一种高含硫天然气净化用单分散疏水二氧化硅消泡剂

摘要

本发明涉及一种高含硫天然气净化用单分散疏水二氧化硅消泡剂及其制备方法，属于石油化工技术领域。该消泡剂由粒径分布均一且偏差小于5％的单分散疏水二氧化硅与流动载体非极性不溶性油经乳化而成。单分散疏水二氧化硅颗粒粒径可根据泡沫性质调变，颗粒表面可通过使用不同疏水化剂硅氧烷和聚二甲基硅油改性，并控制疏水化剂的量实现其物理化学性质优选定制，最后单分散疏水二氧化硅与流动载体、乳化剂、增稠剂、去离子水按照质量比(0.2～5.0)：(10～25)：(1～5)：(1～5)：(60～87.8)的比例进行乳化，使消泡剂颗粒获得良好的消泡和抑泡效果。

权利要求

1.一种高含硫天然气净化用单分散疏水二氧化硅消泡剂，其特征在于：消泡剂中单分散疏水二氧化硅由单分散亲水二氧化硅与疏水化剂经化学表面疏水化反应得到；

所述疏水化剂为聚二甲基硅油、十二烷基三甲氧基硅氧烷或十八烷基三甲氧基硅氧烷；

所述化学表面疏水化反应为：将疏水化剂溶解在两亲溶剂苯、甲苯、煤油、乙醚或四氯化碳中，浸渍单分散亲水二氧化硅，使疏水化剂在单分散亲水二氧化硅表面吸附饱和平衡，而后在150 300℃和氮气保护条件下高温处理2 6小时而成；

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所述疏水化剂的量为：以在单分散亲水二氧化硅表面形成单分子疏水化学键合膜的量为基准，基于此基准的0.4 1.0倍。

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2.根据权利要求1所述高含硫天然气净化用单分散疏水二氧化硅消泡剂，其特征在于：所述单分散疏水二氧化硅是粒径相对偏差小于5%的球形颗粒，粒径在50nm 5μm之间。

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3.根据权利要求1所述高含硫天然气净化用单分散疏水二氧化硅消泡剂，其特征在于：所述消泡剂由单分散疏水二氧化硅与非极性不溶性油流动载体、乳化剂、增稠剂和去离子水按以下比例组成：单分散疏水二氧化硅0.2wt% 5.0wt%，流动载体10wt% 25wt%，乳化剂~ ~

1wt% 5wt%，增稠剂1wt% 5wt%，余量为去离子水。

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4.根据权利要求3所述高含硫天然气净化用单分散疏水二氧化硅消泡剂，其特征在于：所述非极性不溶性油流动载体为聚二甲基硅油、C12~C18的正构烷烃、液体石蜡之一。

5.根据权利要求3所述高含硫天然气净化用单分散疏水二氧化硅消泡剂，其特征在于：所述乳化剂为非离子类表面活性剂span-60、span-80、tween-60、tween-80、OP-10、曲拉通X-100中的任意一种或两种。

6.一种高含硫天然气净化用单分散疏水二氧化硅消泡剂的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：（1）将正硅酸乙酯溶于无水乙醇中形成溶液T；氨水、去离子水与醇混合成溶液A；

（2）将溶液A加入反应釜中，然后加入种子溶液搅拌均匀；将以上溶液T在反应釜中混合并搅拌，在25 50℃条件下进行充分的反应6 12h，生成单分散亲水硅溶胶；

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（3）将步骤（2）得到的溶胶用0.3mol·L-1的HCl溶液沉淀，在离心机中离心，得到单分散亲水二氧化硅固体颗粒；将颗粒沉淀用无水乙醇和丙酮分别离心、洗涤3次，转移进烧杯中；

（4）取步骤（3）得到的样品备用，称取定量疏水化剂溶于两亲溶剂，倒入单分散亲水二氧化硅中，搅拌均匀，使疏水化剂在单分散亲水二氧化硅表面吸附饱和平衡，在通风橱中静置挥干溶剂；

