波长变换部件、发光装置、投影机、以及波长变换部件的制造方法

摘要

本发明提供波长变换部件、发光装置、投影机、以及波长变换部件的制造方法。所述波长变换部件，具备：基板；分色镜层，被设置在基板上，且使来自上方的光的至少一部分反射；SiO2层，被设置在分色镜层上；ZnO层，被设置在SiO2层上；以及被设置在ZnO层上的含有多个荧光体的荧光体层，在荧光体层中，在多个荧光体之间设置ZnO。

权利要求

1.一种波长变换部件，具备：基板；

反射层，被设置在所述基板上，且使来自上方的光的至少一部分反射；

具有透光性的非晶层，被设置在所述反射层上；

具有透光性的金属氧化物层，被设置在所述非晶层上；以及含有多个荧光体的荧光体层，被设置在所述金属氧化物层上，在所述荧光体层中，所述多个荧光体之间的空隙被与所述金属氧化物层相同的金属氧化物填充，所填充的金属氧化物内包围所述多个荧光体。

2.如权利要求1所述的波长变换部件，所述反射层是分色镜层。

3.如权利要求2所述的波长变换部件，在所述分色镜层中包含低折射率层以及高折射率层，所述非晶层的厚度为所述低折射率层的厚度以上。

4.如权利要求1所述的波长变换部件，所述反射层包含金属反射层。

5.如权利要求4所述的波长变换部件，所述反射层还包含增反射层，该增反射层包含低折射率层以及高折射率层，所述非晶层的厚度为所述低折射率层的厚度以上。

6.如权利要求4或5所述的波长变换部件，所述金属反射层是由Al构成的反射层。

7.如权利要求1所述的波长变换部件，所述非晶层是由SiO2或TiO2构成的非晶层。

8.如权利要求1所述的波长变换部件，所述金属氧化物层是ZnO层。

9.如权利要求3或5所述的波长变换部件，所述低折射率层是由SiO2或Al2O3构成的层，所述高折射率层是由TiO2或Nb2O3构成的层。

10.如权利要求1所述的波长变换部件，所述基板是蓝宝石基板或硅基板。

11.一种发光装置，具备：权利要求1至10的任一项所述的波长变换部件；以及照射部，向所述波长变换部件照射用于使所述荧光体激励的光。

12.一种投影机，

所述投影机具备权利要求11所述的发光装置。

13.一种波长变换部件的制造方法，在基板上形成用于使来自上方的光的至少一部分反射的反射层，在所述反射层上形成具有透光性的非晶层，在所述非晶层上形成具有透光性的金属氧化物层，所述金属氧化物层上堆积多个荧光体，使所述金属氧化物层进行结晶生长，从而形成荧光体层，在该荧光体层中，在所述多个荧光体之间设置有与所述金属氧化物层相同的金属氧化物。

说明书

波长变换部件、发光装置、投影机、以及波长变换部件的制造

方法

技术领域

[0001] 本发明涉及，用于投影机等的、含有荧光体的波长变换部件等。

背景技术

[0002] 以往，向屏幕投射图像的投影机是众所周知的。投影机，一般而言，通过数字微镜器件以及液晶显示元件等，对从光源射出的光进行空间调制，从而投射(显示)图像。

[0003] 近几年，通过发光二极管(LED：Light Emitting Diode)或半导体激光器(LD：Laser Diode)，向包含荧光体的波长变换部件照射光，从而得到所希望的光的投影机用的光源是众所周知的。

[0004] 在所述的波长变换部件中，以往，荧光体由树脂密封，但是，也提出了由氧化锌(ZnO)填充荧光体间的空隙的结构的方案(例如，参照专利文献1以及专利文献2)。

[0005] (现有技术文献)

[0006] (专利文献)

[0007] 专利文献1：国际公开第2013/172025号

[0008] 专利文献2：国际公开第2013/175773号

[0009] 专利文献3：日本特开2012-54272号公报

[0010] 专利文献4：日本特开2013-12358号公报

[0011] 所述的波长变换部件具有的问题是，光的提取效率的提高，以及耐久性的提高。

发明内容

[0012] 本发明，提供提高了光的提取效率以及耐久性的波长变换部件等。

[0013] 本发明的实施方案之一涉及的波长变换部件，具备：基板；反射层，被设置在所述基板上，且使来自上方的光的至少一部分反射；具有透光性的非晶层，被设置在所述反射层上；具有透光性的金属氧化物层，被设置在所述非晶层上；以及含有多个荧光体的荧光体层，被设置在所述金属氧化物层上，在所述荧光体层中，在所述多个荧光体之间设置与所述金属氧化物层相同的金属氧化物。

[0014] 本发明的实施方案之一涉及的波长变换部件的制造方法，在基板上形成用于使来自上方的光的至少一部分反射的反射层，在所述反射层上形成具有透光性的非晶层，在所述非晶层上形成具有透光性的金属氧化物层，所述金属氧化物层上堆积多个荧光体，使所述金属氧化物层进行结晶生长，从而形成荧光体层，在该荧光体层中，在所述多个荧光体之间设置有与所述金属氧化物层相同的金属氧化物。

[0015] 根据本发明，能够实现提高了光的提取效率以及耐久性的波长变换部件、以及利用了它的发光装置以及投影机。

附图说明

[0016] 图1是实施例1涉及的波长变换部件的外观斜视图。

[0017] 图2是实施例1涉及的波长变换部件的截面图(图1的II-II线上的截面图)。

[0018] 图3A是实施例1涉及的用于说明波长变换部件的制造方法的第一截面图。

[0019] 图3B是实施例1涉及的用于说明波长变换部件的制造方法的第二截面图。

[0020] 图3C是实施例1涉及的用于说明波长变换部件的制造方法的第三截面图。

[0021] 图3D是实施例1涉及的用于说明波长变换部件的制造方法的第四截面图。

[0022] 图3E是实施例1涉及的用于说明波长变换部件的制造方法的第五截面图。

[0023] 图3F是实施例1涉及的用于说明波长变换部件的制造方法的第六截面图。

[0024] 图3G是实施例1涉及的用于说明波长变换部件的制造方法的第七截面图。

[0025] 图4是实施例1涉及的波长变换部件的制造方法的流程图。

[0026] 图5是实施例2涉及的波长变换部件的截面图。

[0027] 图6是示出实施例3涉及的投影机的结构的图。

[0028] 图7是实施例3涉及的投影机的外观斜视图。

[0029] 图8是实施例4涉及的发光装置的概观斜视图。

[0030] 图9是实施例4涉及的发光装置的截面图。

[0031] 图10是示出实施例4涉及的发光装置的陶瓷荧光体和散热器之间的截面的模式图。

[0032] 图11是实施例5涉及的发光装置的概观斜视图。

[0033] 图12是实施例5涉及的发光装置的截面图。

[0034] 图13是实施例5的变形例1涉及的发光装置的截面图。

[0035] 图14是实施例5的变形例2涉及的发光装置的截面图。

具体实施方式

[0036] 以下，对于实施例涉及的波长变换部件等，参照附图进行说明。而且，以下说明的实施例，示出本发明的一个具体例子。因此，以下的实施例所示的、数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置位置及连接形态等是，一个例子，而不是限定本发明的宗旨。因此，对于以下的实施例的构成要素中的、示出本发明的最上位概念的独立权利要求中没有记载的构成要素，作为任意的构成要素而被说明。

