一种针对多晶硅层光刻版图的工艺热点检查方法

摘要

本发明涉及半导体良率提升领域，尤其涉及一种针对多晶硅层光刻版图的工艺热点检查方法，与现有技术相比，本发明提供的基于多晶硅层的图形特征进行功能分类的工艺热点检查方法，能够将原始多晶硅层图形按照器件功能分类，并对分类后的图形进行不同规格的最小线宽检查，从而方便工程技术人员更加精确地定位和判断最严重的热点问题，提高了光学临近效应修正处理过程的准确性和效率。

权利要求

1.一种针对多晶硅层光刻版图的工艺热点检查方法，其特征在于，包括：S1：提供一个多晶硅层的光刻版图；

S2：将所述版图中的多晶硅 层图形按器件功能分类并做标记，并对分类后的所述多晶硅 层图形进行不同规格的最小线宽检查；

S3：对所述光刻版图进行光学临近效应修正，获得所述多晶硅 层图形数据；

S4：对所述多晶硅 层图形数据进行工艺偏差模拟；

S5：对各类所述多晶硅 层图形进行工艺热点检查；

S6：获得所述各类多晶硅 层图形的工艺热点，并生成热点位置的索引文件；所述各类多晶硅 层图形包括：栅极图形，为所述多晶硅层图形与有源区图形重合部分；

电阻图形，为被电阻识别层覆盖的图形部分；

冗余图形，为既不接触所述有源区图形，也不接触所述电阻识别层的图形部分；

连线图形，为所述栅极图形、所述电阻图形、所述冗余图形以外的其他图形部分；

将符合分类标准的所述多晶硅层图形按类做好标记，所述分类标记与所述多晶硅层图形一一对应，并以所述多晶硅层图形为中心对所述多晶硅层图形进行完全包围。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工艺热点检查规格按照栅极图形、电阻图形、连线图形和冗余图形顺次递减。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述栅极图形的最小线宽与目标线宽差异的绝对值要求为0.01nm～5nm。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述电阻图形的最小线宽与目标线宽差异的绝对值要求为0.01nm～10nm。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述连线图形的最小线宽与目标线宽差异的绝对值要求为0.01nm～20nm。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述冗余图形的最小线宽与目标线宽差异绝对值要求为0.01nm～30nm。

说明书

一种针对多晶硅层光刻版图的工艺热点检查方法

技术领域

[0001] 本发明涉及半导体良率提升领域，尤其涉及一种针对多晶硅层光刻版图的工艺热点检查方法。

背景技术

[0002] 随着技术节点的不断降低，半导体器件的特征尺寸不断减小，光学临近效应(Optical Proximity Effect)导致硅片上的光刻图形与掩模版上图形的偏差问题越来越严重，因此光学临近效应校正(Optical Proximity Correction)在半导体制造中愈发显得重要。光学临近效应校正主要作用是减小光学临近效应所造成的误差和影响，使得转移到硅片上的图形与预期图形基本符合。

[0003] 如图3所示，现有技术针对光学临近效应校正后的多晶硅层版图按照统一规格和标准来判定其是否属于热点，这种规格统一的检查方法不能很好的反映热点的严重程度，会对工程技术人员判定和解决最重要热点问题造成干扰，增加了光学临近效应校正的处理时间，提高了非严重性热点问题的干扰。

发明内容

[0004] 针对上述问题，本发明涉及一种针对多晶硅层光刻版图的工艺热点检查方法，其特征在于，包括：

[0005] S1：提供一个多晶硅层的光刻版图；

[0006] S2：将所述版图中的多晶层图形分类并做标记；

[0007] S3：对所述光刻版图进行光学临近效应修正，获得所述多晶层图形数据；

[0008] S4：对所述多晶层图形数据进行工艺偏差模拟；

[0009] S5：对各类所述多晶层图形的进行工艺热点检查；

[0010] S6：获得所述各类多晶层图形的工艺热点，并生成热点位置的索引文件。

[0011] 上述的方法，其特征在于，所述各类多晶层图形包括：

[0012] 栅极图形，为所述多晶硅层图形与有源区图形重合部分；

[0013] 电阻图形，为被电阻识别层覆盖的图形部分；

[0014] 冗余图形，为既不接触有源区图形，也不接触电阻识别层和接触孔的图形部分；

[0015] 连线图形，为所述栅极图形、电阻图形、冗余图层以外的其他图形部分。

[0016] 上述的方法，其特征在于，将符合分类标准的所述多晶硅层图形按类做好标记，所述分类标记与所述多晶硅层图形一一对应，并以所述多晶硅层图形为中心对所述多晶硅层图形进行完全包围。

