一种硅异质结太阳能电池及其制作方法

摘要

本发明公开了一种硅异质结太阳能电池及其制作方法，用以提高硅异质结太阳能电池的光电转换效率。硅异质结太阳能电池的制作方法包括：对硅片进行去损伤层、制绒和清洗；将完成上述步骤的硅片进行硫化处理；在完成上述步骤的硅片的上表面制作第一非晶硅本征层和第一非晶硅掺杂层，在该硅片的下表面制作第二非晶硅本征层和第二非晶硅掺杂层；在第一非晶硅本征层和第一非晶硅掺杂层的表面上依次制作第一透明导电氧化物膜层和第一电极，在第二非晶硅本征层和第二非晶硅掺杂层的表面上依次制作第二透明导电氧化物膜层和第二电极。

权利要求

1.一种硅异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述方法包括：对硅片进行去损伤层、制绒和清洗；

将完成上述步骤的硅片进行硫化处理；

在完成上述步骤的硅片的上表面制作第一非晶硅本征层和第一非晶硅掺杂层，在该硅片的下表面制作第二非晶硅本征层和第二非晶硅掺杂层；

在所述第一非晶硅本征层和第一非晶硅掺杂层的表面上依次制作第一透明导电氧化物膜层和第一电极，在所述第二非晶硅本征层和第二非晶硅掺杂层的表面上依次制作第二透明导电氧化物膜层和第二电极；其中：所述将完成上述步骤的硅片进行硫化处理，包括：

将完成上述步骤的硅片放入硫化铵和氨水的混合溶液中，对硅片表面进行硫化处理，并用去离子水清洗硫化处理后的硅片。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对硅片进行去损伤层、制绒和清洗，包括：将硅片放入氢氧化钠溶液中，在预设时间后取出，并用去离子水对所述硅片进行冲洗；

将完成上述步骤的硅片放入氢氧化钠和制绒添加剂的混合溶液中，在预设时间后取出，并用去离子水对所述硅片进行冲洗；

将完成上述步骤的硅片放入氨水、双氧水和水的混合溶液中浸泡预设时间后取出，并用去离子水对所述硅片进行冲洗；

将完成上述步骤的硅片放入盐酸、双氧水和水的混合溶液中浸泡预设时间后取出，并用去离子水对所述硅片进行冲洗；

将完成上述步骤的硅片放入氢氟酸中清洗预设时间后取出，并用去离子水对所述硅片进行冲洗。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硫化铵溶液的体积百分比为0.5vol％到5vol％，所述氨水的体积百分比为2vol％到10vol％。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述硫化处理的温度为40℃到65℃，所述硫化处理的时间为5分钟到25分钟。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括将制作有第一透明电极、第一电极、第二透明电极和第二电极的硅片放入退火炉中，在180℃到230℃的大气环境中，退火5分钟到60分钟。

6.一种硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述硅异质结太阳能电池为采用权利要求

1-5任一权项所述的方法制作形成的硅异质结太阳能电池。

说明书

一种硅异质结太阳能电池及其制作方法

技术领域

[0001] 本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种硅异质结太阳能电池及其制作方法。

背景技术

[0002] 太阳能电池是一种能将太阳能转换成电能的半导体器件，在光照条件下太阳能电池内部会产生光生电流，通过电极将电能输出。近年来，太阳能电池生产技术不断进步，生产成本不断降低，转换效率不断提高，太阳能电池发电，即光伏发电的应用日益广泛并成为电力供应的重要能源，硅异质结太阳能电池技术就是一种新型的高效电池技术。