[0037] 而且，各个图是模式图，并不一定是严密示出的图。并且，在各个图中，对于实质上相同的结构，附上相同的符号，会有省略或简略化重复的说明的情况。

[0038] (实施例1)

[0039] [结构]

[0040] 首先，对于实施例1涉及的波长变换部件的结构，利用图1以及图2进行说明。图1是实施例1涉及的波长变换部件的外观斜视图。图2是实施例1涉及的波长变换部件的截面图(图1的II-II线上的截面图)。

[0041] 如图1示出，实施例1涉及的波长变换部件10是，设置有荧光体层15的所谓荧光体轮，主要用于投影机。

[0042] 如图1以及图2示出，更详细而言，波长变换部件10具备，基板11、分色镜层12、SiO2层13、ZnO层14、以及含有荧光体16的荧光体层15。

[0043] 基板11是圆形平板状的基板。基板11，可以具有透光性，也可以没有透光性。对于基板11，可以示出玻璃基板、石英基板、GaN基板、蓝宝石基板、硅基板等的例子。并且，基板11，也可以由PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)薄膜、或PET(聚对苯二甲酸乙二酯)薄膜等的树脂形成。

[0044] 而且，在实施例1中，基板11是平板，但是，也可以具有曲面。在利用具有曲面的基板11的情况下，基板11，优选的是，容易加工的玻璃基板。

[0045] 分色镜层12是，设置在基板11上的、使来自上方的光的至少一部分反射的反射层的一个例子。而且，在此，上方意味着，SiO2层13侧。

[0046] 更详细而言，分色镜层12是，低折射率层12a以及高折射率层12b交替层叠的多层膜(分布布拉格反射层)。

[0047] 对于构成分色镜层12的低折射率层12a，具体而言，可以利用SiO2以及Al2O3等的轻元素的氧化物。并且，对于构成分色镜层12的高折射率层12b，可以利用TiO2、Nb2O3、ZnO、以及AlON等的比较重的元素的氧化物以及氧氮化物。

[0048] 并且，对于构成分色镜层12的低折射率层12a，也可以利用包含AlN及高Al组成AlGaN、以及AlInN等的Al的氮化物半导体。并且，对于构成分色镜层12的高折射率层12b，也可以利用包含GaN以及低Al组成AlGaN等的Ga的氮化物半导体等。

[0049] 对于分色镜层12，在实施例1中，是使可见光区域的光反射的结构，但是，也可以是仅使特定的波长区域的光反射，使所述特定的波长区域以外的波长区域的光透过的结构。

[0050] SiO2层13是，设置在分色镜层12上的、非晶的SiO2层。也就是说，SiO2层13是，具有透光性的非晶层的一个例子。SiO2层13是，波长变换部件10的特征结构，在荧光体层15的形成中，给SiO2层13上的ZnO层14的结晶生长带来良好的影响。

[0051] ZnO层14是，设置在SiO2层13上的、具有透光性的金属氧化物层的一个例子。更详细而言，ZnO层14是，c轴取向的ZnO的层。对于ZnO层14，例如，可以利用面内的晶体方位随机生长的ZnO。

[0052] 而且，对于ZnO层14，也可以利用面内的晶体方位一起生长的单晶的ZnO。单晶，由于晶界少，因此，在光散射的减少的方面优选的。

[0053] 荧光体层15是，设置在ZnO层14上的、含有多个荧光体16(荧光体粒子)的ZnO的层。也就是说，在荧光体层15中，在多个荧光体16之间设置与ZnO层14相同的金属氧化物。荧光体层15是，ZnO层14上堆积荧光体，使ZnO层14进行结晶生长来形成的。

[0054] 对于荧光体16，在实施例1中，是YAG系的黄色荧光体，但是，也可以是红色荧光体或绿色荧光体，没有特别的限定。并且，在荧光体层15中，可以包含发光谱的中心波长不同的多种荧光体16，荧光体层15也可以，在俯视时被分割为区域，按每个区域包含不同的荧光体16。

[0055] 在以上说明的波长变换部件10，在荧光体层15照射蓝光，据此，荧光体16激励来放出黄色光。此时，蓝光的一部分以及黄色光的一部分，由分色镜层12反射。其结果为，蓝光和黄色光被混合，从波长变换部件10输出白光。

[0056] [波长变换部件的制造方法]

[0057] 接着，说明波长变换部件10的制造方法。图3A至图3G是用于说明波长变换部件10的制造方法的截面图。图4是波长变换部件10的制造方法的流程图。

[0058] 对于实施例1的波长变换部件10，通过ZnO层14的结晶生长由ZnO填充荧光体16的空隙，从而形成荧光体层15。

[0059] 首先，如图3A以及图3B示出，分色镜层12被形成在基板11上(S11)。

[0060] 在对构成分色镜层12的低折射率层12a以及高折射率层12b利用氧化物以及氧氮化物的情况下，对于形成低折射率层12a以及高折射率层12b的方法，利用电子束蒸镀法、电阻加热蒸镀法、反应性等离子蒸镀法、或溅射法那样的成膜法。

[0061] 在对构成分色镜层12的低折射率层12a以及高折射率层12b利用氮化物半导体的情况下，对于形成低折射率层12a以及高折射率层12b的方法，利用有机金属气相沉积法、或分子束外延法那样的成膜法。

[0062] 接着，如图3C示出，SiO2层13被形成在分色镜层12上(S12)。对于形成SiO2层13的方法，利用电子束蒸镀法、电阻加热蒸镀法、反应性等离子蒸镀法、溅射法、有机金属气相沉积法、分子束外延法、或脉冲激光沉积法那样的成膜法。

[0063] 接着，如图3D示出，ZnO层14被形成在SiO2层13上(S12)。对于形成ZnO层14的方法，利用电子束蒸镀法、电阻加热蒸镀法、反应性等离子蒸镀法、溅射法、有机金属气相沉积法、分子束外延法、或脉冲激光沉积法那样的成膜法。

[0064] 在此，通过使用了含有Zn离子的溶液的溶液生长法，能够使ZnO进行结晶生长。对于溶液生长法，利用在大气压下进行的化学池沉积法(chemical bath deposition)、在大气压以上进行的水热合成法(hydrothermal synthesis)、或施加电压或电流的电解沉积法(electrochemical deposition)等。ZnO是，容易c轴生长的，因此，通过控制温度以及成膜速度等的成膜条件，从而能够容易得到c轴取向的ZnO层14。

[0065] 而且，为了得到电阻低的ZnO层14，而可以将Ga、Al、In、以及B等的掺杂物添加在ZnO层14中。

[0066] 接着，如图3E示出，在ZnO层14上，堆积荧光体16(S14)。对于堆积荧光体16的方法，例如，采用通过利用了荧光体16分散的荧光体分散溶液的电泳法，在ZnO层14上堆积(集积)荧光体16的技术。并且，使荧光体16沉淀在ZnO层14上，从而也可以堆积荧光体16。并且，也可以采用在ZnO层14上涂布荧光体分散溶液，使溶液干燥的方法。

