最新中国发明专利 / 2018-09-11 改进的VJFET器件转让专利 申请号 : CN201480010130.1 文献号 : CN105190852B 文献日 : 2018-09-11 基本信息: 请登录后查看 PDF: 请登录后查看 法律信息: 请登录后查看 相似专利: 请登录后查看 发明人 : 阿努普·巴拉 , 彼得·亚历山德罗夫 摘要 : 本公开描述以宽带隙材料,特别是以碳化硅,生产高电压JFET的结构和工艺。本公开还提供以本公开的方法生产的产品以及用于执行本公开的方法的设备。本公开属于高电流和高电压半导体器件的领域。例如,公开了高电压常开和常关垂直结场效应晶体管(VJFET)及其制作方法。