[0003] 非晶硅/单晶硅异质结太阳能电池，简称硅异质结太阳能电池，是采用非晶硅和单晶硅相结合的一种异质结太阳能电池。现有技术制作硅异质结太阳能电池的步骤包括在硅片上沉积非晶硅膜层，在硅片上沉积非晶硅膜层之前需要对硅片进行清洗，清洗时主要采用RCA清洗，RCA清洗是1965年由Kern和Puotinen等人在N.J.Princeton的RCA实验室首创的，并由此而得名。RCA是一种典型的、至今仍为最普遍使用的湿式化学清洗法。RCA清洗首先使用氨水(NH3·H2O)和双氧水(H2O2)的混合溶液，去除表面有机玷污和许多金属离子；然后采用盐酸(HCl)和H2O2的混合溶液去除碱性金属离子和NH3·H2O和H2O2不能去除的金属离子；最后采用氢氟酸(HF)溶液去掉氧化层。

[0004] 然而，使用HF溶液去掉硅片表面的氧化层，虽然对硅片表面有一定的化学钝化作用，但硅片表面仍然有较多的悬挂键，表面态密度仍然较大，会降低非晶硅和单晶硅相结合的界面的钝化效果，从而影响电池的光电转换效率。这里提到的钝化是指对硅片表面的悬挂键等表面缺陷进行处理，降低少数载流子表面复合速率。由于现有技术非晶硅和单晶硅相结合的界面的钝化效果不是很好，则少数载流子表面复合速率仍然较高，导致硅异质结太阳能电池的少子寿命相对较低，以及硅异质结太阳能电池的开路电压较低。

[0005] 综上所述，现有技术制作形成的硅异质结太阳能电池的光电转换效率较低。

发明内容

[0006] 本发明实施例提供了一种硅异质结太阳能电池及其制作方法，用以提高硅异质结太阳能电池的光电转换效率。

[0007] 本发明实施例提供的一种硅异质结太阳能电池的制作方法，所述方法包括：

[0008] 对硅片进行去损伤层、制绒和清洗；

[0009] 将完成上述步骤的硅片进行硫化处理；

[0010] 在完成上述步骤的硅片的上表面制作第一非晶硅本征层和第一非晶硅掺杂层，在该硅片的下表面制作第二非晶硅本征层和第二非晶硅掺杂层；

[0011] 在所述第一非晶硅本征层和第一非晶硅掺杂层的表面上依次制作第一透明导电氧化物膜层和第一电极，在所述第二非晶硅本征层和第二非晶硅掺杂层的表面上依次制作第二透明导电氧化物膜层和第二电极。

[0012] 由本发明实施例提供的硅异质结太阳能电池的制作方法，由于该方法在对硅片清洗之后，对硅片进行了硫化处理，硫化处理过程中的硫原子可以对硅片表面的悬挂键进行钝化，与现有技术相比，本发明实施例大大降低了硅异质结太阳能电池的表面态密度，使硅异质结太阳能电池的非晶硅/单晶硅界面钝化效果得到明显提升，使硅异质结太阳能电池获得更高的少子寿命，获得更高的开路电压，进而能够提高硅异质结太阳能电池的光电转换效率。