[0067] 在任何方法的情况下，与形成树脂的矩阵中分散了荧光体的荧光层的以往技术不同，在荧光体层15中荧光体16相互凝集来形成结构体。其结果为，不需要控制荧光体16的矩阵中的分散，因此，只要控制荧光体16的量，就能够形成能够得到需要的荧光的稳定的荧光体层15。

[0068] 接着，如图3F以及图3G示出，使ZnO层14进行结晶生长，从而形成荧光体层15(S15)。具体而言，通过使用了含有Zn离子的溶液的溶液生长法，从ZnO层14使ZnO进行结晶生长，据此，荧光体16的空隙由ZnO填充。

[0069] 对于溶液生长法，利用在大气压下进行的化学池沉积法、在大气压以上进行的水热合成法、以及电解沉积法等。

[0070] 对于结晶生长用的溶液，例如，利用含有(CH2)6N4的硝酸锌溶液。硝酸锌溶液的pH为，5以上7以下，以作为一个例子。如此在中性附近的溶液中能够生长，这是其他的氧化物不具有的ZnO的特征。

[0071] 使ZnO在中性附近的溶液中生长，据此，与需要碱性的反应液的玻璃填充不同，因化学蚀刻而在荧光体16的表面产生非辐射复合的可能性低。因此，在ZnO的填充中，与玻璃填充相比，荧光体16的内量子效率的降低被抑制。

[0072] 图3F是示出，从图3E的ZnO层14，使ZnO进行结晶生长的过程的中途的图。通过利用在接近平衡的状态下能够结晶生长的溶液生长法，据此，以ZnO层14为结晶生长的核心(即，种晶)，从荧光体16的下部区域的ZnO层14依次向上方ZnO进行结晶生长。其结果为，通过结晶生长而形成的ZnO，保持作为基底的ZnO层14的结晶状态。

[0073] 因此，在荧光体层15，形成与ZnO层14同样的细致的ZnO的结晶。而且，通过结晶生长而形成的ZnO，以填埋荧光体16的空隙方式生长后，通过横向的生长来覆盖荧光体16的上部区域。而且，在荧光体层15中，也可以添加Mg等的掺杂物。

[0074] 并且，在溶液生长法中，原料溶液是，稀薄的水溶液且粘度低，因此，能够容易达到荧光体16的间隙。并且，成为使ZnO生长的原料的Zn离子小，因此，即使在ZnO的结晶生长中消耗Zn离子，Zn离子也能够容易从荧光体层15的外部的原料溶液，扩散并达到荧光体层15的内部。因此，能够抑制因原料不足而产生的荧光体层15的内部的空隙发生。

[0075] [效果等]

[0076] 在波长变换部件10中，在SiO2层13上设置ZnO层14。在波长变换部件10中，与不设置SiO2层13的情况相比，能够促使ZnO层14的结晶生长来提高荧光体层15的ZnO的结晶性，更稠密填充(密封)荧光体16。

[0077] 在荧光体层15产生空隙的情况下，根据因空隙而引起的光散射的增大、以及因空隙而引起的热导率的降低等的理由，会有光提取效率恶化的情况。在波长变换部件10中，通过SiO2层13，能够抑制荧光体层15的空隙的发生，提高光提取效率。

[0078] 并且，SiO2层13，被设置在荧光体层15与分色镜层12之间。在此，SiO2层13，也作为在蓝光照射到波长变换部件10时(以下，也记载为波长变换部件10的使用中)减少荧光体层15中产生的热对分色镜层12的影响的阻挡层来发挥功能。据此，能够抑制分色镜层12的因热而引起的劣化，能够提高耐久性(可靠性)。

[0079] 而且，在SiO2层13的厚度过薄的情况下，会有不能充分得到使荧光体层15的ZnO的结晶性提高的效果的情况。因此，SiO2层13的厚度是，例如，分色镜层12中包含的低折射率层12a的厚度以上即可。

[0080] 并且，在SiO2层13的厚度过薄的情况下，可以考虑如下情况，即，因SiO2层13的热传导特性的恶化，而在波长变换部件10的使用中荧光体层15的温度上升，导致荧光体16的发光效率降低。在此情况下，也可以对SiO2层13的厚度设定上限。而且，对于SiO2层13的厚度，具体而言，可以估计成为50nm至200nm左右。

[0081] (实施例2)

[0082] 在实施例1中，利用了作为反射层的分色镜层12，但是，也可以利用作为反射层的金属反射层。在实施例1中，说明具备包含Al的反射层的金属反射层的波长变换部件10a，以作为金属反射层的一个例子。而且，在以下的实施例2中，以与实施例1不同之处为中心进行说明，省略说明与实施例1相同的内容。

[0083] [结构]

[0084] 首先，对于实施例2涉及的波长变换部件的结构，利用图5进行说明。图5是实施例2涉及的波长变换部件的截面图。

[0085] 如图5示出，波长变换部件10a具备，基板11、金属反射层17、SiO2层13、ZnO层14、以及含有荧光体16的荧光体层15。

[0086] 金属反射层17，在上部具有包含低折射率层18a以及高折射率层18b的增反射层18，包含Al反射层19b。并且，在金属反射层17中也包含，Nb贴紧膜19a。

[0087] Nb贴紧膜19a是，用于使Al反射层19b的向基板11的粘合性提高的层。Nb贴紧膜19a，被形成在基板11上。

[0088] Al反射层19b是，由Al构成的反射层。Al反射层19b，被形成在Nb贴紧膜19a上。

[0089] 增反射层18是，用于减少在Al反射层19b和SiO2层13的界面产生的光的散射损失的层，被形成在Al反射层19b上。增反射层18具有，低折射率层18a、以及高折射率层18b。

[0090] 对于低折射率层18a，具体而言，利用SiO2以及Al2O3等的轻元素的氧化物。并且，对于高折射率层18b，可以利用TiO2、Nb2O3、ZnO、以及AlON等的比较重的元素的氧化物以及氧氮化物。

[0091] 而且，也可以不设置Nb贴紧膜19a以及增反射层18。

[0092] [效果等]

[0093] 在波长变换部件10a中，也在SiO2层13上设置ZnO层14。据此，能够促使ZnO层14的结晶生长来提高荧光体层15的ZnO的结晶性，更稠密填充(密封)荧光体16。也就是说，在波长变换部件10a中，能够抑制荧光体层15的空隙的发生，能够提高光提取效率。

[0094] 并且，SiO2层13，被设置在荧光体层15与Al反射层19b之间。在此，SiO2层13，也作为在波长变换部件10a的使用中减少荧光体层15中产生的热对Al反射层19b的影响的阻挡层来发挥功能。据此，能够抑制Al反射层19b的因热而引起的劣化，能够提高耐久性(可靠性)。

[0095] 而且，对于SiO2层13，可以考虑到具有以下的效果，即，除了热以外，还阻挡向Al反射层19b的氧的传递，从而抑制劣化(因氧化而引起的反射率的降低)的效果。

[0096] 而且，在SiO2层13的厚度过薄的情况下，会有不能充分得到Al反射层19b的氧化的抑制效果的情况。因此，SiO2层13的厚度是，例如，金属反射层17中包含的低折射率层18a的厚度以上即可。

[0097] (实施例3)

[0098] [结构]

