一种输入电源控制电路转让专利

申请号 : CN201510715680.X

文献号 : CN105207463B

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法律信息:

相似专利:

发明人 : 王亦鸾

申请人 : 上海斐讯数据通信技术有限公司

摘要 :

本发明公开了一种输入电源控制电路,包括电源输出模块、延时模块、电源跟踪信号产生模块、电源跟踪电压转换模块以及负载芯片;电源输出模块,用于输出第一电源电压;延时模块,用于延时电源输出模块输出第一电源电压;电源跟踪信号产生模块,用于控制电源跟踪电压转换模块输出电压的电源电压上升斜率;电源跟踪电压转换模块,用于根据电源跟踪信号产生模块的输出信号的上升斜率将第一电源电压转换成第二电源电压;负载芯片,用于同时接收延时输出的第一电源电压和转换的第二电源电压作为输入电压。本发明能够实现无需额外增加一路电源模块和一片CPLD模块给芯片供电,减少占用PCB空间,减小设计的复杂度。

权利要求 :

1.一种输入电源控制电路,其特征在于,包括电源输出模块、延时模块、电源跟踪信号产生模块、电源跟踪电压转换模块以及负载芯片,其中,所述电源输出模块分别与延时模块、电源跟踪信号产生模块以及电源跟踪电压转换模块连接,所述延时模块分别与电源跟踪信号产生模块以及负载芯片连接,所述电源跟踪信号产生模块与电源跟踪电压转换模块连接,所述电源跟踪电压转换模块与负载芯片连接,电源输出模块,用于输出第一电源电压作为延时模块、电源跟踪信号产生模块以及电源跟踪电压转换模块基础电源输入;

延时模块,用于将电源输出模块输出的第一电源电压进行延时输出;

电源跟踪信号产生模块,用于控制电源跟踪电压转换模块输出电压的电源电压上升斜率;

电源跟踪电压转换模块,用于根据电源跟踪信号产生模块的输出信号的上升斜率将第一电源电压转换成第二电源电压;

负载芯片,用于同时接收延时输出的第一电源电压和转换的第二电源电压作为输入电压,其中,所述电源输出模块的外部电源输入信号分别是电源和回流地信号,电源输出模块的输出端和接地端之间串联电阻,电源输出模块输出第一电源电压;

所述电源输出模块根据第一电源电压以及连接电源输出模块输出端和接地端的电阻,调整输出的第一电源电压;

调整输出电压的第一电源电压计算公式为:

其中,Rup为连接电源输出模块输出端和接地端的电阻的算数和;Vo为第一电源电压,△为调整系数。

2.如权利要求1所述的输入电源控制电路,其特征在于,所述延时模块包括延时芯片、N沟道金属-氧化物半导体场效应晶体管,以及和延时芯片与N沟道金属-氧化物半导体场效应晶体管连接的电容;

N沟道金属-氧化物半导体场效应晶体管接收第一电源电压,通过调整电容控制延时时间。

3.如权利要求2所述的输入电源控制电路,其特征在于,所述延时模块根据设置的延时时间进行延时后输出第一电源电压,延时时间的计算公式为:6

tDELAY(s)=2.484×10×CSET(F).

其中,tDELAY为延时时间,Cset(F)为电容值。

4.如权利要求1所述的输入电源控制电路,其特征在于,所述延时输出的第一电源电压作为触发信号触发所述电源跟踪信号产生模块,产生控制所述电源跟踪电压转换模块的输出上升斜率的跟随电压;所述电源跟踪电压转换模块跟随所述电源跟踪信号产生模块输出的跟随电压的上升斜率输出第二电源电压。

5.如权利要求1所述的输入电源控制电路,其特征在于,所述电源输出模块是3.3V电源输出模块;

所述电源跟踪电压转换模块包括3.3V转1.025V电源单元、3.3V转1.035V电源单元以及

3.3V转1.055V电源单元。

6.如权利要求5所述的输入电源控制电路,其特征在于,所述3.3V转1.025V电源单元包括电源模块和电阻,通过调整电阻输出1.025V电压,电源模块输出转换信号;

调整电阻输出1.025V电压的计算公式为:

其中,Rset是电阻的算数和,Vout是输出电压。

7.如权利要求5所述的输入电源控制电路,其特征在于,所述3.3V转1.035V电源单元包括电源模块和电阻,通过调整电阻输出1.035V电压,电源模块输出转换信号;

调整电阻输出1.035V电压的计算公式为:

其中,RTRIM是电阻的算数和;Vout是输出电压。

8.如权利要求5所述的输入电源控制电路,其特征在于,所述3.3V转1.055V电源单元包括电源模块和电阻,通过调整电阻输出1.055V电压,电源模块输出转换信号;

调整电阻输出1.055V电压的计算公式为:

其中,RTRIM是电阻的算数和;Vout是输出电压。

9.如权利要求5所述的输入电源控制电路,其特征在于,所述3.3V电源输出模块输出

3.3V电源电压输出给延时模块,延时模块在到达延时时间时,将3.3V电源电压供给电源跟踪信号产生模块以产生转换信号;

当电源跟踪电压转换模块接收转换信号后,分别进行3.3V转1.025V的电源电压转换、

3.3V转1.035V电源电压转换以及3.3V转1.055V电源电压转换;

延时输出的3.3V电源电压和经过转换的三路1.025V电源电压、1.035V电源电压和

1.055V电源电压一起作为输入电压输入到负载芯片实现同时上电。

说明书 :

一种输入电源控制电路

技术领域

[0001] 本发明涉及一种输入电源控制电路。

背景技术

[0002] 现有很多大功耗的芯片上,需要供给4路电源:3.3V、1.025V、1.035V以及1.055V;并且对4路电源上电时间以及上电顺序有着较高的要求,如图1所示具体如下:
[0003] 1. 4路电源都需要斜坡上电,在5ms内从零电压上升到最大电压值;
[0004] 2.上电顺序是3.3V优先上电,另外3路电源以相同上电斜率同时上电。
[0005] 现有技术中也有解决上述技术问题的技术方案,具体方案为:先选用一个3.3V电源模块产生3.3V电源,以这个3.3V电源作为可编程逻辑器件(CPLD,Complex Programmable Logic Device)模块、1.025V电源模块、1.035V电源模块以及1.055V电源模块的输入,但这个3.3V电源不作为芯片的3.3V供电输入,需要通过另一块3.3V电源模块给芯片供给3.3V电源,由CPLD模块产生给芯片供电的4路电源的使能信号,来控制4路电源的开启时间,达到控制上电顺序的目的。
[0006] 现有技术的缺点在于:由于需要额外增加一路3.3V电源模块和一片CPLD模块,占用PCB空间,增加成本,增加设计的复杂度。