[0013] 较佳地，所述对硅片进行去损伤层、制绒和清洗，包括：

[0014] 将硅片放入氢氧化钠溶液中，在预设时间后取出，并用去离子水对所述硅片进行冲洗，去除硅片表面的损伤层；

[0015] 将完成上述步骤的硅片放入氢氧化钠和制绒添加剂的混合溶液中，在预设时间后取出，并用去离子水对所述硅片进行冲洗；

[0016] 将完成上述步骤的硅片放入氨水、双氧水和水的混合溶液中浸泡预设时间后取出，并用去离子水对所述硅片进行冲洗；

[0017] 将完成上述步骤的硅片放入盐酸、双氧水和水的混合溶液中浸泡预设时间后取出，并用去离子水对所述硅片进行冲洗；

[0018] 将完成上述步骤的硅片放入氢氟酸中清洗预设时间后取出，并用去离子水对所述硅片进行冲洗。

[0019] 较佳地，所述将完成上述步骤的硅片进行硫化处理，包括：

[0020] 将完成上述步骤的硅片放入硫化铵溶液中，对硅片表面进行硫化处理，并用去离子水清洗硫化处理后的硅片。

[0021] 较佳地，所述硫化铵溶液的体积百分比为0.5vol％到5vol％。

[0022] 较佳地，所述硫化处理的温度为40℃到65℃，所述硫化处理的时间为5分钟到25分钟。

[0023] 较佳地，所述将完成上述步骤的硅片进行硫化处理，包括：

[0024] 将完成上述步骤的硅片放入硫化铵和氨水的混合溶液中，对硅片表面进行硫化处理，并用去离子水清洗硫化处理后的硅片。

[0025] 较佳地，所述硫化铵溶液的体积百分比为0.5vol％到5vol％，所述氨水的体积百分比为2vol％到10vol％。

[0026] 较佳地，所述硫化处理的温度为40℃到65℃，所述硫化处理的时间为5分钟到25分钟。

[0027] 较佳地，还包括将制作有第一透明电极、第一电极、第二透明电极和第二电极的硅片放入退火炉中，在180℃到230℃的大气环境中，退火5分钟到60分钟。

[0028] 本发明实施例还提供了一种硅异质结太阳能电池，所述硅异质结太阳能电池为采用上述方法制作形成的硅异质结太阳能电池。

[0029] 由于本发明实施例的硅异质结太阳能电池是采用上述方法制作形成的，与现有技术的硅异质结太阳能电池相比，本发明实施例降低了硅异质结太阳能电池的表面态密度，使硅异质结太阳能电池的非晶硅/单晶硅界面钝化效果得到明显提升，使硅异质结太阳能电池获得更高的少子寿命，获得更高的开路电压，进而能够提高硅异质结太阳能电池的光电转换效率。

附图说明

[0030] 图1为本发明实施例提供的一种硅异质结太阳能电池的制作方法流程图；

[0031] 图2为本发明实施例一提供的对硅片进行去损伤层、制绒和清洗的方法之后制作硅异质结太阳能电池的方法流程图；

[0032] 图3为本发明实施例提供的一种硅异质结太阳能电池的结构示意图；

[0033] 图4为本发明实施例二提供的对硅片进行去损伤层、制绒和清洗的方法之后制作硅异质结太阳能电池的方法流程图。

具体实施方式

[0034] 本发明实施例提供了一种硅异质结太阳能电池及其制作方法，用以提高硅异质结太阳能电池的光电转换效率。

[0035] 为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

[0036] 下面结合附图详细介绍本发明具体实施例提供的硅异质结太阳能电池的制作方法。

[0037] 如图1所示，本发明具体实施例提供了一种硅异质结太阳能电池的制作方法，所述方法包括：

[0038] S101、对硅片进行去损伤层、制绒和清洗；

[0039] S102、将完成上述步骤的硅片进行硫化处理；

[0040] S103、在完成上述步骤的硅片的上表面制作第一非晶硅本征层和第一非晶硅掺杂层，在该硅片的下表面制作第二非晶硅本征层和第二非晶硅掺杂层；

[0041] S104、在所述第一非晶硅本征层和第一非晶硅掺杂层的表面上依次制作第一透明导电氧化物膜层和第一电极，在所述第二非晶硅本征层和第二非晶硅掺杂层的表面上依次制作第二透明导电氧化物膜层和第二电极。