（5）将步骤（4）中的样品放入烘箱中，在氮气保护条件下150 300℃保温2 6小时，并冷~ ~却至室温，即得单分散疏水二氧化硅；

所述疏水化剂为聚二甲基硅油、十二烷基三甲氧基硅氧烷或十八烷基三甲氧基硅氧烷；

所述两亲溶剂为苯、甲苯、煤油、乙醚或四氯化碳；

所述疏水化剂的量为：以在单分散亲水二氧化硅表面形成单分子疏水化学键合膜的量为基准，基于此基准的0.4 1.0倍~

（6）将步骤（5）得到的单分散疏水二氧化硅按照比例与流动载体混合搅拌均匀，再按照比例加入乳化剂、去离子水和增稠剂，在40℃条件下充分搅拌乳化得到单分散疏水二氧化硅消泡剂；其中单分散疏水二氧化硅0.2wt% 5.0wt%，流动载体10wt% 25wt%，乳化剂1wt%~ ~ ~

5wt%，增稠剂1wt% 5wt%，余量为去离子水。

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说明书

一种高含硫天然气净化用单分散疏水二氧化硅消泡剂

技术领域

[0001] 本发明属于石油化工技术领域，涉及一种消泡剂，尤其涉及一种用于高含硫天然气净化装置有机醇胺溶液快速消除新产生的泡沫和长期抑制有害泡沫的消泡剂。

背景技术

[0002] 含硫天然气净化工艺普遍采用有机醇胺类脱硫剂，如甲基二乙醇胺(MDEA)、一乙醇胺(MEA)、二乙醇胺(DEA)等。这些醇胺溶液在进行脱硫时，经长时间循环使用而受到天然气携带杂质、设备管线腐蚀污染或自身发生化学降解等因素影响，非常容易产生泡沫。当泡沫出现时，净化装置生产产能急剧下降，产品天然气质量也无法保障，严重的时候还会造成生产装置停车。目前最有效的方法是添加消泡剂，但多数消泡剂对于发泡体系具有一定的选择性，并不存在一种适合于所有介质、条件下的通用消泡剂，因此设计或者选用合适的消泡剂尤其重要。消泡剂一般或偏重于快速消除已有的泡沫，或偏重于抑制泡沫的产生，同时具有优良的消泡和抑泡效果的消泡剂比较理想，但非常少。

[0003] 消泡剂的作用原理目前尚不是很清楚，但一般认为泡沫的消除过程伴随着消泡剂等低表面张力物质在膜面铺展过程。一方面消泡剂的铺展过程以架桥为前提才能使泡沫破灭，因此消泡剂的架桥和铺展能力决定了消泡剂的消除泡沫效果。另一方面，消泡剂在进行消泡的过程中，由于泡沫中的表面活性物质增溶或泡沫破裂过程对消泡剂的乳化作用，使有效的消泡剂分散液滴减小失效从而造成消泡剂寿命缩短。因此消泡剂的效能不仅与其表面性质密切相关，也与其分散状态和分散效果、抗增溶或逆溶解性、抗乳化能力直接相关。

[0004] 目前已有的工业消泡剂种类很多，但尚没有一种是针对高含硫天然气净化条件下MDEA(甲基二乙醇胺)溶液的高效消泡剂。这是因为高含硫天然气的开发在国际上是一个难题，我国大规模高含硫天然气田开采及配套净化厂(如普光气田和普光净化厂)也刚刚起步，没有足够的经验积累和科研经验。普光净化厂目前采用的胺液消泡剂为聚丙二醇单丁基醚，为浊点型聚醚类消泡剂。该消泡剂需要在浊点温度以上使用，且在有机胺水溶液中自乳化后才能发挥消泡抑泡效果，因此其消泡速度较慢。申请号为ZL201210241216.8的《一种延迟焦化消泡剂及其制备方法及应用》，公开的是一种包括高级脂肪醇(异辛醇)、不饱和二元醇(癸炔二醇)、聚醚改性硅氧烷和酯类(壬基酚醚磷酸酯)复配的消泡剂。所述的消泡剂利用了传统的醇类消泡剂和新型的聚醚改性硅氧烷消泡剂共同作用，可降低聚醚改性硅氧烷的成本，并最大程度的保持其优良的消泡性能。该技术的缺点是：高级脂肪醇环境不友好，味道难闻，对人体有一定的伤害性。各种具有消泡能力的消泡剂发挥的是协同消泡能力，但由于其性质差异，其乳液的分散能力及乳液抗乳化能力有待考察。在高温条件下，该消泡剂存在稳定性差的问题。