发明内容

[0007] 本发明的目的是提供一种输入电源控制电路,以解决由于需要额外增加一路电源模块和一片CPLD模块,占用PCB空间,增加设计的复杂度的技术问题。
[0008] 为实现以上发明目的,本发明提供一种输入电源控制电路,其特征在于,包括电源输出模块、延时模块、电源跟踪信号产生模块、电源跟踪电压转换模块以及负载芯片,其中,电源输出模块,用于输出第一电源电压作为延时模块、电源跟踪信号产生模块以及电源跟踪电压转换模块基础电源输入;延时模块,用于延时电源输出模块输出第一电源电压;电源跟踪信号产生模块,用于控制电源跟踪电压转换模块输出电压的电源电压上升斜率;电源跟踪电压转换模块,用于根据电源跟踪信号产生模块的输出信号的上升斜率将第一电源电压转换成第二电源电压;负载芯片,用于同时接收延时输出的第一电源电压和转换的第二电源电压作为输入电压。
[0009] 进一步地,所述电源输出模块分别与延时模块、电源跟踪信号产生模块以及电源跟踪电压转换模块连接,所述延时模块分别与电源跟踪信号产生模块以及负载芯片连接,所述电源跟踪信号产生模块与电源跟踪电压转换模块连接,所述电源跟踪电压转换模块与负载芯片连接。
[0010] 进一步地,所述电源输出模块的外部电源输入信号分别是电源和回流地信号,电源输出模块的输出端和接地端之间串联电阻,电源输出模块输出第一电源电压。
[0011] 进一步地,所述电源输出模块根据第一电源电压以及连接电源输出模块输出端和接地端的电阻,调整输出的第一电源电压;调整输出电压的第一电源电压计算公式为:
[0012] 其中,Rup为连接电源输出模块输出端和接地端的电阻;Vo为第一电源电压,△为调整系数。
[0013] 进一步地,所述延时模块包括延时芯片、N沟道金属-氧化物半导体场效应晶体管,以及和延时芯片与N沟道金属-氧化物半导体场效应晶体管连接的电容;N沟道金属-氧化物半导体场效应晶体管接收第一电源电压,通过调整电容控制延时时间。
[0014] 进一步地,所述延时模块根据设置的延时时间进行延时后输出第一电源电压,延时时间的计算公式为:tDELAY(s)=2.484x106x CSET(F).其中,tDELAY为延时时间,Cset(F)为电容值。
[0015] 进一步地,所述延时输出的第一电源电压作为触发信号触发所述电源跟踪信号产生模块,产生控制所述电源跟踪电压转换模块的输出上升斜率的跟随电压;所述电源跟踪电压转换模块跟随所述电源跟踪信号产生模块输出的跟随电压的上升斜率输出第二电源电压。
[0016] 进一步地,所述电源输出模块是3.3V电源输出模块;所述电源跟踪电压转换模块包括3.3V转1.025V电源单元、3.3V转1.035V电源单元以及3.3V转1.055V电源单元。
[0017] 进一步地,所述3.3V转1.025V电源单元包括电源模块和电阻,通过调整电阻输出1.025V电压,电源模块输出转换信号;调整电阻输出1.025V电压的计算公式为:
其中,Rset是电阻的算数和,Vout是输出电压。
[0018] 进一步地,所述3.3V转1.035V电源单元包括电源模块和电阻,通过调整电阻输出1.035V电压,电源模块输出转换信号;调整电阻输出1.035V电压的计算公式为:
其中,RTRIM是电阻的算数和;Vout是输出电压。
[0019] 进一步地,所述3.3V转1.055V电源单元包括电源模块和电阻,通过调整电阻输出1.055V电压,电源模块输出转换信号;调整电阻输出1.055V电压的计算公式为:
其中,RTRIM是电阻的算数和;Vout是输出电压。
[0020] 进一步地,所述3.3V电源输出模块输出3.3V电源电压输出给延时模块,延时模块在到达延时时间时,将3.3V电源电压供给电源跟踪信号产生模块;所述3.3V转1.025V电源单元、3.3V转1.035V电源单元以及3.3V转1.055V电源单元分别产生转换信号,当电源跟踪电压转换模块产生转换信号后,分别进行3.3V转1.025V的电源电压转换、3.3V转1.035V电源电压转换以及3.3V转1.055V电源电压转换;延时输出的3.3V电源电压和经过转换的三路1.025V电源电压、1.035V电源电压和1.055V电源电压一起作为输入电压输入到负载芯片实现同时上电。
[0021] 与现有技术相比,本发明的有益效果是:本发明运用延时模块,获得了4路电源在5ms内完成上电的技术效果;运用电源跟踪信号产生模块,获得了3路电源上电斜率的一致性以及减少上电时产生的冲击电流的技术效果;运用延时模块和电源跟踪信号产生模块,获得了减少占用PCB空间的技术效果。此外,电源延时电路的设计,保证了4路电源在5mS内完成上电。斜率延缓的电源跟踪信号的产生,保证3路电源的上电斜率的一致性,并且减少了3路电压1.025V、1.035V和1.055V电源的上电冲击电流保证了电源设计的安全性和可靠性。

附图说明

[0022] 图1是本发明的背景技术中的一个示意图;
[0023] 图2是本发明的输入电源控制电路的框图;
[0024] 图3是本发明的输入电源控制电路包含三个电源跟踪电压转换模块的框图;
[0025] 图4是本发明的3.3V电源输出模块的电路图;
[0026] 图5是本发明的延时模块的电路图;
[0027] 图6是本发明的电源跟踪信号产生模块的电路图;
[0028] 图7是本发明的3.3V转1.025V电源单元的电路图;
[0029] 图8是本发明的3.3V转1.035V电源单元的电路图;
[0030] 图9是本发明的3.3V转1.055V电源单元的电路图;
[0031] 图10是本发明的输出电压曲线示意图;
[0032] 图中:
[0033] 电源输出模块1;
[0034] 延时模块2;
[0035] 电源跟踪信号产生模块3;
[0036] 电源跟踪电压转换模块4;3.3V转1.025V电源单元41;3.3V转1.035V电源单元42;3.3V转1.055V电源单元43
[0037] 负载芯片5。

