印、印刷和旋涂等方式制备。如用热蒸发制备透明导电薄膜，先在衬底上沉积透明导电薄膜、接着沉积中间层和导电薄膜层。为了提高衬底与透明导电薄膜附着力，衬底表面可通过等离子体处理、硅烷化学修饰、化学清洗粗化以及加衬底温度等提高与透明导电薄膜附着力。如采用磁控溅射沉积透明导电层、中间层以及导电薄膜层，在衬底上依次溅射透明导电薄膜层、中间层和导电薄膜层。衬底表面清洗、物理化学处理以及衬底温度和偏压等参数对提高衬底与透明导电薄膜附着力密切相关，溅射参数如功率、气压、溅射速率、氧氩比、各层薄膜厚度、靶材与衬底间距和角度等可根据需要进行调整。衬底与透明导电薄膜之间的附着力要明显大于透明导电薄膜与导电薄膜层之间附着力，便于后续用粘性工具剥离导电薄膜时，只剥离上层导电薄膜而下层透明导电薄膜不受剥离影响。本发明中，所述透明导电薄膜层与导电薄膜层之间的附着力明显低于所述衬底与透明导电薄膜之间的附着力。在中间层插入LiF、有机小分子层、非功能化硅烷层等。这里指得“非功能化硅烷层”指得形成的中间硅烷层与下层的透明导电薄膜层和上层导电薄膜层之间主要以范德华力作用，共价键和离子键作用数量较少或较弱。

[0020] 本发明还提出了可揭式任意图形化的透明导电薄膜在作为光电器件的透明电极或抗电磁波干扰的透明窗口等各方面的应用。

[0021] 本发明中，衬底与透明导电薄膜之间的附着力明显大于透明导电薄膜层与导电薄膜层之间的附着力是指剥离上层导电薄膜时，上层导电薄膜能彻底剥离而下层透明导电薄膜层不会任何脱落。本发明中，只要衬底与透明导电薄膜之间的附着力要明显大于透明导电薄膜层与导电薄膜层之间的附着力，透明导电薄膜不受导电薄膜层剥离影响，中间层和/或超薄界面修饰层可以省略。

[0022] 本发明创新在于，在透明导电薄膜层与导电薄膜层之间引入中间层或对透明导电薄膜层进行界面修饰，从而弱化透明导电薄膜层与导电薄膜层之间的附着力，而透明导电薄膜层与衬底之间保持足够附着力，在剥离上层导电薄膜时下层透明导电薄膜不受影响。根据需要透明导电窗口的位置，灵活剥离上层导电薄膜而完好保留下层透明导电薄膜，从而形成图形可任意设计的透明导电薄膜窗口。

[0023] 本发明创新在于，通过在衬底表面进行化学或者物理修饰，使得透明导电薄膜层与衬底之间具有很强的附着力，而透明导电薄膜与导电薄膜层之间引入中间层或者对透明导电薄膜层的界面修饰，透明导电薄膜层与导电薄膜层之间附着力明显低于衬底与透明导电薄膜之间的附着力，用粘性胶带和图章剥离上层导电薄膜时下层透明导电薄膜不受影响，由此获得可以任意设计的图形化的透明导电薄膜窗口，而未剥离的全结构薄膜仍与图形化的透明导电薄膜窗口连接成一体化的导电薄膜。以上述构思获得的图形化的透明导电薄膜结构，均应属于本发明保护范围。

附图说明

[0024] 图1是实施例1中的本发明可揭式任意图形化的透明导电薄膜的截面示意图。

[0025] 图2是实施例2中的本发明可揭式任意图形化的透明导电薄膜的截面示意图。

[0026] 图3是实施例3中的本发明可揭式任意图形化透明导电薄膜的截面示意图。

[0027] 图4是实施例4中的本发明可揭式任意图形化透明导电薄膜的截面示意图。

具体实施方式

[0028] 结合以下具体实施例和附图，对本发明作进一步的详细说明，本发明的保护内容不局限于以下实施例。在不背离发明构思的精神和范围下，本领域技术人员能够想到的变化和优点都被包括在本发明中，并且以所附的权利要求书为保护范围。实施本发明的过程、条件、试剂、实验方法等，除以下专门提及的内容之外，均为本领域的普遍知识和公知常识，本发明没有特别限制。

[0029] 如图1-图4，1表示衬底，10表示衬底界面修饰层，2表示透明导电薄膜层，21表示超薄界面修饰层，3表示中间层，4表示导电薄膜层。

[0030] 如图1(a)和(b)所示，本发明可揭式任意图形化的透明导电薄膜，从下至上依次包括衬底1、透明导电薄膜层2、中间层3和导电薄膜层4。所述衬底1与透明导电薄膜层2之间的附着力大于透明导电薄膜层2与导电薄膜层4之间的附着力。