[0099] 本发明，也可以作为使用了所述实施例的波长变换部件的投影机来实现。以下，对于实施例3涉及的投影机，利用图6进行说明。图6是示出实施例3涉及的投影机的结构的图。

[0100] 而且，在实施例3的说明中，波长变换部件10的分色镜层12具有，使荧光体16发出的黄色光反射、且使蓝光透过的特性，基板11是蓝宝石等的透明基板。

[0101] 如图6示出，投影机20具备，发光装置200、光学组件300、以及控制部400。

[0102] 发光装置200是，作为投影机20的光源来工作的装置。发光装置200具备，波长变换部件10、以及照射部100。并且，发光装置200具备，分色镜220、反射镜231、反射镜232、以及反射镜233。

[0103] 波长变换部件10，被安装在电动机213来旋转。电动机213，根据来自控制部400的驱动控制信号来驱动。

[0104] 照射部100，将用于使荧光体16激励的光从荧光体层15侧向波长变换部件10照射。更具体而言，照射部100具备，多个半导体发光元件111(激励光源)、对从半导体发光元件
111射出的光进行准直的准直透镜120、以及散热器130。

[0105] 半导体发光元件111是，例如半导体激光器或LED，通过驱动电流来驱动，从而发出规定的颜色(波长)的光。在实施例3中，对于半导体发光元件111，利用发出360nm以上480nm以下的波长的蓝光的半导体激光器。半导体发光元件111的发光控制，由控制部400进行。而且，半导体发光元件111，设置有多个，但也可以是一个。

[0106] 分色镜220具有，使从照射部100射出的蓝光(激励光)透过，且使比该蓝光长的波长的光反射的特性。也就是说，分色镜220，使来自波长变换部件10的黄色光反射。

[0107] 光学组件300具备，聚光透镜310、棒形积分器320、透镜组330、投射透镜340、以及显示元件350。

[0108] 聚光透镜310，使来自发光装置200的光聚光于棒形积分器320的入射端面。

[0109] 棒形积分器320，将由聚光透镜310聚光的光，在入射端面接受后，使亮度分布均匀来射出。棒形积分器320是，例如，四棱柱，入射到棒形积分器320的光，在介质内反复进行全反射以均匀的亮度分布来射出。

[0110] 透镜组330，使从棒形积分器320射出的光入射到显示元件350。透镜组330是，由多个透镜构成的透镜组件，具备例如聚光透镜以及中继透镜等。

[0111] 投射透镜340是，将从显示元件350输出的光向投影机20的外部投射的透镜。投射透镜340是，由一个或多个透镜组构成的投射透镜组(投射组件)，例如，由双凸透镜、光圈以及平凹透镜等构成。

[0112] 显示元件350，对从透镜组330射出的光进行控制，作为影像来输出。显示元件350是，具体而言，作为影像元件利用的DMD(数字镜器件)。

[0113] 控制部400是，对发光装置200(照射部100以及电动机213)、和显示元件350进行控制的控制部。控制部400，具体而言，由微电脑、处理器、或专用电路等实现。

[0114] [工作]

[0115] 接着，说明投影机20的工作。

[0116] 从照射部100射出的蓝光，透过分色镜220后入射到波长变换部件10。此时，波长变换部件10，根据所述分色镜层12的特性，使蓝光透过，使黄色光反射。也就是说，波长变换部件10，向分色镜220射出黄色光，向反射镜231射出蓝光。而且，此时，波长变换部件10，由电动机213旋转。

[0117] 由波长变换部件10反射的黄色光，由分色镜220反射后，引导到光学组件300。另一方面，透过了波长变换部件10的蓝光，在反射镜231、反射镜232以及反射镜233依次反射，透过分色镜220后，引导到光学组件300。也就是说，蓝光和黄色光混合的白光入射到光学组件300。

[0118] 入射到光学组件300的白光，通过聚光透镜310、棒形积分器320以及透镜组330后，入射到显示元件350，根据来自控制部400的影像信号被形成为图像(影像光)，从显示元件350输出。而且，此时的图像为，黑白。

[0119] 而且，从显示元件350输出的图像，从投射透镜340投射到屏幕等的对象物。

[0120] 而且，在投影机20中，如图7示出，发光装置200、光学组件300、以及控制部400，收纳在框体500。图7是投影机20的外观斜视图。

[0121] [总结]

[0122] 如上所说，本发明，能够作为利用了波长变换部件10的投影机20来实现。也就是说，根据波长变换部件10，能够实现光的提取效率及耐久性提高的投影机20。

[0123] 而且，投影机20是，一个例子，以波长变换部件10及波长变换部件10a为例子的本发明的波长变换部件，能够使用于利用了现有的各种光学系统的投影机。

[0124] 并且，本发明，也可以作为用于投影机的发光装置(例如，发光装置200)来实现。

[0125] (其他变形例)

[0126] 以上，说明了实施例1至3，但是，本发明，不仅限于所述实施例。

[0127] 在所述实施例中，对于非晶层，示出了SiO2层13(SiO2的非晶层)的例子，但是，非晶层也可以是，例如，由TiO2构成的非晶层等的、其他的非晶层。

[0128] 在所述实施例中，对于金属氧化物层，示出了ZnO层14的例子，但是，金属氧化物层也可以是，由其他的金属氧化物构成的层。

[0129] 在所述实施例中，说明了投影机用途的波长变换部件，但是，对于波长变换部件的用途，没有特别的限定。本发明的波长变换部件，也可以利用于照明或显示器等的其他的用途。

[0130] 并且，所述实施例的截面图所示的层叠构造是，一个例子，本发明，不仅限于所述层叠构造。也就是说，与所述层叠构造同样，能够实现本发明的特征功能的层叠构造也包含在本发明中。例如，也可以在能够实现与所述层叠构造同样的功能的范围内，在所述层叠构造的层间设置其他的层。

[0131] 并且，在所述实施例中，示出了构成层叠构造的各个层的主要材料的例子，但是，也可以在能够实现与所述层叠构造同样的功能的范围内，包含其他的材料。

[0132] (实施例4)

[0133] 接着，说明实施例4涉及的发光装置。

[0134] 以往，利用了以激光来激励的荧光体的发光装置是众所周知的(例如，参照专利文献3以及4)。荧光体，在被激光照射的情况下，电子激励后返回到基态时发出光(荧光)。将由荧光体发出的荧光向所希望的方向射出，从而能够利用于照明装置等。

[0135] 例如，专利文献3公开，将向荧光体直接照射激光来从荧光体发出的荧光，从设置在荧光体的上方的透光窗提取的照明装置。并且，专利文献4公开，具备用于将从荧光体发出的荧光向规定的方向射出的反射镜的激光光源装置。

[0136] 然而，根据所述以往的发光装置，一边维持高反射率，一边提高散热性是困难的。

[0137] 于是，在本实施例中，提供能够一边维持高反射率，一边提高散热性的装置。

[0138] 为了实现所述目的，本实施例涉及的发光装置具备：以激光来激励的陶瓷荧光体；以及以接触与所述陶瓷荧光体的激光照射面不同的面的方式设置的、具有光反射性的反射层。

[0139] 根据本实施例，能够一边维持高反射率，一边提高散热性。

[0140] [发光装置]