具体实施方式

[0038] 以下将结合附图所示的具体实施方式对本发明进行详细描述,但这些实施方式并不限制本发明,本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本发明的保护范围内。
[0039] 实施例1:
[0040] 如图2所示,本发明的输入电源控制电路,包括电源输出模块1、延时模块2、电源跟踪信号产生模块3、电源跟踪电压转换模块4以及负载芯片5;
[0041] 其中电源输出模块1:用于输出第一电源电压作为延时模块2、电源跟踪信号产生模块3以及电源跟踪电压转换模块4基础电源输入;
[0042] 延时模块2:用于延时电源输出模块1输出第一电源电压;
[0043] 电源跟踪信号产生模块3:用于控制电源跟踪电压转换模块4输出电压的电源电压上升斜率;
[0044] 电源跟踪电压转换模块4:用于根据电源跟踪信号产生模块3的输出信号的上升斜率将第一电源电压转换成第二电源电压;
[0045] 负载芯片5:接受第二电源电压供电的芯片;
[0046] 所述电源输出模块1分别与延时模块2、电源跟踪信号产生模块3以及电源跟踪电压转换模块4连接,所述延时模块2分别与电源跟踪信号产生模块3以及负载芯片5连接,所述电源跟踪信号产生模块3与电源跟踪电压转换模块4连接,所述电源跟踪电压转换模块4与负载芯片5连接;
[0047] 电源输出模块1输出第一电源电压用于延时模块2、电源跟踪信号产生模块3以及电源跟踪电压转换模块4的基础电源输入;第一电源电压进入延时模块2后延时模块2会依照设置的延时时间进行延时输出第一电源电压;延时输出的第一电源电压作为触发信号触发电源跟踪信号产生模块3产生控制电源跟踪电压转换模块4输出上升斜率的跟随电压;电源跟踪电压转换模块4跟随电源跟踪信号产生模块3输出的跟随电压的上升斜率输出第二电源电压;延时输出的第一电源电压还与第二电源电压一同作为负载芯片5的输入电压。
[0048] 具体来说,以电源输出模块是3.3V电源输出模块为例;当3.3V电源输出模块1输出3.3V电源后,该3.3V电源作为第一电源电压,经过延时模块2延时一段时间(一般延时
12ms),在延时过程中,由于电源跟踪电压转换模块4未接收到转换信号,则不会将3.3V电源电压进行转换;当延时结束后,延时模块2将3.3V供给电源跟踪信号产生模块3以及负载芯片5,当电源跟踪信号产生模块3工作后产生转换信号,当电源跟踪电压转换模块4收到转换信号后进行电源电压转换。由于负载芯片5需要电源电压转换后的各电源同时上电,经过延时电路2以及电源跟踪信号产生模块3就能很好的控制电源电压转换的各电源在同一时间上电。
[0049] 实施例2:
[0050] 在实施例1的基础上,对其中电源跟踪电压转换模块4进一步具体化:
[0051] 如图3所示,电源跟踪电压转换模块4包括3.3V转1.025V电源单元41、3.3V转1.035V电源单元42以及3.3V转1.055V电源单元43;
[0052] 所述3.3V电源输出模块1分别与3.3V转1.025V电源单元41、3.3V转1.035V电源单元42以及3.3V转1.055V电源单元43连接;
[0053] 所述电源跟踪信号产生模块3分别与3.3V转1.025V电源单元41、3.3V转1.035V电源单元42以及3.3V转1.055V电源单元43连接;
[0054] 具体来说,三个电源跟踪电压转换模块都接入同一个跟随信号,可以使三个电源跟踪电压转换模块的输出电压具有相同的上升斜率。
[0055] 实施例3:
[0056] 在实施例1的基础上,电源输出模块的外部电源输入信号分别是电源和回流地信号,电源输出模块的输出端和接地端之间串联电阻,电源输出模块输出第一电源电压。电源输出模块根据第一电源电压以及连接电源输出模块输出端和接地端的电阻,调整输出的第一电源电压。