[0042] 首先介绍本发明具体实施例对硅片进行去损伤层、制绒和清洗的具体方法，本发明具体实施例对硅片进行去损伤层、制绒和清洗包括如下的步骤：

[0043] 步骤1、将硅片放入氢氧化钠(NaOH)溶液中，在预设时间后取出，并用去离子水(DI water)对所述硅片进行冲洗，去除硅片表面的损伤层；

[0044] 步骤2、将完成上述步骤的硅片放入NaOH和制绒添加剂的混合溶液中，在预设时间后取出，并用DI water对所述硅片进行冲洗；

[0045] 步骤3、将完成上述步骤的硅片放入NH3·H2O、H2O2和水(H2O)的混合溶液中浸泡预设时间后取出，并用DI water对所述硅片进行冲洗；

[0046] 步骤4、将完成上述步骤的硅片放入HCl、H2O2和H2O的混合溶液中浸泡预设时间后取出，并用DI water对所述硅片进行冲洗；

[0047] 步骤5、将完成上述步骤的硅片放入HF中清洗预设时间后取出，并用DI water对所述硅片进行冲洗。

[0048] 具体地，首先，将硅片放入质量百分比为10wt％到30wt％的NaOH溶液中，该NaOH溶液的温度优选设定为75℃到85℃，将硅片放入NaOH溶液中2分钟(min)到10min后取出，取出后用DI water对硅片进行冲洗，冲洗时间优选5min到10min。本发明具体实施例选择的硅片的类型为N型，硅片的厚度为195μm，硅片的电阻率为1Ω·cm到5Ω·cm。

[0049] 之后，将硅片放入质量百分比为5wt％的NaOH和体积百分比为0.3vol％的制绒添加剂的混合溶液中，该混合溶液的温度优选设定为85℃，将硅片放入该混合溶液中20min后取出，取出后用DI water对硅片进行冲洗，冲洗时间优选5min到10min。

[0050] 之后，将硅片放入配比为1：1：5的NH3·H2O、H2O2和H2O的混合溶液中，该混合溶液的温度优选设定为75℃，将硅片放入该混合溶液中浸泡15min后取出，取出后用去DI water对硅片进行冲洗，冲洗时间优选5min到10min。

[0051] 之后，将硅片放入配比为1：1：5的HCl、H2O2和H2O的混合溶液中，该混合溶液的温度优选设定为75℃，将硅片放入该混合溶液中浸泡15min后取出，取出后用DI water对硅片进行冲洗，冲洗时间优选5min到10min。

[0052] 之后，将硅片放入质量百分比为1wt％的HF溶液中进行清洗，清洗时间优选为2min，将清洗后的硅片取出，并用DI water对硅片进行冲洗，冲洗时间优选2min到5min。

[0053] 本发明具体实施例对完成清洗的硅片进行硫化处理，本发明具体实施例通过两种不同的方式对硅片进行硫化处理，对硅片进行硫化处理后再制作第一非晶硅本征层、第一非晶硅掺杂层、第二非晶硅本征层、第二非晶硅掺杂层、第一透明导电氧化物膜层、第二透明导电氧化物膜层、第一电极和第二电极。下面结合具体的实施例详细的介绍本发明具体实施例在对硅片进行清洗后，制作硅异质结太阳能电池的方法。

[0054] 实施例一：

[0055] 如图2所示，本发明具体实施例通过上述步骤对硅片进行清洗后，制作硅异质结太阳能电池的方法包括：

[0056] S201、将完成上述步骤的硅片放入硫化铵[(NH4)2S]溶液中，对硅片表面进行硫化处理，并用DI water清洗硫化处理后的硅片；

[0057] S103、在完成上述步骤的硅片的上表面制作第一非晶硅本征层和第一非晶硅掺杂层，在该硅片的下表面制作第二非晶硅本征层和第二非晶硅掺杂层；

[0058] S104、在所述第一非晶硅本征层和第一非晶硅掺杂层的表面上依次制作第一透明导电氧化物膜层和第一电极，在所述第二非晶硅本征层和第二非晶硅掺杂层的表面上依次制作第二透明导电氧化物膜层和第二电极。

[0059] 具体地，本发明具体实施例[(NH4)2S]溶液的体积百分比为0.5vol％到5vol％，在实际硫化过程中，[(NH4)2S]溶液的体积百分比优选1.2vol％到2vol％。采用DI water清洗硫化处理后的硅片时，优选采用DI water对硅片冲洗5min，将硅片表面的残留液冲洗干净。