[0031] 其中，衬底1是玻璃，衬底1还可以是塑料、石英或蓝宝石之任意一种。透明导电薄膜层2是铝形成的透明金属薄膜；还可以是铝、钛、铬、镍、铁、铜、银、金、钛铬、银铝、镁铝、钛银、镁银、镍银、银铜锌等一元或者多元合金形成的透明金属薄膜之任意一种；亦可以是AZO透明导电氧化物形成的透明导电薄膜，还可以是AZO、GZO、IZO、ITO、FTO等透明导电氧化物形成的透明导电薄膜之任意一种。导电薄膜层4是铝、钛、铬、镍、铁、铜、银、钛铬、银铝、镁铝、钛银、镁银、镍银、银铜锌等一元或者多元合金形成的透明、半透明或者不透明金属薄膜之任意一种。中间层3为LiF；还可以选用LiF、氯化纳、碳膜、有机小分子、聚合物材料、氧化钼、硅烷等之任意一种。

[0032] 在具体实施方式中，还可以采用对透明导电薄膜层2进行界面修饰的方法等形成一层弱化透明导电薄膜2和导电薄膜层4附着力的过渡层，即超薄界面修饰层21，如图2所示。所述对透明导电薄膜层2的界面修饰方法包括采用通入氮气、氧气、Ar、甲烷、乙炔、氢气或水汽进行表面等离子体处理、或通入硅烷气体形成自组装超薄界面修饰层。

[0033] 本发明还可以通过在透明导电薄膜层2与导电薄膜层4之间引入中间层3，使得透明导电薄膜层2与导电薄膜层4之间附着力明显低于透明导电薄膜层2和衬底1之间的附着力，接着采用粘性胶带或者图形化图章把上层的导电薄膜层4部分剥离，而下层的透明导电薄膜层2不受剥离影响，获得图形化的透明导电薄膜。

[0034] 本发明还可能通过在衬底1表面进行化学或物理修饰形成衬底界面修饰层10，其加强所述衬底1与透明导电薄膜层2之间的附着力。例如，包括在衬底1表面涂覆功能性硅胶层或者功能性硅烷层。

[0035] 本发明中，只要衬底1与透明导电薄膜2之间的附着力要明显大于透明导电薄膜层3与导电薄膜层4之间的附着力，透明导电薄膜2不受导电薄膜层4剥离影响，中间层3和/或超薄界面修饰层21可以省略。本发明中，衬底1与透明导电薄膜2之间的附着力明显大于透明导电薄膜层3与导电薄膜层4之间的附着力是指剥离上层导电薄膜时，上层导电薄膜能彻底剥离而下层透明导电薄膜层不会任何脱落。由于衬底与透明导电薄膜层之间的附着力明显大于透明导电薄膜层与导电薄膜层之间的附着力，因此，在剥离导电薄膜层4时，透明导电薄膜层2与衬底1之间不发生剥离现象。在本发明可揭式任意图形化的透明导电薄膜中，导电薄膜层4可以通过胶带或者粘性图章剥离，而透明导电薄膜层2不受剥离影响，获得任意图形化的透明导电薄膜。

[0036] 实施例1

[0037] 如图1(a)所示，本实施例中可揭式任意图形化的透明导电薄膜包括由下到上依次的衬底1、透明导电薄膜层2、中间层3、和导电薄膜层4。其中，衬底1为玻璃，透明导电薄膜层2是银铝合金膜，中间层3为LiF，导电薄膜层4为银膜。导电薄膜层4部分剥离后的留下的透明导电薄膜如图1(b)所示。本实施例中给出单一具体材料，并不限定其它材料选择，只是举例说明本发明。衬底1玻璃表面经过表面粗化和表面等离子体处理，热蒸镀上透明导电银铝合金膜2，接着热蒸发中间层3LiF过渡层，最后热蒸发上导电薄膜层4银膜。上述本实施例制备得到的产品的结构为Glass/AgAl/LiF/Ag，玻璃与银铝合金膜的附着力明显大于银铝合金膜与银膜之间的附着力，通过粘性胶带或者图形化的图章，银膜剥离过程中下层的银铝膜不受影响，剥离之后形成由Glass/AgAl或者Glass/AgAl/LiF结构组成的图形化透明导电薄膜。本实施例制得的透明导电薄膜可以作为光电器件的透明阴极或者透明阳极，未剥离的导电薄膜可作为光电器件中无需透明要求的阻值更低的连接导线。本实施例透明导电薄膜还可以用作抗电磁波干扰的透明窗口，即要求透明的位置用粘性胶带剥离导电薄膜，剥离之后形成Glass/AgAl或者Glass/AgAl/LiF组成的图形化的透明导电薄膜作为观察窗口，未剥离的薄膜为全结构薄膜Glass/AgAl/LiF/Ag，实现更高等级的抗电磁干扰能力。