[0057] 具体的电路结构如图4所示,其中3.3V电源输出模块1由电源模块U1、电阻R1、电阻R2、电解电容C1以及电解电容C2组成;所述电源模块U1的Vin+脚以及Vin-脚与外部电源连接;所述电源模块U1的Vout+脚分别与所述电源模块U1的SEN+脚、电解电容C1的正极、所述电阻R2的一端以及电解电容C2的正极连接;所述电阻R2另一端与所述电阻R1一端连接;所述电阻R1另一端与上述电源模块U1的TRIM/VADJ脚连接;所述电源模块U1的SEN-脚分别与所述电源模块U1的Vout-脚、电解电容C1的负极、电解电容C2的负极以及数字地连接;
[0058] 具体来说:电源模块U1采用QPS4033N055电源模块,QPS4033N055电源模块的Vin+脚接回流地信号BGND;QPS4033N055电源模块的Vin-脚接-48V电源,电阻R1以及电阻R2可以微调输出电压,具体计算公式如下:
[0059]
[0060] 其中“Rup”是电阻R1与电阻R2的算数和;“Vo”是输出电压标准值;“△”是调整率;通过调整率“△”再根据输出电压标准值“Vo”计算出实际输出电压值。例如:当R1=34K;R2=402K;Rup=R1+R2=436KΩ;Vo=3.3V时,计算出△=2;那么输出电压在3.3V的基础上上调2%,即实际输出电压为3.3*(1+2%)=3.366V。调高实际输出电压的目的是考虑补偿线路中的电压损耗。
[0061] 实施例4:
[0062] 在实施例1的基础上,延时模块包括延时芯片、N沟道金属-氧化物半导体场效应晶体管,以及和延时芯片与N沟道金属-氧化物半导体场效应晶体管连接的电容;N沟道金属-氧化物半导体场效应晶体管接收第一电源电压,通过调整电容控制延时时间。
[0063] 如图5所示,其中延时模块2的具体电路由电源控制芯片U2、N沟道MOSFET场效应管U3、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电容C3、电容C4、电容C5以及电容C6组成;所述3.3V电源输出模块输出端分别与电容C3的正极、电阻R3的一端、电源控制芯片U2的VCC1脚以及电源控制芯片U2的VCC2脚连接;所述电阻R3的另一端与电阻R4的一端连接;所述电阻R4的另一端分别与电阻R5的一端以及电源控制芯片U2的SETV脚连接;所述电源控制芯片U2的GATE脚分别与电阻R6的一端以及电容C6的正极连接;所述电源控制芯片U2的SETD脚分别与电容C4的正极以及电容C5的正极连接;所述电容C3的负极分别与电阻R5的另一端、电容C4的负极、电容C5的负极、电容C6的负极、电源控制芯片的GND脚以及数字地连接;所述电阻R6的另一端与N沟道MOSFET场效应管U3的4脚连接;所述3.3V电源输出模块输出端分别与N沟道MOSFET场效应管U3的5、6、7、8脚连接;所述N沟道MOSFET场效应管U3的1、2、3脚连接作为滞后电源DELAY_VCC3.3V输出端;
[0064] 具体来说,电源控制芯片U2采用MAX6820,N沟道MOSFET场效应管U3采用IRF7413PBF。其中电容C4以及电容C5具有控制延时时间的作用,延时时间计算公式如下:
[0065] tDELAY(s)=2.484x106x CSET(F).
[0066] 其中“Cset”是电容C4和电容C5的算数和;“tDELAY”是延时时间,例如:当C1=2200pF;C2=2200pF;Cset=C1+C2=2200+2200=4400pF时,计算出tDELAY约为12ms。在3.3V电源输出模块给MAX6820电源控制芯片供电后12ms,IRF7413PBF开启并输出滞后DELAY_VCC3.3V电源。
[0067] 如果负载芯片5以及电源跟踪电压转换模块4都使用由3.3V电源输出模块产生的VCC3.3V电源作为供电电源,则会导致不能在规定时间内(一般为5ms至10ms)内3.3V优先给负载芯片5上电,其他电源相同斜率同时给负载芯片5上电。由延时模块产生给负载芯片5的供电的滞后电源DELAY_VCC3.3V,则很好的避免了上述不能在规定时间内(一般为5ms至10ms)内3.3V优先给负载芯片5上电,其他电源相同斜率同时给负载芯片5上电的问题。
[0068] 实施例5:
[0069] 在实施例1的基础上,对其中电源跟踪信号产生模块3进一步具体化;