[0005] CN 1167078公开了一种部分疏水性沉淀二氧化硅，是通过将定量的斥水剂与沉淀二氧化硅混悬物在短停留时间和低pH值下混合，进而过滤固体物质、洗除盐类、干燥、热后处理，研磨而得。但其粒径分布宽，不仅消泡效率较低，在工业运行中也容易堵塞过滤器。

[0006] CN103945914公开了一种粉末消泡剂，是含有(A)25℃的粘度为10～100,000mm2/s的疏水性有机聚硅氧烷、(B)微粉末二氧化硅、(C)表面活性剂和(D)25℃下为固体状的水可溶包封剂的粉末消泡剂，通过对将上述成分(A)和成分(B)混合而成的硅油配混料与上述成分(D)在上述成分(C)的存在下在水中分散而成的分散液进行喷雾干燥而得到，以上述成分(D)作为外壳包封上述硅油配混料而成，该剂适用于排水处理、化学工业和农药工业。该剂由于释放消泡成分慢，消泡效果较差。

发明内容

[0007] 本发明目的在于克服目前添加在高含硫天然气胺法脱硫单元消泡剂消泡效率低，抑泡时间短的问题，提供一种高含硫天然气净化用单分散疏水二氧化硅消泡剂。

[0008] 本发明的第二个目的是提供上述高含硫天然气净化用单分散疏水二氧化硅消泡剂的制备方法。

[0009] 本发明的单分散疏水二氧化硅消泡剂化学结构通式为式(1)。

[0010]

[0011] 其中，式(1)中的二氧化硅为固体无机材料，虚线为固体二氧化硅基质表面，虚线上方为原亲水二氧化硅，虚线下方为疏水化层。R1和R2分别为OMe、Me或同时为它们中的一种。R3为硅氧烷基-O-(SiMe2-O)m-或脂肪链基(CH2)PCH3。n，m和p分别为基团循环数，n和m为不可知数，p为3～17中的一个整数。

[0012] 所述二氧化硅固体无机材料为化学合成的球形颗粒，其粒径可根据泡沫系统的性质在50nm～5μm内任意调整，且粒径分布偏差控制在5％以内。

[0013] 所述的单分散疏水二氧化硅通过疏水化剂化学键合在单分散亲水二氧化硅表面而成。

[0014] 所述疏水化剂为聚二甲基硅油、十二烷基三甲氧基硅氧烷、十八烷基三甲氧基硅氧烷或氨丙基三甲氧基硅氧烷及其衍生物或同系物；所述的表面疏水化反应为使用表面改性剂溶解在两亲溶剂苯、甲苯、煤油、乙醚或四氯化碳中浸渍亲水二氧化硅，使硅油在亲水二氧化硅表面吸附饱和平衡，而后在150～300℃和氮气保护条件下高温处理2～6小时而成；

[0015] 所述的疏水化剂的量为：以在亲水二氧化硅表面形成单分子疏水化学键合膜的量为基准，基于此基准的0.4～1.0倍。

[0016] 为提高单分散疏水二氧化硅消泡剂的工业适应性，并发挥固体-液体消泡剂的联合消泡效果，本发明消泡剂由化学结构通式为式(1)的单分散疏水二氧化硅与非极性不溶性油流动载体、乳化剂、增稠剂和去离子水按以下比例组成的乳液:单分散疏水二氧化硅0.2wt％～5.0wt％，流动载体10wt％～25wt％，乳化剂1wt％～5wt％，增稠剂1wt％～
5wt％，余量为去离子水。

[0017] 所述的非极性不溶性油流动载体包括聚二甲基硅油、C12～C18的正构烷烃、液体石蜡之一。

[0018] 所述的乳化剂为非离子类表面活性剂；非离子类表面活性剂为span-60、span80tween-60、tween-80、OP-10、曲拉通X-100任意一种或两种。

[0019] 一种高含硫天然气净化用单分散疏水二氧化硅消泡剂制备方法，包括如下步骤：

[0020] (1)将一定量的正硅酸乙酯溶于乙醇中形成一定浓度的溶液T；一定比例的氨水、去离子水与醇混合成溶液A；

[0021] (2)将溶液A加入反应釜中，然后加入精确称量的种子溶液搅拌均匀。将溶液T分10批在2小时内等时间间隔分批加入在反应釜中混合并搅拌，在25～50℃条件下进行充分的反应6～12小时，生成单分散亲水硅溶胶；