[0141] 首先，对于本实施例涉及的发光装置，利用图8以及图9进行说明。图8是本实施例涉及的发光装置601的概观斜视图。图9是本实施例涉及的发光装置601的截面图。

[0142] 如图8以及图9示出，发光装置601具备，激光光源610、陶瓷荧光体620、反射层630、散热器640、以及粘合层650。

[0143] 在激光光源610向陶瓷荧光体620照射激光611的情况下，陶瓷荧光体620射出光621。陶瓷荧光体620，隔着反射层630以及粘合层650而戴置并固定在散热器640的戴置面
641上。

[0144] 而且，在图8以及图9中，将散热器640的戴置面641的法线方向设为Z轴方向，将与该法线方向平行、且彼此正交的两个方向，分别设为X轴方向以及Y轴方向。也就是说，戴置面641，与XY平面平行。

[0145] 以下，详细说明本实施例涉及的发光装置601的各个构成部件。

[0146] [激光光源]

[0147] 激光光源610是，例如，半导体激光器或LED，由驱动电流驱动，将规定的颜色(波长)的激光，向陶瓷荧光体620射出。具体而言，激光光源610，将紫外线、或者、紫色或蓝色的可见光作为激光611来射出。激光611是，陶瓷荧光体620包含的荧光体的激励光，对于激光611的照射强度以及波长，若是能够使荧光体的电子激励的程度，则可以是任何激光。

[0148] 而且，图8示出，一个激光光源610，但是，如图9示出，发光装置601也可以具备多个激光光源610。多个激光光源610被配置为，从互不相同的方向将激光611照射到陶瓷荧光体620。例如，多个激光光源610也可以，以包围陶瓷荧光体620的方式以环状排列配置。

[0149] [陶瓷荧光体]

[0150] 陶瓷荧光体620是，以激光来激励的陶瓷荧光体，由含有荧光体的板状的陶瓷形成。具体而言，如图8及图9示出，陶瓷荧光体620，由具有彼此对置的两个主面的一张平板状的陶瓷形成。荧光体，分散在陶瓷荧光体620整体。两个主面的一方(上表面)是，激光611的照射侧的面，即激光照射面。在两个主面的下方(下表面)，设置有反射层630。

[0151] 如图8示出，陶瓷荧光体620的俯视形状是，例如矩形。而且，在本实施例中，俯视意味着，从激光611的照射侧看的情况(即，从Z轴正方向看的情况)。陶瓷荧光体620的俯视形状，不仅限于矩形，也可以是正方形、圆形或椭圆形等其他的形状。

[0152] 在本实施例中，陶瓷荧光体620是，由矾土(氧化铝(Al2O3))等的陶瓷构成的平板。而且，对于陶瓷，不仅限于矾土，也可以利用锆氧(氧化锆(ZrO2))、氧化锌(ZnO)等。

[0153] 将陶瓷粒子烧结，从而能够构成陶瓷荧光体620。具体而言，混合矾土粒子等的陶瓷原料、散射体或烧结助剂(添加剂)、和荧光体之后，添加粘结剂来进行加热形成，然后，进行烧制，从而制造陶瓷荧光体620。

[0154] 荧光体也可以是，黄色荧光体、红色荧光体或绿色荧光体、或者它们的组合等的任何荧光体例如，对于荧光体，可以利用YAG系的荧光体粒子、CASN(CaAlSiN3)等。

[0155] 陶瓷荧光体620，在被激光611照射的情况下，荧光体的电子激励。激励的电子返回到基态时发出光(荧光)。荧光，一部分照原样射出到激光611的照射侧，一部分，由反射层630反射后向激光611的照射侧射出。

[0156] 并且，来自陶瓷荧光体620的光621也可以包含，荧光体发出的荧光、以及作为激励光的激光611。也就是说，发光装置601，也可以将荧光和激光611的合成光作为光621，来向外部射出。例如，在作为激光611利用蓝光的情况下，激光611，在陶瓷荧光体620内部散射，一部分不会由荧光体吸收并变换，而作为蓝光放出。因此，陶瓷荧光体620，利用该蓝光、以及从荧光体发出的荧光(例如，黄色光)，从而能够射出白色的光621。

[0157] [反射层]

[0158] 反射层630，具有光反射性，被设置为接触与陶瓷荧光体620的激光照射面(上表面)不同的面。具体而言，反射层630，被设置为接触与激光照射面相反一侧的面(下表面)。更具体而言，反射层630是，被设置为接触陶瓷荧光体620的下表面整体的金属薄膜。

[0159] 反射层630，使从陶瓷荧光体620射出的光621反射。具体而言，反射层630，使激光611、以及从陶瓷荧光体620含有的荧光体发出的荧光反射。反射层630使荧光反射，从而能够提高向上表面侧的光的提取效率。并且，反射层630使激光611反射，从而能够以反射的激光611来使陶瓷荧光体620的荧光体的电子更激励。据此，能够增加荧光的光量，因此，能够更提高光的提取效率。

[0160] 在本实施例中，反射层630是金属蒸镀膜。也就是说，通过蒸镀法将金属材料堆积在陶瓷荧光体620的下表面，从而形成反射层630。对于蒸镀法，例如，可以利用真空蒸镀法、CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)或离子束辅助法等。而且，反射层630，不仅限于蒸镀法，也可以利用涂布法、溅射法、GCIB(Gas Cluster Ion Beam：气体团簇离子束)等。反射层630的膜厚是，例如，0.1μm至1μm。

[0161] 反射层630，光的反射率高，且光的吸收率低。而且，由反射层630的光的反射，不仅限于镜面反射，也可以是扩散反射。反射层630的光的反射率是，例如，80％以上，优选的是90％以上。反射层630的光的吸收率是，例如，20％以下，优选的是10％以下。

[0162] 在本实施例中，反射层630，由热传导材料(热界面材料：TIM)构成。例如，反射层630，由铝、银等的金属材料形成。具体而言，对于反射层630，可以利用热导率为50W/m·K至
400W/m·K以上的材料。对于反射层630，不使用氧化硅(SiO2)或氧化钛(TiO2)。

[0163] [散热器]

[0164] 散热器640是，戴置陶瓷荧光体620的散热体的一个例子。散热器640是，用于将陶瓷荧光体620含有的荧光体产生的热散热到外部(大气中)的散热部件。因此，优选的是，利用金属等的热导率高的材料来形成散热器640。散热器640是，例如，利用了铝合金的铝压铸件制。并且，在散热器640，也可以设置例如多个散热片(不图示)。

[0165] 散热器640的戴置面641是，散热器640具有的面之一，也是戴置陶瓷荧光体620的面。具体而言，陶瓷荧光体620，隔着反射层630和粘合层650而被戴置在戴置面641。更具体而言，在下表面形成有反射层630的陶瓷荧光体620，被戴置在涂布了粘合性的材料(粘合层650)的戴置面641。据此，能够容易将陶瓷荧光体620固定到散热器640。

[0166] [粘合层]

[0167] 粘合层650，由热传导材料构成，将反射层630和散热器640粘合。具体而言，粘合层650是，焊料或银浆料等。而且，对于粘合层650，不仅限于金属材料，也可以利用油脂、硅凝胶薄片等的树脂材料。例如，对于粘合层650，可以利用热导率为1W/m·K至100W/m·K以上的材料。

[0168] [热传导性]