[0070] 如图6所示,其中电源跟踪信号产生模块3由电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、场效应管Q1、场效应管Q2以及电容C7组成;所述延时模块的输出端与电阻R7的一端连接;所述电阻R7另一端分别与场效应管Q1的G极以及电阻R8的一端连接;所述电阻R8的另一端分别与场效应管Q1的S极以及数字地连接;所述场效应管Q1的D极分别与场效应管Q2的G极以及电阻R9的一端连接;所述电阻R9的另一端分别与VCC3.3V电源以及电阻R10的一端连接;所述电阻R10的另一端分别与场效应管Q2的D极以及电阻R11的一端连接;所述电阻R11的另一端与电容C7的正极连接作为信号输出端;所述电容C7的负极分别与场效应管Q2的S极以及数字地连接;
[0071] 具体来说,当延时模块2输出DELAY_VCC3.3V电源后,场效应管Q1导通,Q1的漏极D为低电压,场效应管Q2截止,3.3V电源输出模块1输出的VCC3.3V对电阻R10、电阻R11以及电容C7组成的RC电路进行充电,形成PW_TRACK电源信号,PW_TRACK的斜率上升时间大约是1ms。
[0072] 由于电源电压转换模块是具有电源跟随功能的电源跟踪电压转换模块4,电源跟踪电压转换模块4跟随PW_TRACK电源信号,在PW_TRACK依照一定斜率上升时,电源跟踪电压转换模块4的输出会跟随PW_TRACK上升斜率上升直至最大值为止。
[0073] 由于PW_TRACK经过RC电路,上升斜率变缓,适当的加长了电源跟踪电压转换模块4的斜坡上电时间,减少了上电冲击电流,使电源的设计跟家安全。
[0074] 实施例6:
[0075] 在实施例2的基础上,对其中3.3V转1.025V电源单元41进一步具体化;
[0076] 如图7所示,其中3.3V转1.025V电源单元41由电解电容C8、电解电容C9、电解电容C10、电解电容C11、电解电容C12、电解电容C13、电解电容C14、电阻R12、电阻R13、电阻R14、电阻R15以及PTH04040电源模块组成;所述3.3V电源输出模块输出端分别与电解电容C8的正极、电解电容C9的正极、电解电容C10的正极、电解电容C11的正极以及PTH04040电源模块的2、4、6脚连接;所述电解电容C8的负极分别与电解电容C9的负极、电解电容C10的负极、电解电容C11的负极以及数字地连接;所述PTH04040电源模块的8脚与电阻R12的一端连接;所述电阻R12的另一端分别与PTH04040电源模块的1、3、5、10、13、16脚、电阻R13的一端以及数字地连接;所述电阻R13的另一端与电阻R14的一端连接;所述电阻R14的另一端与电阻R15的一端连接;所述电阻R15的另一端与PTH04040电源模块的17脚连接;所述PTH04040电源模块的11脚分别与电解电容C12的正极、电解电容C13的正极、电解电容C14的正极以及PTH04040电源模块的9、12、15脚连接;所述PTH04040电源模块的14脚分别与电解电容C12的负极、电解电容C13的负极、电解电容C14的负极以及数字地连接;
[0077] 具体来说,电阻R13、电阻R14以及电阻R15用来设置输出电压,计算公式如下:
[0078]
[0079] 其中“Rset”是R13、R14以及R15的算数和,“Vout”是输出电压;例如:当R13=30K、R14=3K、R15=100;Rset=30K+3K+100=33.1KΩ时;计算出Vout=1.025V。
[0080] PTH04040电源模块跟随电源跟踪产生模块产生的上升斜率输出1.025V电压。
[0081] 实施例7:
[0082] 在实施例2的基础上,对其中3.3V转1.035V电源单元42进一步具体化;