[0022] 所述的种子溶液为市售硅溶胶，或者通过Stober法化学合成得到的硅溶胶。种子溶液的相浓度需经精确测量，种子的粒径分布根据合成目标二氧化硅的粒径大小不同可以为几十到几百纳米。

[0023] (3)将步骤(2)得到的单分散亲水硅溶胶经HCl沉淀、离心分离后，使用无水乙醇、丙酮洗涤后加入一定量的疏水化剂。为了疏水化剂均匀吸附在亲水二氧化硅表面，采用两亲溶剂溶解疏水化剂，并对亲水二氧化硅颗粒进行浸渍。由于亲水二氧化硅比表面积不同，以及疏水化剂分子量的差异，其单分子疏水层的量各不相同。疏水化剂在亲水单分散二氧化硅表面浸润、吸附平衡后，在150～300℃和氮气保护条件下高温处理2～6h而成。

[0024] (4)单分散疏水二氧化硅按照0.2wt％～5.0wt％的比例与流动载体混合搅拌均匀，而后加入乳化剂、去离子水和增稠剂40℃条件下使用胶体磨乳化0.5～5h制备得到本消泡剂。乳化剂加入量为最终消泡剂总量的1wt％～5wt％；增稠剂的加入量为总消泡剂量的1wt％～5wt％；流动载体10wt％～25wt％，余量为去离子水。

[0025] 本发明的有益效果：

[0026] 本发明消泡剂适用于高含硫天然气脱硫剂的消泡和抑泡。根据泡沫环境的特点，本消泡剂具有高度均一的尺寸和可定制的表面物理化学性质，因此其针对复杂原因产生的胺液泡沫的消泡和抑泡效果得以有效提升。本消泡剂消泡可在40s以内消除400mm高度的泡沫，消除400mm高度的泡沫后持续抑制泡沫600s以上。

附图说明

[0027] 图1为本发明实施例1所得单分散疏水二氧化硅扫描电镜照片；

[0028] 图2为本发明实施例2所得单分散疏水二氧化硅扫描电镜照片；

[0029] 图3为本发明消泡剂的消泡抑泡性能测试效果图。

具体实施方式

[0030] 下面结合具体实施方式对本发明进行详细说明。

[0031] 实施例1

[0032] (1)将173g正硅酸乙酯与与无水乙醇混合成500ml溶液，成为溶液T；

[0033] (2)将146g氨水与30g去离子水混合，并加入无水乙醇至500ml成为溶液A；

[0034] (3)称取中值粒径为31.5nm，相浓度为2.61wt％的市售硅溶胶种子溶液2.5175g，用无水乙醇稀释至200ml，加入1500ml的反应釜中；并用300ml无水乙醇洗涤至反应釜中；

[0035] (4)将反应釜温度控制在25±0.1℃，并控制转速在200rpm，加入溶液A，搅拌均匀。将溶液T分10批次每隔12分钟倒入反应釜中，保持反应条件平稳。当反应物料全部加入完毕后，继续反应10h，可得到50g粒径在200nm左右的单分散二氧化硅溶胶；

[0036] (5)将步骤(4)得到的二氧化硅溶胶用0.3mol·L-1的HCl溶液沉淀，在离心机中以4000rpm离心20min，得到亲水单分散二氧化硅固体颗粒。将颗粒沉淀用无水乙醇和丙酮分别离心、洗涤3次，转移进烧杯中；

[0037] (6)取步骤(5)得到的样品5g备用。称取0.32g聚二甲基硅油(粘度100mm2/s)，溶于2g乙醚中，倒入5g二氧化硅中，搅拌均匀，在通风橱中静置5h；

[0038] (7)将步骤(6)中的样品放入200℃的烘箱中，在氮气保护条件下保温6h，而后冷却至室温，即得到如式2结构式的单分散疏水二氧化硅；

[0039]

[0040] (8)将步骤(7)的样品中加入10g乙醚，并加入流动载体正十六烷250g混合均匀，加入10g司盘80，聚乙二醇(PEG-600)5g，去离子水1500g在胶体磨中混合20min，即得到含式2的单分散疏水二氧化硅消泡剂。