[0060] 本发明具体实施例硫化处理的温度为40℃到65℃，在实际硫化过程中，硫化处理的温度优选55℃，温度过低，会使反应速率过慢，造成硫化程度不够，温度过高未造成[(NH4)2S]溶液的过度分解，造成硫原子在硅片表面沉积或物理吸附，降低表面钝化效果。

[0061] 本发明具体实施例硫化处理的时间为5min到25min，在实际硫化过程中，硫化处理的时间优选15min，时间过短，会使硫化反应程度不够，而时间增加到一定程度，硅片的表面硫化程度已经饱和，本发明具体实施例硫化处理的时间选择25min内。

[0062] 本发明具体实施例将硫化处理后的硅片进行干燥处理，优选放入甩干机中甩干，以便后续使用。

[0063] 接着，本发明具体实施例在硫化处理和干燥处理后的硅片上制作第一非晶硅本征层、第一非晶硅掺杂层、第二非晶硅本征层、第二非晶硅掺杂层、第一透明导电氧化物膜层、第一电极、第二透明导电氧化物膜层和第二电极。

[0064] 具体地，如图3所示，首先，在硫化处理和干燥处理后的N型硅片10的上表面制作第一非晶硅本征层11和第一非晶硅掺杂层12，在该硅片10的下表面制作第二非晶硅本征层15和第二非晶硅掺杂层16。

[0065] 具体实施时，本发明具体实施例制作第一非晶硅本征层11、第一非晶硅掺杂层12、第二非晶硅本征层15和第二非晶硅掺杂层16时采用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)的方法。首先，将硫化处理后经过甩干机甩干的硅片10放入PECVD设备的腔室中，在硅片10的上表面依次制作第一非晶硅本征层11和第一非晶硅掺杂层12。之后，将硅片10进行翻转，翻转后将制作有第一非晶硅本征层11和第一非晶硅掺杂层12的硅片10再次放入PECVD设备的腔室中，在硅片10的下表面依次制作第二非晶硅本征层15和第二非晶硅掺杂层16。

[0066] 在具体制作过程中，第一非晶硅本征层11、第一非晶硅掺杂层12、第二非晶硅本征层15和第二非晶硅掺杂层16的制作顺序可以根据需要进行调整，如：可以先在硅片10的下表面依次制作第二非晶硅本征层15和第二非晶硅掺杂层16，翻转后再在硅片10的上表面依次制作第一非晶硅本征层11和第一非晶硅掺杂层12；当然也可以制作在硅片10的上表面的膜层和制作在硅片10下表面的膜层是交替进行制作的，本发明具体实施例并不对各个膜层的制作顺序作具体限定。本发明具体实施例第一非晶硅本征层11、第一非晶硅掺杂层12、第二非晶硅本征层15和第二非晶硅掺杂层16的具体制作方法与现有技术相同，这里不再赘述。

[0067] 接着，在第一非晶硅掺杂层12的表面上依次制作第一透明导电氧化物膜层13和第一电极14，在第二非晶硅掺杂层16的表面上依次制作第二透明导电氧化物膜层17和第二电极18。优选地，本发明具体实施例中制作的第一透明导电氧化物膜层13的材料和第二透明导电氧化物膜层17的材料相同，均为铟锡氧化物(ITO)；第一电极14和第二电极18的材料相同，均为银(Ag)电极。第一透明导电氧化物膜层13和第二透明导电氧化物膜层17可以采用物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)的方法制作得到，Ag电极可以采用丝网或者电镀等方式制作得到，本发明具体实施例制作得到的第一电极14为栅线电极，第二电极18可以为金属电极，也可以为栅线电极。本发明具体实施例中的第一透明导电氧化物膜层、第二透明导电氧化物膜层、第一电极和第二电极的具体制作方法与现有技术相同，这里不再赘述。