[0083] 如图8所示,其中3.3V转1.035V电源单元42由电解电容C15、电解电容C16、电解电容C17、电阻R16、电阻R17、电阻R18、电阻R19以及OKL电源模块组成;所述3.3V电源输出模块输出端分别与电解电容C15的正极、电解电容C16的正极、电阻R16的一端以及OKL电源模块的2脚连接;所述电阻R16的另一端与OKL电源模块的1脚连接;所述电源跟踪信号产生模块的信号输出端与OKL电源模块的3脚连接;所述电解电容C15的负极分别与电解电容C16的负极、OKL电源模块的4脚以及电阻R17的一端连接;所述电阻R17的另一端与电阻R18的一端连接;所述电阻R18的另一端与电阻R19的一端连接;所述电阻R19的另一端与OKL电源模块的6脚连接;所述OKL电源模块的5脚分别与OKL电源模块的7脚以及电解电容C17的正极连接;所述OKL电源模块的8脚分别与电解电容C17的负极以及数字地连接;
[0084] 具体来说,电阻R17、电阻R18以及电阻R19用来设置输出电压,计算公式如下:
[0085]
[0086] 其中“RTRIM”是R17、R18以及R19的算数和;“Vout”是输出电压,例如:当R17=2.2K、R18=470、R19=100;RTRIM=2.2K+470+100=2.77KΩ时,计算出Vout=1.035V。
[0087] OKL电源模块跟随电源跟踪产生模块产生的上升斜率输出1.035V电压。
[0088] 实施例8:
[0089] 在实施例2的基础上,对其中3.3V转1.055V电源单元43进一步具体化;
[0090] 如图9所示,其中3.3V转1.055V电源单元43由电解电容C19、电解电容C20、电解电容C21、电解电容C22、电阻R20、电阻R21、电阻R22、电阻R23以及OKL电源模块组成;所述3.3V电源输出模块输出端分别与电解电容C19的正极、电解电容C20的正极、电阻R20的一端以及OKL电源模块的2脚连接;所述电阻R20的另一端与OKL电源模块的1脚连接;所述电源跟踪信号产生模块的信号输出端与OKL电源模块的3脚连接;所述电解电容C19的负极分别与电解电容C20的负极、OKL电源模块的4脚以及电阻R21的一端连接;所述电阻R21的另一端与电阻R22的一端连接;所述电阻R22的另一端与电阻R23的一端连接;所述电阻R23的另一端与OKL电源模块的6脚连接;所述OKL电源模块的5脚分别与OKL电源模块的7脚电解电容C21的正极以及电解电容C22的正极连接;所述OKL电源模块的8脚分别与电解电容C21的负极、电解电容C22的负极以及数字地连接;
[0091] 具体来说,电阻R21、电阻R22以及电阻R23用来设置输出电压,计算公式如下:
[0092]
[0093] 其中“RTRIM”是R21、R22以及R23的算数和;“Vout”是输出电压,例如:当R21=2.2K、R22=130、R23=300;RTRIM=2.2K+130+300=2.63KΩ时,计算出Vout=1.055V。
[0094] OKL电源模块跟随电源跟踪产生模块产生的上升斜率输出1.055V电压。
[0095] 最终输出电压曲线图如图10所示,供给负载芯片的3.3V电源在延时12ms后开始上电;1.025V、1.035V以及1.055V电源在延时12ms后的5ms内以相同上升斜率进行上电。
[0096] 本发明采用MAX6820和MOSFET,以及一些阻容器件,实现了4路电源在5mS内上电,并且3路低电压上电斜率一致,且尽量延缓了大电流的3路低电压的上电斜率,从而减少了上电冲击电流,保证了电源设计的安全性和可靠性。和现有的技术相比,本发明利用较少的器件,占用了较小的PCB空间,实现了芯片的上电要求,而且提高了电源设计的性能。
[0097] 虽然本发明已以较佳实施例披露如上,但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与修改,因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。对于本领域技术人员而言,显然本发明不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本发明。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。