[0041] 实施例2

[0042] (1)将259g正硅酸乙酯与与无水乙醇混合成500ml溶液，成为溶液T；

[0043] (2)将198g氨水与39.2423g去离子水混合，并加入无水乙醇至500ml成为溶液A；

[0044] (3)称取中值粒径为194nm，相浓度为9.25wt％的合成硅溶胶种子溶液8.2029g，用无水乙醇稀释至200ml，加入1500ml的反应釜中；并用300ml无水乙醇洗涤至反应釜中；

[0045] (4)将反应釜温度控制在25±0.1℃，并控制转速在200rpm，加入溶液A，搅拌均匀。将溶液T分10批次每隔12分钟倒入反应釜中，保持反应条件平稳。当反应物料全部加入完毕后，继续反应10h，可得到75g粒径在900nm左右的单分散二氧化硅溶胶；

[0046] (5)将步骤(4)得到的二氧化硅溶胶用0.3mol·L-1的HCl溶液沉淀，在离心机中以4000rpm离心20min，得到亲水单分散二氧化硅固体颗粒。将颗粒沉淀用无水乙醇和丙酮分别离心、洗涤3次，转移进烧杯中；

[0047] (6)取步骤(5)得到的样品5g备用。称取0.082g十二烷基三甲氧基硅氧烷，溶于2g乙醚中，倒入5g二氧化硅中，搅拌均匀，在通风橱中静置5h；

[0048] (7)将步骤(6)中的样品放入200℃的烘箱中，在氮气保护条件下保温6h，而后冷却至室温，即得到如式3结构式的单分散疏水二氧化硅；

[0049]

[0050] (8)将步骤(7)的样品中加入10g乙醚，并加入流动载体正十六烷250g混合均匀，加入10g司盘80和2g吐温80，聚乙二醇(PEG-2000)5g，去离子水1500g在胶体磨中混合20min，即得到含式3单分散疏水二氧化硅的本产品消泡剂。

[0051] 实施例3

[0052] (1)将259g正硅酸乙酯与与无水乙醇混合成500ml溶液，成为溶液T；

[0053] (2)将198g氨水与39.2423g去离子水混合，并加入无水乙醇至500ml成为溶液A；

[0054] (3)称取中值粒径为194nm，相浓度为9.25wt％的合成硅溶胶种子溶液2.5175g，用无水乙醇稀释至200ml，加入1500ml的反应釜中；并用300ml无水乙醇洗涤至反应釜中；

[0055] (4)将反应釜温度控制在25±0.1℃，并控制转速在200rpm，加入溶液A，搅拌均匀。将溶液T分10批次每隔12分钟倒入反应釜中，保持反应条件平稳。当反应物料全部加入完毕后，继续反应10h，可得到75g粒径在1500nm左右的单分散二氧化硅溶胶；

[0056] (5)将步骤(4)得到的二氧化硅溶胶在离心机中以4000rpm离心30min后，得到亲水单分散二氧化硅固体颗粒。将颗粒沉淀用无水乙醇和丙酮分别洗涤3次，转移进烧杯中；

[0057] (6)取步骤(5)得到的样品5.0g备用。称取0.052g十八烷基三甲氧基硅氧烷，溶于2g乙醚中，倒入5.0g二氧化硅中，搅拌均匀，在通风橱中静置5h；

[0058] (7)将步骤(6)中的样品放入200℃的烘箱中，在氮气保护条件下保温6h，并冷却至室温。即得到如式4结构式的单分散疏水二氧化硅；

[0059]

[0060] (8)将步骤(7)的样品中加入10g乙醚，并加入流动载体聚二甲基硅油300g混合均匀，加入10g司盘60，羟丙基纤维素(H-HPC)5g，去离子水1400g在胶体磨中混合20min，即得到本产品消泡剂。

[0061] 实施例4

[0062] (1)将259g正硅酸乙酯与与无水乙醇混合成500ml溶液，成为溶液T；

[0063] (2)将198g氨水与39.2423g去离子水混合，并加入无水乙醇至500ml成为溶液A；

[0064] (3)称取中值粒径为194nm，相浓度为9.25wt％的合成硅溶胶种子溶液17.6350g，用无水乙醇稀释至200ml，加入1500ml的反应釜中；并用300ml无水乙醇洗涤至反应釜中；