[0068] 本发明具体实施例中当制作第一透明导电氧化物膜层、第二透明导电氧化物膜层、第一电极和第二电极完成后，形成了硅异质结太阳能电池。优选地，将形成的硅异质结太阳能电池放入退火炉中，在180℃到230℃的大气环境中，退火5分钟到60分钟。退火可以使制作的第一电极和第二电极固化，形成欧姆接触，也可以使硅异质结太阳能电池的非晶硅/单晶硅的界面质量得到改善。

[0069] 实施例二：

[0070] 如图4所示，本发明具体实施例通过上述步骤对硅片进行清洗后，制作硅异质结太阳能电池的方法包括：

[0071] S401、将完成上述步骤的硅片放入[(NH4)2S]和NH3·H2O的混合溶液中，对硅片表面进行硫化处理，并用DI water清洗硫化处理后的硅片；

[0072] S103、在完成上述步骤的硅片的上表面制作第一非晶硅本征层和第一非晶硅掺杂层，在该硅片的下表面制作第二非晶硅本征层和第二非晶硅掺杂层；

[0073] S104、在所述第一非晶硅本征层和第一非晶硅掺杂层的表面上依次制作第一透明导电氧化物膜层和第一电极，在所述第二非晶硅本征层和第二非晶硅掺杂层的表面上依次制作第二透明导电氧化物膜层和第二电极。

[0074] 具体地，本发明具体实施例[(NH4)2S]溶液的体积百分比为0.5vol％到5vol％，NH3·H2O的体积百分比为2vol％到10vol％，在实际硫化过程中，[(NH4)2S]溶液的体积百分比优选1.2vol％到2vol％，NH3·H2O的体积百分比优选3vol％到8vol％。采用DI water清洗硫化处理后的硅片时，优选采用DI water对硅片冲洗5min，将硅片表面的残留液冲洗干净。

[0075] 本发明具体实施例二采用[(NH4)2S]和NH3·H2O的混合溶液对硅片表面进行硫化处理，在[(NH4)2S]和NH3·H2O的混合溶液中，NH3·H2O能够对[(NH4)2S]的分解起到一定的缓冲作用，从而增加了混合溶液的化学环境稳定性，使得在对硅片进行硫化处理时更加稳定。

[0076] 本发明具体实施例硫化处理的温度为40℃到65℃，在实际硫化过程中，硫化处理的温度优选60℃，温度过低，会使反应速率过慢，造成硫化程度不够，温度过高未造成[(NH4)2S]溶液的过度分解，造成硫原子在硅片表面沉积或物理吸附，降低表面钝化效果。

[0077] 本发明具体实施例硫化处理的时间为5min到25min，在实际硫化过程中，硫化处理的时间优选20min，时间过短，会使硫化反应程度不够，而时间增加到一定程度，硅片的表面硫化程度已经饱和，本发明具体实施例硫化处理的时间选择25min内。

[0078] 本发明具体实施例将硫化处理后的硅片进行干燥处理，优选放入甩干机中甩干，以便后续使用。

[0079] 接着，本发明具体实施例在硫化处理和干燥处理后的硅片上制作第一非晶硅本征层、第一非晶硅掺杂层、第二非晶硅本征层、第二非晶硅掺杂层、第一透明导电氧化物膜层、第一电极、第二透明导电氧化物膜层和第二电极。本发明具体实施例二制作第一非晶硅本征层、第一非晶硅掺杂层、第二非晶硅本征层、第二非晶硅掺杂层、第一透明导电氧化物膜层、第一电极、第二透明导电氧化物膜层和第二电极的方法与本发明具体实施例一制作第一非晶硅本征层、第一非晶硅掺杂层、第二非晶硅本征层、第二非晶硅掺杂层、第一透明导电氧化物膜层、第一电极、第二透明导电氧化物膜层和第二电极的方法相同，这里不再赘述。