[0169] 在此，对于本实施例涉及的发光装置601中，从陶瓷荧光体620产生的热的传导性，利用图10进行说明。图10是示出本实施例涉及的发光装置601的陶瓷荧光体620和散热器640之间的截面的模式图。

[0170] 如图10示出，在陶瓷荧光体620的下表面，形成有微小的凹凸622。反射层630被设置为，覆盖凹凸622，使陶瓷荧光体620的下表面平坦化。

[0171] 同样，在散热器640的戴置面641也形成有微小的凹凸642。粘合层650被设置为，覆盖凹凸642，使散热器640的戴置面641平坦化。

[0172] 例如，在没有设置反射层630以及粘合层650的情况下，陶瓷荧光体620的凹凸622和散热器640的凹凸642接触，因此，陶瓷荧光体620和散热器640的接触面积变小。并且，在凹凸622和凹凸642不接触的部分，在中间包含空气，因此，热导率变低。

[0173] 对此，在本实施例中，反射层630和粘合层650，彼此的平坦的面相互接触，因此，反射层630和粘合层650的粘合面积变大。因此，在陶瓷荧光体620产生的热，在反射层630以及粘合层650高效率地传导，传导到散热器640。

[0174] [效果等]

[0175] 如本实施例涉及的发光装置601，在利用以激光来激励的陶瓷荧光体620的情况下，需要将在陶瓷荧光体620产生的热高效率地传导到散热器640。例如，使陶瓷荧光体620和散热器640直接接触，从而能够将在陶瓷荧光体620产生的热高效率地传导到散热器640。

[0176] 在此，为了使陶瓷荧光体620和散热器640直接接触，而需要将陶瓷荧光体620按压到散热器640。然而，陶瓷荧光体620，由陶瓷构成，因此，耐不住按压力。例如，在以强烈的力量将陶瓷荧光体620按压到散热器640的情况下，会有耐不住热膨胀等而被破坏的情况。

[0177] 鉴于此，可以考虑以下的情况，即，不将陶瓷荧光体620按压来固定到散热器640，而利用热导率高的粘合性材料，将陶瓷荧光体620固定到散热器640。

[0178] 一般而言，对于粘合性材料，利用油脂或硅凝胶薄片。然而，油脂或硅凝胶薄片，以树脂为主成分构成，因此，在高能量的激光611照射的情况下，会有局部超过耐热温度的情况。并且，油脂或硅凝胶薄片，吸收透过到陶瓷荧光体620的下表面侧的激光611，因此，激励的电子的数量减少，其结果为，提取的光621(荧光)变少。

[0179] 根据所述内容，不能利用由树脂构成的粘合性材料，将陶瓷荧光体620和散热器640直接粘合。

[0180] 对此，本实施例涉及的发光装置601具备：以激光来激励的陶瓷荧光体620；以及被设置为接触与陶瓷荧光体620的激光照射面不同的面的、具有光反射性的反射层630。并且，陶瓷荧光体620，由具有彼此相对的两个主面的板状的陶瓷构成，两个主面的一方是，激光照射面，反射层630，被设置在两个主面的另一方。

[0181] 据此，在与陶瓷荧光体620的激光照射面相反一侧设置有反射层630，因此，光621(激光611以及荧光)，由反射层630反射。因此，能够增加激励的电子的数量，并且，能够向外部射出荧光。因此，能够抑制光的提取效率的降低。

[0182] 并且，光621由反射层630反射，因此，在反射层630的与陶瓷荧光体620相反一侧，能够设置吸收光的树脂等的粘合性部件。据此，能够将陶瓷荧光体620固定到散热器640。

[0183] 进而，能够由反射层630覆盖陶瓷荧光体620的微小的凹凸622。据此，能够抑制在陶瓷荧光体620和散热器640之间存在空气，因此，能够提高热传导性。

[0184] 并且，例如，反射层630是，金属蒸镀膜。

[0185] 据此，反射层630由金属蒸镀膜构成，因此，能够适当地覆盖陶瓷荧光体620的凹凸622。因此，能够提高热传导性。

[0186] 并且，将由金属蒸镀膜构成的反射层630形成在陶瓷荧光体620，据此，陶瓷基板(陶瓷荧光体620以及反射层630)的强度提高，能够以强烈的力量将陶瓷基板固定到散热器640等。并且，陶瓷基板的强度提高，因此，陶瓷基板难以破裂，能够容易处理陶瓷基板。

[0187] 进而，陶瓷基板的表面和背面的区别明确，因此，能够提高组装工作效率。特别是，在陶瓷荧光体620的表面施行AR(Anti-Reflective：抗反射)涂层、或者、耐氧化或耐湿涂层等的情况下有用的。

[0188] 并且，例如，反射层630，由热传导材料构成。

[0189] 据此，能够将在陶瓷荧光体620产生的热，经由反射层630高效率地传导到散热器640。

[0190] 并且，例如，发光装置601，还具备：散热器640；以及由热传导材料构成的、将反射层630和散热器640粘合的粘合层650。

[0191] 据此，能够将在陶瓷荧光体620产生的热，经由反射层630以及粘合层650高效率地传导到散热器640。

[0192] 而且，本实施例涉及的发光装置601也可以，不具备粘合层650。即使在此情况下，反射层630的下表面为平面，因此，与没有反射层630的情况相比，能够增加与散热器640的戴置面641的接触面积。因此，能够提高热传导性。

[0193] [其他]

[0194] 并且，例如，在所述实施例中示出了，将混合荧光体的陶瓷粒子烧结，从而能够形成陶瓷荧光体620的例子，但是，不仅限于此。例如，陶瓷荧光体620，也可以通过陶瓷的薄膜生长来制造。

[0195] 并且，例如，在所述实施例中示出了，从陶瓷荧光体620的两个主面的一方照射激光611的例子，但是、也可以从陶瓷荧光体620的端面照射激光611。

[0196] (实施例5)

[0197] 接着，说明实施例5涉及的发光装置。

[0198] 所述专利文献3以及4所记载的发光装置具有的问题是，不能充分提高散热性。并且，以往的发光装置具有的问题是，例如，荧光的聚光等的光学控制变得困难。

[0199] 于是，本实施例，提供能够同时实现良好的散热性和光学控制的发光装置。

[0200] 为了实现所述目的，本实施例涉及的发光装置是，具备以激光来激励的陶瓷荧光体的发光装置，所述陶瓷荧光体具备；由板状的陶瓷构成的、含有以激光来激励的荧光体的发光部；以及被设置为包围所述发光部的、使来自所述发光部的光反射的反射部。

[0201] 根据本实施例，能够同时实现良好的散热性和光学控制。

[0202] [发光装置]

[0203] 首先，对于本实施例涉及的发光装置，利用图11以及图12进行说明。图11是本实施例涉及的发光装置701的概观斜视图。图12是本实施例涉及的发光装置701的截面图。

[0204] 如图11以及图12示出，发光装置701具备，激光光源710、陶瓷荧光体720、以及散热器730。并且，陶瓷荧光体720具备，发光部721、以及反射部722。

[0205] 在激光光源710向陶瓷荧光体720的发光部721照射激光711的情况下，发光部721射出光723。陶瓷荧光体720，被戴置并固定在散热器730的戴置面731。