[0065] (4)将反应釜温度控制在25±0.1℃，并控制转速在200rpm，加入溶液A，搅拌均匀。将溶液T分10批次每隔12分钟倒入反应釜中，保持反应条件平稳。当反应物料全部加入完毕后，继续反应10h，可得到75g粒径在700nm左右的单分散二氧化硅溶胶；

[0066] (5)将步骤(4)得到的二氧化硅溶胶用0.3mol·L-1的HCl溶液沉淀，在离心机中以4000rpm离心20min，得到亲水单分散二氧化硅固体颗粒。将颗粒沉淀用无水乙醇和丙酮分别离心、洗涤3次，转移进烧杯中；

[0067] (6)取步骤(5)得到的样品5g备用。称取0.10g氨丙基三甲氧基硅氧烷，溶于2g乙醚中，倒入5g二氧化硅中，搅拌均匀，在通风橱中静置5h，挥干溶剂；

[0068] (7)将步骤(6)中的样品放入200℃的烘箱中，在氮气保护条件下保温6h，并冷却至室温。即得式5单分散疏水二氧化硅；

[0069]

[0070] (8)将步骤(7)的样品中加入10g乙醚，并加入流动载体液体石蜡350g混合均匀，加入6g乳化剂Triton x-100和6g乳化剂OP-10，聚乙二醇(PEG-200)5g，去离子水1800g在胶体磨中混合20min，即得到本产品消泡剂。

[0071] 实施例5～16，以不同粒径的亲水SiO2，分别按照实施例1～4的方法，只是将复配物用下表物质替代。疏水化剂的量以单分子层覆盖量353m2/g为基准，分别调整至0.4～0.8倍。

[0072] 表1实施例5～16复配物列表

[0073]

[0074]

[0075] 比较例1：为聚醚类工业消泡剂-聚丙二醇单丁基醚。

[0076] 比较例2：为实施例1中未添加单分散疏水二氧化硅的消泡剂的乳化聚二甲基硅油。

[0077] 将实施例1制备的含式2的单分散疏水二氧化硅消泡剂在扫描电子显微镜(SEM)下观察得到如说明书附图1所示的照片，该消泡剂为化学合成的单分散二氧化硅经化学表面疏水处理后的固体粉末，由其粒径为200nm左右的均一单分散型疏水二氧化硅固体颗粒组成。

[0078] 将实施例3制备的含式4的单分散疏水二氧化硅消泡剂在扫描电子显微镜(SEM)下观察得到如说明书附图2所示的照片，该消泡剂为化学合成的单分散二氧化硅经化学表面疏水处理后的固体粉末，由其粒径为1.6μm左右的均一单分散型疏水二氧化硅固体颗粒组成。

[0079] 由图1和图2可知，本利用本发明所得单分散型疏水二氧化硅为化学合成的球形颗粒，其粒径可根据泡沫系统的性质进行调整，且粒径分布偏差在5％以内。

[0080] 消泡剂性能测试比较例：

[0081] 测试方法：在发泡管内加入100ml的50％MDEA水溶液，溶液中含10mmol/L的十二烷基苯磺酸钠。40℃条件下以360mL/min的流量通入N2使溶液鼓泡。当泡沫高度达到400mm后分别加入50ppm比较例1、比较例2和本发明实施例1消泡剂，得到如说明书附图3所示的消泡剂性能测试效果图。其中曲线1、曲线2和曲线3分别为比较例1、比较例2和实施例1消泡剂的测试结果，添加消泡剂的时刻标记为时间0。

[0082] 由图3可知，在相同的测试条件下，分别在“0”时刻加入各消泡剂后，曲线3表征的实施例1的泡沫消除最快，40s时泡沫高度已经接近于0，且在N2的连续鼓泡下，泡沫在600s内均保持在10mm以下，基本不再增长；由曲线1和2表征的比较例1和比较例2消泡剂最低泡沫高度分别为120mm和200mm，说明两个比较例均并不能完全消除已有泡沫；而达到最低泡沫高度的时间分别为70s和120s，说明比较例泡沫消除速度较慢，但比较例1消泡效果较例2略好。在N2的连续鼓泡下，加入了两个比较例消泡剂的测试样品泡沫高度均缓慢增加，因此比较例消泡剂都不能很好抑制泡沫的产生。由实验结果可以看出，本发明消泡剂无论消泡和抑泡效果均优于比较例消泡剂。