[0080] 本发明具体实施例中当制作第一透明导电氧化物膜层、第二透明导电氧化物膜层、第一电极和第二电极完成后，形成了硅异质结太阳能电池。优选地，将形成的硅异质结太阳能电池放入退火炉中，在180℃到230℃的大气环境中，退火5分钟到60分钟。退火可以使制作的第一电极和第二电极固化，形成欧姆接触，也可以使硅异质结太阳能电池的非晶硅/单晶硅的界面质量得到改善。

[0081] 为了验证本发明具体实施例制作得到的硅异质结太阳能电池的光电转换效率比现有技术的硅异质结太阳能电池的光电转换效率高，申请人分别对本发明具体实施例一和本发明具体实施例二制作得到的硅异质结太阳能电池，以及现有技术的硅异质结太阳能电池进行开路电压和少子寿命的测试。

[0082] 具体地，采用型号为WCT-120Sinton的设备分别测试本发明具体实施例一和具体实施例二形成的硅异质结太阳能电池和现有技术形成的硅异质结太阳能电池的少子寿命，测试结果显示，本发明具体实施例一和具体实施例二形成的硅异质结太阳能电池的少子寿命为4000微秒(μs)到5000μs，现有技术形成的硅异质结太阳能电池的少子寿命为2500μs到3500μs，由此可见，本发明具体实施例一和具体实施例二形成的硅异质结太阳能电池延长了少子寿命。

[0083] 具体地，采用型号为Newport的模拟器分别测试本发明具体实施例一和具体实施例二形成的硅异质结太阳能电池和现有技术形成的硅异质结太阳能电池的开路电压，测试结果显示，本发明具体实施例一和具体实施例二形成的硅异质结太阳能电池的开路电压为735毫伏(mV)，现有技术形成的硅异质结太阳能电池的开路电压达到730mV，由此可见，本发明具体实施一和具体实施例二例形成的硅异质结太阳能电池的电性能得到提升。

[0084] 测试结果表明，本发明具体实施例增加硫化处理以后，硫原子对硅片表面的悬挂键具有较好的钝化作用，降低了硅片清洗后的界面态密度，可以明显改善非晶硅/单晶硅界面的钝化效果和钝化稳定性，从而提升了非晶硅沉积后的少子寿命和硅异质结太阳能电池的开路电压，进而提高了硅异质结太阳能电池的光电转换效率。使硅片沉积非晶硅后的少子寿命提升了约1500μs，硅异质结太阳能电池的开路电压提升了约5mV。

[0085] 本发明具体实施例还提供了一种硅异质结太阳能电池，该硅异质结太阳能电池为采用上述方法制作形成的硅异质结太阳能电池，该硅异质结太阳能电池的光电转换效率较现有技术有很大的提高。

[0086] 综上所述，本发明具体实施例提供一种硅异质结太阳能电池的制作方法，包括：对硅片进行去损伤层、制绒和清洗；将完成上述步骤的硅片进行硫化处理；在完成上述步骤的硅片的上表面制作第一非晶硅本征层和第一非晶硅掺杂层，在该硅片的下表面制作第二非晶硅本征层和第二非晶硅掺杂层；在所述第一非晶硅本征层和第一非晶硅掺杂层的表面上依次制作第一透明导电氧化物膜层和第一电极，在所述第二非晶硅本征层和第二非晶硅掺杂层的表面上依次制作第二透明导电氧化物膜层和第二电极。由于本发明具体实施例在对硅片清洗之后，对硅片进行了硫化处理，即用[(NH4)2S]溶液处理或用[(NH4)2S]和NH3·H2O的混合溶液处理硅片表面，这样硫原子可以对硅片表面的悬挂键进行钝化，大大降低了硅异质结太阳能电池的表面态密度，使硅异质结太阳能电池的非晶硅/单晶硅界面钝化效果得到明显提升，使硅异质结太阳能电池获得更高的少子寿命，获得更高的开路电压，进而能够提高硅异质结太阳能电池的光电转换效率。

[0087] 显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。