[0206] 而且，在图11以及图12中，将散热器730的戴置面731的法线方向设为Z轴方向，将与该法线方向平行、且彼此正交的两个方向分别设为X轴方向以及Y轴方向。也就是说，戴置面731，与XY平面平行。

[0207] 以下，对于本实施例涉及的发光装置701的各个构成部件，进行详细说明。

[0208] [激光光源]

[0209] 激光光源710是，例如，半导体激光器或LED，由驱动电流驱动，将规定的颜色(波长)的激光，向发光部721射出。具体而言，激光光源710，将紫外线、或者、紫色或蓝色的可见光作为激光711来射出。激光711是，陶瓷荧光体720包含的荧光体的激励光，对于激光711的照射强度以及波长，若是能够使荧光体的电子激励的程度，则可以是任何激光。

[0210] 图11示出，一个激光光源710，但是，如图12示出，发光装置701也可以具备多个激光光源710。多个激光光源710被配置为，从互不相同的方向将激光711照射到发光部721。例如，多个激光光源710也可以，以包围发光部721的方式以环状排列配置。

[0211] [陶瓷荧光体]

[0212] 陶瓷荧光体720是，以激光来激励的陶瓷荧光体，由板状的陶瓷形成。在本实施例中，如图12示出，发光部721以及反射部722，被设置在同一层内。也就是说，陶瓷荧光体720是，一张平板，发光部721以及反射部722均为板状。

[0213] 如图11示出，陶瓷荧光体720的俯视形状是，例如矩形。而且，在本实施例中，俯视意味着，从激光711的照射侧看的情况(即，从Z轴正方向看的情况)。陶瓷荧光体720的俯视形状，不仅限于矩形，也可以是正方形、圆形或椭圆形等其他的形状。

[0214] 在本实施例中，陶瓷荧光体720是，由矾土(氧化铝(Al2O3))等的陶瓷构成的平板。而且，对于陶瓷，不仅限于矾土，也可以利用锆氧(氧化锆(ZrO2))、氧化锌(ZnO)等。

[0215] 将陶瓷粒子烧结，从而能够构成陶瓷荧光体720。具体而言，混合矾土粒子等的陶瓷原料、散射体或烧结助剂(添加剂)、和荧光体之后，添加粘结剂来进行加热形成，然后，进行烧制，从而制造陶瓷荧光体720。

[0216] 此时，在用于形成发光部721的规定的区域添加荧光体，从而形成发光部721。例如，发光部721是，含有荧光体的矾土。例如，发光部721，被设置在陶瓷荧光体720的中央部。中央部是，例如，包含陶瓷荧光体720的中心(或重心)的区域。发光部721的俯视形状为，例如，圆形，但是，也可以是任何形状。发光部721的俯视形状也可以是，正方形、矩形或椭圆形等、其他的形状。

[0217] 荧光体也可以是，黄色荧光体、红色荧光体或绿色荧光体、或者它们的组合等的任何荧光体例如，对于荧光体，可以利用YAG系的荧光体粒子、CASN(CaAlSiN3)等。

[0218] 在发光部721，在被激光711照射的情况下，荧光体的电子激励。激励的电子返回到基态时发出光(荧光)。荧光，一部分照原样射出到激光711的照射侧，一部分，由反射部722(与发光部721的边界724)或散热器730的戴置面731反射后向激光711的照射侧射出。

[0219] 并且，来自发光部721的光723也可以包含，荧光体发出的荧光、以及作为激励光的激光711。也就是说，发光装置701，也可以将荧光和激光711的合成光作为光723，来向外部射出。例如，在作为激光711利用蓝光的情况下，激光711，在发光部721内部散射，一部分不会由荧光体吸收并变换，而作为蓝光放出。因此，发光部721，利用该蓝光、以及从荧光体发出的荧光(例如，黄色光)，从而能够射出白色的光723。

[0220] 反射部722，被设置为包围发光部721，使来自发光部721的光723反射。在本实施例中，反射部722，被设置在陶瓷荧光体720的外周部，具有光反射性。具体而言，反射部722是，陶瓷荧光体720之中的、不包含荧光体的部分。反射部722的俯视形状，依赖于陶瓷荧光体720以及发光部721的形状。在本实施例中，反射部722的俯视形状为，外周由矩形的边构成、内周由圆弧构成的环状。

[0221] 反射部722，光的反射率高、且光的吸收率低。而且，由反射部722的光的反射，不仅限于镜面反射，也可以是扩散反射。反射部722的光的反射率是，例如，80％以上，优选的是90％以上。反射部722的光的吸收率是，例如，20％以下，优选的是10％以下。例如，反射部
722是，不包含荧光体的白色矾土。

[0222] 陶瓷荧光体720，被戴置并固定在散热器730。例如，压住陶瓷荧光体720的外周部、即反射部722，从而将陶瓷荧光体720固定到散热器730。对于压住反射部722的方法，也可以是任何方法。例如，也可以通过被设置为从散热器730的戴置面731突出的钩型的卡爪，来压住反射部722的上表面(激光711的照射侧的面)。或者，也可以通过螺丝固定或铆接来压住反射部722。

[0223] 据此，不需要压住发光部721，因此，不妨碍从发光部721射出光723，而能够固定陶瓷荧光体720。

[0224] [散热器]

[0225] 散热器730是，戴置陶瓷荧光体720的散热体的一个例子。散热器730是，用于将陶瓷荧光体720的发光部721(具体而言，荧光体)产生的热散热到外部(大气中)的散热部件。因此，优选的是，利用金属等的热导率高的材料来形成散热器730。散热器730是，例如，利用了铝合金的铝压铸件制。并且，在散热器730，也可以设置例如多个散热片(不图示)。

[0226] 散热器730的戴置面731是，散热器730具有的面之一，也是戴置陶瓷荧光体720的面。戴置面731，被进行镜面处理。例如，对散热器730的一个面进行研磨，从而形成镜面处理后的戴置面731。据此，能够由戴置面731使来自发光部721的光723反射，因此，能够提高光的提取效率。

[0227] [效果等]

[0228] 如本实施例涉及的发光装置701，在利用以激光来激励的荧光体的情况下，需要将在荧光体产生的热高效率地传导到散热器。例如，使荧光体和散热器的接触面积变大，从而能够将在荧光体产生的热高效率地传导到散热器。

[0229] 然而，若使荧光体(发光部721)的面积变大，则光的放射面积变大，光学控制变得困难。因照射的激光而发出的荧光(以及激光)，在荧光体的内部传播后向外部放出。若荧光体的面积变大，则传播的区域变大，其结果为光的放射面积变大。因此，例如，用于荧光的聚光的透镜成为大型化等，光学控制变得困难。为了使光学控制变得容易，优选的是，光从狭窄的区域射出。

[0230] 于是，本实施例涉及的发光装置701是，如上所述，具备以激光来激励的陶瓷荧光体720的发光装置701，所述陶瓷荧光体720具备；由板状的陶瓷构成的、含有以激光来激励的荧光体的发光部721；以及被设置为包围所述发光部721的、使来自所述发光部721的光反射的反射部722。并且，例如，发光装置701还具备，戴置陶瓷荧光体720的散热器730。