[0017] 上述的方法，其特征在于，所述工艺热点检查规格按照栅极图形、电阻图形、连线图形和冗余图形顺次递减。

[0018] 上述的方法，其特征在于，所述栅极图形的最小线宽与目标线宽差异的绝对值要求为0.01nm～5nm。

[0019] 上述的方法，其特征在于，所述电阻图形的最小线宽与目标线宽差异的绝对值要求为0.01nm～10nm。

[0020] 上述的方法，其特征在于，所述连线图形的最小线宽与目标线宽差异的绝对值要求为0.01nm～20nm。

[0021] 上述的方法，其特征在于，所述冗余图形的最小线宽与目标线宽差异绝对值要求为0.01nm～30nm。

[0022] 有益效果，本发明提出一种针对多晶硅层光刻版图的工艺热点检查方法，与现有技术相比，本发明提供的基于多晶硅层的图形特征进行功能分类的工艺热点检查方法，能够将原始多晶硅层图形按照器件功能分类，并对分类后的图形进行不同规格的最小线宽检查，从而方便工程技术人员更加精确地定位和判断最严重的热点问题，提高了光学临近效应修正处理过程的准确性和效率。

附图说明

[0023] 图1是本发明一种针对多晶硅层光刻版图的工艺热点检查方法的工艺流程图；

[0024] 图2是本发明中光刻版图中多晶硅层图形的排布和多晶硅层图形分类标记示意图；

[0025] 图3是现有技术多晶硅层图形的工艺热点检查结果示意图；

[0026] 图4是本发明实施例的多晶硅层图形的工艺热点检查结果示意图。

具体实施方式

[0027] 本发明涉及一种光学邻近效应修正模型的优化方法，下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的说明。

[0028] 如图1所示，针对上述问题，本发明涉及一种针对多晶硅层光刻版图的工艺热点检查方法，其特征在于，包括：

[0029] S1：提供一个多晶硅层的光刻版图；

[0030] S2：将所述版图中的多晶层图形分类并做标记；

[0031] S3：对所述光刻版图进行光学临近效应修正，获得所述多晶层图形数据；

[0032] S4：对所述多晶层图形数据进行工艺偏差模拟；

[0033] S5：对各类所述多晶层图形的进行工艺热点检查；

[0034] S6：获得所述各类多晶层图形的工艺热点，并生成热点位置的索引文件。

[0035] 图2显示的是光刻版图中多晶硅层图形的排布，一个优选的实施例，其中，所述各类多晶层图形包括：

[0036] 栅极图形1，为所述多晶硅层图形与有源区图形6重合部分；

[0037] 电阻图形2，为被电阻识别层5覆盖的图形部分；

[0038] 冗余图形3，为既不接触有源区图形6，也不接触电阻识别层5的图形部分；

[0039] 连线图形4，为栅极图形1、电阻图形2、冗余图形3以外的其他图形部分。

[0040] 一个优选的实施例，其中，将符合分类标准的所述多晶硅层图形按类做好标记，所述分类标记与所述多晶硅层图形一一对应，并以所述多晶硅层图形为中心对所述多晶硅层图形进行完全包围。

[0041] 一个优选的实施例，其中，所述工艺热点检查规格按照栅极图形1、电阻图形2、连线图形4和冗余图形3顺次递减。

[0042] 一个优选的实施例，其中，栅极图形1的最小线宽与目标线宽差异的绝对值要求为0.01nm～5nm。

[0043] 一个优选的实施例，其中，电阻图形2的最小线宽与目标线宽差异的绝对值要求为0.01nm～10nm。

[0044] 一个优选的实施例，其中，连线图形4的最小线宽与目标线宽差异的绝对值要求为0.01nm～20nm。

[0045] 一个优选的实施例，其中，冗余图形3的最小线宽与目标线宽差异绝对值要求为0.01nm～30nm。

[0046] 如图4所示，本发明所采用的工艺热点检查方法大大缩小了问题热点图形的范围，减小了技术人员的分析时间，保证了技术人员能够快速识别热点、提高效率。

[0047] 综上所述，本发明提出一种针对多晶硅层光刻版图的工艺热点检查方法，与现有技术相比，本发明提供的基于多晶硅层的图形特征进行功能分类的工艺热点检查方法，能够将原始多晶硅层图形按照器件功能分类，并对分类后的图形进行不同规格的最小线宽检查，从而方便工程技术人员更加精确地定位和判断最严重的热点问题，提高了光学临近效应修正处理过程的准确性和效率。

[0048] 通过说明和附图，给出了具体实施方式的特定结构的典型实施例，基于本发明精神，还可作其他的转换。尽管上述发明提出了现有的较佳实施例，然而，这些内容并不作为局限。

[0049] 对于本领域的技术人员而言，阅读上述说明后，各种变化和修正无疑将显而易见。因此，所附的权利要求书应看作是涵盖本发明的真实意图和范围的全部变化和修正。在权利要求书范围内任何和所有等价的范围与内容，都应认为仍属本发明的意图和范围内。