[0038] 实施例2

[0039] 如图2所示，本实施例透明导电薄膜包括由下到上依次的衬底1、透明导电薄膜层2、和导电薄膜层4，以及在透明导电薄膜层2上界面修饰所形成的超薄界面修饰层21。其中，衬底1为玻璃或者PET塑料，透明导电薄膜层2为NiCr合金膜，导电薄膜层4为银膜层。本实施例给出单一具体材料，并不限定其它材料选择，只是为了举例说明本发明。制作过程同实施例1。衬底1经粗化和表面等离子体处理后，NiCr透明导电薄膜层2与衬底1具有很强附着力。
采用水汽方式对NiCr膜2进行表面等离子体处理，在NiCr膜2上形成超薄界面修饰层21，导致银膜4与NiCr膜2之间的附着力在水汽作用下能快速下降，因此用胶带可以很好把剥离Ag层而获得图形化的Glass/NiCr或者PET/NiCr透明导电薄膜。对NiCr膜2的界面修饰还可以通入硅烷气体形成自组装超薄界面修饰层，或通入氮气、氧气、Ar、甲烷、乙炔、氢气进行表面等离子体处理。本实施例透明导电薄膜可以用作抗电磁波干扰的透明窗口，即用图形化的Glass/NiCr或者PET/NiCr透明导电薄膜作为观察窗口，未剥离的薄膜Glass/NiCr/Ag或者PET/NiCr/Ag作为更高等级的抗电磁干扰防护薄膜。透明导电薄膜窗口与未剥离的导电薄膜一起形成连续的一体化电磁波干扰防护膜。

[0040] 实施例3

[0041] 如图3所示，本实施例透明导电薄膜包括由下到上依次的衬底1、衬底界面修饰层10、透明导电薄膜层2和导电薄膜层4。其中，衬底1为玻璃或者PET塑料，衬底界面修饰层10为透明硅胶层，透明导电薄膜层2为TiCr合金膜，导电薄膜层4为银膜层。本实施例给出单一具体材料，并不限定其它材料选择，只是为了更好地说明本发明。制作过程同实施例1。衬底
1经粗化处理后涂覆一层透明硅胶层10，TiCr透明导电薄膜层2与经透明硅胶层修饰后的衬底1之间具有很强附着力。采用水汽方式对TiCr透明导电薄膜层2进行表面等离子体处理，在TiCr透明导电薄膜层2上形成超薄界面修饰层，导致银膜4与TiCr膜2之间附着力在水汽作用下能快速下降，因此用胶带可以很好把剥离Ag层而获得图形化的Glass/硅胶层/TiCr或者PET/硅胶层/TiCr透明导电薄膜。还可以在衬底1表面涂覆透明硅烷层。对TiCr透明导电薄膜层2的界面修饰还可以通入硅烷气体形成自组装超薄界面修饰层，或通入氮气、氧气、Ar、甲烷、乙炔、氢气进行表面等离子体处理。本实施例的透明导电薄膜可以用作抗电磁波干扰的透明窗口，即用图形化的Glass/硅胶层/TiCr或者PET/硅胶层/TiCr透明导电薄膜作为观察窗口，未剥离的薄膜作为更高等级的抗电磁干扰防护薄膜，并且两者薄膜仍然连续的。

[0042] 实施例4

[0043] 如图4所示，本实施例透明导电薄膜包括由下到上依次的衬底1、衬底界面修饰层10、透明导电薄膜层2、中间层3和导电薄膜层4。其中，衬底1为玻璃，衬底界面修饰层10为透明硅胶层，透明导电薄膜层2为AgAl合金膜，中间层3为LiF层，导电薄膜层4为银膜层。此处给出单一具体材料，并不限定其它材料选择，只是为了更好地说明本发明。制作过程同实施例1。衬底1经粗化处理后涂覆一层透明硅胶层10，AgAl透明导电薄膜层2与经透明硅胶层修饰后的衬底1具有很强附着力，银膜4与AgAl膜2之间附着力经中间层3LiF间隔后能快速下降，因此用胶带可以很好把剥离Ag层而获得图形化的Glass/硅胶层/AgAl或者Glass/硅胶层/AgAl/LiF结构的透明导电薄膜。本实施例的透明导电薄膜可以用作抗电磁波干扰的透明窗口，也可以用光电器件的透明电极，即剥离导电薄膜层Ag后，用图形化的Glass/硅胶层/AgAl或者Glass/硅胶层/AgAl/LiF作为器件的透明导电电极，未剥离的薄膜可作为串联电阻更低的光电器件间的连接导线。

[0044] 以上所述的仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。