[0231] 据此，在由反射部722包围的发光部721产生的热，超越与反射部722的边界724传播到陶瓷荧光体720的端部。也就是说，发光部721以及反射部722都由陶瓷构成，因此，在发光部721与反射部722的边界724，热顺利传播。因此，在发光部721产生的热，向面方向扩大，因此，能够从陶瓷荧光体720整体向散热器730高效率地进行传播。

[0232] 另一方面，来自发光部721的光723，在发光部721与反射部722的边界724反射。因此，光723，不会向面方向扩大，而从发光部721射出。因此，能够实现透镜的小型化，并且，能够提高光学设计的自由度。

[0233] 如此，根据本实施例涉及的发光装置701，能够一边使发光部721的面积变小，一边增加陶瓷荧光体720与散热器730的接触面积，因此，能够实现良好的散热性和光学控制。

[0234] 并且，例如，发光部721和反射部722，被设置在同一层内。

[0235] 据此，能够使陶瓷荧光体720变薄，能够使发光装置701成为小型化。并且，能够使光在发光部721与反射部722的边界724反射，因此，能够提高光723的聚光性。

[0236] 并且，例如，散热器730的戴置陶瓷荧光体720的戴置面731，被进行镜面处理。

[0237] 据此，能够由戴置面731使来自发光部721的光723反射，因此，能够提高光的提取效率。

[0238] [变形例1]

[0239] 以下，利用图13说明本实施例涉及的发光装置701的变形例1。

[0240] 在所述的实施例涉及的发光装置701中，向激光711的照射面侧(Z轴正方向向)射出光723，但是，不仅限于此。例如，也可以向与激光711的照射面侧相反一侧(Z轴负方向)射出光723，即，向散热器730侧射出光723。或者，也可以向双面射出光723。

[0241] 图13是本变形例涉及的发光装置701a的截面图。

[0242] 如图13示出，发光装置701a，与图12示出的发光装置701相比，不同之处是，代替散热器730，而具备散热器730a。以下，以与实施例不同之处为中心进行说明。

[0243] 散热器730a，与散热器730相比，不同之处是，设置贯通孔732。贯通孔732，向散热器730的厚度方向(Z轴方向)贯通。

[0244] 贯通孔732，被设置在陶瓷荧光体720的厚度方向(Z轴方向)上的、与发光部721重叠的区域。例如，在俯视时，发光部721和贯通孔732，具有相同的形状。

[0245] 据此，能够使来自发光部721的光723，经由贯通孔732向散热器730侧射出。

[0246] [变形例2]

[0247] 接着，利用图14说明本实施例涉及的发光装置的变形例2。

[0248] 图14是本变形例涉及的发光装置701b的截面图。

[0249] 如图14示出，发光装置701b，与图12示出的发光装置701相比，不同之处是，代替陶瓷荧光体720，而具备陶瓷荧光体720b。陶瓷荧光体720b具备发光部721b、以及反射部722b。

[0250] 发光部721b以及反射部722b，与实施例的发光部721以及反射部722相比，功能相同，但是，其边界不同。具体而言，发光部721b以及反射部722b的边界724b，相对于陶瓷荧光体720b的厚度方向(Z轴方向)而倾斜。此时的倾斜角是任意的。

[0251] 在陶瓷荧光体720b的制造时，调整该倾斜角，从而能够进行光723的聚光。也就是说，能够实现任意的配光。

[0252] (其他)

[0253] 以上，对于本发明涉及的发光装置，根据实施例4及5以及其变形例进行了说明，但是，本发明，不仅限于所述的实施例。

[0254] 例如，在所述实施例中示出了，发光装置601或701具备激光光源610或710的例子，但是，发光装置601或701也可以不具备激光光源610或710。例如，也可以根据从其他的激光光源照射的激光，陶瓷荧光体620或720发出光621或723。

[0255] 并且，例如，在所述实施例中示出了，发光装置601或701具备散热器640或730的例子，但是，发光装置601或701也可以不具备散热器640或730等的散热体。例如，发光装置601或701也可以被戴置在散热体以外的部件，或者，也可以由夹具那样的把持部件把持。即使在没有散热器640的情况下，也能够由反射层630使光621反射，因此，能够提高光的提取效率。即使在没有散热器640的情况下，也在发光部721产生的热向陶瓷荧光体720整体扩大，因此，例如，与空气(大气)的接触面积增加，能够提高散热性。

[0256] 并且，例如，在所述实施例中示出了，将在规定的区域混合荧光体的陶瓷粒子烧结来形成陶瓷荧光体720的例子，但是，不仅限于此。例如，陶瓷荧光体720也可以，通过陶瓷的薄膜生长来制造。例如，在散热器730的戴置面731直接生长陶瓷，从而也可以形成陶瓷荧光体720。也就是说，陶瓷荧光体720和散热器730也可以被形成为一体。

[0257] 并且，例如，在所述实施例中示出了，陶瓷荧光体620或720为一张平板的例子，但是，不仅限于此。例如，陶瓷荧光体720也可以具备，平板状的反射部722、以及被设置在反射部722的主面的发光部721。也就是说，也可以层叠反射部722和发光部721。并且，陶瓷荧光体620或720，不仅限于平板(扁平的大致长方体)，也可以是平板的一部分切开的多面体。

[0258] 并且，例如，在所述实施例中示出了，在陶瓷荧光体720的中央部设置发光部721的例子，但是，不仅限于此。例如，发光部721，也可以被形成在陶瓷荧光体720的不包含中心的区域。并且，发光部721，不仅限于一个，也可以在陶瓷荧光体720设置多个发光部721。

[0259] 并且，例如，也可以在陶瓷荧光体720的下表面(与散热器730的接触面)，形成反射层。具体而言，反射层是，被设置为与陶瓷荧光体720的下表面接触的、例如铝或银等的金属蒸镀膜。反射层，不仅限于金属，也可以由其他的热传导材料(热界面材料：TIM)构成。

[0260] 进而，也可以在该反射层与散热器730(戴置面731)之间，设置由热传导材料构成的、将反射层和粘散热器730粘合的粘合层。粘合层是，例如，焊料或银浆料等。

[0261] 而且，所述的实施例涉及的发光装置601、701、701a或701b，例如，能够利用于照明装置、投影机、激光指针等的各种发光装置。

[0262] 另外，对各个实施例实施本领域技术人员想到的各种变形而得到的形态，以及在不脱离本发明的宗旨的范围内任意组合各个实施例的构成要素以及功能来实现的形态，也包含在本发明中。

[0263] 而且，本发明，不仅限于这些实施例或其变形例。只要不脱离本发明的宗旨，对本实施例或其变形例实施本领域技术人员想到的各种变形而得到的形态，或者，组合不同的实施例或其变形例的构成要素而构筑的形态，也包含在本发明的范围内。

[0264] 符号说明

[0265] 10、10a 波长变换部件

[0266] 11 基板

[0267] 12 分色镜层

[0268] 12a、18a 低折射率层

[0269] 12b、18b 高折射率层

[0270] 13 SiO2层

[0271] 14 ZnO层

[0272] 15 荧光体层

[0273] 16 荧光体

[0274] 17 金属反射层

[0275] 18 增反射层

[0276] 19b Al反射层

[0277] 20 投影机

[0278] 100 照射部

[0279] 200、601、701、701a、701b 发光装置